JPH0697644A - クリームはんだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法 - Google Patents
クリームはんだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法Info
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- JPH0697644A JPH0697644A JP27089892A JP27089892A JPH0697644A JP H0697644 A JPH0697644 A JP H0697644A JP 27089892 A JP27089892 A JP 27089892A JP 27089892 A JP27089892 A JP 27089892A JP H0697644 A JPH0697644 A JP H0697644A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 クリームはんだを加熱してはんだ溶着するリ
フロー炉において、はんだブリッジの発生を抑さえプリ
ント基板の生産性を向上させる。 【構成】 一定速度で回転しているコンベア１０にプリ
ント基板を載置することで、熱処理の順序及びその工程
に必要な時間に応じて連続配置された所定工程長の各熱
処理部をプリント基板が通過し、一連のはんだ溶着作業
が完了する。各熱処理部は、クリームはんだ含有の有機
溶剤を揮発させて後工程でのはんだの熱ダレを防止する
クリームはんだ乾燥部Ａ、フラックスを活性化させるた
めの予熱昇温部Ｂ、その予熱昇温部Ｂにて昇温したプリ
ント基板を熱平衡するまで保温する予熱保温部Ｃ、クリ
ームはんだ主成分のはんだ粉を溶融させてはんだ溶着を
実現するリフロー部Ｄ、そのリフロー部で高温に加熱さ
れたプリント基板を冷却する冷却部Ｅの５つである。
フロー炉において、はんだブリッジの発生を抑さえプリ
ント基板の生産性を向上させる。 【構成】 一定速度で回転しているコンベア１０にプリ
ント基板を載置することで、熱処理の順序及びその工程
に必要な時間に応じて連続配置された所定工程長の各熱
処理部をプリント基板が通過し、一連のはんだ溶着作業
が完了する。各熱処理部は、クリームはんだ含有の有機
溶剤を揮発させて後工程でのはんだの熱ダレを防止する
クリームはんだ乾燥部Ａ、フラックスを活性化させるた
めの予熱昇温部Ｂ、その予熱昇温部Ｂにて昇温したプリ
ント基板を熱平衡するまで保温する予熱保温部Ｃ、クリ
ームはんだ主成分のはんだ粉を溶融させてはんだ溶着を
実現するリフロー部Ｄ、そのリフロー部で高温に加熱さ
れたプリント基板を冷却する冷却部Ｅの５つである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板に形成さ
れた導電パターンと電子部品との間に装填されたクリー
ムはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、導電パターン
と電子部品とをはんだ溶着するリフロー炉およびはんだ
溶着方法に関する。
れた導電パターンと電子部品との間に装填されたクリー
ムはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、導電パターン
と電子部品とをはんだ溶着するリフロー炉およびはんだ
溶着方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、所定導電パターンが描かれたプリン
ト基板に表面実装用の電子部品などをはんだ付けするに
際して、はんだ粉（例えば、Ｓｎ６３，Ｐｂ３７）に対
し、はんだ粉の接着性を高めるフラックスとして例えば
ロジン（例えば、アビエチン酸），活性剤（例えば、塩
素化合物），チキソ剤（例えば、ＳｉＯ2 ）を５〜７ｗ
ｔ％、これらをクリーム状に練り上げるための溶剤とし
て例えばカルビトール系の有機溶剤を３〜５ｗｔ％添加
したクリームはんだが利用される。この種のクリームは
んだを利用したプリント基板は、リフロー炉に入れら
れ、そのリフロー部においてはんだ溶融温度以上に加熱
され導電パターンと電子部品とのはんだ接続が行なわれ
る。
ト基板に表面実装用の電子部品などをはんだ付けするに
際して、はんだ粉（例えば、Ｓｎ６３，Ｐｂ３７）に対
し、はんだ粉の接着性を高めるフラックスとして例えば
ロジン（例えば、アビエチン酸），活性剤（例えば、塩
素化合物），チキソ剤（例えば、ＳｉＯ2 ）を５〜７ｗ
ｔ％、これらをクリーム状に練り上げるための溶剤とし
て例えばカルビトール系の有機溶剤を３〜５ｗｔ％添加
したクリームはんだが利用される。この種のクリームは
んだを利用したプリント基板は、リフロー炉に入れら
れ、そのリフロー部においてはんだ溶融温度以上に加熱
され導電パターンと電子部品とのはんだ接続が行なわれ
る。
【０００３】また、一般的なリフロー炉は、前記リフロ
ー部の前段に昇温加熱部および恒温部が配置されてお
り、クリームはんだに含有されるフラックスが活性化す
る温度（一般的には１２０℃〜１５０℃）にまでクリー
ムはんだを加熱し、熱容量の異なる各電子部品に盛られ
たクリームはんだが総てフラックス活性化温度となるま
で維持される。そして、リフロー部を経たプリント基板
は、リフロー部の後段に配置された冷却部により直ちに
冷却される。はんだを急速に凝固して、電子部品の位置
ずれを防止しているのである。こうしたリフロー炉の温
度プロファイルを図５に示す。
ー部の前段に昇温加熱部および恒温部が配置されてお
り、クリームはんだに含有されるフラックスが活性化す
る温度（一般的には１２０℃〜１５０℃）にまでクリー
ムはんだを加熱し、熱容量の異なる各電子部品に盛られ
たクリームはんだが総てフラックス活性化温度となるま
で維持される。そして、リフロー部を経たプリント基板
は、リフロー部の後段に配置された冷却部により直ちに
冷却される。はんだを急速に凝固して、電子部品の位置
ずれを防止しているのである。こうしたリフロー炉の温
度プロファイルを図５に示す。
【０００４】この様なクリームはんだ溶着用のリフロー
炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法によ
れば、はんだをプリント基板の所定箇所に盛り付ける工
程とはんだを溶融させるはんだ接続工程とが分離され、
印刷などの手法によりクリームはんだをプリント基板の
所定位置に塗布し、更に所定の位置に部品を載置し、そ
の後リフロー炉により一斉にはんだ付けする大量生産工
程を作り上げることが可能となり、小型軽量の回路基板
を大量に生産する方式として広く採用されている。
炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法によ
れば、はんだをプリント基板の所定箇所に盛り付ける工
程とはんだを溶融させるはんだ接続工程とが分離され、
印刷などの手法によりクリームはんだをプリント基板の
所定位置に塗布し、更に所定の位置に部品を載置し、そ
の後リフロー炉により一斉にはんだ付けする大量生産工
程を作り上げることが可能となり、小型軽量の回路基板
を大量に生産する方式として広く採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、クリーム
はんだは、溶剤によりはんだ粉やフラックスをクリーム
状に練り上げた構成であり、そのために、プリント基板
にはんだを盛り付ける工程とはんだ接続工程とが分離さ
れ、回路基板生産の自動化を図ることができるが、上記
従来の方式では、次のような問題が頻発し、小型軽量の
回路基板を大量に生産する方式としては未だに不十分で
あった。
はんだは、溶剤によりはんだ粉やフラックスをクリーム
状に練り上げた構成であり、そのために、プリント基板
にはんだを盛り付ける工程とはんだ接続工程とが分離さ
れ、回路基板生産の自動化を図ることができるが、上記
従来の方式では、次のような問題が頻発し、小型軽量の
回路基板を大量に生産する方式としては未だに不十分で
あった。
【０００６】このクリームはんだに不可欠の組成物であ
る溶剤は、当然に溶剤独自の熱的特性を呈し、高温とな
るにつれてその粘度が低下する一般的な物性を有してい
る。従って、フラックス活性化温度あるいははんだ溶融
温度にまでクリームはんだを加熱する間に、クリームは
んだの流動性が高まり、ランドパターンから流れ出し、
本来ならば離隔してはんだ溶着されるべき隣接したクリ
ームはんだ同士が連続するいわゆるはんだブリッジが発
生するのである。
る溶剤は、当然に溶剤独自の熱的特性を呈し、高温とな
るにつれてその粘度が低下する一般的な物性を有してい
る。従って、フラックス活性化温度あるいははんだ溶融
温度にまでクリームはんだを加熱する間に、クリームは
んだの流動性が高まり、ランドパターンから流れ出し、
本来ならば離隔してはんだ溶着されるべき隣接したクリ
ームはんだ同士が連続するいわゆるはんだブリッジが発
生するのである。
【０００７】特に、ピッチ間隔が狭いプリント基板では
上記現象の発生確率が高く、はんだ付け工程後の品質検
査工程で数多く発見されるはんだブリッジを解消するた
めに、多くの時間と人手を必要とし、生産効率向上を阻
害する大きな要因となっている。しかも、現在は、半導
体チップの集積度向上が著しく、また抵抗やコンデンサ
などその他の電子部品も表面実装用に小型化が急速に進
展しており、ピッチ間隔０．５ｍｍ以下のピッチで導電
パターンを設計する箇所が数十、ときには数百を越える
プリント基板が一般的となっている。従って、上記発生
メカニズムによるはんだブリッジの発生率が僅か数％の
オーダーであっても、１つのプリント基板には必ず数カ
所のはんだブリッジが発生することになり、電子部品の
小型化が進むにつれてプリント基板生産効率は低下する
一方であった。
上記現象の発生確率が高く、はんだ付け工程後の品質検
査工程で数多く発見されるはんだブリッジを解消するた
めに、多くの時間と人手を必要とし、生産効率向上を阻
害する大きな要因となっている。しかも、現在は、半導
体チップの集積度向上が著しく、また抵抗やコンデンサ
などその他の電子部品も表面実装用に小型化が急速に進
展しており、ピッチ間隔０．５ｍｍ以下のピッチで導電
パターンを設計する箇所が数十、ときには数百を越える
プリント基板が一般的となっている。従って、上記発生
メカニズムによるはんだブリッジの発生率が僅か数％の
オーダーであっても、１つのプリント基板には必ず数カ
所のはんだブリッジが発生することになり、電子部品の
小型化が進むにつれてプリント基板生産効率は低下する
一方であった。
【０００８】本発明は、こうした問題点を解決し、たと
えピッチ間隔の狭いはんだ接続部であってもはんだブリ
ッジを発生させることなく、クリームはんだを利用した
工程分離による生産性向上の効果を最大限に活用するこ
とを目的としてなされ、次の構成を採った。
えピッチ間隔の狭いはんだ接続部であってもはんだブリ
ッジを発生させることなく、クリームはんだを利用した
工程分離による生産性向上の効果を最大限に活用するこ
とを目的としてなされ、次の構成を採った。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第一発明のクリームはん
だ溶着用のリフロー炉は、プリント基板に形成された導
電パターンと電子部品との間に装填されたクリームはん
だをリフロー部においてはんだ溶融温度以上に加熱し、
前記導電パターンと前記電子部品とをはんだ接続するリ
フロー炉において、前記プリント基板を、前記クリーム
はんだに含有されるフラックスを活性化させる温度に加
熱する工程より前に、該フラックスの活性化温度以下で
かつ該クリームはんだの含有する溶剤を揮発させる温度
に加熱するクリームはんだ乾燥部を配置したことを特徴
とする。
だ溶着用のリフロー炉は、プリント基板に形成された導
電パターンと電子部品との間に装填されたクリームはん
だをリフロー部においてはんだ溶融温度以上に加熱し、
前記導電パターンと前記電子部品とをはんだ接続するリ
フロー炉において、前記プリント基板を、前記クリーム
はんだに含有されるフラックスを活性化させる温度に加
熱する工程より前に、該フラックスの活性化温度以下で
かつ該クリームはんだの含有する溶剤を揮発させる温度
に加熱するクリームはんだ乾燥部を配置したことを特徴
とする。
【００１０】ここで、前記クリームはんだの含有する溶
剤の揮発量は、少なくとも３０％が好ましく、より好ま
しくは５０％以上であればよい。また、この様な溶剤揮
発量の管理は、少なくともはんだブリッジが発生し易い
箇所、例えば０．５ｍｍピッチ以下の間隔でプリント基
板に盛られたクリームはんだに対して確保されることが
望ましい。クリームはんだ乾燥部の温度は、クリームは
んだ溶剤の粘度が低下する温度よりも低いことが必要で
あり、フラックス活性化温度よりも低い１２０℃以下で
あることが好ましく、より好ましくは５０℃ないし１０
０℃の温度範囲である。なお、クリームはんだ乾燥部に
おけるクリームはんだの乾燥工程は、溶剤の揮発量やク
リームはんだの温度を現実に測定しつつ実施してもよ
く、簡易的にはクリームはんだに含有される溶剤の材質
および含有量に基づき決定される乾燥時間により管理す
ればよい。
剤の揮発量は、少なくとも３０％が好ましく、より好ま
しくは５０％以上であればよい。また、この様な溶剤揮
発量の管理は、少なくともはんだブリッジが発生し易い
箇所、例えば０．５ｍｍピッチ以下の間隔でプリント基
板に盛られたクリームはんだに対して確保されることが
望ましい。クリームはんだ乾燥部の温度は、クリームは
んだ溶剤の粘度が低下する温度よりも低いことが必要で
あり、フラックス活性化温度よりも低い１２０℃以下で
あることが好ましく、より好ましくは５０℃ないし１０
０℃の温度範囲である。なお、クリームはんだ乾燥部に
おけるクリームはんだの乾燥工程は、溶剤の揮発量やク
リームはんだの温度を現実に測定しつつ実施してもよ
く、簡易的にはクリームはんだに含有される溶剤の材質
および含有量に基づき決定される乾燥時間により管理す
ればよい。
【００１１】第二発明のクリームはんだ溶着用のリフロ
ー炉は、プリント基板に形成された導電パターンと電子
部品との間に装填されたクリームはんだをリフロー部に
おいてはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パターン
と前記電子部品とをはんだ接続するリフロー炉におい
て、前記クリームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱す
るリフロー部より前の工程に、前記プリント基板に載置
された前記クリームはんだの粘度を所定値以上に維持し
つつ該クリームはんだを加熱して該クリームはんだの含
有する溶剤の残存量が所定値以下となるまで該溶剤を揮
発させるクリームはんだ乾燥部を配置したことを特徴と
する。
ー炉は、プリント基板に形成された導電パターンと電子
部品との間に装填されたクリームはんだをリフロー部に
おいてはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パターン
と前記電子部品とをはんだ接続するリフロー炉におい
て、前記クリームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱す
るリフロー部より前の工程に、前記プリント基板に載置
された前記クリームはんだの粘度を所定値以上に維持し
つつ該クリームはんだを加熱して該クリームはんだの含
有する溶剤の残存量が所定値以下となるまで該溶剤を揮
発させるクリームはんだ乾燥部を配置したことを特徴と
する。
【００１２】ここで、クリームはんだ乾燥部にて維持す
るクリームはんだの粘度は、１５×１０4 ｃｐｓ（２５
℃１０ｒｐｍ）以上であることが好ましいが、これより
粘度が低い場合でも、はんだの表面は乾燥部により乾燥
されて、内部より粘度の高い状態となり、いわゆるスキ
ン状となってはんだの流れ出しを防止する。この様な粘
度の管理は、少なくともはんだブリッジが発生し易い箇
所、例えば０．５ｍｍピッチ以下の間隔でプリント基板
に盛られたクリームはんだに対して確保されることが望
ましい。また、溶剤の残存量は５０％以下であることが
好ましく、より好ましくは３０％以下である。この範囲
以外であっても、はんだ表面の粘度が高まりスキン状と
なってはんだの流れ出しを防止するので、本発明の作用
効果を奏することに相違はない。この溶剤残存量の管理
も、少なくとも０．５ｍｍピッチ以下の間隔でプリント
基板に盛られたクリームはんだに対して確保されること
が好ましい。なお、この様なクリームはんだ乾燥部にお
けるクリームはんだの乾燥工程は、クリームはんだに含
有される溶剤の材質および含有量に基づき決定される乾
燥時間により簡易的に管理すればよい。
るクリームはんだの粘度は、１５×１０4 ｃｐｓ（２５
℃１０ｒｐｍ）以上であることが好ましいが、これより
粘度が低い場合でも、はんだの表面は乾燥部により乾燥
されて、内部より粘度の高い状態となり、いわゆるスキ
ン状となってはんだの流れ出しを防止する。この様な粘
度の管理は、少なくともはんだブリッジが発生し易い箇
所、例えば０．５ｍｍピッチ以下の間隔でプリント基板
に盛られたクリームはんだに対して確保されることが望
ましい。また、溶剤の残存量は５０％以下であることが
好ましく、より好ましくは３０％以下である。この範囲
以外であっても、はんだ表面の粘度が高まりスキン状と
なってはんだの流れ出しを防止するので、本発明の作用
効果を奏することに相違はない。この溶剤残存量の管理
も、少なくとも０．５ｍｍピッチ以下の間隔でプリント
基板に盛られたクリームはんだに対して確保されること
が好ましい。なお、この様なクリームはんだ乾燥部にお
けるクリームはんだの乾燥工程は、クリームはんだに含
有される溶剤の材質および含有量に基づき決定される乾
燥時間により簡易的に管理すればよい。
【００１３】第三発明のクリームはんだを利用したはん
だ溶着方法は、プリント基板に形成された導電パターン
と電子部品との間にクリームはんだを装填し、該クリー
ムはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パタ
ーンと前記電子部品とをはんだ接続するクリームはんだ
を利用したはんだ溶着方法において、前記クリームはん
だをはんだ溶融温度以上に加熱する工程より前に、前記
クリームはんだに含有されるフラックスを活性化させる
温度以下の低温度で該クリームはんだを加熱して該クリ
ームはんだの含有する溶剤を揮発させるクリームはんだ
乾燥工程を行なうことを特徴とする。
だ溶着方法は、プリント基板に形成された導電パターン
と電子部品との間にクリームはんだを装填し、該クリー
ムはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パタ
ーンと前記電子部品とをはんだ接続するクリームはんだ
を利用したはんだ溶着方法において、前記クリームはん
だをはんだ溶融温度以上に加熱する工程より前に、前記
クリームはんだに含有されるフラックスを活性化させる
温度以下の低温度で該クリームはんだを加熱して該クリ
ームはんだの含有する溶剤を揮発させるクリームはんだ
乾燥工程を行なうことを特徴とする。
【００１４】このクリームはんだを利用したはんだ溶着
方法において、溶剤の揮発量、揮発量を管理する部位、
クリームはんだ乾燥部の温度、その乾燥工程の簡易的な
管理は、上記第一発明と同じ技術的思想が適用される。
方法において、溶剤の揮発量、揮発量を管理する部位、
クリームはんだ乾燥部の温度、その乾燥工程の簡易的な
管理は、上記第一発明と同じ技術的思想が適用される。
【００１５】また、第四発明のクリームはんだを利用し
たはんだ溶着方法は、プリント基板に形成された導電パ
ターンと電子部品との間にクリームはんだを介在させ、
該クリームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、前記
導電パターンと前記電子部品とをはんだ接続するクリー
ムはんだを利用したはんだ溶着方法において、前記クリ
ームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱する前の工程
に、前記プリント基板に載置された前記クリームはんだ
の粘度を所定値以上に維持しつつ該クリームはんだを加
熱して該クリームはんだの含有する溶剤の残存量が所定
値以下となるまで該溶剤を揮発させるクリームはんだ乾
燥工程を行なうことを特徴とする。
たはんだ溶着方法は、プリント基板に形成された導電パ
ターンと電子部品との間にクリームはんだを介在させ、
該クリームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、前記
導電パターンと前記電子部品とをはんだ接続するクリー
ムはんだを利用したはんだ溶着方法において、前記クリ
ームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱する前の工程
に、前記プリント基板に載置された前記クリームはんだ
の粘度を所定値以上に維持しつつ該クリームはんだを加
熱して該クリームはんだの含有する溶剤の残存量が所定
値以下となるまで該溶剤を揮発させるクリームはんだ乾
燥工程を行なうことを特徴とする。
【００１６】このクリームはんだを利用したはんだ溶着
方法において、クリームはんだの粘度、その粘度管理の
部位、溶剤の残存量、その溶剤残存量管理の部位、クリ
ームはんだの乾燥工程の簡易的な管理については、上記
第二発明と同様の技術的思想が適用される。
方法において、クリームはんだの粘度、その粘度管理の
部位、溶剤の残存量、その溶剤残存量管理の部位、クリ
ームはんだの乾燥工程の簡易的な管理については、上記
第二発明と同様の技術的思想が適用される。
【００１７】
【作用】以上のように構成される本発明のクリームはん
だ溶着用のリフロー炉およびクリームはんだを利用した
はんだ溶着方法によれば、クリームはんだ乾燥部あるい
はクリームはんだ乾燥工程により、クリームはんだの温
度をはんだ溶融温度にまで高める以前に、クリームはん
だがプリント基板上に装填された際の形状を保ったまま
含有溶剤を揮発させ、はんだの流れ出しによりはんだブ
リッジの発生を抑制する。
だ溶着用のリフロー炉およびクリームはんだを利用した
はんだ溶着方法によれば、クリームはんだ乾燥部あるい
はクリームはんだ乾燥工程により、クリームはんだの温
度をはんだ溶融温度にまで高める以前に、クリームはん
だがプリント基板上に装填された際の形状を保ったまま
含有溶剤を揮発させ、はんだの流れ出しによりはんだブ
リッジの発生を抑制する。
【００１８】
【実施例】以上説明した本発明の構成、作用を一層明ら
かにするために、以下本発明の好適な実施例について説
明する。図１は実施例であるリフロー炉の構成説明図、
図２はその各熱処理部の設定温度やクリームはんだの温
度推移を説明する温度プロファイルである。図１に示す
ように本実施例のリフロー炉１は、一定速度で回転して
いるコンベア１０にプリント基板を載置することで、熱
処理の順序およびその熱処理に必要な時間に応じて予め
連続配置された所定工程長の各熱処理部をプリント基板
が通過し、一連のはんだ溶着作業が完了する構成を採用
している。
かにするために、以下本発明の好適な実施例について説
明する。図１は実施例であるリフロー炉の構成説明図、
図２はその各熱処理部の設定温度やクリームはんだの温
度推移を説明する温度プロファイルである。図１に示す
ように本実施例のリフロー炉１は、一定速度で回転して
いるコンベア１０にプリント基板を載置することで、熱
処理の順序およびその熱処理に必要な時間に応じて予め
連続配置された所定工程長の各熱処理部をプリント基板
が通過し、一連のはんだ溶着作業が完了する構成を採用
している。
【００１９】なお、本実施例および後述する従来方式の
リフロー炉においてはんだ溶着に用いたクリームはんだ
の組成は、はんだ粉（Ｓｎ６３，Ｐｂ３７）に対してフ
ラックスとして５〜７ｗｔ％のロジン（アビエチン
酸）、活性剤（塩素化合物）、チキソ剤（ワックス、Ｓ
ｉＯ2 ）および溶剤として３〜５ｗｔ％の有機溶剤（カ
ルビトール系）を添加した一般的なものである。
リフロー炉においてはんだ溶着に用いたクリームはんだ
の組成は、はんだ粉（Ｓｎ６３，Ｐｂ３７）に対してフ
ラックスとして５〜７ｗｔ％のロジン（アビエチン
酸）、活性剤（塩素化合物）、チキソ剤（ワックス、Ｓ
ｉＯ2 ）および溶剤として３〜５ｗｔ％の有機溶剤（カ
ルビトール系）を添加した一般的なものである。
【００２０】各熱処理部とは、クリームはんだに含有さ
れる有機溶剤を揮発させるためのクリームはんだ乾燥部
Ａ、フラックスを活性化させるための予熱昇温部Ｂ、そ
の予熱昇温部Ｂにて昇温したプリント基板を熱平衡する
まで保温する予熱保温部Ｃ、クリームはんだの主成分で
あるはんだ粉を溶融させてはんだ溶着を実現するリフロ
ー部Ｄ、そのリフロー部で高温に加熱されたプリント基
板を冷却する冷却部Ｅの５つである。また、これら５つ
の熱処理部の前後には、クリームはんだの塗布および部
品の載置を完了したプリント基板を載置するプリント基
板載置部、そして総ての熱処理を終えてはんだ溶着の完
了したプリント基板を取り出すプリント基板取出部が用
意される。
れる有機溶剤を揮発させるためのクリームはんだ乾燥部
Ａ、フラックスを活性化させるための予熱昇温部Ｂ、そ
の予熱昇温部Ｂにて昇温したプリント基板を熱平衡する
まで保温する予熱保温部Ｃ、クリームはんだの主成分で
あるはんだ粉を溶融させてはんだ溶着を実現するリフロ
ー部Ｄ、そのリフロー部で高温に加熱されたプリント基
板を冷却する冷却部Ｅの５つである。また、これら５つ
の熱処理部の前後には、クリームはんだの塗布および部
品の載置を完了したプリント基板を載置するプリント基
板載置部、そして総ての熱処理を終えてはんだ溶着の完
了したプリント基板を取り出すプリント基板取出部が用
意される。
【００２１】クリームはんだ乾燥部Ａは、熱源としてフ
ァンとヒータとからなる第１ファンヒータＡ１を備え、
ヒータの熱をファンにより満遍なくプリント基板に伝え
る。第１ファンヒータＡ１の設定温度は、図２に示すよ
うに略１００℃である。従って、コンベア１０に搬送さ
れてこのクリームはんだ乾燥部Ａに入ったプリント基板
は、室温約２０℃から徐々に熱せられ、予熱昇温部Ｂへ
到達するまでの約６０〜９０秒の間、１００℃以下で加
熱され続ける。この温度は、フラックス活性化温度１２
０〜１５０℃よりも低く、かつ、有機溶剤の粘性低下現
象が認められない温度である。従って、プリント基板に
使用されたクリームはんだは、その使用された時点での
形状を保持したまま加熱され、その含有する有機溶剤が
徐々に揮発する。本実施例のリフロー炉では、約６０〜
９０秒間この状態が継続するため、クリームはんだの含
有する有機溶剤のうち約３０〜７０％が失われる。もと
より、有機溶剤の揮発の割合は、溶剤の揮発性により大
きく影響を受ける。しかしながら、本実施例のようにク
リームはんだ乾燥部Ａを設けることで、揮発性の低い溶
剤を用いたクリームはんだでも、少なくとも表面の溶剤
は揮発し、クリームはんだの表面はいわゆるスキン状と
なる。
ァンとヒータとからなる第１ファンヒータＡ１を備え、
ヒータの熱をファンにより満遍なくプリント基板に伝え
る。第１ファンヒータＡ１の設定温度は、図２に示すよ
うに略１００℃である。従って、コンベア１０に搬送さ
れてこのクリームはんだ乾燥部Ａに入ったプリント基板
は、室温約２０℃から徐々に熱せられ、予熱昇温部Ｂへ
到達するまでの約６０〜９０秒の間、１００℃以下で加
熱され続ける。この温度は、フラックス活性化温度１２
０〜１５０℃よりも低く、かつ、有機溶剤の粘性低下現
象が認められない温度である。従って、プリント基板に
使用されたクリームはんだは、その使用された時点での
形状を保持したまま加熱され、その含有する有機溶剤が
徐々に揮発する。本実施例のリフロー炉では、約６０〜
９０秒間この状態が継続するため、クリームはんだの含
有する有機溶剤のうち約３０〜７０％が失われる。もと
より、有機溶剤の揮発の割合は、溶剤の揮発性により大
きく影響を受ける。しかしながら、本実施例のようにク
リームはんだ乾燥部Ａを設けることで、揮発性の低い溶
剤を用いたクリームはんだでも、少なくとも表面の溶剤
は揮発し、クリームはんだの表面はいわゆるスキン状と
なる。
【００２２】予熱昇温部Ｂおよび予熱保温部Ｃの設定温
度は、フラックス活性化温度の１５０℃である。予熱昇
温部Ｂの熱源としては、設定温度が比較的高温であるた
め、第２ファンヒータＢ１に加えて第１遠赤外線ヒータ
Ｂ２が使用される。一方、予熱保温部Ｃの設定温度も１
５０℃と高温であるが、この予熱保温部Ｃの左右には予
熱昇温部Ｂおよび更に高温のリフロー部Ｄがあって放熱
が少ない。このため、その熱源としては、第３ファンヒ
ータＣ１のみを備えている。
度は、フラックス活性化温度の１５０℃である。予熱昇
温部Ｂの熱源としては、設定温度が比較的高温であるた
め、第２ファンヒータＢ１に加えて第１遠赤外線ヒータ
Ｂ２が使用される。一方、予熱保温部Ｃの設定温度も１
５０℃と高温であるが、この予熱保温部Ｃの左右には予
熱昇温部Ｂおよび更に高温のリフロー部Ｄがあって放熱
が少ない。このため、その熱源としては、第３ファンヒ
ータＣ１のみを備えている。
【００２３】プリント基板に使用されたクリームはんだ
は、この予熱昇温部Ｂおよび予熱保温部Ｃにてフラック
ス活性化温度の１５０℃近辺にまで加熱され、その工程
長から３０秒〜１２０秒間この状態が維持される。これ
は、プリント基板に使用された各種の電子部品の熱容量
が異なるためであり、総ての電子部品のはんだ溶着に使
用されたクリームはんだがフラックス活性化温度にまで
達するようにここでの工程長が決定される。
は、この予熱昇温部Ｂおよび予熱保温部Ｃにてフラック
ス活性化温度の１５０℃近辺にまで加熱され、その工程
長から３０秒〜１２０秒間この状態が維持される。これ
は、プリント基板に使用された各種の電子部品の熱容量
が異なるためであり、総ての電子部品のはんだ溶着に使
用されたクリームはんだがフラックス活性化温度にまで
達するようにここでの工程長が決定される。
【００２４】この予熱昇温および予熱保温工程の設定温
度であるフラックス活性化温度は、クリームはんだの含
有するフラックスを活性化させるに適した温度であるこ
とは勿論であるが、有機溶剤の粘性が低下してクリーム
はんだの流動性が増す温度でもある。しかし、本実施例
のリフロー炉は、前述のごとくクリームはんだ乾燥部Ａ
をこの工程の前に備えており、フラックス活性化温度に
までプリント基板を加熱する以前にプリント基板に使用
されたクリームはんだの含有する有機溶剤の３０〜７０
％を既に揮発させている。このときのクリームはんだの
粘度は、実施例では、およそ１５×１０4 ｃｐｓ（マル
コム社性粘度計により測定、測定条件２５℃、１０ｒｐ
ｍ）であった。この結果、プリント基板に使用されたク
リームはんだは、この予熱昇温および予熱保温工程にお
いてもその形状を変化させることなく、フラックスの活
性化の工程において流れ出すことがない。
度であるフラックス活性化温度は、クリームはんだの含
有するフラックスを活性化させるに適した温度であるこ
とは勿論であるが、有機溶剤の粘性が低下してクリーム
はんだの流動性が増す温度でもある。しかし、本実施例
のリフロー炉は、前述のごとくクリームはんだ乾燥部Ａ
をこの工程の前に備えており、フラックス活性化温度に
までプリント基板を加熱する以前にプリント基板に使用
されたクリームはんだの含有する有機溶剤の３０〜７０
％を既に揮発させている。このときのクリームはんだの
粘度は、実施例では、およそ１５×１０4 ｃｐｓ（マル
コム社性粘度計により測定、測定条件２５℃、１０ｒｐ
ｍ）であった。この結果、プリント基板に使用されたク
リームはんだは、この予熱昇温および予熱保温工程にお
いてもその形状を変化させることなく、フラックスの活
性化の工程において流れ出すことがない。
【００２５】なお、揮発性が低い溶剤を用いたクリーム
はんだを使用した場合には、乾燥部Ａを通過しても溶剤
の３０％も揮発していないことがある。この場合でも、
既述したように、乾燥部Ａを通過することで、クリーム
はんだの表面はスキン状になり、予熱昇温部Ｂ，予熱保
温部Ｃによりフラックスの活性化を行なう工程におい
て、はんだが流れ出すことはない。
はんだを使用した場合には、乾燥部Ａを通過しても溶剤
の３０％も揮発していないことがある。この場合でも、
既述したように、乾燥部Ａを通過することで、クリーム
はんだの表面はスキン状になり、予熱昇温部Ｂ，予熱保
温部Ｃによりフラックスの活性化を行なう工程におい
て、はんだが流れ出すことはない。
【００２６】こうして、フラックス活性化処理が施され
たプリント基板は、次段のリフロー部Ｄへと搬送され、
ここで一気にはんだ溶融温度である１８３℃を上回る最
高温度に加熱される。リフロー部Ｄの熱源として、第４
ファンヒータＤ１ばかりでなく、コンベア１０の上下に
第２，第３の遠赤外線ヒータＤ２，Ｄ３が設けられてお
り、比較的短時間の３０〜４５秒でプリント基板を最高
温度にまで加熱される。実施例では、コンベアガイドで
の熱吸収を補うために、更に左右に第４，第５の遠赤外
線ヒータＤ４，Ｄ５が配置したが、これらの遠赤外線ヒ
ータＤ４，Ｄ５はなくとも差し支えない。
たプリント基板は、次段のリフロー部Ｄへと搬送され、
ここで一気にはんだ溶融温度である１８３℃を上回る最
高温度に加熱される。リフロー部Ｄの熱源として、第４
ファンヒータＤ１ばかりでなく、コンベア１０の上下に
第２，第３の遠赤外線ヒータＤ２，Ｄ３が設けられてお
り、比較的短時間の３０〜４５秒でプリント基板を最高
温度にまで加熱される。実施例では、コンベアガイドで
の熱吸収を補うために、更に左右に第４，第５の遠赤外
線ヒータＤ４，Ｄ５が配置したが、これらの遠赤外線ヒ
ータＤ４，Ｄ５はなくとも差し支えない。
【００２７】リフロー部Ｄでのはんだ溶融が完了する
と、プリント基板は次段の冷却部Ｅへと搬送され、ファ
ンＥ１を用いて急速に空冷される。この冷却部Ｅによ
り、クリームはんだを、その溶融温度以下に急速に冷却
して固化し、プリント基板に使用された電子部品の冷却
時における位置ずれの発生を防止している。こうして、
はんだ溶着が完了する。
と、プリント基板は次段の冷却部Ｅへと搬送され、ファ
ンＥ１を用いて急速に空冷される。この冷却部Ｅによ
り、クリームはんだを、その溶融温度以下に急速に冷却
して固化し、プリント基板に使用された電子部品の冷却
時における位置ずれの発生を防止している。こうして、
はんだ溶着が完了する。
【００２８】以上の説明から明らかなように、本実施例
のリフロー炉によれば、プリント基板に使用されたクリ
ームはんだはその使用された時点の形状を保持したまま
はんだ溶着に供され、クリームはんだのブリッジが確実
に解消される。この実施例の効果は、従来方式のリフロ
ー炉でのブリッジ発生率との比較から明らかである。図
３は、本実施例および従来方式のリフロー炉を用いて、
特にはんだブリッジの発生し易い０．５ｍｍピッチのは
んだ溶着を必要とするＬＳＩのＴＳＯＰ（ThinSmall Ou
tline Package）をはんだ溶着した場合のブリッジ発生
率の比較結果である。この結果から明らかなように、従
来方式のリフロー炉によれば、数％〜十数％の確率でブ
リッジが発生していたものが、本実施例のリフロー炉に
よればその確率が１／１００〜１／１０００にまで飛躍
的に改善されていることが分かる。
のリフロー炉によれば、プリント基板に使用されたクリ
ームはんだはその使用された時点の形状を保持したまま
はんだ溶着に供され、クリームはんだのブリッジが確実
に解消される。この実施例の効果は、従来方式のリフロ
ー炉でのブリッジ発生率との比較から明らかである。図
３は、本実施例および従来方式のリフロー炉を用いて、
特にはんだブリッジの発生し易い０．５ｍｍピッチのは
んだ溶着を必要とするＬＳＩのＴＳＯＰ（ThinSmall Ou
tline Package）をはんだ溶着した場合のブリッジ発生
率の比較結果である。この結果から明らかなように、従
来方式のリフロー炉によれば、数％〜十数％の確率でブ
リッジが発生していたものが、本実施例のリフロー炉に
よればその確率が１／１００〜１／１０００にまで飛躍
的に改善されていることが分かる。
【００２９】この様に、はんだブリッジの発生率が飛躍
的に低減するため、本実施例のリフロー炉を使用するな
らば、はんだ溶着の歩留まりが大きく改善され、その後
の工程作業が軽減され、プリント基板の生産性を向上さ
せることができる。
的に低減するため、本実施例のリフロー炉を使用するな
らば、はんだ溶着の歩留まりが大きく改善され、その後
の工程作業が軽減され、プリント基板の生産性を向上さ
せることができる。
【００３０】以上、本実施例のリフロー炉について詳細
に説明したが、本発明はこの実施例に何等限定されるも
のではなく、種々なる態様により具現化されることは勿
論である。例えば、図４に示すように、従来のリフロー
炉における温度プロファイルを変更し、予熱保温部をな
くして、クリームはんだ乾燥部、予熱昇温部、リフロー
部、冷却部からなる構成とすることもできる。こうした
構成は、特にはんだ付けされる部品が小型化してその熱
容量が小さくなり、予熱保温部を十分にとらなくても、
各部の温度がリフロー部に導入する状態まで十分昇温で
きる場合、有効である。この場合には、工程数が従来と
同じにできるため、リフロー炉の小型化、はんだ付け工
程の短縮が可能となる。
に説明したが、本発明はこの実施例に何等限定されるも
のではなく、種々なる態様により具現化されることは勿
論である。例えば、図４に示すように、従来のリフロー
炉における温度プロファイルを変更し、予熱保温部をな
くして、クリームはんだ乾燥部、予熱昇温部、リフロー
部、冷却部からなる構成とすることもできる。こうした
構成は、特にはんだ付けされる部品が小型化してその熱
容量が小さくなり、予熱保温部を十分にとらなくても、
各部の温度がリフロー部に導入する状態まで十分昇温で
きる場合、有効である。この場合には、工程数が従来と
同じにできるため、リフロー炉の小型化、はんだ付け工
程の短縮が可能となる。
【００３１】また、各熱処理工程における処理時間は、
上述した実施例に限定されず、クリームはんだの使用量
やはんだ溶着する電子部品の熱容量に応じて適宜選択さ
れる。クリームはんだ含有の有機溶剤の揮発量の管理
（本実施例の場合は工程時間により簡易的に管理）など
は、プリント基板に描かれた導電パターンの中で特には
んだブリッジの発生し易い箇所においてのみ行なっても
よい。
上述した実施例に限定されず、クリームはんだの使用量
やはんだ溶着する電子部品の熱容量に応じて適宜選択さ
れる。クリームはんだ含有の有機溶剤の揮発量の管理
（本実施例の場合は工程時間により簡易的に管理）など
は、プリント基板に描かれた導電パターンの中で特には
んだブリッジの発生し易い箇所においてのみ行なっても
よい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のクリームは
んだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用した
はんだ溶着方法は、たとえピッチ間隔の狭いはんだ接続
部であってもはんだブリッジを発生という問題をほぼ完
全に解消することができるという優れた効果を奏する。
従って、プリント基板、特に導電パターンのピッチが
０．５ｍｍ程度以下と狭いプリンタ基板のはんだ付けの
歩留まりを大幅に向上させ、生産効率の改善、コストの
低減を実現する。この結果、クリームはんだを利用した
工程分離による生産性向上の効果を最大限に活用するこ
とができる。
んだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用した
はんだ溶着方法は、たとえピッチ間隔の狭いはんだ接続
部であってもはんだブリッジを発生という問題をほぼ完
全に解消することができるという優れた効果を奏する。
従って、プリント基板、特に導電パターンのピッチが
０．５ｍｍ程度以下と狭いプリンタ基板のはんだ付けの
歩留まりを大幅に向上させ、生産効率の改善、コストの
低減を実現する。この結果、クリームはんだを利用した
