JPH0696646B2 - 二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム - Google Patents
二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムInfo
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- JPH0696646B2 JPH0696646B2 JP25743387A JP25743387A JPH0696646B2 JP H0696646 B2 JPH0696646 B2 JP H0696646B2 JP 25743387 A JP25743387 A JP 25743387A JP 25743387 A JP25743387 A JP 25743387A JP H0696646 B2 JPH0696646 B2 JP H0696646B2
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- particles
- particle size
- polyetheretherketone
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
に関し、更に詳しくはシリコン樹脂微粒子を含有し、表
面が平坦で滑り性,走行耐久性,絶縁性特性等に優れ、
かつ耐熱性に優れた二軸配向ポリエーテルエーテルケト
ンフイルムに関する。
に関し、更に詳しくはシリコン樹脂微粒子を含有し、表
面が平坦で滑り性,走行耐久性,絶縁性特性等に優れ、
かつ耐熱性に優れた二軸配向ポリエーテルエーテルケト
ンフイルムに関する。
[従来技術] 従来から、二軸配向ポリエチレンテレフタレートフイル
ムは、その機械的性質,電気的性質,耐熱性,耐薬品性
等に優れていることから、工業用途に広く用いられてい
る。
ムは、その機械的性質,電気的性質,耐熱性,耐薬品性
等に優れていることから、工業用途に広く用いられてい
る。
しかしながら、近年、用途によってはフイルムの要求特
性が高まり、また二軸配向ポリエチレンテレフタレート
フイルムの特性にも限界があることから、より特性の優
れたフイルムが求められている。例えば、二軸配向ポリ
エチレンテレフタレートフイルムは、長期耐熱性がE種
(長期耐熱温度:125℃)ないしB種(同:130℃)であ
り、モーター絶縁,断線被覆材料として用いる場合この
長期耐熱性の点からモーターの小型化が制限されるとい
う問題が生じている。また、上記フイルムをコンデンサ
ーを用途に用いる場合、85℃近くから誘電正接が増大
し、使用温度の制限をもたらしている。更にまた、上記
フイルムをフレキシブルプリント回路基盤として用いる
場合、ハンダ耐熱性が問題となり、その展開が制限され
ている。このようなことから、より耐熱性の優れたフイ
ルムが求められている。
性が高まり、また二軸配向ポリエチレンテレフタレート
フイルムの特性にも限界があることから、より特性の優
れたフイルムが求められている。例えば、二軸配向ポリ
エチレンテレフタレートフイルムは、長期耐熱性がE種
(長期耐熱温度:125℃)ないしB種(同:130℃)であ
り、モーター絶縁,断線被覆材料として用いる場合この
長期耐熱性の点からモーターの小型化が制限されるとい
う問題が生じている。また、上記フイルムをコンデンサ
ーを用途に用いる場合、85℃近くから誘電正接が増大
し、使用温度の制限をもたらしている。更にまた、上記
フイルムをフレキシブルプリント回路基盤として用いる
場合、ハンダ耐熱性が問題となり、その展開が制限され
ている。このようなことから、より耐熱性の優れたフイ
ルムが求められている。
ところで、強靭で優れた耐熱性を有する結晶性熱可塑性
ポリマーとして、熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン
が知られ(特公昭60−32642号,特公昭61−10486号)、
このフイルム化の検討,提案がされている。例えば、特
開昭57−137116号公報には、熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトンフイルムは耐熱性を活かした用途分野、すな
わちモーター用絶縁フイルム,トランス用絶縁フイル
ム,コンデンサー用絶縁フイルム,フレキシブルプリン
ト回路基板などへの展開が期待されるとして、圧延法で
一軸方向に配向したフイルムを製造する方法が記載さ
れ、そして用途によっては炭酸カルシウム,微粒子ケイ
酸塩,タルク,塩基性炭酸マグネシウム,アルミナ,ア
ルミナ水和物,硫酸バリウム,硫酸カルシウム、雲母
粉,亜鉛華,酸化チタン,カーボンブラックなどの無機
充填材を加えても良いことが説明されている。
ポリマーとして、熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン
が知られ(特公昭60−32642号,特公昭61−10486号)、
このフイルム化の検討,提案がされている。例えば、特
開昭57−137116号公報には、熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトンフイルムは耐熱性を活かした用途分野、すな
わちモーター用絶縁フイルム,トランス用絶縁フイル
ム,コンデンサー用絶縁フイルム,フレキシブルプリン
ト回路基板などへの展開が期待されるとして、圧延法で
一軸方向に配向したフイルムを製造する方法が記載さ
れ、そして用途によっては炭酸カルシウム,微粒子ケイ
酸塩,タルク,塩基性炭酸マグネシウム,アルミナ,ア
ルミナ水和物,硫酸バリウム,硫酸カルシウム、雲母
粉,亜鉛華,酸化チタン,カーボンブラックなどの無機
充填材を加えても良いことが説明されている。
特開昭58−63417号公報には、等方性二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルムの製造方法が記載されてい
る。
テルエーテルケトンフイルムの製造方法が記載されてい
る。
特開昭60−93625号公報には、圧延法で二軸配向した垂
直磁化用ポリエーテルエーテルケトンフイルムが記載さ
れている。
直磁化用ポリエーテルエーテルケトンフイルムが記載さ
れている。
特開昭60−187928号公報には、その長さ方向及びそれと
直角方向の5%伸長時応力が共に13kg/mm2以上、少くと
も一方向の初期弾性率が600kg/mm2以上,並びに180℃に
おける長さ方向及びそれと直角方向の熱収縮率が4%以
下である二軸配向ポリエーテルケトン(又はポリエーテ
ルエーテルケトン)フイルムをベースとする磁気記録材
料が記載され、そしてポリマー中に二酸化チタンのつや
消剤,微粒子シリカ,チャイナクレイなどの滑剤を含有
させてよいことが説明されている。
直角方向の5%伸長時応力が共に13kg/mm2以上、少くと
も一方向の初期弾性率が600kg/mm2以上,並びに180℃に
おける長さ方向及びそれと直角方向の熱収縮率が4%以
下である二軸配向ポリエーテルケトン(又はポリエーテ
ルエーテルケトン)フイルムをベースとする磁気記録材
料が記載され、そしてポリマー中に二酸化チタンのつや
消剤,微粒子シリカ,チャイナクレイなどの滑剤を含有
させてよいことが説明されている。
特開昭60−189421号公報には、無機粒子含有のポリエー
テルケトン(又はポリエーテルエーテルケトン)からな
り、表面粗さRaが0.008〜0.090でかつ動摩擦係数μdが
0.12〜0.50である二軸配向フイルムが記載され、この無
機粒子として酸化マグネシウム,酸化亜鉛,炭酸マグネ
シウム,燐酸マグネシウム,硫酸カルシウム,硫酸バリ
ウム,酸化アルミニウム,二酸化ケイ素,酸化チタン,
カオリン,ケイ藻土等の無機酸化物、無機塩類、アルミ
ノ珪酸塩等やカーボンブラック等が挙げられると説明さ
れている。
テルケトン(又はポリエーテルエーテルケトン)からな
り、表面粗さRaが0.008〜0.090でかつ動摩擦係数μdが
0.12〜0.50である二軸配向フイルムが記載され、この無
機粒子として酸化マグネシウム,酸化亜鉛,炭酸マグネ
シウム,燐酸マグネシウム,硫酸カルシウム,硫酸バリ
ウム,酸化アルミニウム,二酸化ケイ素,酸化チタン,
カオリン,ケイ藻土等の無機酸化物、無機塩類、アルミ
ノ珪酸塩等やカーボンブラック等が挙げられると説明さ
れている。
特開昭61−37418号公報には、ポリエーテルエーテルケ
トン100重量部に無機質充填剤0.01〜10重量部を配合し
た組成物を製膜し二軸配向させた易滑性熱可塑性ポリエ
ーテルエーテルケトンフイルムが記載され、この無機質
充填剤はタルク,シリカ,カオリン,焼成カオリン,マ
イカ,アエロジル,サイロイド,炭酸カルシウム,チタ
ン酸カリウム繊維等の1種又は2種以上を適宜選択して
用いるが、特に平均粒径5μ以下の粒径の細かいものが
好ましいと説明されている。
トン100重量部に無機質充填剤0.01〜10重量部を配合し
た組成物を製膜し二軸配向させた易滑性熱可塑性ポリエ
ーテルエーテルケトンフイルムが記載され、この無機質
充填剤はタルク,シリカ,カオリン,焼成カオリン,マ
イカ,アエロジル,サイロイド,炭酸カルシウム,チタ
ン酸カリウム繊維等の1種又は2種以上を適宜選択して
用いるが、特に平均粒径5μ以下の粒径の細かいものが
好ましいと説明されている。
しかしながら、本発明者らの研究結果によると、これら
二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは、該フ
イルム中の無機粒子の囲りにボイドが生じており、走行
耐久性,絶縁欠陥異常率,絶縁破壊率等に改善すべき課
題の在ることが明らかとなった。また、無機粒子はフイ
ルム中での分散が悪いことが明らかとなった。
二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは、該フ
イルム中の無機粒子の囲りにボイドが生じており、走行
耐久性,絶縁欠陥異常率,絶縁破壊率等に改善すべき課
題の在ることが明らかとなった。また、無機粒子はフイ
ルム中での分散が悪いことが明らかとなった。
[発明の目的] 本発明の目的は、表面が平坦で滑り性,走行耐久性,絶
縁特性等に優れ、かつ耐熱性に優れた二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルムを提供することにある。
縁特性等に優れ、かつ耐熱性に優れた二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルムを提供することにある。
本発明の他の目的は、フイルム表面にシリコン樹脂微粒
子に由来する多数の微細な突起を有し、かつ表面が平坦
で滑り性,走行耐久性,絶縁特性等に優れた二軸配向ポ
リエーテルエーテルケトンフイルムを提供することにあ
る。
子に由来する多数の微細な突起を有し、かつ表面が平坦
で滑り性,走行耐久性,絶縁特性等に優れた二軸配向ポ
リエーテルエーテルケトンフイルムを提供することにあ
る。
本発明のさらに他の目的及び利点は、以下の説明から明
らかとなろう。
らかとなろう。
発明の構成・効果] 本発明によれば、本発明の上記目的及び利点は第1に、 (I)熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン、及び (II)(a)下記式(A) RxSiO2−x/2 …(A) ここで、Rは炭素数1〜7の炭化水素基であり、そして
xは1〜1.2の数である で表わされる組成を有し、 (b)下記式(B) f=V/D3 …(B) ここで、Vは粒子1個当りの平均体積(μm3)でありそ
してDは粒子の平均最大粒径(μm)である で定義される体積形状係数(f)が0.4より大きくそし
てπ/6以下であり、そして (c)0.01〜4μmの平均粒径を有するシリコン樹脂微
粒子0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテルエーテル
ケトンに対し) から成る緊密な混合物から形成された二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルムによって達成される。
xは1〜1.2の数である で表わされる組成を有し、 (b)下記式(B) f=V/D3 …(B) ここで、Vは粒子1個当りの平均体積(μm3)でありそ
してDは粒子の平均最大粒径(μm)である で定義される体積形状係数(f)が0.4より大きくそし
てπ/6以下であり、そして (c)0.01〜4μmの平均粒径を有するシリコン樹脂微
粒子0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテルエーテル
ケトンに対し) から成る緊密な混合物から形成された二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルムによって達成される。
本発明における熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン
は、構成単位 を単独で、または該単位と他の構成単位からなるポリマ
ーである。
は、構成単位 を単独で、または該単位と他の構成単位からなるポリマ
ーである。
この他の構成単位としては、例えば 等が挙げられる。上記構成単位において、Aは着接結
合、酸素,−SO2−,−CO−または二価の低級脂肪族炭
化水素基であり、QおよびQ′は同一であっても相違し
てもよく−CO−または−SO2−であり、nは0又は1で
ある。これらポリマーは、特公昭60−32642号公報,特
公昭61−10486号公報,特開昭57−137116号公報等に記
載されている。
合、酸素,−SO2−,−CO−または二価の低級脂肪族炭
化水素基であり、QおよびQ′は同一であっても相違し
てもよく−CO−または−SO2−であり、nは0又は1で
ある。これらポリマーは、特公昭60−32642号公報,特
公昭61−10486号公報,特開昭57−137116号公報等に記
載されている。
熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンには、流動性改良
などの目的でポリアリーレンポリエーテル,ポリスルホ
ン,ポリアリレート,ポリエステル,ポリカーボネート
等の樹脂をブレンドしても良く、また安定剤,酸化防止
剤,紫外線吸収剤等の如き添加剤を含有しせても良い。
などの目的でポリアリーレンポリエーテル,ポリスルホ
ン,ポリアリレート,ポリエステル,ポリカーボネート
等の樹脂をブレンドしても良く、また安定剤,酸化防止
剤,紫外線吸収剤等の如き添加剤を含有しせても良い。
熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンは、上述の通り、
それ自体公知であり、且つそれ自体公知の方法で製造す
ることができる。
それ自体公知であり、且つそれ自体公知の方法で製造す
ることができる。
上記熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンは、見かけの
溶融粘度が380℃,見かけの剪断速度1000sec-1の条件
で、500ポイズ〜10000ポイズ、更には1000ポイズ〜5000
ポイズの範囲にあるものが、製膜性,フイルム特性の点
から好ましい。
溶融粘度が380℃,見かけの剪断速度1000sec-1の条件
で、500ポイズ〜10000ポイズ、更には1000ポイズ〜5000
ポイズの範囲にあるものが、製膜性,フイルム特性の点
から好ましい。
本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
はそのフイルム表面の平坦性を定義するRaの後記説明か
ら明らかとなり、フイルム表面に多数の微細な突起を有
している。
はそのフイルム表面の平坦性を定義するRaの後記説明か
ら明らかとなり、フイルム表面に多数の微細な突起を有
している。
それらの多数の微細な突起は本発明によれば熱可塑性ポ
リエーテルエーテルケトン中に分散して含有される多数
の実質的に不活性な固体微粒子に由来する。
リエーテルエーテルケトン中に分散して含有される多数
の実質的に不活性な固体微粒子に由来する。
本発明において、シリコン樹脂微粒子(II)は、 下記式(A) RxSiO2−x/2 …(A) ここで、Rは炭素数1〜7の炭化水素基であり、そして
xは1〜1.2である で表わされる組成を有する。
xは1〜1.2である で表わされる組成を有する。
上記式(A)におけるRは炭素数1〜7の炭化水素基で
あり、例えば炭素数1〜7のアルキル基,フェニル基あ
るいはトリル基が好ましい。炭素数1〜7のアルキル基
は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、例えばメ
チル,エチル,n−プロピル,iso−プロピル,n−ブチル,i
so−ブチル,tert−ブチル,n−ペンチル,n−ヘプチル等
をあげることができる。
あり、例えば炭素数1〜7のアルキル基,フェニル基あ
るいはトリル基が好ましい。炭素数1〜7のアルキル基
は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、例えばメ
チル,エチル,n−プロピル,iso−プロピル,n−ブチル,i
so−ブチル,tert−ブチル,n−ペンチル,n−ヘプチル等
をあげることができる。
これらのうち、Rとしてはメチルおよびフェニルが好ま
しく、就中メチルが特に好ましい。
しく、就中メチルが特に好ましい。
上記式(A)におけるxは1〜1.2数である。上記式
(A)においてxが1であるとき、上記式(A)は、下
記式(A)−1 RSiO1.5 …(A)−1 ここで、Rの定義は上記に同じである で表わすことができる。
(A)においてxが1であるとき、上記式(A)は、下
記式(A)−1 RSiO1.5 …(A)−1 ここで、Rの定義は上記に同じである で表わすことができる。
上記式(A)−1の組成は、シリコン樹脂の三次元重合
体鎖構造における下記構造部分; に由来するものである。
体鎖構造における下記構造部分; に由来するものである。
また、上記式(A)においてxが1.2であるとき、上記
式(A)は下記式(A)−2 R1.2SiO1.4 …(A)−2 ここで、Rの定義は上記に同じである で表わすことができる。
式(A)は下記式(A)−2 R1.2SiO1.4 …(A)−2 ここで、Rの定義は上記に同じである で表わすことができる。
上記式(A)−2の組成は、(A)−1の構造0.8モル
と下記式(A)′ R2SiO …(A)′ ここで、Rの定義は上記と同じである で表わされる構造0.2モルとから成ると理解することが
できる。
と下記式(A)′ R2SiO …(A)′ ここで、Rの定義は上記と同じである で表わされる構造0.2モルとから成ると理解することが
できる。
上記式(A)′はシリコン樹脂の三次元重合体鎖におけ
る下記構造部分; に由来する。
る下記構造部分; に由来する。
以上の説明から理解されるように、本発明の上記式
(A)の組成は、例えば上記式(A)−1構造のみから
実質的になるか、あるいは上記式(A)−1の構造と上
記式(A)−2の構造が適当な割合でランダムに結合し
た状態で共存する構造から成ることがわかる。
(A)の組成は、例えば上記式(A)−1構造のみから
実質的になるか、あるいは上記式(A)−1の構造と上
記式(A)−2の構造が適当な割合でランダムに結合し
た状態で共存する構造から成ることがわかる。
本発明のシリコン樹脂粒子は、好ましくは上記式(A)
において、xが1〜1.1の間の値を有する。
において、xが1〜1.1の間の値を有する。
また、本発明のシリコン樹脂粒子(II)は、下記式
(B) f=V/D3 …(B) ここで、Vは粒子1ケ当りの平均体積(μm3)でありそ
してDは粒子の平均最大粒径(μm)である で定義される体積形状係数(f)が0.4より大きくそし
てπ/6以下であるものである。
(B) f=V/D3 …(B) ここで、Vは粒子1ケ当りの平均体積(μm3)でありそ
してDは粒子の平均最大粒径(μm)である で定義される体積形状係数(f)が0.4より大きくそし
てπ/6以下であるものである。
上記定義において、Dの粒子の平均最大粒径は粒子を横
切る任意の直線が粒子の周囲と交叉する2点間の距離の
うち最大の長さを持つ距離を云うものと理解すべきであ
る。
切る任意の直線が粒子の周囲と交叉する2点間の距離の
うち最大の長さを持つ距離を云うものと理解すべきであ
る。
本発明のシリコン樹脂粒子の好ましいfの値は0.44〜π
/6であり、より好ましいfの値は0.48〜π/6である。f
の値がπ/6である粒子は真球である。下限よりも小さい
f値を持つシリコン樹脂粒子の使用ではフイルム表面諸
特性の制御が極めて困難となる。
/6であり、より好ましいfの値は0.48〜π/6である。f
の値がπ/6である粒子は真球である。下限よりも小さい
f値を持つシリコン樹脂粒子の使用ではフイルム表面諸
特性の制御が極めて困難となる。
本発明で用いられるシリコン樹脂粒子は、さらに、0.01
〜4μmの平均粒径を有している。平均粒径が0.01μm
よりも小さい粒子を使用した場合には滑り性や耐削れ性
の向上効果が不充分であり、一方平均粒径が4μmより
大きい粒子を使用した場合には平面平坦性の十分でない
フイルムしか得られない。
〜4μmの平均粒径を有している。平均粒径が0.01μm
よりも小さい粒子を使用した場合には滑り性や耐削れ性
の向上効果が不充分であり、一方平均粒径が4μmより
大きい粒子を使用した場合には平面平坦性の十分でない
フイルムしか得られない。
平均粒径は好ましくは0.05〜3μmの値にある。
ここに言う平均粒径とは、ストークスの式に基づいて算
出された等価球径粒度分布の積算50%点における径であ
ると理解される。
出された等価球径粒度分布の積算50%点における径であ
ると理解される。
本発明で用いられるシリコン樹脂粒子は、例えば、下記
式 RSi(OR′)3 ここで、Rは炭素数1〜7の炭化水素基でありそして
R′は低級アルキル基である で表われるトリアルコキシシランまたはこの部分加水分
解縮合物を、アンモニアあるいはメチルアミン,ジメチ
ルアミン,エチレンジアミン等の如きアミンの存在下、
攪拌下に、加水分解および縮合せしめることによつて製
造できる。上記出発原料を使用する上記方法によれば、
上記式(A)−1で表される組成を持つシリコン樹脂粒
子を製造することができる。
式 RSi(OR′)3 ここで、Rは炭素数1〜7の炭化水素基でありそして
R′は低級アルキル基である で表われるトリアルコキシシランまたはこの部分加水分
解縮合物を、アンモニアあるいはメチルアミン,ジメチ
ルアミン,エチレンジアミン等の如きアミンの存在下、
攪拌下に、加水分解および縮合せしめることによつて製
造できる。上記出発原料を使用する上記方法によれば、
上記式(A)−1で表される組成を持つシリコン樹脂粒
子を製造することができる。
R2Si(OR′)2 ここで、RおよびR′の定義は上記に同じである で表わされるジアルコキシシランを上記トリアルコキシ
シランと一緒に併用し、上記方法に従えば、上記式
(A)−2で表わされる組成を持つシリコン樹脂粒子を
製造することができる。
シランと一緒に併用し、上記方法に従えば、上記式
(A)−2で表わされる組成を持つシリコン樹脂粒子を
製造することができる。
本発明で用いられるシリコン樹脂粒子は、下記式 γ=D25/D75 ここで、γは粒径比であり、D25は微粒子の積算重量が
全体の重量の25%であるときの粒径であり、そしてD75
は微粒子は積算重量が全体の重量の75%であるときの粒
径である、但し積算重量の割合は大きい粒径の方から測
定するものとする で表わされる粒径比(γ)が好ましくは1〜1.4の範囲
にあるものである。この粒径比は更に好ましく1〜1.3
の範囲にあり、特に好ましくは1〜1.3の範囲にあり、
特に好ましくは1〜1.15の範囲にある。
全体の重量の25%であるときの粒径であり、そしてD75
は微粒子は積算重量が全体の重量の75%であるときの粒
径である、但し積算重量の割合は大きい粒径の方から測
定するものとする で表わされる粒径比(γ)が好ましくは1〜1.4の範囲
にあるものである。この粒径比は更に好ましく1〜1.3
の範囲にあり、特に好ましくは1〜1.3の範囲にあり、
特に好ましくは1〜1.15の範囲にある。
本発明のフイルムを形成する熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトン(I)とシリコン樹脂微粒子(II)との緊密
な混合物は、該微粒子(II)との緊密な混合物は、該微
粒子(II)を0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテル
エーテルケトンに対し)を含有している。
テルケトン(I)とシリコン樹脂微粒子(II)との緊密
な混合物は、該微粒子(II)との緊密な混合物は、該微
粒子(II)を0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテル
エーテルケトンに対し)を含有している。
該微粒子(II)の量が0.005重量%未満では、フイルム
の滑り性や耐削れ性の向上効果が不充分であり、一方3.
0重量%を超えるとフイルムの平坦性が低下する。
の滑り性や耐削れ性の向上効果が不充分であり、一方3.
0重量%を超えるとフイルムの平坦性が低下する。
該微粒子(II)の量は0.01〜0.5重量%(熱可塑性ポリ
エーテルエーテルケトンに対し)が好ましい。
エーテルエーテルケトンに対し)が好ましい。
本発明で使用される上記シリコン樹脂微粒子は、上記の
如く、ポリエーテルエーテルケトンフイルムに表面平坦
性,滑り性および耐削れ性を付与する。特に、優れた耐
削れ性を与える理由として、本発明者の研究によれば
は、該シリコン樹脂微粒子がそれか混合されているポリ
エーテルエーテルケトンと非常に親和性が大きいことに
よることが明らかとされた。
如く、ポリエーテルエーテルケトンフイルムに表面平坦
性,滑り性および耐削れ性を付与する。特に、優れた耐
削れ性を与える理由として、本発明者の研究によれば
は、該シリコン樹脂微粒子がそれか混合されているポリ
エーテルエーテルケトンと非常に親和性が大きいことに
よることが明らかとされた。
すなわち、該シリコン樹脂微粒子を含有する本発明のフ
イルム表面をイオンエッチングしてフイルム中のシリコ
ン樹脂微粒子を暴露させ、走査型電子顕微鏡にて表面を
観察すると、シリコン樹脂微粒子の周囲表面がポリエー
テルエーテルケトン基質と実質的に接触している状態、
換言すれは該周囲表面とポリエーテルエーテルケトン基
質との間にボイドが殆んどあるいは全く看られない状態
が観察されるのである。
イルム表面をイオンエッチングしてフイルム中のシリコ
ン樹脂微粒子を暴露させ、走査型電子顕微鏡にて表面を
観察すると、シリコン樹脂微粒子の周囲表面がポリエー
テルエーテルケトン基質と実質的に接触している状態、
換言すれは該周囲表面とポリエーテルエーテルケトン基
質との間にボイドが殆んどあるいは全く看られない状態
が観察されるのである。
また、本発明のフイルムの上記シリコン樹脂微粒子がポ
リエーテルエーテルケトン基質と大きい親和性を有する
ことを、別の尺度である後に定義するボイド比(粒子の
長径対ボイドの長径の比)で評価すると、本発明のフイ
ルムはボイド比が1.0〜1.5であるものが実質的に全てで
あり、1.0〜1.3であるものはその大部分であり、さらに
1.0〜1.5であるものはその主たる部分を占めることが明
らかとなった。
リエーテルエーテルケトン基質と大きい親和性を有する
ことを、別の尺度である後に定義するボイド比(粒子の
長径対ボイドの長径の比)で評価すると、本発明のフイ
ルムはボイド比が1.0〜1.5であるものが実質的に全てで
あり、1.0〜1.3であるものはその大部分であり、さらに
1.0〜1.5であるものはその主たる部分を占めることが明
らかとなった。
ボイドが少なくい、そしてボイド比が1.0に近い本発明
は二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは特に
耐削れ性及び絶縁破壊電圧市に優れている。
は二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは特に
耐削れ性及び絶縁破壊電圧市に優れている。
一般的に熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンと不活性
粒子(滑剤)とは親和性がない。このため溶融製膜した
ポリエーテルエーテルケトン未延伸フイルムを二軸延伸
すると、該微粒子とポリエーテルエーテルケトンの境界
に剥離が生じ、該比粒子の囲りにボイドが形成されるの
が普通である。このボイドは、微粒子が大きいほど、形
状が球形に近いほど、また微粒子が単一粒子で変形しに
くいほど、そしてまた未延伸フイルムを延伸する際に延
伸面積倍率が大きいほど、また低温で行うほど大きくな
る傾向がある。このボイドは、大きくなればなる程突起
の形状がゆるやかな形となるので摩擦係数を高くするこ
ととなり、それと共に繰り返し使用時に生じた二軸配向
ポリエーテルエーテルケトンフイルムのボイドの脱落を
起し、耐久性を低下させる、また削れ粉発生の原因とな
っている。
粒子(滑剤)とは親和性がない。このため溶融製膜した
ポリエーテルエーテルケトン未延伸フイルムを二軸延伸
すると、該微粒子とポリエーテルエーテルケトンの境界
に剥離が生じ、該比粒子の囲りにボイドが形成されるの
が普通である。このボイドは、微粒子が大きいほど、形
状が球形に近いほど、また微粒子が単一粒子で変形しに
くいほど、そしてまた未延伸フイルムを延伸する際に延
伸面積倍率が大きいほど、また低温で行うほど大きくな
る傾向がある。このボイドは、大きくなればなる程突起
の形状がゆるやかな形となるので摩擦係数を高くするこ
ととなり、それと共に繰り返し使用時に生じた二軸配向
ポリエーテルエーテルケトンフイルムのボイドの脱落を
起し、耐久性を低下させる、また削れ粉発生の原因とな
っている。
このように従来の無機不活性滑剤の場合には、該滑剤周
辺のボイド量は、かなり大きく、高強力ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムにおいてはこのボイドは更に大き
くなり、その結果磁気テープのカレンダー工程等、加工
工程で耐削れ性が劣るのが常である。またコンデンサー
においては絶縁破壊電圧の低下に結びつく。
辺のボイド量は、かなり大きく、高強力ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムにおいてはこのボイドは更に大き
くなり、その結果磁気テープのカレンダー工程等、加工
工程で耐削れ性が劣るのが常である。またコンデンサー
においては絶縁破壊電圧の低下に結びつく。
本発明で用いられる上記シリコン樹脂微粒子は上記の如
くポリエーテルエーテルケトン基質との親和性が大き
く、このため粒子周辺にボイドが発生する頻度が少な
い。そのため、粒子が大きくなるにつれて一般に大きく
なるボイドを発生する頻度を、上記シリコン樹脂微粒子
を使用する場合には小さく抑えることができるため、本
発明によれば比較的大粒子としてシリコン樹脂微粒子を
用い、それと一緒にボイドの発生する割合が少ない比較
的小粒子を併用して、2種類の粒子を用いる利点を有し
つつ、走行性,耐摩耗性,耐疲労性,電気絶縁性および
透明性等に優れたフイルムを提供しうることが明らかと
なった。
くポリエーテルエーテルケトン基質との親和性が大き
く、このため粒子周辺にボイドが発生する頻度が少な
い。そのため、粒子が大きくなるにつれて一般に大きく
なるボイドを発生する頻度を、上記シリコン樹脂微粒子
を使用する場合には小さく抑えることができるため、本
発明によれば比較的大粒子としてシリコン樹脂微粒子を
用い、それと一緒にボイドの発生する割合が少ない比較
的小粒子を併用して、2種類の粒子を用いる利点を有し
つつ、走行性,耐摩耗性,耐疲労性,電気絶縁性および
透明性等に優れたフイルムを提供しうることが明らかと
なった。
すなわち、かかる二軸配向ポリエーテルエーテルケトン
フィルムは (I)熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン、 (II)(a) 上記式(A)で表わされる組成を有し、 (b) 上記式(B)で定義される体積形状係数(f)
が0.4より大きくπ/6以下であり、そして (c) 0.3〜4μmの平均粒径を有する、シリコン樹
脂微粒子0.005〜1重量%(熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトンに対し)及び (III) 0.01〜1μmの平均粒径を有し、そして該平
均粒径が上記シリコン樹脂微粒子の平均粒径よりも小さ
い不活性微粒子0.005〜1重量%(熱可塑性ポリエーテ
ルエーテルケトンに対し) から成る緊密な混合物から形成された二軸配向フイルム
である。
フィルムは (I)熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン、 (II)(a) 上記式(A)で表わされる組成を有し、 (b) 上記式(B)で定義される体積形状係数(f)
が0.4より大きくπ/6以下であり、そして (c) 0.3〜4μmの平均粒径を有する、シリコン樹
脂微粒子0.005〜1重量%(熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトンに対し)及び (III) 0.01〜1μmの平均粒径を有し、そして該平
均粒径が上記シリコン樹脂微粒子の平均粒径よりも小さ
い不活性微粒子0.005〜1重量%(熱可塑性ポリエーテ
ルエーテルケトンに対し) から成る緊密な混合物から形成された二軸配向フイルム
である。
熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン(I)とシリコン
樹脂微粒子(II)について前述したとおりである。た
だ、シリコン樹脂微粒子としては、この場合、平均粒径
0.3〜4μmの比較的大きい粒子が使用される。
樹脂微粒子(II)について前述したとおりである。た
だ、シリコン樹脂微粒子としては、この場合、平均粒径
0.3〜4μmの比較的大きい粒子が使用される。
平均粒径がシリコン樹脂微粒子のそれよりも小さい不活
性微粒子(III)としては、熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトンに不活性で不溶性であり、そして常温で固体
のものが使用される。これらは外部添加粒子でも内部生
成粒子でもよい。また、例えば有機酸の金属塩でもよ
く、また無機物でもよい。好ましい不活性粒子(A)と
しては、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素(水和物,
ケイ藻土,ケイ砂,石英等を含む)、アルミナ、SiO2
分を30重量%以上含有するケイ酸塩(例えば非晶質或は
結晶質の粘度鉱物,アルミノシリケート化合物(焼成物
や水和物を含む),温石綿,ジルコン,フライアッシュ
等)、Mg,Zn,Zr及びTiの酸化物、Ca及びBaの硫酸
塩、Li,Na及びCaのリン酸塩(1水素塩や2水素塩を
含む)、Li,Na及びKの安息香酸塩、Ca,Ba,Zn及びM
nのテレフタル酸塩、Mg,Ca,Ba,Zn,Cd,Pb,Sr,Mn,Fe,Co
及びNiのチタン酸塩、Ba及びPbのクロム酸塩、炭素
(例えばカーボンブラック,グラファイト等)、ガラ
ス(例えばガラス粉,ガラスビーズ等)、MgCO3、
ホタル石、及びZnSが例示される。特に好ましいもの
として、無水ケイ酸,含水ケイ酸,酸化アルミニウム,
ケイ酸アルミニウム(焼成物,水和物等を含む),燐酸
1リチウム,燐酸3リチウム,燐酸ナトリウム,燐酸カ
ルシウム,硫酸バリウム,酸化チタン,安息香酸リチウ
ム,これらの化合物の複塩(水和物を含む),ガラス
粉,粘土(カオリン,ベントナイト,白土等を含む),
タルク,ケイ藻土等が例示される。かかる不活性微粒子
(III)の中でも特に外部添加粒子が好ましい。
性微粒子(III)としては、熱可塑性ポリエーテルエー
テルケトンに不活性で不溶性であり、そして常温で固体
のものが使用される。これらは外部添加粒子でも内部生
成粒子でもよい。また、例えば有機酸の金属塩でもよ
く、また無機物でもよい。好ましい不活性粒子(A)と
しては、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素(水和物,
ケイ藻土,ケイ砂,石英等を含む)、アルミナ、SiO2
分を30重量%以上含有するケイ酸塩(例えば非晶質或は
結晶質の粘度鉱物,アルミノシリケート化合物(焼成物
や水和物を含む),温石綿,ジルコン,フライアッシュ
等)、Mg,Zn,Zr及びTiの酸化物、Ca及びBaの硫酸
塩、Li,Na及びCaのリン酸塩(1水素塩や2水素塩を
含む)、Li,Na及びKの安息香酸塩、Ca,Ba,Zn及びM
nのテレフタル酸塩、Mg,Ca,Ba,Zn,Cd,Pb,Sr,Mn,Fe,Co
及びNiのチタン酸塩、Ba及びPbのクロム酸塩、炭素
(例えばカーボンブラック,グラファイト等)、ガラ
ス(例えばガラス粉,ガラスビーズ等)、MgCO3、
ホタル石、及びZnSが例示される。特に好ましいもの
として、無水ケイ酸,含水ケイ酸,酸化アルミニウム,
ケイ酸アルミニウム(焼成物,水和物等を含む),燐酸
1リチウム,燐酸3リチウム,燐酸ナトリウム,燐酸カ
ルシウム,硫酸バリウム,酸化チタン,安息香酸リチウ
ム,これらの化合物の複塩(水和物を含む),ガラス
粉,粘土(カオリン,ベントナイト,白土等を含む),
タルク,ケイ藻土等が例示される。かかる不活性微粒子
(III)の中でも特に外部添加粒子が好ましい。
シリコン樹脂微粒子(II)は0.3〜4μm平均粒径を有
している。好ましくは0.3〜2μm、特に好ましくは0.5
〜1.5μmの平均粒径を有している。
している。好ましくは0.3〜2μm、特に好ましくは0.5
〜1.5μmの平均粒径を有している。
また、不活性粒子(III)は0.01〜1μmの平均粒径を
有するが上記シリコン樹脂微粒子(II)の平均粒径より
も小さい平均粒径のものとして、併用される。
有するが上記シリコン樹脂微粒子(II)の平均粒径より
も小さい平均粒径のものとして、併用される。
不活性微粒子(III)は、好ましくは0.05〜0.8μmの平
均粒径、より好ましくは0.1〜0.5μmの平均粒径を有し
ている。
均粒径、より好ましくは0.1〜0.5μmの平均粒径を有し
ている。
不活性微粒子(III)の含有量は熱可塑性ポリエーテル
エーテルケトンに対し0.005〜1重量%であるが、0.01
〜1重量%、更には0.01〜0.5重量%、特に0.05〜0.3重
量%が好ましい。一方シリコン樹脂微粒子(II)の含有
量は熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンに対し0.005
〜1重量%であるが、0.01〜1重量%、更には0.04〜0.
5、特に0.1〜0.5重量%が好ましい。
エーテルケトンに対し0.005〜1重量%であるが、0.01
〜1重量%、更には0.01〜0.5重量%、特に0.05〜0.3重
量%が好ましい。一方シリコン樹脂微粒子(II)の含有
量は熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンに対し0.005
〜1重量%であるが、0.01〜1重量%、更には0.04〜0.
5、特に0.1〜0.5重量%が好ましい。
不活性微粒子(III)或はシリコン樹脂微粒子(II)の
含有量が少なすぎると、大小2種の粒子を用いる相乗効
果が得られず、走行性,耐摩耗性,耐疲労性,つぶれ
性,端面揃い性等の特性が低下するので好ましくない。
一方不活性粒子(III)の含有量が多すぎると、ポリマ
ー中の小さい粒子に起因するボイドの発生する頻度が多
くなる傾向になり、耐摩耗性,耐疲労性,つぶれ性,絶
縁電圧,透明性等が低下する。
含有量が少なすぎると、大小2種の粒子を用いる相乗効
果が得られず、走行性,耐摩耗性,耐疲労性,つぶれ
性,端面揃い性等の特性が低下するので好ましくない。
一方不活性粒子(III)の含有量が多すぎると、ポリマ
ー中の小さい粒子に起因するボイドの発生する頻度が多
くなる傾向になり、耐摩耗性,耐疲労性,つぶれ性,絶
縁電圧,透明性等が低下する。
またシリコン樹脂微粒子(II)の含有量が多すぎると、
フイルム表面が粗れすぎ、例えば磁気テープにおける電
磁変換特性が低下するので、好ましくない。
フイルム表面が粗れすぎ、例えば磁気テープにおける電
磁変換特性が低下するので、好ましくない。
本発明の二軸配向フイルムを製造する際に、シリコン樹
脂微粒子あるいはそれと不活性微粒子をポリエーテルエ
ーテルケトンと緊密に混合するにはこれらの微粒子を、
ポリエーテルエーテルケトンの重合前又は重合中に重合
釜中で、重合終了後ペレタイズするとき押出機中で、あ
るいはシート状に溶融押出しする際押出機中で、該ポリ
エーテルエーテルケトンと十分に混練すればよい。
脂微粒子あるいはそれと不活性微粒子をポリエーテルエ
ーテルケトンと緊密に混合するにはこれらの微粒子を、
ポリエーテルエーテルケトンの重合前又は重合中に重合
釜中で、重合終了後ペレタイズするとき押出機中で、あ
るいはシート状に溶融押出しする際押出機中で、該ポリ
エーテルエーテルケトンと十分に混練すればよい。
本発明のポリエーテルエーテルケトンフイルムは、例え
ば、融点(Tm:℃)+30℃ないし(Tm+90)℃の温度で
熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンを溶融押出して未
延伸フイルムを得、該未延伸フイルムを一軸方向(縦方
向又は横方向)に(Tg−10)〜(Tg+45)℃の温度(但
し、Tg:ポリエーテルエーテルケトンのガラス転移温
度)で1.5倍以上、特に2.5倍以上で延伸し、次いで上記
延伸方向と直角方向(一段目延伸が縦方向の場合には、
二段目延伸は横方向となる)に(Tg+10)〜(Tg+40)
℃の温度で2.5〜5.0倍の倍率で延伸することで製造でき
る。この場合、面積延伸倍率は4倍以上、更には6倍以
上にするのが好ましい。延伸手段は同時二軸延伸、逐次
二軸延伸のいずれでも良い。
ば、融点(Tm:℃)+30℃ないし(Tm+90)℃の温度で
熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンを溶融押出して未
延伸フイルムを得、該未延伸フイルムを一軸方向(縦方
向又は横方向)に(Tg−10)〜(Tg+45)℃の温度(但
し、Tg:ポリエーテルエーテルケトンのガラス転移温
度)で1.5倍以上、特に2.5倍以上で延伸し、次いで上記
延伸方向と直角方向(一段目延伸が縦方向の場合には、
二段目延伸は横方向となる)に(Tg+10)〜(Tg+40)
℃の温度で2.5〜5.0倍の倍率で延伸することで製造でき
る。この場合、面積延伸倍率は4倍以上、更には6倍以
上にするのが好ましい。延伸手段は同時二軸延伸、逐次
二軸延伸のいずれでも良い。
更に、二軸配向フイルムは(Tg+70)℃〜Tm(℃)の温
度で熱固定することができる。例えばポリエーテルエー
テルケトンフイルムについては200〜350℃で熱固定する
ことが好ましい。熱固定時間は例えば1〜120秒であ
る。
度で熱固定することができる。例えばポリエーテルエー
テルケトンフイルムについては200〜350℃で熱固定する
ことが好ましい。熱固定時間は例えば1〜120秒であ
る。
ポリエーテルエーテルケトンフイルムの厚みは、1〜25
0μm、更には1〜125μm、特に1〜75μmが好まし
い。
0μm、更には1〜125μm、特に1〜75μmが好まし
い。
本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
は、均一な凹凸表面特性,すぐれた滑り性,耐熱性及び
耐削れ性を有し、すりきず,白粉等の発生量が著しく少
ないという特徴を有する。この二軸配向ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムはこれらの特性を活かして各種の
用途に広く用いることができる。例えば、電絶材料用
途,モーター絶縁,電線被覆用として用いると、優れた
耐熱性及び加工性等が得られる。また、コンデンサー用
途に用いると、低い摩擦係数,すぐれた巻回性,低いつ
ぶれ荷重及びそのすぐれた耐熱性故に、使用温度の高い
高品位のコンデンサーを得ることができる。また、FPC
(フレキシブルプリントサーキット)用途に用いると、
耐ハンダ性に優れたFPCを得ることが可能である。ま
た、磁気記録用例えばビデオ用,オーディオ用,コンピ
ューター用などのベースフィルムとして用いると、優れ
た電磁変換性,滑り性,走行耐久性等が得られる。特
に、金属薄膜をベースフイルムに付与してなる、真空蒸
着又はスパッター用のベースフイルムとしてはその耐熱
性により好適である。
は、均一な凹凸表面特性,すぐれた滑り性,耐熱性及び
耐削れ性を有し、すりきず,白粉等の発生量が著しく少
ないという特徴を有する。この二軸配向ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムはこれらの特性を活かして各種の
用途に広く用いることができる。例えば、電絶材料用
途,モーター絶縁,電線被覆用として用いると、優れた
耐熱性及び加工性等が得られる。また、コンデンサー用
途に用いると、低い摩擦係数,すぐれた巻回性,低いつ
ぶれ荷重及びそのすぐれた耐熱性故に、使用温度の高い
高品位のコンデンサーを得ることができる。また、FPC
(フレキシブルプリントサーキット)用途に用いると、
耐ハンダ性に優れたFPCを得ることが可能である。ま
た、磁気記録用例えばビデオ用,オーディオ用,コンピ
ューター用などのベースフィルムとして用いると、優れ
た電磁変換性,滑り性,走行耐久性等が得られる。特
に、金属薄膜をベースフイルムに付与してなる、真空蒸
着又はスパッター用のベースフイルムとしてはその耐熱
性により好適である。
二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは、電絶
用,コンデンサー用,FPC用,金属薄膜磁気記録媒体用と
して好ましいが、塗布型磁気記録媒体用,蒸着用,乾燥
転写等のベースフイルムとしても広く適用することがで
きる。
用,コンデンサー用,FPC用,金属薄膜磁気記録媒体用と
して好ましいが、塗布型磁気記録媒体用,蒸着用,乾燥
転写等のベースフイルムとしても広く適用することがで
きる。
なお、本発明における種々の物性値および特性は以下の
如くして測定されたものであり且つ定義される。
如くして測定されたものであり且つ定義される。
(1) 粒子の平均粒径(DP) 島津製作所製CP−50型セントリフュグルパーティクル
サイズ アナライザー(Centrifugal Particle Size An
alyser)を用いて測定した。得られた遠心沈降曲線を基
に算出した各粒径の粒子とその存在量との積算曲線か
ら、50マスパーセントに相当する粒径を読み取り、この
値を上記平均粒径とした(Book「粒度測定技術」日刊工
業新聞社発行,1975年,頁242〜247参照)。
サイズ アナライザー(Centrifugal Particle Size An
alyser)を用いて測定した。得られた遠心沈降曲線を基
に算出した各粒径の粒子とその存在量との積算曲線か
ら、50マスパーセントに相当する粒径を読み取り、この
値を上記平均粒径とした(Book「粒度測定技術」日刊工
業新聞社発行,1975年,頁242〜247参照)。
(2) 粒子の粒度分布比(γ) 粒子の平均粒径の測定において得られた遠心沈降曲線を
基に、各粒径の粒子とその存在量との積算曲線を算出し
て描き、粒径の大きい方から積算した粒子の積算重量が
25マスパーセントに相当する粒径(D25)と、粒子の積
算重量が75マスパーセントに相当する粒径(D75)を読
みとり、前者の値を後者の値で除し(D25/D75)各々の
粒子の粒度分布比(γ)を算出する。
基に、各粒径の粒子とその存在量との積算曲線を算出し
て描き、粒径の大きい方から積算した粒子の積算重量が
25マスパーセントに相当する粒径(D25)と、粒子の積
算重量が75マスパーセントに相当する粒径(D75)を読
みとり、前者の値を後者の値で除し(D25/D75)各々の
粒子の粒度分布比(γ)を算出する。
(3) フイルムの摩擦係数(μk) 温度20℃、湿度60%の環境で、巾1/2インチに裁断した
フイルムを、固定棒(表面粗さ0.3μm)に角度θ=152
/180πラジアン(152゜)で接触させて毎分200cmの速さ
で移動(摩擦)させる。入口テンションT1が35gとなる
ようにテンションコントローラを調整した時の出口テン
ション(T1:g)をフイルムが90m走行したのち出口テン
ション検出機で検出し、次式で走行摩擦係数μkを算出
する。
フイルムを、固定棒(表面粗さ0.3μm)に角度θ=152
/180πラジアン(152゜)で接触させて毎分200cmの速さ
で移動(摩擦)させる。入口テンションT1が35gとなる
ようにテンションコントローラを調整した時の出口テン
ション(T1:g)をフイルムが90m走行したのち出口テン
ション検出機で検出し、次式で走行摩擦係数μkを算出
する。
μk=(2.303/θ)log(T2/T1) (4)フイルム表面の平坦性 CLA(Center Line Averag・中心線平均粗さ)JIS B
0601に準じて測定した。東京精密社(株)製の触針式表
面粗さ計(SURFCOM3b)を用いて、針の半径2μ,荷重
0.07gの条件下にチャート(フイルム表面粗さ曲線)を
かかせた。フイルム表面粗さ曲線からその中心線の方向
に測定長さLの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中
心線をX軸とし、縦倍率の方向をY軸として、粗さ曲線
Y=f(x)で表わしたとき、次の式で与えられる値
(Ra:μm)をフイルム表面の平坦性として定義する。
0601に準じて測定した。東京精密社(株)製の触針式表
面粗さ計(SURFCOM3b)を用いて、針の半径2μ,荷重
0.07gの条件下にチャート(フイルム表面粗さ曲線)を
かかせた。フイルム表面粗さ曲線からその中心線の方向
に測定長さLの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中
心線をX軸とし、縦倍率の方向をY軸として、粗さ曲線
Y=f(x)で表わしたとき、次の式で与えられる値
(Ra:μm)をフイルム表面の平坦性として定義する。
本発明では、基準長を0.25mmとして8個測定し、値の大
きい方から3個除いた5個の平均値としてRaを表わし
た。
きい方から3個除いた5個の平均値としてRaを表わし
た。
(5) ボイド比 試料フイルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定
し、日本電子(株)製スパッタリング装置(JFC−1100
型イオンスパッタリング装置)用いて、フイルム表面を
下記条件にてイオンエッチング処理を施した。ベルジャ
ー内に上記試料台を設置し、約10-3Torrの真空状態まで
真空度を上げ、電圧0.25KV,電流12.5mAにて約10分間イ
オンエッチングを実施した。更に同装置にてフイルム表
面に金スパッターを施し、約200Å程度の金薄膜層を形
成し走査型電子顕微鏡1万〜3万倍にて測定を行った。
尚、ボイドは粒径0.3μm以上の滑剤についてのみ測定
を行った。
し、日本電子(株)製スパッタリング装置(JFC−1100
型イオンスパッタリング装置)用いて、フイルム表面を
下記条件にてイオンエッチング処理を施した。ベルジャ
ー内に上記試料台を設置し、約10-3Torrの真空状態まで
真空度を上げ、電圧0.25KV,電流12.5mAにて約10分間イ
オンエッチングを実施した。更に同装置にてフイルム表
面に金スパッターを施し、約200Å程度の金薄膜層を形
成し走査型電子顕微鏡1万〜3万倍にて測定を行った。
尚、ボイドは粒径0.3μm以上の滑剤についてのみ測定
を行った。
(6) ヘーズ(曇り度) JIS−K 674に準じ、日本精密光学社製,積分球式HTR
メーターによりフイルムのヘーズを求めた。
メーターによりフイルムのヘーズを求めた。
(7) 体積形状係数(f) 走査型電子顕微鏡により粒子の写真を例えば5000倍で10
視野撮影し、例えば画像解析処理装置ルーゼックス500
(日本レギュレーター製)を用い、最大径の平均値を各
視野毎に測定し、更に、10視野の平均値を求め、Dとし
た。
視野撮影し、例えば画像解析処理装置ルーゼックス500
(日本レギュレーター製)を用い、最大径の平均値を各
視野毎に測定し、更に、10視野の平均値を求め、Dとし
た。
測定法の上記(1)項で求めた、粒子の平均粒径dよ
り、粒子の平均体積(V=(π/6)d3)を求め、形状係
数fを次式により算出した。
り、粒子の平均体積(V=(π/6)d3)を求め、形状係
数fを次式により算出した。
f=V/D3 式中、Vは粒子の平均体積(μm3),Dは粒子の平均最大
粒径(μm)を表わす。
粒径(μm)を表わす。
(8) 絶縁破壊電圧及び絶縁破壊異常率 絶縁破壊電圧はJIS−C−2318に示される方法で測定す
る。n=100の平均値を採用し、この平均値の1/3以下の
値を示すものの割合(%)を絶縁破壊異常率とする。
る。n=100の平均値を採用し、この平均値の1/3以下の
値を示すものの割合(%)を絶縁破壊異常率とする。
(9) 素子端面不揃い、及び偏平化後の素子端面形状
の評価 10μのフイルムをアルミニウム蒸着し、20mm巾にスリッ
トしたものを、外径3mmの巻芯に巻張力40g,巻取速度30c
m/secで4mの長さを巻回した素子を作り、素子端面不揃
いについては、端面が全て完全に揃っているものを○と
し、一部にやや不揃いのものもあるがその程度も小で、
実用上何ら差支えないものを△,使用できないものを×
とする。
の評価 10μのフイルムをアルミニウム蒸着し、20mm巾にスリッ
トしたものを、外径3mmの巻芯に巻張力40g,巻取速度30c
m/secで4mの長さを巻回した素子を作り、素子端面不揃
いについては、端面が全て完全に揃っているものを○と
し、一部にやや不揃いのものもあるがその程度も小で、
実用上何ら差支えないものを△,使用できないものを×
とする。
該素子をプレスにより偏平につぶした時の偏平化後の素
子端面形状評価は、フイルム層間が一直線で均一につぶ
れて隙間のないものを○、一部に僅かに隙間が認められ
るが実用上何ら問題のないものを△,つぶるが不均一で
フイルム層間に隙間ができて使用できないのを×とす
る。
子端面形状評価は、フイルム層間が一直線で均一につぶ
れて隙間のないものを○、一部に僅かに隙間が認められ
るが実用上何ら問題のないものを△,つぶるが不均一で
フイルム層間に隙間ができて使用できないのを×とす
る。
(10) 滑剤の凝集 フイルムを偏光下で20倍に拡大し、偏光板を直交させ暗
視野中で光るもののうち、25μ以上の凝集滑剤の個数を
測定することで評価した。測定面積は10cm2とし、1cm2
当りの個数0〜10個のものを○,10〜30個のものを△,30
個以上を×とした。
視野中で光るもののうち、25μ以上の凝集滑剤の個数を
測定することで評価した。測定面積は10cm2とし、1cm2
当りの個数0〜10個のものを○,10〜30個のものを△,30
個以上を×とした。
(11) コンデンサー総合評価 つぶれ性,巻回性等の取扱い作業性,蒸着加工性,絶縁
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、いれも良好なものを◎,若干劣る面を有
するが実用上問題ないものを○,実用上問題のあるもの
を△,使用に耐えないものを×とする。
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、いれも良好なものを◎,若干劣る面を有
するが実用上問題ないものを○,実用上問題のあるもの
を△,使用に耐えないものを×とする。
[実施例] 以下、実施例を掲げて本発明を更に説明する。
実施例1〜7 熱可塑性ポリエーテルエーテルケトン(ICI社製:ポリ
エーテルエーテルケトン380G)にシリコン樹脂微粒子及
び不活性粒子を表−1に示す割合で混合し、ブレンド
後、押出機により380℃で押出し、80℃の温度に保持し
たキャスティングドラム上へキャストし、90μの未延伸
フイルムを作成し、これを縦方向へ160℃で2.7倍延伸
し、更にテンターに供給し横方向へ160℃で3.5倍延伸
し、250℃で30秒間熱固定した。これらフイルムの特性
について、表−1に示す。
エーテルエーテルケトン380G)にシリコン樹脂微粒子及
び不活性粒子を表−1に示す割合で混合し、ブレンド
後、押出機により380℃で押出し、80℃の温度に保持し
たキャスティングドラム上へキャストし、90μの未延伸
フイルムを作成し、これを縦方向へ160℃で2.7倍延伸
し、更にテンターに供給し横方向へ160℃で3.5倍延伸
し、250℃で30秒間熱固定した。これらフイルムの特性
について、表−1に示す。
比較例1〜3 実施例1と同じポリマーを用い、滑剤のみを表−1に示
すものに変更する以外は、実施例1と同様に行った。
すものに変更する以外は、実施例1と同様に行った。
これらフイルムの特性を表−1に示す。
なお、表−1に示すシリコン樹脂微粒子は表−1に示さ
れた平均粒径を市し、体積形状係数が0.52〜0.48であ、
かつ粒度分布比(γ)が1.1〜2.0のものである。(組成
はCH3Si O1.5) 表−1の結果により、本発明のフイルムは表面が平坦
で、かつくり返しの摩擦係数も小さく、滑り性の優れた
フイルムであることが分る。また、本発明のフイルムは
滑剤の凝集も少なく、コンデンサー用フイルムとして見
た場居、非常に優れたものであることが分る。
れた平均粒径を市し、体積形状係数が0.52〜0.48であ、
かつ粒度分布比(γ)が1.1〜2.0のものである。(組成
はCH3Si O1.5) 表−1の結果により、本発明のフイルムは表面が平坦
で、かつくり返しの摩擦係数も小さく、滑り性の優れた
フイルムであることが分る。また、本発明のフイルムは
滑剤の凝集も少なく、コンデンサー用フイルムとして見
た場居、非常に優れたものであることが分る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B29K 73:00 B29L 7:00 4F
Claims (8)
- 【請求項1】(I)熱可塑性ポリエーテルエーテルケト
ン、及び (II)(a)下記式(A) RxSiO2−x/2 …(A) ここで、Rは炭素数1〜7の炭化水素基であり、そして
xは1〜1.2の数である で表わされる組成を有し、 (b)下記式(B) f=V/D3 …(B) ここで、Vは粒子1個当りの平均体積(μm3)でありそ
してDは粒子の平均最大粒径(μm)である で定義される体積形状係数(f)が0.4より大きくそし
てπ/6以下であり、そして (c)0.01〜4μmの平均粒径を有するシリコン樹脂微
粒子0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテルエーテル
ケトンに対し) から成る緊密な混合物から形成された二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルム。 - 【請求項2】上記式(A)において、Rが炭素数1〜7
の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基,フェニル基又
はトリル基である特許請求の範囲第1項記載のフイル
ム。 - 【請求項3】上記式(A)において、xが1〜1.1の数
である特許請求の範囲第1項記載のフイルム。 - 【請求項4】体積形状係数(f)が0.44〜π/6の間にあ
る特許請求の範囲第1項記載のフイルム。 - 【請求項5】平均粒径が0.05〜3μmの間にある特許請
求の範囲第1項記載のフイルム。 - 【請求項6】シリコン樹脂微粒子の量が0.01〜1.5重量
%(熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンに対し)であ
る特許請求の範囲第1項記載のフイルム。 - 【請求項7】上記シリコン樹脂微粒子が下記式(C) γ=D25/D75 …(C) ここで、D25は粒子の積算重量が25%のときの平均粒径
(μm)でありそしてD75は粒子の積算重量が75%のと
きの平均粒径(μm)である で定義される粒度分布比(γ)として1〜1.4の間の値
を有する特許請求の範囲第1項記載のフイルム。 - 【請求項8】(I)熱可塑性ポリエーテルエーテルケト
ン、 (II)(a)下記式(A) RxSiO2−x/2 …(A) ここで、Rは炭素数1〜7の炭化水素基であり、そして
xは1〜1.2の数である で表わされる組成を有し、 (b)下記式(B) f=V/D3 …(B) ここで、Vは粒子1個当りの平均体積(μm3)でありそ
してDは粒子の平均最大粒径(μm)である で定義される体積形状係数(f)が0.4より大きくπ/6
以下であり、そして (c)0.3〜4μmの平均粒径を有する、シリコン樹脂
微粒子0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテルエーテ
ルケトンに対し)及び (III)0.01〜1μmの平均粒径を有しそして該平均粒
径が上記シリコン樹脂微粒子の平均粒径よりも小さい不
活性微粒子0.005〜3.0重量%(熱可塑性ポリエーテルエ
ーテルケトンに対し) からなる緊密な混合物から形成された特許請求の範囲第
1項記載のフイルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25743387A JPH0696646B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25743387A JPH0696646B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101336A JPH01101336A (ja) | 1989-04-19 |
| JPH0696646B2 true JPH0696646B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17306296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25743387A Expired - Lifetime JPH0696646B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696646B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69829370T2 (de) | 1997-06-20 | 2006-03-09 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Polymerfolie und Schichtkondensator |
| CN101942177B (zh) * | 2010-08-20 | 2012-07-04 | 陈逊 | 一种聚醚醚酮薄膜的制造方法 |
| JP5607496B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-10-15 | 帝人株式会社 | 二軸延伸フィルム |
| CN114717464B (zh) * | 2022-02-25 | 2023-04-18 | 温州市海格阀门有限公司 | 一种耐热铸造不锈钢及其制备方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25743387A patent/JPH0696646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01101336A (ja) | 1989-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |