JPH07113772B2 - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
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- JPH07113772B2 JPH07113772B2 JP61089927A JP8992786A JPH07113772B2 JP H07113772 B2 JPH07113772 B2 JP H07113772B2 JP 61089927 A JP61089927 A JP 61089927A JP 8992786 A JP8992786 A JP 8992786A JP H07113772 B2 JPH07113772 B2 JP H07113772B2
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- resist layer
- layer
- polymer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、微細パターン形成方法に係り、特に、超LSI,
超高速トランジスタ，磁気バブルメモリ等の製造におい
て、サブミクロンレベルの微細レジストパターンを形成
する方法に関する。
超高速トランジスタ，磁気バブルメモリ等の製造におい
て、サブミクロンレベルの微細レジストパターンを形成
する方法に関する。
近年、半導体素子等の集積度の著しい向上に伴ない、線
幅や間隔が極めて小さいパターンを高精度で形成する方
法が望まれている。
幅や間隔が極めて小さいパターンを高精度で形成する方
法が望まれている。
集積度の向上に伴って、半導体素子等においては多層配
線構造が増々必要となり、パターニングを施すべき半導
体基板表面には、フォトリソグラフィ工程において無視
出来ない凹凸が現われる様になってきた。この様な凹凸
が、フォトレジストを通過した露光光を乱反射し、本来
露光すべきでない部分が照射される現象が生じる。ま
た、下地基板からの反射光と入射光の干渉に基づく定在
波が発生する。
線構造が増々必要となり、パターニングを施すべき半導
体基板表面には、フォトリソグラフィ工程において無視
出来ない凹凸が現われる様になってきた。この様な凹凸
が、フォトレジストを通過した露光光を乱反射し、本来
露光すべきでない部分が照射される現象が生じる。ま
た、下地基板からの反射光と入射光の干渉に基づく定在
波が発生する。
これらの効果はいずれも解像度の低下をもたらす要因と
なるため、単層のレジストを用いる従来法では、実素子
上において高解像度の微細加工を行なうことが困難とな
ってきた。
なるため、単層のレジストを用いる従来法では、実素子
上において高解像度の微細加工を行なうことが困難とな
ってきた。
以上の様な問題点を解決する目的で、種々の多層レジス
ト法が提案され、最近になって基板上に在来のフォトレ
ジストを用いて第一レジスト層を形成して下地の凹凸を
平坦化し、この上に有機ケイ素ポリマからなる光および
放射線感応性高分子で第二レジスト層を形成する二層レ
ジスト法が活発に研究されている。（例えば、A.Tanaka
et.al.ACS Polymer Preprints Vol.25,No.1,p.301,St.
Louise,April.1984） この様な二層レジスト法を用いたリソグラフィープロセ
スの概略を図に示す。まず図の（ａ）のように半導体基
板１上に第一レジスト層２、第二レジスト層３を設け、
第二レジスト層３の所定の部分に光又は放射線を照射し
た後、現像により図の（ｂ）のようにパターンを形成
し、次いで酸素プラズマにより処理すると、第二レジス
ト層３の残っている部分は表面がSiO2化してエッチング
が進行せず、一方第一レジスト層２が露出した部分で
は、第一レジスト層が酸化的にエッチング除去されて、
図の（ｃ）の状態となる。
ト法が提案され、最近になって基板上に在来のフォトレ
ジストを用いて第一レジスト層を形成して下地の凹凸を
平坦化し、この上に有機ケイ素ポリマからなる光および
放射線感応性高分子で第二レジスト層を形成する二層レ
ジスト法が活発に研究されている。（例えば、A.Tanaka
et.al.ACS Polymer Preprints Vol.25,No.1,p.301,St.
Louise,April.1984） この様な二層レジスト法を用いたリソグラフィープロセ
スの概略を図に示す。まず図の（ａ）のように半導体基
板１上に第一レジスト層２、第二レジスト層３を設け、
第二レジスト層３の所定の部分に光又は放射線を照射し
た後、現像により図の（ｂ）のようにパターンを形成
し、次いで酸素プラズマにより処理すると、第二レジス
ト層３の残っている部分は表面がSiO2化してエッチング
が進行せず、一方第一レジスト層２が露出した部分で
は、第一レジスト層が酸化的にエッチング除去されて、
図の（ｃ）の状態となる。
この様にすれば、下地基板の凹凸は平坦化され、第二レ
ジスト層は、薄く均一となるため、理想的な露光条件と
なり、高解像度のパターン転写が期待されるわけであ
る。
ジスト層は、薄く均一となるため、理想的な露光条件と
なり、高解像度のパターン転写が期待されるわけであ
る。
以上の様な二層レジスト法を用いて、高解像度を達成す
るためには、以下の条件が必須である。
