JPH0710599B2 - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPH0710599B2 JPH0710599B2 JP62021429A JP2142987A JPH0710599B2 JP H0710599 B2 JPH0710599 B2 JP H0710599B2 JP 62021429 A JP62021429 A JP 62021429A JP 2142987 A JP2142987 A JP 2142987A JP H0710599 B2 JPH0710599 B2 JP H0710599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- resin layer
- thermal head
- resistant resin
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、金属支持体上にイミド成分を含有する耐熱樹
脂層を形成し、この耐熱樹脂層上に多数の発熱抵抗体を
形成してなるサーマルヘッドに関する。
脂層を形成し、この耐熱樹脂層上に多数の発熱抵抗体を
形成してなるサーマルヘッドに関する。
（従来の技術） 近年、サーマルヘッドは、少音、省保守、低ランニング
コスト等の利点を生かして、ファクシミリ、ワードプロ
セッサ用プリンタ等の各種記録装置に多用されるように
なってきている。一方、これらの機器は小形化、低価格
化が要請されており、このためサーマルヘッドにも小型
で安価なものが望まれている。
コスト等の利点を生かして、ファクシミリ、ワードプロ
セッサ用プリンタ等の各種記録装置に多用されるように
なってきている。一方、これらの機器は小形化、低価格
化が要請されており、このためサーマルヘッドにも小型
で安価なものが望まれている。
ところで従来のサーマルヘッドは、Al2O3純度が90％以
上のアルミナセラミック基板の上にグレーズガラス層を
形成し、その上に多数の発熱体と、この発熱体に接続さ
れた導電体を形成してなるものが多用されていた。しか
しながらこのようなサーマルヘッドに用いられるセラミ
ック基板は、その製造に際して、原料粉末からアルカリ
金属成分を除去する処理、高温焼成、高温焼成時に生じ
た基板の反りをとるための仕上げの研摩等の多くの工程
を必要とするため生産コストが高くなるという問題があ
った。
上のアルミナセラミック基板の上にグレーズガラス層を
形成し、その上に多数の発熱体と、この発熱体に接続さ
れた導電体を形成してなるものが多用されていた。しか
しながらこのようなサーマルヘッドに用いられるセラミ
ック基板は、その製造に際して、原料粉末からアルカリ
金属成分を除去する処理、高温焼成、高温焼成時に生じ
た基板の反りをとるための仕上げの研摩等の多くの工程
を必要とするため生産コストが高くなるという問題があ
った。
このため、最近、金属基板上に熱の放散および蓄熱をコ
ントロールする保温層としてポリイミド樹脂層を形成
し、このポリイミド樹脂層上に多数の発熱抵抗体を形成
してなる小型で安価なサーマルヘッドが提案されている
（昭和61年度電子通信学会総合全国大会概要集（198
6）,1−125および５−126）。
ントロールする保温層としてポリイミド樹脂層を形成
し、このポリイミド樹脂層上に多数の発熱抵抗体を形成
してなる小型で安価なサーマルヘッドが提案されている
（昭和61年度電子通信学会総合全国大会概要集（198
6）,1−125および５−126）。
このように金属基板上に耐熱性に優れたポリイミド樹脂
層を形成し、この上に発熱抵抗体を形成してなるサーマ
ルヘッドは、従来のアルミナ基板上にグレーズガラス層
を形成してなる基板を用いたサーマルヘッドと比較し
て、熱効率に優れ、しかも曲げ加工が可能で小型化し易
いという特長を有しており、今後小型で安価な高性能の
サーマルヘッドとして有望視されている。
層を形成し、この上に発熱抵抗体を形成してなるサーマ
ルヘッドは、従来のアルミナ基板上にグレーズガラス層
を形成してなる基板を用いたサーマルヘッドと比較し
て、熱効率に優れ、しかも曲げ加工が可能で小型化し易
いという特長を有しており、今後小型で安価な高性能の
サーマルヘッドとして有望視されている。
ところがこのポリイミド樹脂層を用いたサーマルヘッド
では、ポリイミド樹脂が耐熱性に極めて優れている特長
を有する半面、金属支持体および発熱抵抗体との密着性
に乏しく、このため後工程や使用中にはがれが生じ易い
という問題があった。
では、ポリイミド樹脂が耐熱性に極めて優れている特長
を有する半面、金属支持体および発熱抵抗体との密着性
に乏しく、このため後工程や使用中にはがれが生じ易い
という問題があった。
（発明が解決しようとする問題点） このようにポリイミド樹脂層上に多数の発熱抵抗体を形
成してなるサーマルヘッドでは、ポリイミド樹脂が極め
て耐熱性に優れ、熱効率に優れ、また曲げ加工が可能で
小型化し易いという長所を有する半面、後工程や使用中
にはがれが生じ易いという問題があった。
成してなるサーマルヘッドでは、ポリイミド樹脂が極め
て耐熱性に優れ、熱効率に優れ、また曲げ加工が可能で
小型化し易いという長所を有する半面、後工程や使用中
にはがれが生じ易いという問題があった。
本発明者等は、このような欠点を解消すべく鋭意研究を
すすめたところ、イミド成分を含有する耐熱樹脂の骨格
構造の一部にSi基を導入した場合、耐熱性はわずかに低
下するが、金属支持体との密着性が著しく向上すること
を見出した。
すすめたところ、イミド成分を含有する耐熱樹脂の骨格
構造の一部にSi基を導入した場合、耐熱性はわずかに低
下するが、金属支持体との密着性が著しく向上すること
を見出した。
本発明はかかる知見に基いてなされたもので、金属基板
上に熱の放散および蓄熱をコントロールする保温層とし
て設けた耐熱樹脂層と金属支持体および発熱抵抗体との
密着性を向上させた、熱効率に優れ曲げ加工が可能で小
型化しやすく、安価で高性能のサーマルヘッドを提供す
ることを目的としている。
上に熱の放散および蓄熱をコントロールする保温層とし
て設けた耐熱樹脂層と金属支持体および発熱抵抗体との
密着性を向上させた、熱効率に優れ曲げ加工が可能で小
型化しやすく、安価で高性能のサーマルヘッドを提供す
ることを目的としている。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のサーマルヘッドは、金属支持体と、この金属支
持体上に形成された耐熱樹脂層と、この耐熱樹脂層上に
形成された多数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に
接続された導電体とを備えてなるサーマルヘッドにおい
て、前記耐熱樹脂層は、主鎖にSi基の導入されたイミド
成分を含有する耐熱樹脂層からなることを特徴としてい
る。
持体上に形成された耐熱樹脂層と、この耐熱樹脂層上に
形成された多数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に
接続された導電体とを備えてなるサーマルヘッドにおい
て、前記耐熱樹脂層は、主鎖にSi基の導入されたイミド
成分を含有する耐熱樹脂層からなることを特徴としてい
る。
本発明における主鎖にSi基の導入されたイミド成分を含
有する耐熱樹脂は、例えばポリイミド系樹脂の前駆体と
なるポリアミック酸をジアミン成分とテトラカルボン酸
成分との当モル混合物から開環重付加反応により合成す
る際、ジアミン成分の一部として例えば、 一般式 （式中、Ｒはアルキレン基のような２価の有機基、Ｒ′
はアルキル基のような１価の有機基を示す。）で表わさ
れるビスアミノジシロキサン、例えばビスアミノプロピ
ルテトラメチルジシロキサンを用いることにより得られ
る。
有する耐熱樹脂は、例えばポリイミド系樹脂の前駆体と
なるポリアミック酸をジアミン成分とテトラカルボン酸
成分との当モル混合物から開環重付加反応により合成す
る際、ジアミン成分の一部として例えば、 一般式 （式中、Ｒはアルキレン基のような２価の有機基、Ｒ′
はアルキル基のような１価の有機基を示す。）で表わさ
れるビスアミノジシロキサン、例えばビスアミノプロピ
ルテトラメチルジシロキサンを用いることにより得られ
る。
主鎖にSi基の導入されたポリアミック酸の合成に使用さ
れるビスアミノジシロキサン以外のジアミンとしては、
例えばジアミノジフェニルエーテル、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミンが
あり、テトラカルボン酸成分としては、例えばピロメリ
ット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物のような
公知の芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
れるビスアミノジシロキサン以外のジアミンとしては、
例えばジアミノジフェニルエーテル、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミンが
あり、テトラカルボン酸成分としては、例えばピロメリ
ット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物のような
公知の芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
また本発明における主鎖にSi基の導入されたイミド成分
を含有する耐熱樹脂としては、上記したテトラカルボン
酸成分の一部を任意の比率でジカルボン酸あるいはトリ
カルボン酸で置き代えて合成したポリアミドイミドを用
いることもできる。
を含有する耐熱樹脂としては、上記したテトラカルボン
酸成分の一部を任意の比率でジカルボン酸あるいはトリ
カルボン酸で置き代えて合成したポリアミドイミドを用
いることもできる。
さらに、主鎖にSi基の導入されたイミド成分を含有する
耐熱樹脂は、上述した主鎖にSi基の導入されたポリアミ
ック酸を成分とするポリイミドワニスやホリアミドイミ
ドワニスと、ポリアミドワニスを任意の比率で混合する
ことによっても製造することができる。
耐熱樹脂は、上述した主鎖にSi基の導入されたポリアミ
ック酸を成分とするポリイミドワニスやホリアミドイミ
ドワニスと、ポリアミドワニスを任意の比率で混合する
ことによっても製造することができる。
なお前述したビスアミノジシロキサンのようなSi基を有
するジアミンの配合量は全ジアミン成分中の10モル％以
下とすることが望ましい。
するジアミンの配合量は全ジアミン成分中の10モル％以
下とすることが望ましい。
（作用） 本発明のサーマルヘッドにおいては、耐熱樹脂層を、主
鎖にSi基の導入されたイミド成分を含有する耐熱樹脂に
より形成ししているので、金属支持体と耐熱樹脂層との
密着性を向上させることが可能となる。
鎖にSi基の導入されたイミド成分を含有する耐熱樹脂に
より形成ししているので、金属支持体と耐熱樹脂層との
密着性を向上させることが可能となる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
この実施例のサーマルヘッドは、Fe合金からなる金属基
板１上に、ポリアミック酸を有機溶剤に溶解させたポリ
イミドワニスを塗布、焼付けすることにより下記の
（Ｉ）式で表わされるポリイミド樹脂からなる厚さ５〜
100μｍ、好ましくは10〜50μｍの耐熱樹脂層２が形成
されており、その上にTa−SiO2、Cr−SiO2、Ti−SiO2等
からなる発熱抵抗体３が形成されている。この発熱抵抗
体３上には、発熱部４となる開口を形成するごとくAl、
Al−Si等からなる個別電極５および共通電極６が形成さ
れ、少なくともこの発熱部４を被覆するようにAl2O3等
からなる酸化防止兼耐摩耗膜７が形成されている。
板１上に、ポリアミック酸を有機溶剤に溶解させたポリ
イミドワニスを塗布、焼付けすることにより下記の
（Ｉ）式で表わされるポリイミド樹脂からなる厚さ５〜
100μｍ、好ましくは10〜50μｍの耐熱樹脂層２が形成
されており、その上にTa−SiO2、Cr−SiO2、Ti−SiO2等
からなる発熱抵抗体３が形成されている。この発熱抵抗
体３上には、発熱部４となる開口を形成するごとくAl、
Al−Si等からなる個別電極５および共通電極６が形成さ
れ、少なくともこの発熱部４を被覆するようにAl2O3等
からなる酸化防止兼耐摩耗膜７が形成されている。
なお、式中Ｘは ｎは正の数を表わす。なお、（Ｉ）式中、ビスアミノジ
シロキサンとテトラカルボン酸成分との結合は高分子中
における形態の一部を示す。
シロキサンとテトラカルボン酸成分との結合は高分子中
における形態の一部を示す。
そしてこのサーマルヘッドは、個別電極５と共通電極６
との間に所定の時間間隔でパルス電圧を印加することに
より発熱部４の発熱抵抗体３が発熱し印字記録が行われ
る。
との間に所定の時間間隔でパルス電圧を印加することに
より発熱部４の発熱抵抗体３が発熱し印字記録が行われ
る。
このサーマルヘッドは、例えば次のようにして製造され
る。
る。
まず、例えばCrを16重量％含有する厚さ0.3mm程度のFe
合金からなる金属基板１をレベリング後、所定の寸法に
切断し、脱脂、洗浄および乾水素雰囲気中で600℃〜800
