JPH07112111B2 - フレキシブル基板用スル−ホ−ル回路形成方法 - Google Patents
フレキシブル基板用スル−ホ−ル回路形成方法Info
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- JPH07112111B2 JPH07112111B2 JP61080180A JP8018086A JPH07112111B2 JP H07112111 B2 JPH07112111 B2 JP H07112111B2 JP 61080180 A JP61080180 A JP 61080180A JP 8018086 A JP8018086 A JP 8018086A JP H07112111 B2 JPH07112111 B2 JP H07112111B2
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Landscapes
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は高信頼性のフレキシブル基板用スルーホール回
路を形成する方法に関するものである。
路を形成する方法に関するものである。
(従来技術とその問題点) 従来、スルーホール回路は主にサブトラクテイブ法によ
り作成されていた。すなわち、両面銅張回路板にスルー
ホール用の穴あけを行い、次に化学メツキのための活性
化処理及び化学メツキ処理を行い、次いで電気メツキに
より必要な膜厚分をつけ、その後にスルーホール部及び
回路導体部のところをレジストでマスキングし、不要部
をエツチング除去する方法であり、化学メツキのための
活性化処理、化学メツキ処理においては、処理液に浸漬
した基板をスルーホールの深さ方向に対して平行方向に
揺動を行っていた。しかしながら、このような揺動はリ
ジツト基板では問題ないが、フレキシブル基板に対して
行うと厚みが薄く柔らかいために、基板がたわんだり、
折れたり、凹凸ができてしまい、基板平面度、寸法精度
を低下させてしまうという問題点を有していた。
り作成されていた。すなわち、両面銅張回路板にスルー
ホール用の穴あけを行い、次に化学メツキのための活性
化処理及び化学メツキ処理を行い、次いで電気メツキに
より必要な膜厚分をつけ、その後にスルーホール部及び
回路導体部のところをレジストでマスキングし、不要部
をエツチング除去する方法であり、化学メツキのための
活性化処理、化学メツキ処理においては、処理液に浸漬
した基板をスルーホールの深さ方向に対して平行方向に
揺動を行っていた。しかしながら、このような揺動はリ
ジツト基板では問題ないが、フレキシブル基板に対して
行うと厚みが薄く柔らかいために、基板がたわんだり、
折れたり、凹凸ができてしまい、基板平面度、寸法精度
を低下させてしまうという問題点を有していた。
(問題を解決するための手段及び作用) 本発明は、化学メツキのための活性化処理、化学メツキ
処理において、基板をスルーホールの深さ方向に対して
垂直方向に揺動することにより上記問題点を解決したも
のである。
処理において、基板をスルーホールの深さ方向に対して
垂直方向に揺動することにより上記問題点を解決したも
のである。
すなわち、本発明は、スルーホール穴あけを行ったフレ
キシブル基板にスルーホール回路を形成する方法であっ
て、処理液に浸漬した基板をスルーホールの深さ方向に
対して垂直方向の揺動を行いながら(i)化学メツキの
ための活性化液による前処理、及び(ii)化学メツキを
行うことを特徴とするスルーホール回路の形成法を提供
するものである。
キシブル基板にスルーホール回路を形成する方法であっ
て、処理液に浸漬した基板をスルーホールの深さ方向に
対して垂直方向の揺動を行いながら(i)化学メツキの
ための活性化液による前処理、及び(ii)化学メツキを
行うことを特徴とするスルーホール回路の形成法を提供
するものである。
(発明の構成) スルーホールに対する垂直方向の揺動は、いかなる方
法、装置を使用しても良いが、揺動の線速度は0.2〜20m
/分が好ましく、特に0.5〜10m/分が好ましい。0.2m/分
以下であると、活性化処理のための活性化液、還元液及
び化学メツキ液が、スルーホール内でうまく液攪拌され
ず、信頼性ある化学メツキ銅膜厚が得られない。また、
20m/分以上であると、基板が湾曲したり、折れたり、処
理液が浴槽の外へ飛散するなどの不都合が生じてくる。
また、揺動の幅は基板を浸漬する浸漬槽の容積をできる
だけ小さくする意味からも5〜10cm程度が適当である。
法、装置を使用しても良いが、揺動の線速度は0.2〜20m
/分が好ましく、特に0.5〜10m/分が好ましい。0.2m/分
以下であると、活性化処理のための活性化液、還元液及
び化学メツキ液が、スルーホール内でうまく液攪拌され
ず、信頼性ある化学メツキ銅膜厚が得られない。また、
20m/分以上であると、基板が湾曲したり、折れたり、処
理液が浴槽の外へ飛散するなどの不都合が生じてくる。
また、揺動の幅は基板を浸漬する浸漬槽の容積をできる
だけ小さくする意味からも5〜10cm程度が適当である。
本発明は通常用いられているフレキシブル基板の全てに
適用できる。例えば、ポリイミド等のベースフイルムの
片面あるいは用途によっては両面に金属薄板を接着剤を
貼り合わせたものや、金属薄板上にレジストを回路部以
外のところに設け、電気メツキにより導電体を回路部に
形成し、それを2枚使って絶縁性基板に金属薄板を外側
にして両側から貼り合わせたもの、あるいは、直接接着
剤にて、金属薄板を外側にして貼り合わせたもの、更に
はそれに次いで金属薄板を除去したものなどに適用され
る。
適用できる。例えば、ポリイミド等のベースフイルムの
片面あるいは用途によっては両面に金属薄板を接着剤を
貼り合わせたものや、金属薄板上にレジストを回路部以
外のところに設け、電気メツキにより導電体を回路部に
形成し、それを2枚使って絶縁性基板に金属薄板を外側
にして両側から貼り合わせたもの、あるいは、直接接着
剤にて、金属薄板を外側にして貼り合わせたもの、更に
はそれに次いで金属薄板を除去したものなどに適用され
る。
スルーホールの穴あけは、バリやカス等が発生せず、穴
の周囲の導体層が絶縁層から剥離しなければいかなる方
法によっても良く、例えばドリルやパンチ等を使えば良
い。
の周囲の導体層が絶縁層から剥離しなければいかなる方
法によっても良く、例えばドリルやパンチ等を使えば良
い。
化学メツキのための活性化処理では、通常の化学メツキ
用活性化剤が用いられるが、先に述べた金属薄板上に導
電回路を形成し、それを貼り合わせたものを処理する
際、金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場合は、通
常の活性化剤は使用出来ず、浴中に金属薄板が溶出し、
浴を著しく劣化させたり、あるいは金属薄板が全て溶出
し回路部の導電体以外の部分が活性化処理されない様に
浴を中性領域、pH=4〜10、特にpH=5〜9.5に管理出
来るものが使用される。これに使用出来るものとして
は、パラジウムの有機錯体があり、例えば活性化液とし
ては、シエーリング社のアクチベーター・ネオガント83
4、還元液としては、シエーリング社のリデユーサー・
ネオガントWAをそれぞれ硫酸、ほう酸でpH調節して使用
することが出来る。
用活性化剤が用いられるが、先に述べた金属薄板上に導
電回路を形成し、それを貼り合わせたものを処理する
際、金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場合は、通
常の活性化剤は使用出来ず、浴中に金属薄板が溶出し、
浴を著しく劣化させたり、あるいは金属薄板が全て溶出
し回路部の導電体以外の部分が活性化処理されない様に
浴を中性領域、pH=4〜10、特にpH=5〜9.5に管理出
来るものが使用される。これに使用出来るものとして
は、パラジウムの有機錯体があり、例えば活性化液とし
ては、シエーリング社のアクチベーター・ネオガント83
4、還元液としては、シエーリング社のリデユーサー・
ネオガントWAをそれぞれ硫酸、ほう酸でpH調節して使用
することが出来る。
化学メツキの種類としては、導電性と経済性の点から銅
が好ましいが、ニツケル、銀、金等導電体ならば何でも
良い。しかし、先に述べた金属薄板上に導電回路を形成
し、それを貼り合わせたもので、金属薄板がアルミニウ
ム、亜鉛、スズの場合、金属薄板除去→無電解メツキの
プロセスをとれば通常の無電解メツキ液が使用出来る
が、無電解メツキ→金属薄板除去のプロセスの場合は中
性領域、pH=4〜10の無電解メツキ液を使用する必要が
ある。これらの例としてはニツケルの場合、日本カニゼ
ン社製シユーマーS−680などがある。金属薄板を除去
する時に使用する薬液は、導電体を著しく溶解せず、金
属薄板を溶解するものであれば何でも良く、例えば導電
体が銅で、金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場
合、塩酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等が使用でき
る。
が好ましいが、ニツケル、銀、金等導電体ならば何でも
良い。しかし、先に述べた金属薄板上に導電回路を形成
し、それを貼り合わせたもので、金属薄板がアルミニウ
ム、亜鉛、スズの場合、金属薄板除去→無電解メツキの
プロセスをとれば通常の無電解メツキ液が使用出来る
が、無電解メツキ→金属薄板除去のプロセスの場合は中
性領域、pH=4〜10の無電解メツキ液を使用する必要が
ある。これらの例としてはニツケルの場合、日本カニゼ
ン社製シユーマーS−680などがある。金属薄板を除去
する時に使用する薬液は、導電体を著しく溶解せず、金
属薄板を溶解するものであれば何でも良く、例えば導電
体が銅で、金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場
合、塩酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等が使用でき
る。
本発明の副次的効果として、基板をスルーホールに対し
て平行方向を揺動する場合に比べ、浴槽容量が小さくて
済み、使用薬液も減らすことができる利点がある。ま
た、揺動装置の停止精度が問題にならないために、搬送
用キヤリヤーの自動化がし易くなる。
て平行方向を揺動する場合に比べ、浴槽容量が小さくて
済み、使用薬液も減らすことができる利点がある。ま
た、揺動装置の停止精度が問題にならないために、搬送
用キヤリヤーの自動化がし易くなる。
以下に本発明の態様を一層明確にするために実施例をあ
げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。
げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。
(実施例) 膜厚40μmアルミニウム薄板上に、イーストマンコダツ
ク社製ネガ型レジスト「マイクロレジスト747−110cS
t」を乾燥後、膜厚が5μmになる様に塗布、プレベー
クして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液及びリンス液を用いて現像し、ポ
ストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成し
た。
ク社製ネガ型レジスト「マイクロレジスト747−110cS
t」を乾燥後、膜厚が5μmになる様に塗布、プレベー
クして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液及びリンス液を用いて現像し、ポ
ストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成し
た。
次いで、ハーシヨウ村田社製ピロリン酸銅メツキ液を用
いて、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度0.5A
/dm2で平均膜厚2μm銅メツキした後、電流密度を4A/d
m2に増加させ、計35μm厚の銅を回路部に形成した。そ
の後、デユポン社製ポリイミドフイルム「カプトン」
(膜厚25μm)の両面にポスチツク社製フエノール樹脂
−ニトリルゴム系接着剤「XA564−4」を乾燥後の膜厚
が5μmになるように塗布した絶縁性基板の両側から、
上記電解メツキを行ったものをアルミニウム薄板を外側
にして150℃で、30分間熱圧着して貼り付け、次にスル
ーホール形成部にドリルで0.70mmφの穴をあけた。その
後すでにpH調整済みのシエーリング社製の活性化液アク
チベーターネオガント834を満たした槽中に穴あけが終
了した基板を四隅を固定して鉛直に浸漬し、揺動の幅5c
mでスルーホールに対して垂直方向に1m/分の速度で、8
分間揺動した。続いて基板を還元液リデユーサー・ネオ
ガントWAを満たした槽中に移し、同じ要領で5分間揺動
して活性化処理を終了し、それからアルミニウム薄板を
36重量%の塩酸を水で2:3に希釈した液でエツチング除
去した。そのあと化学メツキ(室町化学製MK−430)を
満たした槽中で、前記活性化処理と同様の要領で20分間
の上下揺動を施して処理を行い、次いでハーシヨウ村田
社製ピロリン酸銅メツキ液を用いて、電流密度4A/dm2で
膜厚35μm(配線密度5本/mm)銅メツキを行った。メ
ツキ終了後、スルーホールを介して表裏パターン間の電
気抵抗を測定したところ、どのスルーホールも5mΩ以下
であった。
いて、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度0.5A
/dm2で平均膜厚2μm銅メツキした後、電流密度を4A/d
m2に増加させ、計35μm厚の銅を回路部に形成した。そ
の後、デユポン社製ポリイミドフイルム「カプトン」
(膜厚25μm)の両面にポスチツク社製フエノール樹脂
−ニトリルゴム系接着剤「XA564−4」を乾燥後の膜厚
が5μmになるように塗布した絶縁性基板の両側から、
上記電解メツキを行ったものをアルミニウム薄板を外側
にして150℃で、30分間熱圧着して貼り付け、次にスル
ーホール形成部にドリルで0.70mmφの穴をあけた。その
後すでにpH調整済みのシエーリング社製の活性化液アク
チベーターネオガント834を満たした槽中に穴あけが終
了した基板を四隅を固定して鉛直に浸漬し、揺動の幅5c
mでスルーホールに対して垂直方向に1m/分の速度で、8
分間揺動した。続いて基板を還元液リデユーサー・ネオ
ガントWAを満たした槽中に移し、同じ要領で5分間揺動
して活性化処理を終了し、それからアルミニウム薄板を
36重量%の塩酸を水で2:3に希釈した液でエツチング除
去した。そのあと化学メツキ(室町化学製MK−430)を
満たした槽中で、前記活性化処理と同様の要領で20分間
の上下揺動を施して処理を行い、次いでハーシヨウ村田
社製ピロリン酸銅メツキ液を用いて、電流密度4A/dm2で
膜厚35μm(配線密度5本/mm)銅メツキを行った。メ
ツキ終了後、スルーホールを介して表裏パターン間の電
気抵抗を測定したところ、どのスルーホールも5mΩ以下
であった。
また、基板のたわみ・折れはなく、回路部導電体の絶縁
性基板からの浮き・はがれも見られなかった。
性基板からの浮き・はがれも見られなかった。
(比較例) 膜厚40μmアルミニウム薄板上に、イーストマンコダツ
ク社製ネガ型レジスト「マイクロレジスト747−110cS
t」を乾燥後、膜厚が5μmになる様に塗布、プレベー
クして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現像し、
ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成
した。
ク社製ネガ型レジスト「マイクロレジスト747−110cS
t」を乾燥後、膜厚が5μmになる様に塗布、プレベー
クして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現像し、
ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成
した。
次いで、ハーシヨウ村田社製ピロリン酸銅メツキ液を用
いて、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度0.5A
/dm2で平均膜厚2μm銅メツキした後、電流密度を4A/d
m2に増加させ、計35μm厚の銅を回路部に形成した。そ
の後、デユポン社製ポリイミドフイルム「カプトン」
(膜厚25μm)の両面にポスチツク社製フエノール樹脂
−ニトリルゴム系接着剤「XA564−4」を乾燥後の膜厚
が5μmになるように塗布した絶縁性基板の両側から、
上記電解メツキを行ったものをアルミニウム薄板を外側
にして150℃で、30分間熱圧着して貼り付け、次にスル
ーホール形成部にドリルで0.70mmφの穴をあけた。その
後すでにpH調整済みのシエーリング社製の活性化液アク
チベーターネオガント834、還元液リデユーサー・ネオ
ガントWAを使って四隅を固定して槽に対して鉛直に浸漬
した基板をスルーホールに対して平行方向に揺動幅5c
m、速度1m/分で活性化液中で8分間、続く還元液中で5
分間揺動して活性化処理し、それからアルミニウム薄板
を30重量%の塩酸を水で2:3に希釈した液でエツチング
除去した。そのあと化学メツキ(室町化学製MK−430)
を、スルーホールに対して平行方向に活性化処理と同様
の要領で20分間揺動して処理を行い、次いでハーシヨウ
村田社製ピロリン酸銅メツキ液を用いて、電流密度4A/d
m2で膜厚35μm(配線密度5本/mm)銅メツキを行っ
た。メツキ終了後、スルーホールを介して表裏パターン
間の電流抵抗を測定したところ、どのスルーホールも5m
Ω以下であった。
いて、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度0.5A
/dm2で平均膜厚2μm銅メツキした後、電流密度を4A/d
m2に増加させ、計35μm厚の銅を回路部に形成した。そ
の後、デユポン社製ポリイミドフイルム「カプトン」
(膜厚25μm)の両面にポスチツク社製フエノール樹脂
−ニトリルゴム系接着剤「XA564−4」を乾燥後の膜厚
が5μmになるように塗布した絶縁性基板の両側から、
上記電解メツキを行ったものをアルミニウム薄板を外側
にして150℃で、30分間熱圧着して貼り付け、次にスル
ーホール形成部にドリルで0.70mmφの穴をあけた。その
後すでにpH調整済みのシエーリング社製の活性化液アク
チベーターネオガント834、還元液リデユーサー・ネオ
ガントWAを使って四隅を固定して槽に対して鉛直に浸漬
した基板をスルーホールに対して平行方向に揺動幅5c
m、速度1m/分で活性化液中で8分間、続く還元液中で5
分間揺動して活性化処理し、それからアルミニウム薄板
を30重量%の塩酸を水で2:3に希釈した液でエツチング
除去した。そのあと化学メツキ(室町化学製MK−430)
を、スルーホールに対して平行方向に活性化処理と同様
の要領で20分間揺動して処理を行い、次いでハーシヨウ
村田社製ピロリン酸銅メツキ液を用いて、電流密度4A/d
m2で膜厚35μm(配線密度5本/mm)銅メツキを行っ
た。メツキ終了後、スルーホールを介して表裏パターン
間の電流抵抗を測定したところ、どのスルーホールも5m
Ω以下であった。
しかしながら、回路部導電体の絶縁性基板からの浮き・
はがれが基板内に十数ヶ所見られた。
はがれが基板内に十数ヶ所見られた。
(発明の効果) 本発明に従い、化学メツキのための活性化処理、化学メ
ツキ処理において、基板をスルーホールに対して垂直方
向に揺動することで、基板のたわみ、折れがなく、高信
頼性のスルーホールを得ることができる。
ツキ処理において、基板をスルーホールに対して垂直方
向に揺動することで、基板のたわみ、折れがなく、高信
頼性のスルーホールを得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】スルーホール穴あけを行ったフレキシブル
基板にスルーホール回路を形成する方法であって、処理
液に浸漬した基板をスルーホールの深さ方向に対して垂
直方向の揺動を行いながら(i)化学メツキのための活
性化液による前処理、及び(ii)化学メツキを行うこと
を特徴とするフレキシブル基板用スルーホール回路形成
方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61080180A JPH07112111B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | フレキシブル基板用スル−ホ−ル回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61080180A JPH07112111B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | フレキシブル基板用スル−ホ−ル回路形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238688A JPS62238688A (ja) | 1987-10-19 |
| JPH07112111B2 true JPH07112111B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=13711159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61080180A Expired - Lifetime JPH07112111B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | フレキシブル基板用スル−ホ−ル回路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112111B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210989A (en) * | 1981-02-10 | 1982-12-24 | Hiroshige Sawa | Electroplating method |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61080180A patent/JPH07112111B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62238688A (ja) | 1987-10-19 |
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