工程分離による生産性向上の効果を最大限に活用するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例であるリフロー炉の構成説明
図である。
図である。
【図２】そのリフロー炉の温度プロファイルの説明図で
ある。
ある。
【図３】実施例リフロー炉と従来方式リフロー炉とのブ
リッジ発生の比較結果を示す説明図である。
リッジ発生の比較結果を示す説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の温度プロファイルを示す
説明図である。
説明図である。
【図５】従来のリフロー炉の温度プロファイルを示す説
明図である。
明図である。
１…リフロー炉 １０…コンベア Ａ…クリームはんだ乾燥部 Ａ１…第１ファンヒータ Ｂ…予熱昇温部 Ｂ１…第２ファンヒータ Ｂ２…第１遠赤外線ヒータ Ｃ…予熱保温部 Ｃ１…第３ファンヒータ Ｄ…リフロー部 Ｄ１…第４ファンヒータ Ｄ２ないしＤ５…第２ないし第５の遠赤外線ヒータ Ｄ４…第４の遠赤外線ヒータ Ｅ…冷却部 Ｅ１…ファン
Claims (22)
- 【請求項１】 プリント基板に形成された導電パターン
と電子部品との間に装填されたクリームはんだをリフロ
ー部においてはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パ
ターンと前記電子部品とをはんだ接続するリフロー炉に
おいて、 前記プリント基板を、前記クリームはんだに含有される
フラックスを活性化させる温度に加熱する工程より前
に、該フラックスの活性化温度以下でかつ該クリームは
んだの含有する溶剤を揮発させる温度に加熱するクリー
ムはんだ乾燥部を配置したことを特徴とするクリームは
んだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項２】 前記クリームはんだ乾燥部において、前
記クリームはんだの含有する溶剤の少なくとも３０％を
揮発させる請求項１記載のクリームはんだ溶着用リフロ
ー炉。 - 【請求項３】 少なくとも０．５ｍｍピッチ以下の間隔
で前記プリント基板に盛られたクリームはんだに対し
て、前記溶剤の揮発量が確保される請求項２記載のクリ
ームはんだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項４】 前記クリームはんだ乾燥部の温度が１２
０℃以下である請求項１ないし請求項３いずれか記載の
クリームはんだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項５】 前記クリームはんだ乾燥部におけるクリ
ームはんだの乾燥工程を、前記クリームはんだに含有さ
れる前記溶剤の材質および含有量に基づき決定される乾
燥時間により管理する請求項１ないし請求項４いずれか
記載のクリームはんだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項６】 プリント基板に形成された導電パターン
と電子部品との間に装填されたクリームはんだをリフロ
ー部においてはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パ
ターンと前記電子部品とをはんだ接続するリフロー炉に
おいて、 前記クリームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱するリ
フロー部より前の工程に、前記プリント基板に載置され
た前記クリームはんだの粘度を所定値以上に維持しつつ
該クリームはんだを加熱して該クリームはんだの含有す
る溶剤の残存量が所定値以下となるまで該溶剤を揮発さ
せるクリームはんだ乾燥部を配置したことを特徴とする
クリームはんだ溶着用のリフロー炉。 - 【請求項７】 前記クリームはんだ乾燥部にて最終的に
得られる前記クリームはんだの粘度が１５×１０4 ｃｐ
ｓ（２５℃１０ｒｐｍ）以上である請求項６記載のクリ
ームはんだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項８】 前記クリームはんだの粘度が、０．５ｍ
ｍピッチ以下の間隔で前記プリント基板に盛られたクリ
ームはんだに対して確保される請求項７記載のクリーム
はんだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項９】 前記クリームはんだ乾燥部における最終
的な溶剤の残存量が多くとも７０％である請求項６ない
し請求項８いずれか記載のクリームはんだ溶着用リフロ
ー炉。 - 【請求項１０】 前記溶剤の残存量が、０．５ｍｍピッ
チ以下の間隔で前記プリント基板に盛られたクリームは
んだに対して確保される請求項９記載のクリームはんだ
溶着用リフロー炉。 - 【請求項１１】 前記クリームはんだ乾燥部におけるク
リームはんだの乾燥工程を、前記クリームはんだに含有
される前記溶剤の材質および含有量に基づき決定される
乾燥時間により管理する請求項６ないし請求項１０いず
れか記載のクリームはんだ溶着用リフロー炉。 - 【請求項１２】 プリント基板に形成された導電パター
ンと電子部品との間にクリームはんだを装填し、該クリ
ームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電パ
ターンと前記電子部品とをはんだ接続するクリームはん
だを利用したはんだ溶着方法において、 前記プリント基板を、前記クリームはんだに含有される
フラックスを活性化させる温度に加熱する工程より前
に、該フラックスの活性化温度以下でかつ該クリームは
んだの含有する溶剤を揮発させる温度に加熱するクリー
ムはんだ乾燥工程を行なうことを特徴とするクリームは
んだを利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項１３】 前記クリームはんだ乾燥工程は、前記
クリームはんだの含有する溶剤の少なくとも３０％が揮
発するまで継続される請求項１２記載のクリームはんだ
を利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項１４】 前記溶剤の揮発量が、０．５ｍｍピッ
チ以下の間隔で前記プリント基板に盛られたクリームは
んだに対して確保される請求項１３のクリームはんだを
利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項１５】 前記クリームはんだ乾燥工程が、１２
０℃以下の温度で行なわれる請求項１２ないし請求項１
４いずれか記載のクリームはんだを利用したはんだ溶着
方法。 - 【請求項１６】 前記クリームはんだ乾燥工程を、前記
クリームはんだに含有される前記溶剤の材質および含有
量に基づき決定される乾燥時間継続して行なう請求項１
２ないし請求項１５いずれか記載のクリームはんだを利
用したはんだ溶着方法。 - 【請求項１７】 プリント基板に形成された導電パター
ンと電子部品との間にクリームはんだを介在させ、該ク
リームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱し、前記導電
パターンと前記電子部品とをはんだ接続するクリームは
んだを利用したはんだ溶着方法において、 前記クリームはんだをはんだ溶融温度以上に加熱する前
の工程に、前記プリント基板に載置された前記クリーム
はんだの粘度を所定値以上に維持しつつ該クリームはん
だを加熱して該クリームはんだの含有する溶剤の残存量
が所定値以下となるまで該溶剤を揮発させるクリームは
んだ乾燥工程を行なうことを特徴とするクリームはんだ
を利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項１８】 前記クリームはんだ乾燥工程は、前記
クリームはんだの粘度が１５×１０4 ｃｐｓ（２５℃１
０ｒｐｍ）以上に維持して行なわれる請求項１７記載の
クリームはんだを利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項１９】 前記クリームはんだの粘度が、０．５
ｍｍピッチ以下の間隔で前記プリント基板に盛られたク
リームはんだに対して確保される請求項１９記載のクリ
ームはんだを利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項２０】 前記クリームはんだ乾燥工程は、前記
溶剤の残存量が少なく７０％以下まで行なわれる請求項
１７ないし請求項１９いずれか記載のクリームはんだを
利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項２１】 前記溶剤の残存量が、０．５ｍｍピッ
チ以下の間隔で前記プリント基板に盛られたクリームは
んだに対して行なわれる請求項２０記載のクリームはん
だを利用したはんだ溶着方法。 - 【請求項２２】 前記クリームはんだ乾燥工程を、前記
クリームはんだに含有される前記溶剤の材質および含有
量に基づき決定されるにおける乾燥時間継続して行なう
請求項１７ないし請求項２２いずれか記載のクリームは
んだを利用したはんだ溶着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4270898A JP2576004B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | クリームはんだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4270898A JP2576004B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | クリームはんだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697644A true JPH0697644A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2576004B2 JP2576004B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=17492520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4270898A Expired - Lifetime JP2576004B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | クリームはんだ溶着用リフロー炉およびクリームはんだを利用したはんだ溶着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576004B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107373A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Mitsubishi Materials Corp | はんだバンプの製造方法 |
| JP2014160716A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| CN111958084A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-20 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池组件的加工设备和加工方法 |
| CN115302121A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-08 | 德中（天津）技术发展股份有限公司 | 一种印制电路板可焊性测试的回流焊试验方法 |
| CN116237607A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-06-09 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种靶材冷却系统的真空钎焊工艺 |
| CN117348643A (zh) * | 2023-11-13 | 2024-01-05 | 深圳市帝腾科技有限公司 | 焊膏搅拌机的温度控制方法、装置、终端以及存储介质 |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS56167395A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Method of mounting part on circuit board |
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| JPH02165893A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-26 | Uchihashi Estec Co Ltd | クリームはんだ |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP4270898A patent/JP2576004B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2576004B2 (ja) | 1997-01-29 |
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