℃の温度で熱処理を行う。次に、前述したSi基を有する
ポリアミック酸をＮ−メチル−２−ピロリドン等の溶剤
を用いて所定の粘度に調整したワニスを、ローラーコー
ターやスピオンコーターを用いて金属基板１上に所定の
膜厚に塗布し、焼成炉を用いて窒素ガス雰囲気中で100
℃１時間、次いで200℃１時間、250℃30分、450℃30分
の加熱を行い溶媒を除去するとともに、脱水環化反応を
進行させて成膜し耐熱樹脂層２を形成する。
合金からなる金属基板１をレベリング後、所定の寸法に
切断し、脱脂、洗浄および乾水素雰囲気中で600℃〜800
℃の温度で熱処理を行う。次に、前述したSi基を有する
ポリアミック酸をＮ−メチル−２−ピロリドン等の溶剤
を用いて所定の粘度に調整したワニスを、ローラーコー
ターやスピオンコーターを用いて金属基板１上に所定の
膜厚に塗布し、焼成炉を用いて窒素ガス雰囲気中で100
℃１時間、次いで200℃１時間、250℃30分、450℃30分
の加熱を行い溶媒を除去するとともに、脱水環化反応を
進行させて成膜し耐熱樹脂層２を形成する。
しかる後、この耐熱樹脂層２上にスパッタリングがその
他公知の方によりTa、Cr、Ti−SiO2等からなる発熱抵抗
体３を形成し、さらにこの発熱抵抗体３上に発熱部４と
なる開口が形成されるようにスパッタリング、その他公
知の方法によりAl、Al−Si、Al−Si−CuあるいはAu等か
らなる個別電極５および共通電極６を形成し、この発熱
部４を被覆するようにAl2O3からなる酸化防止膜兼耐摩
耗膜７を、例えばイオンプレーティング法等で形成す
る。
他公知の方によりTa、Cr、Ti−SiO2等からなる発熱抵抗
体３を形成し、さらにこの発熱抵抗体３上に発熱部４と
なる開口が形成されるようにスパッタリング、その他公
知の方法によりAl、Al−Si、Al−Si−CuあるいはAu等か
らなる個別電極５および共通電極６を形成し、この発熱
部４を被覆するようにAl2O3からなる酸化防止膜兼耐摩
耗膜７を、例えばイオンプレーティング法等で形成す
る。
このサーマルヘッドの製造過程において、ポリイミド樹
脂表面の付着力および耐熱性について評価した。
脂表面の付着力および耐熱性について評価した。
第２図は引張り試験から求めた付着強度および熱重量測
定より求めた熱分解開始温度を、ビスアミノジシロキサ
ンの添加量の関数として示した図である。
定より求めた熱分解開始温度を、ビスアミノジシロキサ
ンの添加量の関数として示した図である。
なおサーマルヘッドの発熱抵抗体は、瞬時450℃前後、
持続250〜300℃の温度で動作し、またmSecオーダーの周
期のヒートサイクルを107〜108回も繰り返し付加される
熱衝撃性を要求されるが、第２図の結果からビスアミノ
ジシロキサンの添加量は10モル％以下の範囲が好ましい
ことがわかる。
持続250〜300℃の温度で動作し、またmSecオーダーの周
期のヒートサイクルを107〜108回も繰り返し付加される
熱衝撃性を要求されるが、第２図の結果からビスアミノ
ジシロキサンの添加量は10モル％以下の範囲が好ましい
ことがわかる。
また本発明では、金属支持体を用いているのでこの金属
支持体を共通電極として用い、さらに生産コストを低減
させることも可能である。また酸化防止兼耐摩耗膜は必
ずしも全面に設ける必要はなく、少なくとも発熱部上に
形成されていれば充分その機能を発揮する。
支持体を共通電極として用い、さらに生産コストを低減
させることも可能である。また酸化防止兼耐摩耗膜は必
ずしも全面に設ける必要はなく、少なくとも発熱部上に
形成されていれば充分その機能を発揮する。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明においては、金属支持体上に
主鎖にSi基の導入されたイミド成分を含有する耐熱樹脂
により耐熱樹脂層を形成しているので、金属支持体との
密着性が著しく向上し、これにより信頼性に優れ、安価
でかつ小型化されたサーマルヘッドを提供することがで
きる。
主鎖にSi基の導入されたイミド成分を含有する耐熱樹脂
により耐熱樹脂層を形成しているので、金属支持体との
密着性が著しく向上し、これにより信頼性に優れ、安価
でかつ小型化されたサーマルヘッドを提供することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例のサーマルヘッドの要部を拡
大して示す断面図、第２図はビスアミノジシロキサンの
添加量と付着強度および熱分解開始温度との関係を示し
たグラフである。 １……金属基板 ２……耐熱樹脂層 ３……発熱抵抗体 ４……発熱部 ５……個別電極 ６……共通電極 ７……酸化防止膜兼耐摩耗膜
大して示す断面図、第２図はビスアミノジシロキサンの
添加量と付着強度および熱分解開始温度との関係を示し
たグラフである。 １……金属基板 ２……耐熱樹脂層 ３……発熱抵抗体 ４……発熱部 ５……個別電極 ６……共通電極 ７……酸化防止膜兼耐摩耗膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳橋 勝美 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 大内 義昭 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (56)参考文献 特開 昭56−167333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−185173（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】金属支持体と、この金属支持体上に形成さ
れた耐熱樹脂層と、この耐熱樹脂層上に形成された多数
の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接続された導電
体とを備えてなるサーマルヘッドにおいて、 前記耐熱樹脂層は、主鎖にSi基の導入されたイミド成分
を含有する耐熱樹脂層からなることを特徴とするサーマ
ルヘッド。 - 【請求項２】前記主鎖にSi基の導入されたイミド成分を
含有する耐熱樹脂層は、ジアミン成分とテトラカルボン
酸成分との開環重付加反応時にジアミン成分の一部をSi
基を有するジアミンで置き換えることにより得られたポ
リアミック酸の脱水環化反応により形成されたポリイミ
ド系樹脂層である特許請求の範囲第１項記載のサーマル
ヘッド。 - 【請求項３】前記Si基を有するジアミンは、 一般式 （式中、Ｒは２価の有機基、Ｒ′は１価の有機基を示
す。）で表わされるビスアミノジシロキサンであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
サーマルヘッド。 - 【請求項４】前記式中、Ｒはアルキレン基、Ｒ′はアル
キル基であることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第３項のいずれか１項記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021429A JPH0710599B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021429A JPH0710599B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63189254A JPS63189254A (ja) | 1988-08-04 |
| JPH0710599B2 true JPH0710599B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12054744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62021429A Expired - Lifetime JPH0710599B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710599B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167333A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS57185173A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP62021429A patent/JPH0710599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63189254A (ja) | 1988-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |