JPH0711003U - 誘電体共振器を有する単位回路装置 - Google Patents

誘電体共振器を有する単位回路装置

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JPH0711003U
JPH0711003U JP4195693U JP4195693U JPH0711003U JP H0711003 U JPH0711003 U JP H0711003U JP 4195693 U JP4195693 U JP 4195693U JP 4195693 U JP4195693 U JP 4195693U JP H0711003 U JPH0711003 U JP H0711003U
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dielectric resonator
conductor layer
dielectric
supporting substrate
unit
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JP4195693U
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達也 今泉
健二 吉森
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体共振器を含むフィルタ装置のコストの
低減を図る。 【構成】 誘電体共振器4を支持基板5上に配置する。
支持基板5の少なくとも一方の側面19に係合凹部22
と係合凸部23とを設ける。別の支持基板にも凸部及び
凹部を設けて複数の支持基板を相互に結合する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、複数の誘電体共振器の組み合せから成るフィルタ回路装置等に使用 するための誘電体共振器を有する単位回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
複数の誘電体共振器を含む従来の電子素子回路装置は、種々の回路素子が配設 される主基板の上に、複数又は単数の誘電体共振器とこの支持基板(副基板)と の組立体を配置することによって構成されている。なお、支持基板(副基板)は 誘電体共振器は機械的強度が比較的に小さいので、これを補強する目的、又は誘 電体共振器の取扱いを容易にする目的、又は結合コンデンサ、結合インダクタン ス等の結合素子と誘電体共振器とを一体化する目的等のために使用されている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、種々のフィルタ特性(例えば通過又は阻止帯域幅)を有する種々の バンドパスフィルタ又はバンドストップフィルタを構成する場合に、誘電体共振 器の個数を変えて複数種類のフィルタを構成することがある。この様にそれぞれ のフィルタを独立に製作すると、必然的に単価が高くなる。
【0004】 そこで、本考案は誘電体共振器を含む回路装置のコストの低減を図ることを目 的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本考案は、その一方の端面から他方の端面に至る共 振孔を有する筒状誘電体と、前記共振孔に形成された内導体と、前記誘電体の外 周面に形成された外導体とを備えた誘電体共振器と、この誘電体共振器を支持す る支持基板とから成り、前記共振孔に対してほぼ平行に延びる前記支持基板の一 対の側面の内の少なくとも一方の側面に係合凹部と係合凸部とが設けられており 、この係合凹部に別の誘電体共振器の支持基板の係合凸部を係合させるように構 成されていることを特徴とする誘電体共振器を有する単位回路装置に係わるもの である。
【0006】
【考案の作用及び効果】
本考案の誘電体共振器と支持基板との組み合せから成る単位回路装置は、フィ ルタ回路のユニットとして使用される。この単位回路装置(ユニット)はこれ1 個のみで使用すること及び複数個を組み合せて使用することができる。即ち、単 位回路装置の支持基板は側面に係合凹部及び凸部を有するので、複数個の組み合 せ体を容易且つ低コストに構成することができる。1つの単位回路装置を複数種 類のフィルタ回路装置に使用することができるということは、量産効果を十分に 得ることができることを意味し、複数種類のフィルタ回路装置のコストの低減を 図ることが可能になる。
【0007】
【第1の実施例】 次に、図1〜図16を参照して本考案の実施例に係わる誘電体共振器を有する フィルタ回路装置を説明する。図1、図2及び図3は本考案に従う第1、第2及 び第3の誘電体共振器を含む単位回路装置即ちユニット1、2、3を示す。ユニ ット1、2、3は1つの誘電体共振器として独立に使用することができる他に、 これ等を組み合せて多段フィルタを構成することができる。
【0008】 第1のユニット1は、図1に示すようにTEMモード同軸型誘電体共振器4と 第1の支持基板5とから成る。誘電体共振器4は図10に示すように、比誘電率 が88程度の誘電体磁器から成る円筒状誘電体6と、内導体7と、外導体8と、 短絡導体9と、端子導体10とから成る。誘電体6の一方の端面11から他方の 端面12に至るように延びる共振孔13の壁面に内導体7が形成され、外周面1 4の上に外導体8が形成され、短絡導体9は内導体7の一方の端と外導体8とを 接続するように他方の端面12の上に形成され、端子導体10は内導体7に接続 されて他方の端面11及びこれに連続する外周面の一部の上に形成されている。 誘電体6の実質的に共振器として動作する部分の長さ即ち外導体8の長さは基本 波の波長の1/4に設定されている。なお、各ユニット及びこれ等の組立体を示 す斜視図において、各導体及び導体層は厚みを省いて示されている。
【0009】 誘電体(絶縁性)磁器から成る第1の支持基板5は、図1、図4及び図5に示 すように、一方の主面15上に入出力端子導体層16とグランド導体層17とを 備えて第1の誘電体共振器4を支持している。この第1の支持基板5は誘電体共 振器4が延びる方向に平行な第1及び第2の側面18、19と、これ等に直角な 方向の第3及び第4の側面20、21とを有する。第1の側面18は凹凸を有さ ないが、第2の側面19はあり溝形状の係合凹部22とあり溝に嵌合する扇状の ほぞから成る係合凸部23とを有する。第3及び第4の側面20、21には溝2 4、25が形成され、これ等の表面に端子導体層16及びグランド導体層17の 延出部16a、17aが設けられている。第1の支持基板5の他方の表面(裏面 )24には図5に示すように端子導体層16及びグランド導体層17の延出部か ら成る接続導体層25、26が設けられている。 第1の誘電体共振器4は第1の支持基板5上に配置され、その端子導体10が 端子導体層16に半田(図示せず)で固着され、外導体8がグランド導体層17 に半田(図示せず)で固着されている。
【0010】 第2のユニット2は、図2に示すように第2の誘電体共振器27と第2の支持 基板28の組み合せから成る。第2の誘電体共振器27は第1の誘電体共振器4 と実質的に同一構造を有し、図10に示すように形成されている。なお、第2の 誘電体共振器27の長さを第1の誘電体共振器4の長さと幾らか異なる値にする こともある。誘電体(絶縁性)磁器から成る第2の支持基板28は、第1の支持 基板5とほぼ同一に形成されており、図2、図6及び図7に示すように、一方の 主面29上に入出力端子導体層30とグランド導体層31とを備えて第2の誘電 体共振器27を支持している。この第2の支持基板28は誘電体共振器27が延 びる方向に平行な第1及び第2の側面32、33と、これ等に直角な方向の第3 及び第4の側面34、35とを有する。第1の側面32には扇状の係合凸部36 とあり溝形状の係合凹部37が設けられ、第2の側面33にも同様な係合凹部3 8と係合凸部39とが設けられている。第2の支持基板28は、図6に示すよう に水平方向に延びる中心線40と垂直方向に延びる中心線41との交点から成る 中心点42を基準にして点対称の平面パターンに形成されている。これにより、 第2の支持基板28は図12の方向の配置と図15の方向の配置との両方をとる ことができる。凸部36、39は第1の支持基板5の凹部22に嵌合できるよう に形成され、凹部37、38は第1の支持基板5の凸部23を嵌合することがで きるように形成されている。第3及び第4の側面34、35には溝40、41が 形成され、これ等の表面に端子導体層30及びグランド導体層31の延出部30 a、31aが設けられている。第2の支持基板28の他方の表面(裏面)42に は図7に示すように端子導体層30及びグランド導体層31の延出部から成る接 続導体層43、44が設けられている。 第2の誘電体共振器27は第2の支持基板28上に配置され、その端子導体1 0が端子導体層30に半田(図示せず)で固着され、外導体8がグランド導体層 31に半田(図示せず)で固着されている。
【0011】 第3のユニット3は、図3に示すように第3の誘電体共振器45と第3の支持 基板46の組み合せから成る。第3の誘電体共振器45は第1の誘電体共振器4 と実質的に同一構造を有し、図10に示すように形成されている。なお、第3の 誘電体共振器45の長さを第1の誘電体共振器4の長さと幾らか異なる値にする こともある。誘電体(絶縁性)磁器から成る第3の支持基板46は、第1の支持 基板5とほぼ同一に形成されており、図3、図8及び図9に示すように、一方の 主面47上に入出力端子導体層48とグランド導体層49とを備えて第3の誘電 体共振器45を支持している。この第3の支持基板46は誘電体共振器45が延 びる方向に平行な第1及び第2の側面50、51と、これ等に直角な方向の第3 及び第4の側面52、53とを有する。第1の側面50は扇状のほぞから成る係 合凸部54とあり溝形状の係合凹部55を有するが、第2の側面51は凹凸部を 有さない。係合凸部54は第1の支持基板5の係合凹部22及び第2の支持基板 28の係合凹部37、38に嵌合できるように形成され、係合凹部55は第1の 支持基板5の係合凸部23及び第2の支持基板28の係合凸部36、39を嵌合 することができるように形成されている。第3及び第4の側面52、53には溝 56、57が形成され、これ等の表面に端子導体層48及びグランド導体層49 の延出部48a、49aが設けられている。第3の支持基板46の他方の表面( 裏面)58には図9に示すように端子導体層48及びグランド導体層49の延出 部から成る接続導体層59、60が設けられている。 第3の誘電体共振器45は第3の支持基板46上に配置され、その端子導体1 0が端子導体層48に半田(図示せず)で固着され、外導体8がグランド導体層 49に半田(図示せず)で固着されている。
【0012】 図1、図2及び図3に示す第1、第2及び第3のユニット1、2、3は、それ ぞれ独立に使用することができる他に、組み合せで使用することもできる。種々 のフィルタを製作する際には、予め第1、第2及び第3のユニット1、2、3又 は第1、第2及び第3の支持基板5、28、46を複数個用意しておく。
【0013】 例えば、図11に示すように3個の誘電体共振器4、27、45と4個のコン デンサC1 、C2 、C3 、C4 から成るバンドパスフィルタを構成する場合には 、図12に示すように第1、第2及び第3のユニット1、2、3を並列的に結合 する。即ち、第1の支持基板5の凹部22及び凸部23と第2の支持基板28の 凸部36及び凹部37とを係合させ、第2の支持基板28の凹部38及び凸部3 9と第3の支持基板46の凸部54及び凹部55とを係合させて、全体として1 枚の基板と見なせる基板集合体を得る。図12に示す組立体を主回路基板(図示 せず)に取付ける時には、第1〜第3の支持基板5、28、46の下側主面24 、42、58に形成されている接続導体層25、26、43、44、59、60 を主回路基板の配線導体に半田付けする。図11の結合コンデンサC1 〜C4 は 個別又は複合化した素子から成り、主回路基板上に配置される。
【0014】 1枚の支持基板の上に3個の誘電体共振器を配置しても図12と同様なフィル タを構成することができる。しかし、3個の誘電体共振器の内の1つに破損又は 異常があっても全体が不良になる。これに対して図12の場合は良品の第1、第 2及び第3のユニット1、2、3を選別して組立てることができるので、不良の 発生が少なくなる。
【0015】 図13は4個の誘電体共振器4、27、45の組み合せた4段のフィルタを示 す。これを組立てる時には第1及び第3のユニット1、3を1個、第2のユニッ ト2を2個用意し、2つの第2のユニット2同志を凹凸部を使用して相互に結合 すると共に、これ等の両側に第1及び第3の1ユニット1、3を係合させる。な お、第2の支持基板28同志の係合は他の支持基板5、46に対する係合と同一 である。
【0016】 図14は第1及び第3のユニット1、3の組立体から成る2段のフィルタを示 す。この組立体は第1の支持基板5の凹部22及び凸部23と第3の支持基板4 6の凸部54及び凹部55とを係合させることによって得る。なお、2段のフィ ルタは第1及び第2のユニット1、2の組立体又は第2及び第3のユニット2、 3の組立体、又は2つの第2のユニット2の組立体によっても得ることができる 。
【0017】 図15は第2のユニット2の向きを図12と逆にした組立体を示す。第2の支 持基板28はこの中心を基準にして点対称に形成されているので、方向を逆にし てこの凸部39及び凹部38と第1の支持基板5の凹部22及び凸部23を係合 させ、またこの凹部37及び凸部36と第3の支持基板46の凸部54及び凹部 55とを係合させることができる。この様に第1〜第3の誘電体共振器4、27 、45を配置すると、端子導体10の相互間距離が長くなり、これ等の相互間の 電気的分離が良くなる。
【0018】 上述から明らかなように第1、第2及び第3の支持基板5、28、46を任意 に組み合せて種々のフィルタを作製することが可能になり、フィルタのコストの 低減を図ることができる。
【0019】
【第2の実施例】 次に、図16〜図18を参照して第2の実施例のフィルタユニットを説明する 。但し、図16〜図18及び後述する別の実施例において図1〜図15と共通す る部分には同一の符号を付してその説明を省略する。図16、図17、図18の 第1、第2及び第3の支持基板5、28、46の係合凹部22、37、38、5 5は円弧状凹部に形成され、係合凸部23、36、39、54は円弧状突出部に 形成されている。この他は図1〜図3と同一に構成されている。従って、図16 〜図18の第1〜第3のユニット1〜3は第1の実施例と同一の作用及び効果を 有する。
【0020】
【第3の実施例】 図19及び図20は図2の第2のユニット2の変形を示す。図19及び図20 において図2及び図7と相違する点は、一方の主面29上の端子導体層30と他 方の主面42の接続導体層43とがギャップ61で電気的に分離され、これ等の 相互間に静電容量が得られるように構成されていることである。図19及び図2 0において接続導体層43は延在部43aは一方の主面29まで延びている。そ の他の点は図2と同一であるので、同一の作用効果を得ることができる。なお、 図1及び図3の第1及び第3のユニット1、3も図19と同様に変形することが できる。
【0021】
【第4の実施例】 図21及び図22に示す支持基板28は図6及び図7の支持基板28を変形し たものである。図21の一方の主面29上の導体層30、31のパターンは図6 と同一であるが、図22の他方の主面42の導体層のパターンは図7と相違する 。即ち、図22においては図7と同一パターンのグランド導体層44の他に、第 1及び第2の接続導体層43a、43b及び端子導体層30に接続された延在部 30bが設けられている。この延在部30bと第1及び第2の接続導体層43a 、43bとの間にはギャップがあるので、静電容量(結合容量)を得ることがで きる。この他の点は図6及び図7と同一であるので、第1の実施例と同一の作用 及び効果を得ることができる。
【0022】
【第5の実施例】 図23及び図24に示すユニットは、図2の第2のユニット2を変形したもの である。図23に示すように端子導体層30は比較的大面積に設けられ、図24 に示すように他方の主面42の第1及び第2の接続導体層43a、43bは静電 容量(結合容量)が得られるように一方の主面29側の端子導体層30に対向し ている。従って、結合コンデンサが一体化したユニットを提供することができる 。
【0023】
【第6の実施例】 図25及び図26に示す第6の実施例のユニットは多層基板構成の支持基板2 8を有する。支持基板28の内部には図26に示すように第1、第2及び第3の 導体層70、71、72が設けられ、第1の導体層70は一方の主面29の端子 導体層30にヴィアホール73の導体で接続され、第2及び第3の導体層71、 72は静電容量(結合容量)を得るために第1の導体層70に対向している。第 2の導体層71はヴィアホール74の導体によって接続導体層43に接続されて いると共に、第1の側面導体層75に接続されている。第3の導体層72は他方 の側面導体層76に接続されている。側面導体層75、76は係合凸部36及び 係合凹部38に設けられているので、別の支持基板の係合凹部及び凸部にも同様 な側面導体層を設けることによって支持基板の相互間接続が可能になる。
【0024】
【変形例】
本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、変形可能なものである。例え ば端子導体10の代りに個別の接続部材によって内導体7を導体層16等に接続 してもよい。また、図10の短絡導体9を省いて1/2波長型の共振器を構成す ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例の第1のユニットを示す斜視図で
ある。
【図2】第1の実施例の第2のユニットを示す斜視図で
ある。
【図3】第1の実施例の第3のユニットを示す斜視図で
ある。
【図4】第1の支持基板の平面図である。
【図5】第1の支持基板の底面図である。
【図6】第2の支持基板の平面図である。
【図7】第2の支持基板の底面図である。
【図8】第3の支持基板の平面図である。
【図9】第3の支持基板の底面図である。
【図10】誘電体共振器を示す断面図である。
【図11】誘電体共振器を使用した3段のバンドパスフ
ィルタを示す等価回路図である。
【図12】第1〜第3のユニットの組立体を示す斜視図
である。
【図13】4個のユニットの組立体を示す斜視図であ
る。
【図14】2個のユニットの組立体を示す斜視図であ
る。
【図15】第2のユニットの方向を逆にした3個のユニ
ットの組立体を示す斜視図である。
【図16】第2の実施例の第1のユニットを示す斜視図
である。
【図17】第2の実施例の第2のユニットを示す斜視図
である。
【図18】第2の実施例の第3のユニットを示す斜視図
である。
【図19】第3の実施例のユニットを示す斜視図であ
る。
【図20】図19のユニットの底面図である。
【図21】第4の実施例の支持基板の平面図である。
【図22】図21の支持基板の底面図である。
【図23】第5の実施例のユニットを示す斜視図であ
る。
【図24】図23のユニットの底面図である。
【図25】第6の実施例のユニットを示す斜視図であ
る。
【図26】図25のA−A線断面図である。
【符号の説明】
4、28、45 共振器 5、29、46 支持基板 22、37、38、55 係合凹部 23、36、39、54 係合凸部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 その一方の端面から他方の端面に至る共
    振孔を有する筒状誘電体と、前記共振孔に形成された内
    導体と、前記誘電体の外周面に形成された外導体とを備
    えた誘電体共振器と、この誘電体共振器を支持する支持
    基板とから成り、 前記共振孔に対してほぼ平行に延びる前記支持基板の一
    対の側面の内の少なくとも一方の側面に係合凹部と係合
    凸部とが設けられており、この係合凹部に別の誘電体共
    振器の支持基板の係合凸部を係合させるように構成され
    ていることを特徴とする誘電体共振器を有する単位回路
    装置。
JP4195693U 1993-06-30 1993-06-30 誘電体共振器を有する単位回路装置 Withdrawn JPH0711003U (ja)

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