JPH0697321A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0697321A
JPH0697321A JP5016936A JP1693693A JPH0697321A JP H0697321 A JPH0697321 A JP H0697321A JP 5016936 A JP5016936 A JP 5016936A JP 1693693 A JP1693693 A JP 1693693A JP H0697321 A JPH0697321 A JP H0697321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
tab tape
radiator
tape
radiators
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5016936A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3322429B2 (ja
Inventor
Fumio Kuraishi
文夫 倉石
Norio Wada
則夫 和田
Hirofumi Uchida
浩文 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP01693693A priority Critical patent/JP3322429B2/ja
Priority to KR1019930009788A priority patent/KR970004321B1/ko
Priority to EP19930304324 priority patent/EP0573297A3/en
Priority to US08/070,968 priority patent/US5365107A/en
Publication of JPH0697321A publication Critical patent/JPH0697321A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3322429B2 publication Critical patent/JP3322429B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
    • H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
    • H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W42/00—Arrangements for protection of devices
    • H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 封止樹脂内での半導体素子の傾き等を防止で
き、装置全体の反り、アウターリードの曲がり等を防止
できる。 【構成】 ＴＡＢテープ１０のインナーリード１２に半
導体素子１４を搭載し、該半導体素子１４を封止樹脂４
にて封止した半導体装置２において、半導体素子１４を
挟んで両側に放熱体１７、１８が封止樹脂４にて固着さ
れ、少なくとも一方の放熱体１８が、半導体素子面に対
応する部位に半導体素子１４の封止樹脂４内での傾きを
防止すべく半導体素子面に近接する突出部２０を有して
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ（テープ オートメイティド ボ
ンディング）テープのインナーリードに半導体素子を搭
載し、半導体素子を覆って液状樹脂をポッティングした
簡易な半導体装置がある。しかしこの場合にはＴＡＢテ
ープ自体が強度のないものであるので、全体に撓みが生
じ、アウターリードが浮いて高さが揃わず、基板への実
装等に不都合が生じる。このため昨今では、半導体素子
をトランスファーモールドして樹脂封止した半導体装置
が開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このトランスファーモ
ールドした半導体装置によればモールド部により外形が
保持されるから構造的にポッティングによるものよりも
強度が大きく、アウターリードの浮きも少なくなる。し
かしながら、ＴＡＢテープのリードは銅箔をエッチング
加工して形成された薄いものであるため、半導体素子を
搭載したＴＡＢテープを金型内に配置すると半導体素子
の重み等によりインナーリードが撓み、さらにはキャビ
ティ内に樹脂を流入した際樹脂圧により半導体素子がキ
ャビティ内で動いてしまい、図１５に示すように半導体
素子が封止樹脂内で傾き、このために半導体装置の反り
が生じ、依然としてアウターリードの高さが不揃いとな
るなどの問題点を有する。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、封止樹
脂内での半導体素子の傾き等を防止でき、装置全体の反
り、アウターリードの曲がり等を防止できる半導体装置
を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、ＴＡＢテープの
インナーリードに半導体素子を搭載し、該半導体素子を
封止樹脂にて封止した半導体装置において、前記半導体
素子を挟んで両側に放熱体が封止樹脂にて固着され、少
なくとも一方の放熱体が、半導体素子面に対応する部位
に半導体素子の封止樹脂内での傾きを防止すべく半導体
素子面に近接する突出部を有していることを特徴として
いる。両放熱体の周縁部をＴＡＢテープ側に曲折し、該
曲折された周縁部にて絶縁物を介してＴＡＢテープを挟
むようにすると好適である。両放熱体のうち一方の放熱
体をその周縁部にて接着剤によりＴＡＢテープに接着し
ておくと好適である。また両放熱体のうちＴＡＢテープ
のリード側に位置する放熱体の周縁部により絶縁物を介
して前記ＴＡＢテープを挟圧し、該絶縁物および放熱体
の周縁部を、樹脂封止の際、樹脂が金型外方に漏出する
のを防止するダム部に形成するとよい。また両放熱体を
グランドリードに接続すると好適である。さらに本発明
では、ＴＡＢテープのインナーリードに半導体素子を搭
載し、該半導体素子を封止樹脂にて封止した半導体装置
において、前記半導体素子を挟んで少なくとも一方の側
に放熱体が封止樹脂にて固着され、該少なくとも一方の
放熱体が、半導体素子面に対応する部位に半導体素子面
に直接または間接に当接して支持する素子支持部と、半
導体素子より外側のＴＡＢテープ部分に直接または間接
に当接して支持するＴＡＢテープ支持部を有することを
特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に係る半導体装置によれば、半導体素子
面に近接する突出部を有する放熱体を封止樹脂中に配設
したので、樹脂封止の際半導体素子が金型内で動いたり
傾いたりするのを防止でき、アウターリード、インナー
リードの変形を防止できるばかりか、突出部を通じての
熱放散が好適に行える。また半導体素子を挟んで両側に
放熱体を配設するようにしたので、封止樹脂のシュリン
クによって片側のみが大幅に収縮するのを防止でき、装
置の反りを解消できる。さらに放熱体の周縁部を曲折し
て、該曲折部によってＴＡＢテープの支持テープ外縁を
挟持するようにしたので、ＴＡＢテープの撓みを防止で
き、これによるアウターリードの変形等を防止できる。
放熱体の一方をあらかじめＴＡＢテープに接着しておく
ことで、該放熱体の金型内への配置が容易に行え、また
ＴＡＢテープの変形も防止できる。放熱体周縁部と絶縁
物とによりダム部を形成することにより、別途ダム部を
設ける必要がなく、また当該部位を金型面で挟圧するこ
とにより、ＴＡＢテープが金型内で動くのを防止でき
る。両放熱体をグランドリードに接続することにより電
磁シールドされ、ノイズを軽減できる。放熱体に設けた
素子支持部により半導体素子を、またＴＡＢテープ支持
部によりＴＡＢテープを支持することにより、ＴＡＢテ
ープを金型内に容易に組み込むことができ、またＴＡＢ
テープの変形も防止できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。 実施例１ 図１において全体符合２は半導体装置を示す。１０はＴ
ＡＢテープであり、ポリイミド等からなる枠状の支持テ
ープ１１上に銅箔により形成された回路パターンが支持
され、該回路パターンのインナーリード１２が支持テー
プ１１内方に突出し、アウターリード１３が外方に突出
して形成されている。１４は半導体素子であり、インナ
ーリード１２上にバンプ１５を介して一括ボンディング
されて搭載されている。ＴＡＢテープ１０の支持テープ
１１、インナーリード１２、半導体素子１４は図示のご
とくトランスファーモールドされて封止樹脂４中に封止
され、アウターリード１３は封止樹脂１４の外方に突出
している。１７、１８は放熱体であり、金属等の熱放散
性に優れる材料にて形成されている。両放熱体１７、１
８は浅い皿状に形成され、その外周縁にはフランジ状に
外方に曲折された曲折部１９を有し、また中央部には皿
の内方に突出する突出部２０を有する。さらに両放熱体
１７、１８には図２に明確なように封止用の樹脂が貫通
または露出し得る透孔２１が適宜に形成されている。そ
して両放熱体１７、１８は半導体素子１４を挟んで両側
に位置して封止樹脂４中に配置されると共に、その曲折
部１９、１９がソルダーレジスト等の絶縁シート２２を
介してＴＡＢテープ１０の支持テープ１１の周縁部に対
応する部位を挟んだ状態にて封止樹脂４中に固定・配置
されている。その際、放熱体１８の突出部２０の部位は
半導体素子１４の表面に近接して位置している。この半
導体素子１４と突出部２０との間には封止樹脂４が入り
込んで両者間を固定している。なお半導体素子１４と該
突出部２０との間はあらかじめ接着剤にて固定しておい
てもよい。封止樹脂４は両放熱体１７、１８の透孔２１
に入り込んでブリッジし、両放熱体１７、１８の一部が
装置外面に露出する構造となっている（図３）。
【０００８】上記の半導体素子を製造するには、金型内
に、あらかじめインナーリード１２上に半導体素子１４
を搭載したＴＡＢテープ１０、絶縁シート２２、両放熱
体１７、１８を配置してキャビティ内に溶融樹脂を注入
する常法によるトランスファーモールド法により成形で
きる。その際樹脂の注入方向は、放熱体１７の中央部あ
たりの矢Ａ方向となるのが好ましい。この方向から溶融
樹脂を注入することにより、樹脂圧により半導体素子１
４が押圧されるが当該方向には半導体素子に近接してあ
るいは半導体素子面に当接して放熱体１８の突出部２０
が位置して半導体素子１４を支持するから、従来のよう
に半導体素子が樹脂中で動いたり、傾いたりすることが
なく、封止樹脂４中の所定位置に保持され、アウターリ
ード１３、インナーリード１２の変形等を防止できる。
また本実施例では、半導体素子１４を挟む両側の封止樹
脂４中にそれぞれ放熱体１７、１８が配置されているの
で、半導体素子１４表裏側の封止樹脂４のシュリンクが
均等になり、半導体装置の反り等が防止される。また放
熱体１７、１８の曲折部１９、１９がＴＡＢテープ１０
の支持テープ１１の周縁部を両側から挟持するので、支
持テープ１１が好適に保持され、撓みが防止される。さ
らに突出部２０、２０が半導体素子１４に近接している
ので、該突出部２０、２０を通じての放熱が好適になさ
れる。なお、樹脂流入圧による半導体素子１４の傾きを
防止するには、突出部２０は放熱体１８側にあればよ
く、放熱体１７側には必ずしも設けるを要しない。また
樹脂流入方向は矢Ａ方向からでなく、金型のパーティン
グ面に沿って、すなわち半導体装置の側壁部となる位置
から流入するようにしてもよい。この場合には半導体素
子１４のキャビティ内での上下の動きを少なくするため
に、上記突出部２０は両放熱体１７、１８に設けるのが
好ましい。
【０００９】実施例２ 図４は他の実施例を示す。本実施例で実施例１と相違す
るのは、両放熱体１７、１８に前記の透孔２１を形成せ
ず、両放熱体１７、１８にて密閉空間を形成し、この密
閉空間内に溶融樹脂を注入して一体化する点だけであ
り、他は実施例１と同じである。なお２４は樹脂注入孔
であり、放熱体１７に設けられている。本実施例では放
熱体１７、１８の外壁が完全に露出しているので、より
放熱性に優れる。
【００１０】実施例３ 図５に示す実施例では、放熱体１７、１８の突出部２０
は、放熱体を内方に窪ませて形成したものではなく、当
該部分を厚肉に形成して突出部にしたものであり、放熱
体１７、１８の外周壁に凹部を有さない点で実施例２と
異なるが他の点は実施例２と同じである。
【００１１】実施例４ 図６に示す実施例では、両放熱体１７、１８は、中央部
に内方に突出する突出部２０を設ける点では前記した実
施例と同じであるが、周縁部は平坦状をなし、支持テー
プ１１方向には曲折されない。本実施例でも、半導体素
子１４は突出部２０により支持されるので、封止樹脂４
中で動くことがなく、アウターリード１３、インナーリ
ード１２等に変形が生じず、また放熱体１７、１８が半
導体素子１４を挟んで両側に配置されているので、封止
樹脂４のシュリンクによっても装置の反りが生じない。
さらに突出部２０が半導体素子１４に近接しているから
熱放散も良好である。本実施例においても放熱体１７、
１８には樹脂ブリッジ用の透孔は設けても設けなくとも
よい。なお製造時に放熱体１７を金型内に配置する際に
は金型面に放熱体１７を嵌合して保持するようにする
か、あるいは金型面にマグネットを配設して放熱体１７
を吸着保持等するとよい。 実施例５ 図７に示す実施例では、突出部２０を厚肉に形成した他
は実施例４と同じである。
【００１２】実施例６ 図８はさらに他の実施例を示す。前記各実施例では突出
部２０は放熱体の中央部全体を窪ませて形成したが、本
実施例では、放熱体１７、１８に切り起こし片を設けて
突出部２０に形成している。図９の実施例でも同様に切
り起こし片を形成して突出部２０に形成している。この
ように切り起こし片状の突出部２０によっても半導体素
子１４のキャビティ内での動きを防止でき、傾き等を防
止できる。 実施例７ 図１０に示す実施例では、放熱体１７、１８で半導体素
子１４を取り囲んでいることを利用し、両放熱体１７、
１８による電磁シールド作用をなさしめるよう、両放熱
体１７、１８をＴＡＢテープのリードのグランドリード
１３ａに接続するようにしている。放熱体１７をグラン
ドリードに接続するには、放熱体１７とグランドリード
１３ａとをワイヤで接続してもよいし、グランドリード
１３ａに対応する絶縁シート２２の部位に孔を設けて
（絶縁シート２２はソルダーレジストをスクリーン印刷
等によって塗布して形成できるので、前記の孔は容易か
つ正確に形成できる）、該孔内に導電性樹脂等の導電性
部材を充填して放熱体１７との電気的接続をとるように
することができる。放熱体１８とグランドリード１３ａ
との接続をとるには、図示のごとく放熱体１８に延出片
１８ａを形成して、該延出片１８ａ先端をグランドリー
ド１３ａに固定して接続するか、あるいは支持テープ１
１にビアホールを形成し、ビアホールに導電性部材を充
填して電気的接続をとるなどすることができる。本実施
例では電磁シールドができ、ノイズを軽減できる。
【００１３】実施例８ 図１１にはさらに他の実施例を示す。本実施例では放熱
体１７をあらかじめ接着材２４にてＴＡＢテープ１０の
インナーリード側に固着しておき、この状態のまま半導
体素子１４を搭載したＴＡＢテープを金型内に組み込
み、モールドするようにしている。その際、支持テープ
１１の周縁、放熱体１７の周縁が封止樹脂４の外面より
外方に突出するようになされ、上下金型面にてこの延出
部を挟み込むようにし、そして接着材２４がアウターリ
ード１３の間隙を埋め、これにより樹脂が外方に漏出す
るのを防止するダム作用をなさしめるようにすると好適
である。この本実施例では、放熱体１７をあらかじめＴ
ＡＢテープ１０に接着しておくから、該放熱体１７に支
持されてＴＡＢテープ１０の変形が防止される。そし
て、下方の放熱体１８は金型内のキャビティに容易に組
み込むことができるし、さらに上方の放熱体１７もＴＡ
Ｂテープ１０にあらかじめ固着されているから、ＴＡＢ
テープ１０を金型内に位置決めして組み込むときに同時
に組み込める利点がある。また上記のように、支持テー
プ１１、放熱体１７の周縁を金型面によって挟み込んで
ダム作用をさせるようにすれば、別途ダム部を設ける必
要がないし、ＴＡＢテープが当該部分で金型に押さえ込
まれることになって、樹脂が注入された際の樹脂圧によ
ってＴＡＢテープ１０が動いてしまうのも防止できる。
【００１４】なお２５は放熱体に設けた貫通孔であり、
封止樹脂が充填されることによって封止樹脂との密着性
が向上される。また該貫通孔２５内壁にスルーホールめ
っきを施し、該スルーホールめっき皮膜とＴＡＢテープ
のグランドリードとの間に導通をとることによって、放
熱体１７をグランドプレーン兼用にすることもできる。
また放熱体１８の封止樹脂４中に埋没する部分には適宜
に透孔を設けて樹脂の流れを妨げないようにする必要が
ある。封止後はアンカーの役目をする。また放熱体１７
の形状は図示のような平板状の枠体でなく、図１等の他
の実施例に示すのと同じような形状のものとすることが
できる。なお、放熱体１７を図示のような枠体状のもの
にすることで、半導体素子１４のインナーリード上への
搭載は放熱体１７をあらかじめＴＡＢテープ１０上に接
着した後でも行えるから、ＴＡＢテープ１０に放熱体１
７を接着した、放熱体付きのＴＡＢテープとしても流通
させることができる。
【００１５】実施例９ 図１２はさらに他の実施例を示す。本実施例ではＴＡＢ
テープ１０を下方の放熱体１８にて支持して金型内に組
み込めるようにしている。そのために放熱体１８の中央
部分を切り起こして、半導体素子１４の素子面に直接ま
たは絶縁材を介して当接して半導体素子１４を支持する
素子支持部２７を形成し、また放熱体１８の周縁の４個
所を切り起こして突起２８を有する支持片（ＴＡＢテー
プ支持部）２９を形成している。突起２８はＴＡＢテー
プに設けた透孔を挿通するようにしてＴＡＢテープ１０
を位置決めし、かつ支持片２９にてＴＡＢテープ１０を
下方から支持するようにしている。また放熱体１８の下
方側には金型のキャビティ面に当接する支持突起３０を
切り起こしている。したがって本実施例によれば、支持
突起３０にてキャビティ内面に当接するようにして放熱
体１８をキャビティ内に配置し、素子支持部２７上に半
導体素子１４が、支持片２９によりＴＡＢテープ１０部
分が支持されるように、半導体素子を搭載したＴＡＢテ
ープ１０を配置すれば、各部を容易に金型内に配置でき
る。突起２８は必ずしも必要ではなく、支持片２９上面
等にてＴＡＢテープ１０を支持するようにしてもよい。
また図示のように、支持テープ１１とソルダーレジスト
３１の周縁をモールド部の外面より外方に突出させて、
当該部位を金型にて挾持し、これによりダム作用をなさ
しめるようにすると好適である。図１３は放熱体１８の
平面図であるが、図示のように放熱体１８には樹脂ブリ
ッジ用の透孔３２を設けてある。本実施例では下方の放
熱体１８により半導体素子１４、ＴＡＢテープ１０を支
持するので、上方の放熱体は必ずしも設けなくともよ
い。なお図１４は上方の放熱体１７も配置した例を示
し、この場合、実施例８と同じように、放熱体１７をあ
らかじめＴＡＢテープ１０の上面に接着材により固着す
るようにした。
【００１６】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、半導
体素子面に近接する突出部を有する放熱体を封止樹脂中
に配設したので、樹脂封止の際半導体素子が金型内で動
いたり傾いたりするのを防止でき、アウターリード、イ
ンナーリードの変形を防止できるばかりか、突出部を通
じての熱放散が好適に行える。また半導体素子を挟んで
両側に放熱体を配設するようにしたので、封止樹脂のシ
ュリンクによって片側のみが大幅に収縮するのを防止で
き、装置の反りを解消できる。さらに放熱体の周縁部を
曲折して、該曲折部によってＴＡＢテープの支持テープ
外縁を挟持するようにしたので、ＴＡＢテープの撓みを
防止でき、これによるアウターリードの変形等を防止で
きる。放熱体の一方をあらかじめＴＡＢテープに接着し
ておくことで、該放熱体の金型内への配置が容易に行
え、またＴＡＢテープの変形も防止できる。放熱体周縁
部と絶縁物とによりダム部を形成することにより、別途
ダム部を設ける必要がなく、また当該部位を金型面で挟
圧することにより、ＴＡＢテープが金型内で動くのを防
止できる。両放熱体をグランドリードに接続することに
より電磁シールドされ、ノイズを軽減できる。放熱体に
設けた素子支持部により半導体素子を、またＴＡＢテー
プ支持部によりＴＡＢテープを支持することにより、Ｔ
ＡＢテープを金型内に容易に組み込むことができ、また
ＴＡＢテープの変形も防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例を示した断面図である。
【図２】放熱体の平面図である。
【図３】第１の実施例における半導体装置の平面図であ
る。
【図４】第２の実施例を示した断面図である。
【図５】第３の実施例を示した断面図である。
【図６】第４の実施例を示した断面図である。
【図７】第５の実施例を示した断面図である。
【図８】他の実施例を示す部分断面図である。
【図９】他の実施例を示す部分断面図である。
【図１０】さらに他の実施例を示す部分断面図である。
【図１１】実施例８を示した断面図である。
【図１２】実施例９を示した断面図である。
【図１３】実施例９における放熱体の平面図である。
【図１４】実施例９において放熱体を上下に配置した例
を示す説明図である。
【図１５】封止樹脂中での半導体素子の傾きを示す説明
図である。
【符号の説明】
２ 半導体装置 ４ 封止樹脂 １０ ＴＡＢテープ １１ 支持テープ １２ インナーリード １３ アウターリード １３ａ グランドリード １４ 半導体素子 １７、１８ 放熱体 ２０ 突出部 ２１ 透孔 ２２ 絶縁シート

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＴＡＢテープのインナーリードに半導体
    素子を搭載し、該半導体素子を封止樹脂にて封止した半
    導体装置において、 前記半導体素子を挟んで両側に放熱体が封止樹脂にて固
    着され、少なくとも一方の放熱体が、半導体素子面に対
    応する部位に半導体素子の封止樹脂内での傾きを防止す
    べく半導体素子面に近接する突出部を有していることを
    特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記両放熱体の周縁部がＴＡＢテープ側
    に曲折され、該曲折された周縁部にて絶縁物を介してＴ
    ＡＢテープが挟まれていることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記両放熱体のうち一方の放熱体がその
    周縁部にて接着剤によりＴＡＢテープに接着されている
    ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記両放熱体のうちＴＡＢテープのリー
    ド側に位置する放熱体の周縁部が絶縁物を介して前記Ｔ
    ＡＢテープを挟圧し、該絶縁物および放熱体の周縁部
    が、樹脂封止の際、樹脂が金型外方に漏出するのを防止
    するダム部に形成されていることを特徴とする請求項
    １、２または３記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記放熱体の少なくとも一方をグランド
    リードに接続したことを特徴とする請求項１、２、３ま
    たは４記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 ＴＡＢテープのインナーリードに半導体
    素子を搭載し、該半導体素子を封止樹脂にて封止した半
    導体装置において、 前記半導体素子を挟んで少なくとも一方の側に放熱体が
    封止樹脂にて固着され、該少なくとも一方の放熱体が、
    半導体素子面に対応する部位に半導体素子面に直接また
    は間接に当接して支持する素子支持部と、半導体素子よ
    り外側のＴＡＢテープ部分に直接または間接に当接して
    支持するＴＡＢテープ支持部を有することを特徴とする
    半導体装置。
JP01693693A 1992-06-04 1993-01-06 半導体装置 Expired - Fee Related JP3322429B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01693693A JP3322429B2 (ja) 1992-06-04 1993-01-06 半導体装置
KR1019930009788A KR970004321B1 (ko) 1992-06-04 1993-06-01 반도체 장치
EP19930304324 EP0573297A3 (en) 1992-06-04 1993-06-03 Semiconductor device comprising a tab tape
US08/070,968 US5365107A (en) 1992-06-04 1993-06-04 Semiconductor device having tab tape

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17017692 1992-06-04
JP4-170176 1992-06-04
JP01693693A JP3322429B2 (ja) 1992-06-04 1993-01-06 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0697321A true JPH0697321A (ja) 1994-04-08
JP3322429B2 JP3322429B2 (ja) 2002-09-09

Family

ID=26353387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP01693693A Expired - Fee Related JP3322429B2 (ja) 1992-06-04 1993-01-06 半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5365107A (ja)
EP (1) EP0573297A3 (ja)
JP (1) JP3322429B2 (ja)
KR (1) KR970004321B1 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5594282A (en) * 1993-12-16 1997-01-14 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5598321A (en) * 1995-09-11 1997-01-28 National Semiconductor Corporation Ball grid array with heat sink
US5633529A (en) * 1994-07-13 1997-05-27 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5652461A (en) * 1992-06-03 1997-07-29 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a convex heat sink
US5686361A (en) * 1992-06-03 1997-11-11 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing a semiconductor device having a heat radiator
US5719442A (en) * 1994-11-11 1998-02-17 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device
US5777380A (en) * 1995-03-17 1998-07-07 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads
US5801435A (en) * 1995-02-27 1998-09-01 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
KR20010069478A (ko) * 2001-03-27 2001-07-25 김영선 금속 봉합된 플라스틱 패캐지(피피엠에스)
US6486564B2 (en) * 2000-08-17 2002-11-26 Walsin Advanced Electronics Ltd. Heat dissipation module for a BGA IC
JP2008071934A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009164564A (ja) * 2007-12-14 2009-07-23 Denso Corp 電子装置およびその製造方法
JP2013183054A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JPWO2014064806A1 (ja) * 2012-10-25 2016-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2021197522A (ja) * 2020-06-18 2021-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06275759A (ja) * 1993-03-17 1994-09-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2861725B2 (ja) * 1993-04-07 1999-02-24 住友金属鉱山株式会社 半導体装置及びそのリードフレーム
US5486720A (en) * 1994-05-26 1996-01-23 Analog Devices, Inc. EMF shielding of an integrated circuit package
KR100248035B1 (ko) * 1994-09-29 2000-03-15 니시무로 타이죠 반도체 패키지
KR0155843B1 (ko) * 1995-07-07 1998-12-01 이대원 반도체장치
US5696405A (en) * 1995-10-13 1997-12-09 Lucent Technologies Inc. Microelectronic package with device cooling
JP3332308B2 (ja) * 1995-11-07 2002-10-07 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR0184076B1 (ko) * 1995-11-28 1999-03-20 김광호 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지
DE19628665A1 (de) * 1996-07-16 1998-01-29 Siemens Ag Halbleiter-Modul
DE19646693A1 (de) * 1996-11-12 1998-05-14 Siemens Ag Mikroelektronisches Bauteil
US5907769A (en) * 1996-12-30 1999-05-25 Micron Technology, Inc. Leads under chip in conventional IC package
KR100252051B1 (ko) * 1997-12-03 2000-04-15 윤종용 휨 방지막을 구비하는 탭 테이프
DE19810919A1 (de) * 1998-03-13 1999-09-16 Abb Daimler Benz Transp Modulgrundplatte zur Kühlung elektrischer Bauelemente
US6075288A (en) * 1998-06-08 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor package having interlocking heat sinks and method of fabrication
US7023087B1 (en) * 1998-08-05 2006-04-04 Agere Systems Inc. Integrated circuit carrier and method of manufacturing and integrated circuit
TW388976B (en) * 1998-10-21 2000-05-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with fully exposed heat sink
US5982621A (en) * 1998-11-23 1999-11-09 Caesar Technology Inc. Electronic device cooling arrangement
US6258630B1 (en) * 1999-02-04 2001-07-10 Nec Corporation Resin-sealed semiconductor device having island for mounting semiconductor element coupled to heat spreader
SG75154A1 (en) 1999-02-23 2000-09-19 Inst Of Microelectronics Plastic ball grid array package
US6215180B1 (en) * 1999-03-17 2001-04-10 First International Computer Inc. Dual-sided heat dissipating structure for integrated circuit package
MY133357A (en) * 1999-06-30 2007-11-30 Hitachi Ltd A semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3215686B2 (ja) * 1999-08-25 2001-10-09 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
US6700210B1 (en) * 1999-12-06 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Electronic assemblies containing bow resistant semiconductor packages
US6384487B1 (en) 1999-12-06 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Bow resistant plastic semiconductor package and method of fabrication
US6229202B1 (en) 2000-01-10 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor package having downset leadframe for reducing package bow
US6559537B1 (en) * 2000-08-31 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Ball grid array packages with thermally conductive containers
DE10047135B4 (de) * 2000-09-22 2006-08-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes und Kunststoff umhülltes Bauelement
US6882042B2 (en) 2000-12-01 2005-04-19 Broadcom Corporation Thermally and electrically enhanced ball grid array packaging
US6906414B2 (en) 2000-12-22 2005-06-14 Broadcom Corporation Ball grid array package with patterned stiffener layer
US7161239B2 (en) 2000-12-22 2007-01-09 Broadcom Corporation Ball grid array package enhanced with a thermal and electrical connector
US7132744B2 (en) 2000-12-22 2006-11-07 Broadcom Corporation Enhanced die-up ball grid array packages and method for making the same
US20020079572A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Khan Reza-Ur Rahman Enhanced die-up ball grid array and method for making the same
US6853070B2 (en) 2001-02-15 2005-02-08 Broadcom Corporation Die-down ball grid array package with die-attached heat spreader and method for making the same
JP2002252313A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Shinko Electric Ind Co Ltd ヒートスプレッダ及び半導体装置
US6614102B1 (en) 2001-05-04 2003-09-02 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor leadframe package
US6707168B1 (en) * 2001-05-04 2004-03-16 Amkor Technology, Inc. Shielded semiconductor package with single-sided substrate and method for making the same
US7259448B2 (en) 2001-05-07 2007-08-21 Broadcom Corporation Die-up ball grid array package with a heat spreader and method for making the same
US20030030139A1 (en) * 2001-06-26 2003-02-13 Marcos Karnezos Integral heatsink plastic ball grid array
US6614123B2 (en) * 2001-07-31 2003-09-02 Chippac, Inc. Plastic ball grid array package with integral heatsink
US7126218B1 (en) 2001-08-07 2006-10-24 Amkor Technology, Inc. Embedded heat spreader ball grid array
JP4422933B2 (ja) * 2001-09-05 2010-03-03 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置
US6737750B1 (en) 2001-12-07 2004-05-18 Amkor Technology, Inc. Structures for improving heat dissipation in stacked semiconductor packages
US6879039B2 (en) 2001-12-18 2005-04-12 Broadcom Corporation Ball grid array package substrates and method of making the same
US6861750B2 (en) 2002-02-01 2005-03-01 Broadcom Corporation Ball grid array package with multiple interposers
US7550845B2 (en) 2002-02-01 2009-06-23 Broadcom Corporation Ball grid array package with separated stiffener layer
US6825108B2 (en) 2002-02-01 2004-11-30 Broadcom Corporation Ball grid array package fabrication with IC die support structures
US6876553B2 (en) 2002-03-21 2005-04-05 Broadcom Corporation Enhanced die-up ball grid array package with two substrates
US7196415B2 (en) * 2002-03-22 2007-03-27 Broadcom Corporation Low voltage drop and high thermal performance ball grid array package
JP2005117009A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
DE10347320A1 (de) * 2003-10-08 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Anordnung eines auf einem Substrat aufbauenden Chip-Packages und Substrat zur Herstellung desselben
DE10347621A1 (de) * 2003-10-09 2005-05-25 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes Package für integrierte Schaltkreise
US7411281B2 (en) 2004-06-21 2008-08-12 Broadcom Corporation Integrated circuit device package having both wire bond and flip-chip interconnections and method of making the same
US7482686B2 (en) 2004-06-21 2009-01-27 Braodcom Corporation Multipiece apparatus for thermal and electromagnetic interference (EMI) shielding enhancement in die-up array packages and method of making the same
US7432586B2 (en) 2004-06-21 2008-10-07 Broadcom Corporation Apparatus and method for thermal and electromagnetic interference (EMI) shielding enhancement in die-up array packages
US7786591B2 (en) 2004-09-29 2010-08-31 Broadcom Corporation Die down ball grid array package
US20060108681A1 (en) * 2004-11-23 2006-05-25 Chua Kok H Semiconductor component package
US7582951B2 (en) 2005-10-20 2009-09-01 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages
US8183680B2 (en) 2006-05-16 2012-05-22 Broadcom Corporation No-lead IC packages having integrated heat spreader for electromagnetic interference (EMI) shielding and thermal enhancement
US7808087B2 (en) * 2006-06-01 2010-10-05 Broadcom Corporation Leadframe IC packages having top and bottom integrated heat spreaders
US20080073778A1 (en) * 2006-09-27 2008-03-27 Texas Instruments Incorporated Two-way heat extraction from packaged semiconductor chips
US8207607B2 (en) 2007-12-14 2012-06-26 Denso Corporation Semiconductor device with resin mold
US7787250B2 (en) * 2007-12-28 2010-08-31 Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. Metallic cover of miniaturization module
TR200807159A2 (tr) * 2008-09-19 2010-04-21 Vestel Elektron�K Sanay� Ve T�Caret A.�. Bir entegre devre
US9054077B2 (en) * 2010-03-10 2015-06-09 Altera Corporation Package having spaced apart heat sink
CN102906869A (zh) * 2010-06-14 2013-01-30 夏普株式会社 电子设备、显示装置和电视接收机
JP5840933B2 (ja) * 2011-11-15 2016-01-06 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP5634429B2 (ja) * 2012-03-30 2014-12-03 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール
US20140374891A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Boon Yew Low Semiconductor device with heat spreader and thermal sheet
US9508632B1 (en) * 2015-06-24 2016-11-29 Freescale Semiconductor, Inc. Apparatus and methods for stackable packaging
DE102020120139B4 (de) 2020-07-30 2022-12-29 Infineon Technologies Ag Ein halbleiterbauelementpackage mit seitenwänden, die mit kontaktpads eines halbleiterdies verbunden sind und ein verfahren zu seiner herstellung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2107786C3 (de) * 1971-02-18 1983-01-27 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Halbleiterbauelement
WO1983003712A1 (en) * 1982-04-05 1983-10-27 Motorola Inc A self-positioning heat spreader
JPS61166051A (ja) * 1985-01-17 1986-07-26 Matsushita Electronics Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0815193B2 (ja) * 1986-08-12 1996-02-14 新光電気工業株式会社 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム
JPS63204735A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のパツケ−ジ構造
JPH0263143A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子パッケージ
JP2895504B2 (ja) * 1989-04-19 1999-05-24 三菱電機株式会社 半導体装置
US5157478A (en) * 1989-04-19 1992-10-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Tape automated bonding packaged semiconductor device incorporating a heat sink
JPH02277259A (ja) * 1989-04-19 1990-11-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE4021871C2 (de) * 1990-07-09 1994-07-28 Lsi Logic Products Gmbh Hochintegriertes elektronisches Bauteil
JP2725448B2 (ja) * 1990-08-01 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH04158556A (ja) * 1990-10-22 1992-06-01 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5293301A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame used therein

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5652461A (en) * 1992-06-03 1997-07-29 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a convex heat sink
US5653891A (en) * 1992-06-03 1997-08-05 Seiko Epson Corporation Method of producing a semiconductor device with a heat sink
US5686361A (en) * 1992-06-03 1997-11-11 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing a semiconductor device having a heat radiator
US5594282A (en) * 1993-12-16 1997-01-14 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5891759A (en) * 1993-12-16 1999-04-06 Seiko Epson Corporation Method of making a multiple heat sink resin sealing type semiconductor device
US5633529A (en) * 1994-07-13 1997-05-27 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5719442A (en) * 1994-11-11 1998-02-17 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device
US5801435A (en) * 1995-02-27 1998-09-01 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5777380A (en) * 1995-03-17 1998-07-07 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads
US5598321A (en) * 1995-09-11 1997-01-28 National Semiconductor Corporation Ball grid array with heat sink
US6486564B2 (en) * 2000-08-17 2002-11-26 Walsin Advanced Electronics Ltd. Heat dissipation module for a BGA IC
KR20010069478A (ko) * 2001-03-27 2001-07-25 김영선 금속 봉합된 플라스틱 패캐지(피피엠에스)
JP2008071934A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009164564A (ja) * 2007-12-14 2009-07-23 Denso Corp 電子装置およびその製造方法
JP2013183054A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JPWO2014064806A1 (ja) * 2012-10-25 2016-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置
US9601408B2 (en) 2012-10-25 2017-03-21 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP2021197522A (ja) * 2020-06-18 2021-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置
US11251105B2 (en) 2020-06-18 2022-02-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US5365107A (en) 1994-11-15
JP3322429B2 (ja) 2002-09-09
EP0573297A2 (en) 1993-12-08
KR940006225A (ko) 1994-03-23
KR970004321B1 (ko) 1997-03-26
EP0573297A3 (en) 1993-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0697321A (ja) 半導体装置
US5157478A (en) Tape automated bonding packaged semiconductor device incorporating a heat sink
US7667312B2 (en) Semiconductor device including a heat-transmitting and electromagnetic-noise-blocking substance and method of manufacturing the same
US5834835A (en) Semiconductor device having an improved structure for storing a semiconductor chip
KR100428271B1 (ko) 집적회로패키지와그제조방법
US10964627B2 (en) Integrated electronic device having a dissipative package, in particular dual side cooling package
JPH0815165B2 (ja) 樹脂絶縁型半導体装置の製造方法
US4947237A (en) Lead frame assembly for integrated circuits having improved heat sinking capabilities and method
CN108538728A (zh) 制造半导体器件的方法
JP2971449B2 (ja) 半導体装置、その製造方法及び半導体装置のリードフレーム
JP3434752B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2765507B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH07321246A (ja) 半導体装置
JPH08505266A (ja) 配置可能接着剤によりシールされた電子パッケージ
KR100244721B1 (ko) 반도체패키지
JPH10189792A (ja) 半導体パッケージ
JPH0623254U (ja) 基板の固定構造
JPH11260963A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS60110145A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2508567B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0621145A (ja) 半導体装置
JPS6373541A (ja) 放熱ブロツク付樹脂封止形半導体装置
JP2504262Y2 (ja) 半導体モジュ―ル
JPH08236557A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH10144822A (ja) 電子部品搭載用基板

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees