JPH069182B2 - 投影露光方法 - Google Patents

投影露光方法

Info

Publication number
JPH069182B2
JPH069182B2 JP60016510A JP1651085A JPH069182B2 JP H069182 B2 JPH069182 B2 JP H069182B2 JP 60016510 A JP60016510 A JP 60016510A JP 1651085 A JP1651085 A JP 1651085A JP H069182 B2 JPH069182 B2 JP H069182B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
exposure method
strain
detected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60016510A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61177724A (ja
Inventor
智昭 坪香
秀幸 ▼廣▲瀬
義則 庭田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60016510A priority Critical patent/JPH069182B2/ja
Publication of JPS61177724A publication Critical patent/JPS61177724A/ja
Publication of JPH069182B2 publication Critical patent/JPH069182B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ホトレジスト等の感光性防蝕剤を用いて基板
上にマスクまたはレテイクルのパターンを転写する際に
使用される投影露光方法に関し、特に、基板上のパター
ンとマスクまたはレテイクルパターンとを高精度に合わ
せることを必要とする場合に好適な投影露光方法に関す
る。
〔発明の背景〕
従来の投影露光方法は、第1図に示すように、基板1上
の2つのターゲツトパターン2、3のX、Y位置を検出
し、これにマスクまたはレテイクル4上のターゲツトパ
ターン5、6を合わせることにより、両者を整合させて
いた。このように、基板上で左右方向をX、上下方向を
Yとした場合にX、Y方向それぞれに2点のターゲツト
位置を検出し、X方向、Y方向、回転およびXまたはY
方向の基板パターンの伸縮歪を検出可能な機構の場合、
X方向とY方向の伸縮歪が等しくないと、基板全面での
補正が正しく行なわれず、またX方向とY方向の直角度
の狂いを補正することが不可能であるという欠点を有し
ていた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、X方向、Y方向の伸縮歪およびXY方
向の直交度歪を検出し、補正することができ、マスクま
たはレテイクルと基板上のパターンとの重ね合せ精度を
高め得る新規な投影露光方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の投影露光方法は、非直線上に配置された少くと
も3点のターゲツトパターンの位置を検出し、ウエーハ
のX、Y両方向の伸縮歪およびXYの直交度歪を検出す
る機構を有し、かつその検出結果に応じ露光時に基板ま
たはマスク若しくはレテイクルの移動距離を修正するこ
とにより前記歪を補正する棧構を具備すること特徴とす
る。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面により説明する。第2図は
本発明の一実施例を示すもので、基板10上には3点の
ターゲツトパターン11、12、13が設けられてお
り、これにマスクまたはレテイクル上のターゲツトパタ
ーン14、15、16を合わせる。ターゲツトパターン
11、12、13は同一直線上になく配置され、ターゲ
ツトパターン11、12間の距離Aを検出することによ
り、X方向の伸縮歪を検出でき、またターゲツトパター
ン11、12を結ぶ直線とターゲツトパターン13との
距離Bを求めるとによりY方向の伸縮歪を測定できる。
更にターゲツトパターン13について検出されたX座標
と、ターゲツト11、12の測定から算出される設定上
のターゲツトパターン13のX座標との差より、X、Y
方向の直交度を検出できる。
第3図は本発明の他の実施例を示すもので、基板20上
には5個のターゲツトパターン21、22、23、2
4、25が設けられ、これにマスクまたはレテイクル上
のターゲツトパターン26、27、28、29、30を
合わせるようになつている。X方向のウエーハの伸縮
は、ターゲツトパターン21、25間、22、25間の
距離により求められ、またY方向の伸縮はターゲツトパ
ターン23、25間、24、25間の距離を検出するこ
とにより測定できる。更に、ターゲツトパターン21、
25を基準とし、∠21、25、23,∠21、25、
22,∠21、25、24を求めることにより、それぞ
れの方向の角度歪を検出することができる。このように
して求められた歪データに応じ、露光時に、基板または
マスクかレテイクルの移動距離を修正することにより、
前記歪を補正することができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、基板上のX方向、Y方向の伸縮歪と
X、Y方向の直交度歪を従来の方法より一段と精度良く
検出し補正できる。従つて、マスクまたはレテイクルと
基板上のパターンとの重ね合わせ精度を著しく向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の方法におけるマスクまたはレテイクルと
基板上のターゲツトパターンの配置を示す平面説明図、
第2図は本発明の一実施例におけるターゲツトパターン
の配置を示す平面説明図、第3図は同じく他の実施例の
ターゲツトパターンの配置を示す平面説明図である。 10、20……基板、 11、12、13、21、22、23、24、25……
基板上のターゲツトパターン、 14、15、16、26、27、28、29、30……
マスクまたはレテイクル上のターゲツトパターン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】感光性防蝕剤を塗布した基板上にマスクま
    たはレテイクルのパターンを転写する投影露光方法にお
    いて、上記基板上に非直線上に配置された少くとも3点
    のターゲツトパターンの位置を検出し上記基板のX,Y
    両方向の伸縮歪およびXYの直交度歪を検出し、この検
    出結果に応じ露光時に上記基板またはマスク若しくはレ
    テイクルの移動距離を修正することにより前記伸縮歪及
    び直交度歪を補正することを特徴とする投影露光方法。
JP60016510A 1985-02-01 1985-02-01 投影露光方法 Expired - Lifetime JPH069182B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60016510A JPH069182B2 (ja) 1985-02-01 1985-02-01 投影露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60016510A JPH069182B2 (ja) 1985-02-01 1985-02-01 投影露光方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9180894A Division JPH10161324A (ja) 1997-07-07 1997-07-07 投影露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61177724A JPS61177724A (ja) 1986-08-09
JPH069182B2 true JPH069182B2 (ja) 1994-02-02

Family

ID=11918266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60016510A Expired - Lifetime JPH069182B2 (ja) 1985-02-01 1985-02-01 投影露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH069182B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12428260B2 (en) 2019-10-23 2025-09-30 Otis Elevator Company Method and system for controlling robot to take elevator, elevator, robot system and storage medium

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4939774B2 (ja) * 2005-06-22 2012-05-30 本田技研工業株式会社 ローラヘミング装置及びローラヘミング方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51111076A (en) * 1975-03-26 1976-10-01 Hitachi Ltd Exposure device
JPS5954225A (ja) * 1982-09-21 1984-03-29 Hitachi Ltd 投影露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12428260B2 (en) 2019-10-23 2025-09-30 Otis Elevator Company Method and system for controlling robot to take elevator, elevator, robot system and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61177724A (ja) 1986-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0895279A4 (en) FABRICATION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS
US6239858B1 (en) Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus
US8638438B2 (en) Self-calibrated alignment and overlay target and measurement
US5792580A (en) Method of aligning reticle pattern
JP4198877B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法
JPH10172890A5 (ja)
JP4040210B2 (ja) 露光方法、レチクル及び半導体装置の製造方法
JPH0474854B2 (ja)
JPS61177724A (ja) 投影露光方法
JP3374456B2 (ja) 位置合わせ方法及び露光方法
JPH10161324A (ja) 投影露光方法
JPH0523490B2 (ja)
JPH0673344B2 (ja) 電子線描画方法
JPH1079333A (ja) 位置合わせ方法
JPH09306818A5 (ja)
JPH01136332A (ja) 電子線描画方法
JP2000260702A (ja) 半導体装置のアライメント方法
JPH04255210A (ja) 位置合わせ方法
JPS58127322A (ja) ステツパ−アライナのアライメント方法
JPS6233427A (ja) 電子ビ−ム露光方法
JP2698217B2 (ja) 半導体ウエハの位置合わせ方法
KR100310423B1 (ko) 마스크 오차 측정방법
JPH01258421A (ja) ウエハアライメント方法
JPH03167817A (ja) 露光装置
JPS588132B2 (ja) 集積回路製造方法