JPH0691167B2 - 圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造 - Google Patents
圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造Info
- Publication number
- JPH0691167B2 JPH0691167B2 JP60267849A JP26784985A JPH0691167B2 JP H0691167 B2 JPH0691167 B2 JP H0691167B2 JP 60267849 A JP60267849 A JP 60267849A JP 26784985 A JP26784985 A JP 26784985A JP H0691167 B2 JPH0691167 B2 JP H0691167B2
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- JP
- Japan
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- piezoelectric vibrator
- hybrid
- metal lead
- mounting structure
- built
- Prior art date
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/476—Oscillators in combination with leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧電振動子と圧電振動子を発振させる半導体
素子を同時に樹脂成形したハイブリツドICの実装構造に
関する。
素子を同時に樹脂成形したハイブリツドICの実装構造に
関する。
本発明は、圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリ
ツドICの実装構造に関するものであり、圧電振動子を発
振させる複数の金属リード端子と金属リード端子の内２
本の金属リード端子間に電気的に接続された圧電振動子
が金属リード端子の一部を含んで同時に樹脂成形された
ハイブリツドICにおいて、ハイブリツドICの電気回路に
接続されない金属リード端子のバネ圧によつて圧電振動
子の上下及び平面方向の位置決めをすることにより、圧
電振動子の装着位置を固定して、樹脂成形時における圧
電振動子の位置ズレを防止し圧電振動子装着部周囲にあ
るハイブリツドICの電気回路に接続されている他の金属
リード端子と圧電振動子ケース体との接触をさけ、かつ
樹脂成形したハイブリツドICパツケージ外部への圧電振
動子露出を防ぐものである。
ツドICの実装構造に関するものであり、圧電振動子を発
振させる複数の金属リード端子と金属リード端子の内２
本の金属リード端子間に電気的に接続された圧電振動子
が金属リード端子の一部を含んで同時に樹脂成形された
ハイブリツドICにおいて、ハイブリツドICの電気回路に
接続されない金属リード端子のバネ圧によつて圧電振動
子の上下及び平面方向の位置決めをすることにより、圧
電振動子の装着位置を固定して、樹脂成形時における圧
電振動子の位置ズレを防止し圧電振動子装着部周囲にあ
るハイブリツドICの電気回路に接続されている他の金属
リード端子と圧電振動子ケース体との接触をさけ、かつ
樹脂成形したハイブリツドICパツケージ外部への圧電振
動子露出を防ぐものである。
従来の圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツド
ICの実装構造を、水晶振動子を用いた水晶発振器を例と
して第２図（ａ），（ｂ）に示す。第２図（ａ）は平面
図、第２図（ｂ）は正面断面図であり、水晶振動子を発
振させる半導体素子と半導体素子から金属細線で接続さ
れた複数の金属リード端子（以降、これらを総称して発
振回路21と言う。）と発振回路21の金属リード端子の内
２本の金属リード端子22,23に電気的接続して装着した
水晶振動子24がトランスフアーモールド樹脂25により、
同時に一体成形されている。この時前記水晶振動子24は
前記金属リード端子22,23との接続部のみで保持されて
いる。
ICの実装構造を、水晶振動子を用いた水晶発振器を例と
して第２図（ａ），（ｂ）に示す。第２図（ａ）は平面
図、第２図（ｂ）は正面断面図であり、水晶振動子を発
振させる半導体素子と半導体素子から金属細線で接続さ
れた複数の金属リード端子（以降、これらを総称して発
振回路21と言う。）と発振回路21の金属リード端子の内
２本の金属リード端子22,23に電気的接続して装着した
水晶振動子24がトランスフアーモールド樹脂25により、
同時に一体成形されている。この時前記水晶振動子24は
前記金属リード端子22,23との接続部のみで保持されて
いる。
しかし前述した従来技術の構成では、第２図に示した水
晶発振器のように水晶振動子24の保持が２本の金属リー
ド端子22,23との接続部のみでなされているため、前記
金属リード端子22,23への装着時及び樹脂成形時に前記
水晶振動子24の位置（特に水晶振動子24のケース体先端
部）が平面方向にズレて、水晶振動子24の周囲にある発
振回路21に接続された他の金属リード端子と接触して発
振異常を起こしたり、あるいは上下方向（厚み方向）に
ズレて樹脂成形したパツケージ外部へ露出してしまう危
険性が大きいためズレ量をさけて樹脂成形部（パツケー
ジ）の厚みを厚くしなければならない等の問題を有して
いた。そこで本発明はこのような問題点を解決しようと
するもので、その目的とするところは圧電振動子の保持
構造を改良して圧電振動子全体の装着位置を固定し、発
振回路に接続された他の金属リード端子と圧電振動子と
の接触による発振異常防止と、樹脂成形部（パツケー
ジ）の厚みを薄くして小型化を図つた圧電発振器を提供
することにある。
晶発振器のように水晶振動子24の保持が２本の金属リー
ド端子22,23との接続部のみでなされているため、前記
金属リード端子22,23への装着時及び樹脂成形時に前記
水晶振動子24の位置（特に水晶振動子24のケース体先端
部）が平面方向にズレて、水晶振動子24の周囲にある発
振回路21に接続された他の金属リード端子と接触して発
振異常を起こしたり、あるいは上下方向（厚み方向）に
ズレて樹脂成形したパツケージ外部へ露出してしまう危
険性が大きいためズレ量をさけて樹脂成形部（パツケー
ジ）の厚みを厚くしなければならない等の問題を有して
いた。そこで本発明はこのような問題点を解決しようと
するもので、その目的とするところは圧電振動子の保持
構造を改良して圧電振動子全体の装着位置を固定し、発
振回路に接続された他の金属リード端子と圧電振動子と
の接触による発振異常防止と、樹脂成形部（パツケー
ジ）の厚みを薄くして小型化を図つた圧電発振器を提供
することにある。
本発明の圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツ
ドICの実装構造は、ハイブリツドICの電気回路の内２本
の金属リード端子に電気的接続して装着した圧電振動子
の装着位置を、前記電気回路に接続されていない金属リ
ード端子のバネ圧で強制的にはさみ込むことにより固定
することを特徴とする。
ドICの実装構造は、ハイブリツドICの電気回路の内２本
の金属リード端子に電気的接続して装着した圧電振動子
の装着位置を、前記電気回路に接続されていない金属リ
ード端子のバネ圧で強制的にはさみ込むことにより固定
することを特徴とする。
本発明の圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツ
ドICの実装構造を、水晶振動子を用いた水晶発振器を例
として第１図（ａ），（ｂ）に示し説明する。第１図
（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は正面断面であり、発振
回路１と発振回路１の内２本の金属リード端子2,3に電
気的接続して装着した水晶振動子４がトランスフアーモ
ールド樹脂５により同時に一体成形されている。水晶振
動子４は前記金属リード端子2,3との接続部及び、発振
回路１と接続されていない金属リード端子６とのはさみ
込み接合によつて保持されており、水晶振動子４全体の
装着位置が確実に固定される構造になつている。前記金
属リード端子６の水晶振動子４との接合部には、水晶振
動子４に対して締め代を持たせることでバネ圧をつけて
あり、水晶振動子４との接合を強固なものにしている。
ドICの実装構造を、水晶振動子を用いた水晶発振器を例
として第１図（ａ），（ｂ）に示し説明する。第１図
（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は正面断面であり、発振
回路１と発振回路１の内２本の金属リード端子2,3に電
気的接続して装着した水晶振動子４がトランスフアーモ
ールド樹脂５により同時に一体成形されている。水晶振
動子４は前記金属リード端子2,3との接続部及び、発振
回路１と接続されていない金属リード端子６とのはさみ
込み接合によつて保持されており、水晶振動子４全体の
装着位置が確実に固定される構造になつている。前記金
属リード端子６の水晶振動子４との接合部には、水晶振
動子４に対して締め代を持たせることでバネ圧をつけて
あり、水晶振動子４との接合を強固なものにしている。
尚、本発明の圧電振動子を内蔵したハイブリツドICの実
装構造は、実施例に示す水晶振動子を用いた水晶発振器
に限らず、タンタル酸リチウム振動子、モリブデン酸リ
チウム振動子、セラミツク振動子等の圧電発振器、又は
これら圧電振動子と圧電振動子を発振させる電気回路を
内蔵したハイブリツドICでも良い。
装構造は、実施例に示す水晶振動子を用いた水晶発振器
に限らず、タンタル酸リチウム振動子、モリブデン酸リ
チウム振動子、セラミツク振動子等の圧電発振器、又は
これら圧電振動子と圧電振動子を発振させる電気回路を
内蔵したハイブリツドICでも良い。
さらに、圧電振動子に限らず抵抗、コンデンサー、コイ
ル等の電子部品への応用も可能である。
ル等の電子部品への応用も可能である。
又、接合部の金属リード端子形状の例としては第１図に
示した実施例のように圧電振動子ケース体に対する締め
代を利用するものの他、第３図に示すように圧電振動子
胴部を固定すべく圧電振動子ケース体周囲に没わせてバ
ネ成形した保持腕を突起させた金属リード端子を用いる
方法及び第４図に示すように圧電振動子ケース体先端部
を固定すべくバネ成形した保持腕を突起させた金属リー
ド端子を用いる方法も可能である。
示した実施例のように圧電振動子ケース体に対する締め
代を利用するものの他、第３図に示すように圧電振動子
胴部を固定すべく圧電振動子ケース体周囲に没わせてバ
ネ成形した保持腕を突起させた金属リード端子を用いる
方法及び第４図に示すように圧電振動子ケース体先端部
を固定すべくバネ成形した保持腕を突起させた金属リー
ド端子を用いる方法も可能である。
以上述べてきた様に本発明によれば、圧電振動子を、ハ
イブリツドICの電気回路に接続されていない金属リード
端子のバネ圧によつて上下及び平面方向に位置決めする
ことにより、圧電振動子周囲にある他の金属リード端子
と圧電振動子との接触及び樹脂成形部（パツケージ）外
部への圧電振動子露出を防ぐことが可能となり、圧電振
動子を内蔵して樹脂成形されたハイブリツドICの発振異
常防止と薄型パツケージ化と言う効果を有する。
イブリツドICの電気回路に接続されていない金属リード
端子のバネ圧によつて上下及び平面方向に位置決めする
ことにより、圧電振動子周囲にある他の金属リード端子
と圧電振動子との接触及び樹脂成形部（パツケージ）外
部への圧電振動子露出を防ぐことが可能となり、圧電振
動子を内蔵して樹脂成形されたハイブリツドICの発振異
常防止と薄型パツケージ化と言う効果を有する。
又、ハイブリツドICの電気回路に接続されない金属リー
ド端子を用いることで、特に圧電振動子装着位置に隣接
して適当な圧電振動子固定用金属リード端子が存在し得
ないハイブリツドICの電気回路において、充分な効果を
有することができる。
ド端子を用いることで、特に圧電振動子装着位置に隣接
して適当な圧電振動子固定用金属リード端子が存在し得
ないハイブリツドICの電気回路において、充分な効果を
有することができる。
第１図（ａ）は、本発明の圧電振動子を内蔵して樹脂成
形したハイブリツドICの実装構造の実施例としての水晶
発振器平面図、第１図（ｂ）は前記水晶発振器正面断面
図 １……発振回路、2,3……水晶振動子接続用金属リード
端子、４……水晶振動子、５……トランスフアーモール
ド樹脂、６……水晶振動子固定用金属リード端子 第２図（ａ）は、従来の圧電振動子を内蔵して樹脂成形
したハイブリツドICの実装構造の実施例としての水晶発
振器平面図、第２図（ｂ）は前記水晶発振器正面断面図 21……発振回路、22,23……水晶振動子接続用金属リー
ド端子、24……水晶振動子、25……トランスフアーモー
ルド樹脂 第３図は、本発明による圧電振動子固定用金属リード端
子の、固定部形状の他の実施例を示す斜視図 34……圧電振動子、36a……圧電振動子胴部固定用突起
腕 第４図は、本発明による圧電振動子固定用金属リード端
子の、固定部形状のさらに他の実施例を示す斜視図 44……圧電振動子、46b……圧電振動子先端部固定用突
起腕
形したハイブリツドICの実装構造の実施例としての水晶
発振器平面図、第１図（ｂ）は前記水晶発振器正面断面
図 １……発振回路、2,3……水晶振動子接続用金属リード
端子、４……水晶振動子、５……トランスフアーモール
ド樹脂、６……水晶振動子固定用金属リード端子 第２図（ａ）は、従来の圧電振動子を内蔵して樹脂成形
したハイブリツドICの実装構造の実施例としての水晶発
振器平面図、第２図（ｂ）は前記水晶発振器正面断面図 21……発振回路、22,23……水晶振動子接続用金属リー
ド端子、24……水晶振動子、25……トランスフアーモー
ルド樹脂 第３図は、本発明による圧電振動子固定用金属リード端
子の、固定部形状の他の実施例を示す斜視図 34……圧電振動子、36a……圧電振動子胴部固定用突起
腕 第４図は、本発明による圧電振動子固定用金属リード端
子の、固定部形状のさらに他の実施例を示す斜視図 44……圧電振動子、46b……圧電振動子先端部固定用突
起腕
Claims (1)
- 【請求項１】圧電振動子と半導体素子と金属リード端子
の一部を含んで樹脂成形されたハイブリツドICの実装構
造において、前記圧電振動子が前記ハイブリツドICの電
気回路に接続されていない前記金属リード端子のバネ圧
で上下及び平面方向の位置を固定されていることを特徴
とした圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツド
ICの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267849A JPH0691167B2 (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267849A JPH0691167B2 (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7294494A Division JP2570653B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 圧電振動子の実装構造 |
| JP7294495A Division JP2611693B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 圧電発振器の実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126656A JPS62126656A (ja) | 1987-06-08 |
| JPH0691167B2 true JPH0691167B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17450481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267849A Expired - Lifetime JPH0691167B2 (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691167B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3072632B2 (ja) * | 1988-10-03 | 2000-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器 |
| JPH08213514A (ja) * | 1995-11-13 | 1996-08-20 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60267849A patent/JPH0691167B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62126656A (ja) | 1987-06-08 |
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