るためには、以下の条件が必須である。
（１）第一レジスト層が、第二レジスト層の露光に用い
る光を十分に吸収し、下地からの反射及び定在波の影響
が第二レジスト層に及ばないこと。
る光を十分に吸収し、下地からの反射及び定在波の影響
が第二レジスト層に及ばないこと。
（２）第一レジスト層と第二レジスト層の酸素プラズマ
によるエッチングレート比が十分に大きいこと。
によるエッチングレート比が十分に大きいこと。
（３）第一レジスト層が、第二レジスト層の塗布溶剤，
現像溶剤，リンス溶剤によって侵されないこと。
現像溶剤，リンス溶剤によって侵されないこと。
（４）第一レジスト層は基板のドライエッチングに耐え
ること。
ること。
上記の様な二層レジスト法を実現することを目的とし
て、現在までに第二レジスト層用材料として様々なレジ
スト材料が提案されている。（例えば、E.Reichmanis,
G.Smolinsky,C.W.Wilkins,Jr.,Solid State Technology
（日本版）10 pp52-67（1985））これらの材料は、いず
れも有機ケイ素ポリマを含有し、材料中のSi原子が酸素
プラズマ処理時にSiO2化してレジスト表面に酸素プラズ
マ耐性膜を形成する。この性質を利用して、図１の様に
第一レジスト層を加工する。さて、この様な有機ケイ素
系レジストは、今までのところ大部分がネガ形レジスト
であり、感光域もDeep UV.X線、電子線に限られている
ため、用途が限定されている。またネガ形レジストの場
合には、一般に照射部分が高度に架橋するため、プロセ
ス終了後の剥離が難しいというプロセス上の問題もかか
えている。一方、ポジ形レジストも数種知られている
が、やはり多くは感光域がDeep UV.X線、電子線に限ら
れている。また、図１の（ｂ）から（ｃ）に至るO2RIE
（O2リアクティブイオンエッチング、即ち酸素プラズマ
による反応性イオンエッチング）のプロセスにおいて、
第二レジスト層から第一レジスト層へのパターン変換差
を出来るだけ小さく抑えるためには、第二レジスト層に
対して極めて高い酸素プラズマ耐性が要求されるが、既
存のポジ形レジストでこの要求を満たすものは認められ
ない。
て、現在までに第二レジスト層用材料として様々なレジ
スト材料が提案されている。（例えば、E.Reichmanis,
G.Smolinsky,C.W.Wilkins,Jr.,Solid State Technology
（日本版）10 pp52-67（1985））これらの材料は、いず
れも有機ケイ素ポリマを含有し、材料中のSi原子が酸素
プラズマ処理時にSiO2化してレジスト表面に酸素プラズ
マ耐性膜を形成する。この性質を利用して、図１の様に
第一レジスト層を加工する。さて、この様な有機ケイ素
系レジストは、今までのところ大部分がネガ形レジスト
であり、感光域もDeep UV.X線、電子線に限られている
ため、用途が限定されている。またネガ形レジストの場
合には、一般に照射部分が高度に架橋するため、プロセ
ス終了後の剥離が難しいというプロセス上の問題もかか
えている。一方、ポジ形レジストも数種知られている
が、やはり多くは感光域がDeep UV.X線、電子線に限ら
れている。また、図１の（ｂ）から（ｃ）に至るO2RIE
（O2リアクティブイオンエッチング、即ち酸素プラズマ
による反応性イオンエッチング）のプロセスにおいて、
第二レジスト層から第一レジスト層へのパターン変換差
を出来るだけ小さく抑えるためには、第二レジスト層に
対して極めて高い酸素プラズマ耐性が要求されるが、既
存のポジ形レジストでこの要求を満たすものは認められ
ない。
以上の様に、実用性の観点からは既知の有機ケイ素系レ
ジストは、二層レジスト法の上層レジスト（図１の第二
レジスト層）としてはまだ十分とは言えず、大巾な改良
を必要としている。
ジストは、二層レジスト法の上層レジスト（図１の第二
レジスト層）としてはまだ十分とは言えず、大巾な改良
を必要としている。
現行の半導体プロセスのリソグラフィー工程において
は、原理的に解像度、耐ドライエッチ性にすぐれたアル
カリ現像ポジ形レジストが主流となっており、今後とも
この傾向が持続するものと考えられる。従って、実用性
の点も考慮に入れれば、二層レジストプロセスとして
は、解像度・感度・酸素プラズマ耐性にすぐれ、なおか
つアルカリ現像形であるポジ形レジストを上層レジスト
として用いるプロセスが最も有望である。
は、原理的に解像度、耐ドライエッチ性にすぐれたアル
カリ現像ポジ形レジストが主流となっており、今後とも
この傾向が持続するものと考えられる。従って、実用性
の点も考慮に入れれば、二層レジストプロセスとして
は、解像度・感度・酸素プラズマ耐性にすぐれ、なおか
つアルカリ現像形であるポジ形レジストを上層レジスト
として用いるプロセスが最も有望である。
以上の様に、従来の二層レジスト法では、解像度・感度
・感光波長域ならびに上層から下層へのパターン転写精
度のすべての条件を満足するものは得られていない。
・感光波長域ならびに上層から下層へのパターン転写精
度のすべての条件を満足するものは得られていない。
本発明の目的は、解像度・感度および酸素プラズマ耐性
に極めてすぐれたアルカリ現像性ポジ形有機ケイ素レジ
ストを上層レジストとして用いることにより、上記各条
件を満足するとともに、極めて実用性にすぐれた二層レ
ジスト法を提供することにある。
に極めてすぐれたアルカリ現像性ポジ形有機ケイ素レジ
ストを上層レジストとして用いることにより、上記各条
件を満足するとともに、極めて実用性にすぐれた二層レ
ジスト法を提供することにある。
上記目的を達成するために、発明者らは種々の材料を検
討した結果、アルカリ可溶性有機ケイ素ポリマと感光性
溶解阻害剤を主成分とする感光性樹脂組成物を、上記第
二レジスト層として用いる方法が有力であることを見い
出し、本発明を考案するに至った。
討した結果、アルカリ可溶性有機ケイ素ポリマと感光性
溶解阻害剤を主成分とする感光性樹脂組成物を、上記第
二レジスト層として用いる方法が有力であることを見い
出し、本発明を考案するに至った。
二層レジスト法では、第二レジスト層として、感光性と
酸素プラズマ耐性の両方を兼ね備えた高分子材料を用い
る必要がある。その様な材料としては、分子中に金属原
子を含む有機金属ポリマーが使える。というのは、一般
に有機金属ポリマー被膜は、酸素プラズマ処理によって
ポリマー中の金属元素に由来する金属酸化物膜を表面に
形成しこの酸化物膜が酸素プラズマに対して著しい耐性
を持つからである。しかし、有機金属ポリマーそのもの
に感光性を付与することは、困難であった。そこで、種
々の可能性を検討の結果、酸素プラズマ耐性と感光性を
それぞれ別々の物質に受け持たせ、両者を混合して得ら
れる組成物を第二レジスト層として用いる方法が有効で
あることを見い出した。即ち、アルカリ可溶性有機金属
ポリマーと感光性溶解阻害剤の混合物からなる塗膜で
は、光照射部分のみがアルカリ現像液に選択的に可溶化
し、ポジ形のレジストパターンが得られることを見い出
した。次いでこの様なポジレジストパターンを上記と同
様にして、適当な有機高分子材料被膜の上に形成し、O2
RIE処理を施したところ、図の（ｂ）から（ｃ）の様
に、下層の有機高分子材料被膜がエッチングされ、上層
から下層へ精度よくパターン転写されることを確認し
た。
酸素プラズマ耐性の両方を兼ね備えた高分子材料を用い
る必要がある。その様な材料としては、分子中に金属原
子を含む有機金属ポリマーが使える。というのは、一般
に有機金属ポリマー被膜は、酸素プラズマ処理によって
ポリマー中の金属元素に由来する金属酸化物膜を表面に
形成しこの酸化物膜が酸素プラズマに対して著しい耐性
を持つからである。しかし、有機金属ポリマーそのもの
に感光性を付与することは、困難であった。そこで、種
々の可能性を検討の結果、酸素プラズマ耐性と感光性を
それぞれ別々の物質に受け持たせ、両者を混合して得ら
れる組成物を第二レジスト層として用いる方法が有効で
あることを見い出した。即ち、アルカリ可溶性有機金属
ポリマーと感光性溶解阻害剤の混合物からなる塗膜で
は、光照射部分のみがアルカリ現像液に選択的に可溶化
し、ポジ形のレジストパターンが得られることを見い出
した。次いでこの様なポジレジストパターンを上記と同
様にして、適当な有機高分子材料被膜の上に形成し、O2
RIE処理を施したところ、図の（ｂ）から（ｃ）の様
に、下層の有機高分子材料被膜がエッチングされ、上層
から下層へ精度よくパターン転写されることを確認し
た。
次に、本発明の感光性樹脂組成物の主成分の一つである
アルカリ可溶性有機金属ポリマーについて説明する。ア
ルカリ可溶性有機金属ポリマーは、その役割から考え
て、酸素プラズマとの接触によって効率良く な金属酸化物へと変換されることが望ましく、その為に
金属元素は、ポリマー側鎖に存在するよりはポリマー主
鎖に含まれていた方が有利である。また金属元素として
は、Si,Ge,Sn,Ti等が考えられるが、原料の入手，合成
の容易さ，安全性等を考慮すると、Siが最も有力であ
る。有機金属ポリマーにアルカリ可溶性を付与するため
には、ポリマー側鎖にフェノール性水酸基、カルボキシ
ル基等の酸性基を導入すれば良い。
アルカリ可溶性有機金属ポリマーについて説明する。ア
ルカリ可溶性有機金属ポリマーは、その役割から考え
て、酸素プラズマとの接触によって効率良く な金属酸化物へと変換されることが望ましく、その為に
金属元素は、ポリマー側鎖に存在するよりはポリマー主
鎖に含まれていた方が有利である。また金属元素として
は、Si,Ge,Sn,Ti等が考えられるが、原料の入手，合成
の容易さ，安全性等を考慮すると、Siが最も有力であ
る。有機金属ポリマーにアルカリ可溶性を付与するため
には、ポリマー側鎖にフェノール性水酸基、カルボキシ
ル基等の酸性基を導入すれば良い。
以上の様な観点から、アルカリ可溶性有機金属ポリマー
として、種々の有機ケイ素ポリマーを検討した結果、下
記の一般式（１）で表わされる単位がポリマー骨格の少
なくとも40％以上を占めているアルカリ可溶性ポリオル
ガノシルセスキオサン系重合体があらゆる特性において
すぐれていることが明らかとなった。
として、種々の有機ケイ素ポリマーを検討した結果、下
記の一般式（１）で表わされる単位がポリマー骨格の少
なくとも40％以上を占めているアルカリ可溶性ポリオル
ガノシルセスキオサン系重合体があらゆる特性において
すぐれていることが明らかとなった。
〔R1−SiO3/2〕 ……（１） ここで一般式（１）中、R1はフェノール性水酸基を有す
る有機基であり、例えば、フェノール基やカテコール基
を有するC1〜C6のアルキル基である。これらアルカリ可
溶性ポリオルガノシルセスキオサン系重合体は、アルカ
リ水溶液、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液や水酸化ナトリウム水溶液等に可溶であり、また一
般有機溶剤、例えば、アルコール類，エーテル類，ケト
ン類，エステル類，セロソルブ類，アミド類等にも容易
に溶解する。
る有機基であり、例えば、フェノール基やカテコール基
を有するC1〜C6のアルキル基である。これらアルカリ可
溶性ポリオルガノシルセスキオサン系重合体は、アルカ
リ水溶液、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液や水酸化ナトリウム水溶液等に可溶であり、また一
般有機溶剤、例えば、アルコール類，エーテル類，ケト
ン類，エステル類，セロソルブ類，アミド類等にも容易
に溶解する。
さらに、これらアルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキ
オサン系重合体は、酸素プラズマ中でほとんど膜減りし
ない。
オサン系重合体は、酸素プラズマ中でほとんど膜減りし
ない。
次に、本発明に関する感光性樹脂組成物のもう一つの主
成分である感光性溶解阻害剤について述べる。アルカリ
現像型の感光性樹脂組成物における感光性溶解阻害剤の
役割は、未露光部においてはアルカリ溶解性有機ケイ素
ポリマーのアルカリ溶解性を阻害する作用をし、一方露
光部においては、光分解によりアルカリ可溶性の化合物
に変化するかあるいはアルカリ溶解阻害効果を失い、露
光部をアルカリ可溶性にすることである。本発明に関す
る感光性溶解阻害剤としては、ｏ−ニトロベンジルエス
テル，ジアゾメルドラム酸,o−キノンジアジド類等が使
用できるが、特に300nm以上のUV光に感光するものとし
ては、1,2−ナフトキノンジアジド類が有効である。1,2
−ナフトキノンジアジド類としては、例えば、以下に示
す（Ｉ）〜（XXIV）の化合物が挙げられる。
成分である感光性溶解阻害剤について述べる。アルカリ
現像型の感光性樹脂組成物における感光性溶解阻害剤の
役割は、未露光部においてはアルカリ溶解性有機ケイ素
ポリマーのアルカリ溶解性を阻害する作用をし、一方露
光部においては、光分解によりアルカリ可溶性の化合物
に変化するかあるいはアルカリ溶解阻害効果を失い、露
光部をアルカリ可溶性にすることである。本発明に関す
る感光性溶解阻害剤としては、ｏ−ニトロベンジルエス
テル，ジアゾメルドラム酸,o−キノンジアジド類等が使
用できるが、特に300nm以上のUV光に感光するものとし
ては、1,2−ナフトキノンジアジド類が有効である。1,2
−ナフトキノンジアジド類としては、例えば、以下に示
す（Ｉ）〜（XXIV）の化合物が挙げられる。
次に本発明に関する感光性樹脂組成物を用いて、二層レ
ジスト法により微細パターンを形成する方法について説
明する。
ジスト法により微細パターンを形成する方法について説
明する。
アルカリ可溶性有機ケイ素ポリマー（これらのポリマー
は単独あるいは混合物の形で用いても差し支えない。）
を70〜100重量％含有するベースポリマー70〜95重量％
（アルカリ可溶性有機ケイ素ポリマーに、例えばノボラ
ック樹脂のような皮膜形成助剤になるポリマーを０〜30
重量％の範囲で混合することができる。この範囲を越え
ると、酸素プラズマ耐性の点で好ましくない。）と感光
性溶解阻害剤30〜５重量％（この範囲を越える量の感光
性溶解阻害剤を用いた場合には、感度，酸素プラズマ耐
性の点で好ましくない。なお感光性溶解阻害剤は、単一
物質でも、また複数の物質からなる混合物でも差しつか
えない。）とからなる感光性樹脂組成物を、エチルセロ
ソルブアセテート等の汎用有機溶剤に溶解させたもの
を、第二層レジスト溶液として用いる。
は単独あるいは混合物の形で用いても差し支えない。）
を70〜100重量％含有するベースポリマー70〜95重量％
（アルカリ可溶性有機ケイ素ポリマーに、例えばノボラ
ック樹脂のような皮膜形成助剤になるポリマーを０〜30
重量％の範囲で混合することができる。この範囲を越え
ると、酸素プラズマ耐性の点で好ましくない。）と感光
性溶解阻害剤30〜５重量％（この範囲を越える量の感光
性溶解阻害剤を用いた場合には、感度，酸素プラズマ耐
性の点で好ましくない。なお感光性溶解阻害剤は、単一
物質でも、また複数の物質からなる混合物でも差しつか
えない。）とからなる感光性樹脂組成物を、エチルセロ
ソルブアセテート等の汎用有機溶剤に溶解させたもの
を、第二層レジスト溶液として用いる。
次に上記感光性樹脂組成物を用いた二層レジスト法の概
略を述べる。まず二層レジスト法の第一レジスト層とし
ては、市販ポジ形レジスト（例えば、シップレイ社製AZ
1350J,マイクロポジット1300シリーズ，東京応化製OFPR
800等）をハードベークしたものや、ポリイミド樹脂
（例えば、日立化成製PIQ）が使用できる。これらの下
地平坦化材は、基板の凹凸を十分に平坦化するととも
に、第二レジスト層の露光光を十分に吸収し、かつ第二
レジスト層の塗布，現像，リンス時に侵されることが全
く無い。
略を述べる。まず二層レジスト法の第一レジスト層とし
ては、市販ポジ形レジスト（例えば、シップレイ社製AZ
1350J,マイクロポジット1300シリーズ，東京応化製OFPR
800等）をハードベークしたものや、ポリイミド樹脂
（例えば、日立化成製PIQ）が使用できる。これらの下
地平坦化材は、基板の凹凸を十分に平坦化するととも
に、第二レジスト層の露光光を十分に吸収し、かつ第二
レジスト層の塗布，現像，リンス時に侵されることが全
く無い。
これらの下地平坦化材をスピン塗布し、所定条件でハー
ドベークしたものを第一レジスト層とする。この上に、
上記第二層レジスト溶液をスピン塗布し、所定条件でプ
リベークして二層レジストを形成する。（図の（ａ）に
相当。）次いで、上層（第二レジスト層）に、所望のパ
ターン露光を施し、アルカリ現像液、例えば水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液を用いて、被照射部分のみ
を選択的に溶解させ、ポジ形のレジストパターンを上層
に形成する。これを酸素プラズマによるドライエッチン
グ（O2リアクティブイオンエッチングまたはO2RIEと称
する。）で処理すると、上層レジストパターンをマスク
として、下層（第一レジスト層）を加工することができ
る。この時、目的によって下層の加工形状を、O2RIE中
の酸素ガス圧（Po2）により制御することが可能であ
る。高アスペクト比の垂直形状を得るためには、比較的
低い酸素ガス圧（Po2＜数mtorr）が望ましく、また比較
的高い酸素ガス圧（Po2＞数＋mtorr）では、テーパエッ
チ形状が可能である。
ドベークしたものを第一レジスト層とする。この上に、
上記第二層レジスト溶液をスピン塗布し、所定条件でプ
リベークして二層レジストを形成する。（図の（ａ）に
相当。）次いで、上層（第二レジスト層）に、所望のパ
ターン露光を施し、アルカリ現像液、例えば水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液を用いて、被照射部分のみ
を選択的に溶解させ、ポジ形のレジストパターンを上層
に形成する。これを酸素プラズマによるドライエッチン
グ（O2リアクティブイオンエッチングまたはO2RIEと称
する。）で処理すると、上層レジストパターンをマスク
として、下層（第一レジスト層）を加工することができ
る。この時、目的によって下層の加工形状を、O2RIE中
の酸素ガス圧（Po2）により制御することが可能であ
る。高アスペクト比の垂直形状を得るためには、比較的
低い酸素ガス圧（Po2＜数mtorr）が望ましく、また比較
的高い酸素ガス圧（Po2＞数＋mtorr）では、テーパエッ
チ形状が可能である。
以上の様な二層レジストプロセスにより、少なくともア
スペクト比３以上で、サブミクロンレベルの微細加工が
容易にできる。
スペクト比３以上で、サブミクロンレベルの微細加工が
容易にできる。
まず本発明に関する感光性樹脂組成物において、一方の
成分であるアルカリ可溶性有機ケイ素ポリマーは、酸素
プラズマ中でケイ素酸化物被膜を形成するため、O2RIE
耐性膜として機能する。他方、もうひとつの主成分であ
る感光性溶解阻害剤は、未露光部においては上記アルカ
リ可溶性有機ケイ素ポリマーのアルカリ可溶化を阻害
し、露光部においては光分解により阻害剤自体がアルカ
リ可溶性となり、露光部全体をアルカリ現像液に溶解さ
せる働きをする。従って、これら二つの主成分からなる
感光性樹脂組成物は、二層レジスト法の上層レジスト
（第二レジスト）として使用できる。即ち、半導体基板
面上に適当な有機高分子材料からなる第一レジスト層を
形成し、この上に上記感光性樹脂組成物からなる第二レ
ジスト層を形成し、第二レジスト層を上述の様にパター
ニングすると、この第二レジスト層が高いO2RIE耐性持
つのでこのパターンをマスクとして、第一レジスト層を
O2RIEによりドライエッチすることができる。
成分であるアルカリ可溶性有機ケイ素ポリマーは、酸素
プラズマ中でケイ素酸化物被膜を形成するため、O2RIE
耐性膜として機能する。他方、もうひとつの主成分であ
る感光性溶解阻害剤は、未露光部においては上記アルカ
リ可溶性有機ケイ素ポリマーのアルカリ可溶化を阻害
し、露光部においては光分解により阻害剤自体がアルカ
リ可溶性となり、露光部全体をアルカリ現像液に溶解さ
せる働きをする。従って、これら二つの主成分からなる
感光性樹脂組成物は、二層レジスト法の上層レジスト
（第二レジスト）として使用できる。即ち、半導体基板
面上に適当な有機高分子材料からなる第一レジスト層を
形成し、この上に上記感光性樹脂組成物からなる第二レ
ジスト層を形成し、第二レジスト層を上述の様にパター
ニングすると、この第二レジスト層が高いO2RIE耐性持
つのでこのパターンをマスクとして、第一レジスト層を
O2RIEによりドライエッチすることができる。
以上の様なプロセスにより、高アスペクト比のサブミク
ロンパターンが容易に形成できるものである。
ロンパターンが容易に形成できるものである。
以下に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
まず本発明の第二レジスト層に用いるアルカリ可溶性有
機ケイ素ポリマーの合成例について述べる。
機ケイ素ポリマーの合成例について述べる。
合成例1. ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオ
キサン）及びポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオ
キサン−co−ｐ−ヒドロキシベンジルシスセスキオキサ
ン）の合成。
キサン）及びポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオ
キサン−co−ｐ−ヒドロキシベンジルシスセスキオキサ
ン）の合成。
1.1 ｐ−メトキシベンジルトリクロロシランの合成 攪拌機，還流管，滴下ロートおよび温度計を備えた2l三
ッ口フラスコに、マグネシウム粉末30g（1.2gatom），
四塩化ケイ素170g（1.00mol）およびジエチルエーテル5
00mlを入れる。フラスコを10℃以下に冷却した後、滴下
ロートより、塩化ｐ−メトキシベンジル100g（0.639mo
l）とジエチルエーテル200mlの混合物を４時間かけて滴
下する。室温でさらに１時間熟成した後、過剰のマグネ
シウムおよび塩化マグネシウムを吸引ロ過により除く。
ロ液を蒸留することにより目的物を44.0g（0.172mol）
得た。収率26.9％沸点117.5〜119.5℃/3.0mmHg NMRスペ
クトル（60MHz,CCl4,CH2Cl2 δ5.33）δ2.91（2H,S）,
3.90（3H,S）,6.91（2H,d,J＝8Hz）,7.20（2H,d,J＝8H
z） 1.2 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 磁石棒，滴下ロートおよび還流管を備えた、100ml三ッ
口フラスコに、炭酸水素ナトリウム11g（0.13mmol）と
水40mlを入れる。滴下ロートより、ｐ−メトキシベンジ
ルトリクロロシラン10.23g（40.0mmol）とジエチルエー
テル10mlの混合物を30分で滴下し、さらに30分間熟成す
る。反応終了後、反応混合物をエーテル抽出し、硫酸ナ
トリウムで乾燥する。ジエチルエーテルを減圧下留去し
て加水分解生成物5.10gを得た。NMRスペクトル（60MHz,
CDCl3,CH2Cl2 δ5.33）δ2.03（2H,br.S）,3.80（3H,b
r.S）,6.80（4H,br.S）。IRスペクトル（νcm-1）3400,
2950,2850,1610,1510,1460,1300,1250,1180,1090,1035,
890,835,790,760.重量平均分子量2,000. 上で得られた加水分解生成物4.80gと水酸化カリウムの1
0wt％メタノール溶液49mgを25mlナスフラスコに入れ。2
00℃で２時間加熱する。反応終了後、反応混合物をベン
ゼンに溶かし、メタノール中に滴下することにより固体
を析出させる。ロ過後減圧乾燥して4.00gの目的物を得
た。NMRスペクトル（60MHz,CDCl3,CH2Cl2 δ5.33）δ
1.91（2H,br.S）,3.78（3H,br.S）,6.73（4H,br.S）,IR
スペクトル（νcm-1）2950,2850,1615,1515,1465,1305,
1250,1195,1120,1040,840,800,770.重量平均分子量3,30
0. 1.3 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン
−co−ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン）の
合成 還流管を備えた100mlナス型フラスコに、ポリ（ｐ−メ
トキシベンジルシルセスキオキサン）3.73g（MeOC6H4CH
2SiO3/2単位で21.6mmol）とクロロホルム20mlおよびト
リメチルシリルヨード6.92g（34.6mmol）を入れ、70℃
においてマグネット棒で72時間攪拌する。室温におい
て、メタノール20mlを入れ、さらに、30分攪拌した後低
沸点物を減圧留去し、残渣をジエチルエーテルとテトラ
ヒドロフランの混合溶媒で抽出する。抽出溶液を亜硫酸
水素ナトリウム水溶液，炭酸水素ナトリウム水溶液，食
塩水で洗い、次いで、溶媒を減圧下留去する。得られた
重合体を、アセトン／ヘキサンで再沈し、減圧下加熱乾
燥して目的物を2.71g得た。重量平均分子量4000.水酸基
含有量100％、NMRスペクトル（60MHz,DMSO-d6,CH2Cl2
δ5.68）δ1.75（2H,br.S）,6.58（4H,br.S）,8.88（−
0H,br.S）,IRスペクトル（νcm-1）3350,1620,1515,145
0,1240,1185,1120,1040,840,805,760.水酸基含有量はト
リメチルシリルヨードの量あるいは反応時間により制御
することができる。例えば、1.6当量のトリメチルシリ
ルヨードを用いて、反応時間４時間では39％,7時間で54
％,12時間で75％,22時間で85％,50時間で100％の変換率
であった。
ッ口フラスコに、マグネシウム粉末30g（1.2gatom），
四塩化ケイ素170g（1.00mol）およびジエチルエーテル5
00mlを入れる。フラスコを10℃以下に冷却した後、滴下
ロートより、塩化ｐ−メトキシベンジル100g（0.639mo
l）とジエチルエーテル200mlの混合物を４時間かけて滴
下する。室温でさらに１時間熟成した後、過剰のマグネ
シウムおよび塩化マグネシウムを吸引ロ過により除く。
ロ液を蒸留することにより目的物を44.0g（0.172mol）
得た。収率26.9％沸点117.5〜119.5℃/3.0mmHg NMRスペ
クトル（60MHz,CCl4,CH2Cl2 δ5.33）δ2.91（2H,S）,
3.90（3H,S）,6.91（2H,d,J＝8Hz）,7.20（2H,d,J＝8H
z） 1.2 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサ
ン）の合成 磁石棒，滴下ロートおよび還流管を備えた、100ml三ッ
口フラスコに、炭酸水素ナトリウム11g（0.13mmol）と
水40mlを入れる。滴下ロートより、ｐ−メトキシベンジ
ルトリクロロシラン10.23g（40.0mmol）とジエチルエー
テル10mlの混合物を30分で滴下し、さらに30分間熟成す
る。反応終了後、反応混合物をエーテル抽出し、硫酸ナ
トリウムで乾燥する。ジエチルエーテルを減圧下留去し
て加水分解生成物5.10gを得た。NMRスペクトル（60MHz,
CDCl3,CH2Cl2 δ5.33）δ2.03（2H,br.S）,3.80（3H,b
r.S）,6.80（4H,br.S）。IRスペクトル（νcm-1）3400,
2950,2850,1610,1510,1460,1300,1250,1180,1090,1035,
890,835,790,760.重量平均分子量2,000. 上で得られた加水分解生成物4.80gと水酸化カリウムの1
0wt％メタノール溶液49mgを25mlナスフラスコに入れ。2
00℃で２時間加熱する。反応終了後、反応混合物をベン
ゼンに溶かし、メタノール中に滴下することにより固体
を析出させる。ロ過後減圧乾燥して4.00gの目的物を得
た。NMRスペクトル（60MHz,CDCl3,CH2Cl2 δ5.33）δ
1.91（2H,br.S）,3.78（3H,br.S）,6.73（4H,br.S）,IR
スペクトル（νcm-1）2950,2850,1615,1515,1465,1305,
1250,1195,1120,1040,840,800,770.重量平均分子量3,30
0. 1.3 ポリ（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン
−co−ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン）の
合成 還流管を備えた100mlナス型フラスコに、ポリ（ｐ−メ
トキシベンジルシルセスキオキサン）3.73g（MeOC6H4CH
2SiO3/2単位で21.6mmol）とクロロホルム20mlおよびト
リメチルシリルヨード6.92g（34.6mmol）を入れ、70℃
においてマグネット棒で72時間攪拌する。室温におい
て、メタノール20mlを入れ、さらに、30分攪拌した後低
沸点物を減圧留去し、残渣をジエチルエーテルとテトラ
ヒドロフランの混合溶媒で抽出する。抽出溶液を亜硫酸
水素ナトリウム水溶液，炭酸水素ナトリウム水溶液，食
塩水で洗い、次いで、溶媒を減圧下留去する。得られた
重合体を、アセトン／ヘキサンで再沈し、減圧下加熱乾
燥して目的物を2.71g得た。重量平均分子量4000.水酸基
含有量100％、NMRスペクトル（60MHz,DMSO-d6,CH2Cl2
δ5.68）δ1.75（2H,br.S）,6.58（4H,br.S）,8.88（−
0H,br.S）,IRスペクトル（νcm-1）3350,1620,1515,145
0,1240,1185,1120,1040,840,805,760.水酸基含有量はト
リメチルシリルヨードの量あるいは反応時間により制御
することができる。例えば、1.6当量のトリメチルシリ
ルヨードを用いて、反応時間４時間では39％,7時間で54
％,12時間で75％,22時間で85％,50時間で100％の変換率
であった。
なお、これら重合体の水酸基含有量の値は、反応を重ク
ロロホルム中で行ない、メトキシ基がトリメチルシロキ
シ基に変換される過程をNMRスペクトルにより追跡して
決定した。
ロロホルム中で行ない、メトキシ基がトリメチルシロキ
シ基に変換される過程をNMRスペクトルにより追跡して
決定した。
上記重合体の溶解性に関して、代表的な汎用有機溶剤で
調べた結果、水酸基含有量40％以上の重合体は、メタノ
ール，テトラヒドロフラン,N,N−ジメチルアセトアミ
ド,2−メチルシクロヘキサノン，酢酸イソアミル，メチ
ルセロソルブ，ジメチルスルホキシドには溶解したが、
トルエン，ヘキサン，四塩化炭素には不溶であった。一
方、水溶液では、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液，水酸化ナトリウム水溶液に溶解した。
調べた結果、水酸基含有量40％以上の重合体は、メタノ
ール，テトラヒドロフラン,N,N−ジメチルアセトアミ
ド,2−メチルシクロヘキサノン，酢酸イソアミル，メチ
ルセロソルブ，ジメチルスルホキシドには溶解したが、
トルエン，ヘキサン，四塩化炭素には不溶であった。一
方、水溶液では、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液，水酸化ナトリウム水溶液に溶解した。
また、酸素プラズマ耐性に関しては、以下のようにして
調べた。すなわち、それぞれの重合体の10重量％エチル
セロソルブ溶液をシリコン基板上にスピンコーティング
法により塗布し、100℃30分間プリベークして膜厚約0.2
μｍの重合体塗膜を形成した。つづいて、バレル形アッ
シャーを用いて、酸素プラズマ（条件：酸素圧0.5torr,
RF300W）に20分間さらしたが、上記重合体は全く膜べり
しなかった。しかし、平行平板型O2RIE装置（条件：酸
素圧20mtorr,RF200W（14MHz），カソードバイアス電圧
−130V）を用いた所、重合体XXVは23Å/minの膜べり速
度であった。この時、一般に酸素プラズマ耐性が比較的
高いとされている有機物、例えば、PIQ（日立化成製）,
OFPR-800（東京応化製）,AZ1350J（ヘキスト社製）等は
約1220Å/minの膜べり速度であった。また、上記重合体
の膜べり速度は水酸基含有量にほとんど影響されなかっ
た。
調べた。すなわち、それぞれの重合体の10重量％エチル
セロソルブ溶液をシリコン基板上にスピンコーティング
法により塗布し、100℃30分間プリベークして膜厚約0.2
μｍの重合体塗膜を形成した。つづいて、バレル形アッ
シャーを用いて、酸素プラズマ（条件：酸素圧0.5torr,
RF300W）に20分間さらしたが、上記重合体は全く膜べり
しなかった。しかし、平行平板型O2RIE装置（条件：酸
素圧20mtorr,RF200W（14MHz），カソードバイアス電圧
−130V）を用いた所、重合体XXVは23Å/minの膜べり速
度であった。この時、一般に酸素プラズマ耐性が比較的
高いとされている有機物、例えば、PIQ（日立化成製）,
OFPR-800（東京応化製）,AZ1350J（ヘキスト社製）等は
約1220Å/minの膜べり速度であった。また、上記重合体
の膜べり速度は水酸基含有量にほとんど影響されなかっ
た。
次に二層レジスト法の実施例について詳細に述べる。
実施例1. まず、シリコンウェハ上に第一レジスト層としてOFPR-8
00（東京応化製）を２μｍ厚にスピン塗布し、90℃で30
分、次いで200℃で30分ベークした。（以下これを“ハ
ードベークOFPR-800"と略称する。） 次に、合成例１の1.3で合成したアルカリ可溶性ポリオ
ルガノシルセスキオキサン系重合体（以後“アルカリ可
溶ベースポリマー”と略称する。）であるポリ（ｐ−メ
トキシベンジルシルセスキオキサン−co−ｐ−ヒドロキ
シベンジルシスセスキオキサン）（ただし、一般式XXV
において、n/（ｍ＋ｎ）＝1.0、すなわちOH化率100％の
もの）と前述した1,2−ナフトキノンジアジド誘導体（X
II）（アルカリ可溶ベースポリマーの20wt％）をエチル
セロソルブアセテートに溶解させ、第二レジスト溶液と
した。（ただし、レジスト固形分含量は、27重量％とし
た。） さて、次に上記第二レジスト溶液を第一レジスト上にス
ピン塗布し、80〜90℃で30分間プリベークした。このと
き、第二レジスト層の膜厚は1.0μｍとした。以上の様
なレジスト構成で、まず第二レジスト層の露光・現像特
性を調べた。条件を以下に示す。
00（東京応化製）を２μｍ厚にスピン塗布し、90℃で30
分、次いで200℃で30分ベークした。（以下これを“ハ
ードベークOFPR-800"と略称する。） 次に、合成例１の1.3で合成したアルカリ可溶性ポリオ
ルガノシルセスキオキサン系重合体（以後“アルカリ可
溶ベースポリマー”と略称する。）であるポリ（ｐ−メ
トキシベンジルシルセスキオキサン−co−ｐ−ヒドロキ
シベンジルシスセスキオキサン）（ただし、一般式XXV
において、n/（ｍ＋ｎ）＝1.0、すなわちOH化率100％の
もの）と前述した1,2−ナフトキノンジアジド誘導体（X
II）（アルカリ可溶ベースポリマーの20wt％）をエチル
セロソルブアセテートに溶解させ、第二レジスト溶液と
した。（ただし、レジスト固形分含量は、27重量％とし
た。） さて、次に上記第二レジスト溶液を第一レジスト上にス
ピン塗布し、80〜90℃で30分間プリベークした。このと
き、第二レジスト層の膜厚は1.0μｍとした。以上の様
なレジスト構成で、まず第二レジスト層の露光・現像特
性を調べた。条件を以下に示す。
露光条件:COBILT AF2800Hによる密着露光。
現像条件：東京応化製現像液NMD-3（2.38％水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液）を0.48％に希釈したもの
を現像液とし、これに３分間浸漬し、次いで純水に１分
間浸漬する。
ラメチルアンモニウム水溶液）を0.48％に希釈したもの
を現像液とし、これに３分間浸漬し、次いで純水に１分
間浸漬する。
上記の露光・現像条件を用いて、露光量だけを振って、
各露光量における現像後の上層レジスト残膜厚（規格
化）を露光量に対してプロットし、残膜ゼロとなる最小
露光量（この値をレジスト感度と定義する。）を求める
と、約30mJ/cm2であった。
各露光量における現像後の上層レジスト残膜厚（規格
化）を露光量に対してプロットし、残膜ゼロとなる最小
露光量（この値をレジスト感度と定義する。）を求める
と、約30mJ/cm2であった。
次に、上記露光・現像条件で第二レジスト層をパターニ
ングした。ここで、同一のフォトマスクを用いてパター
ン転写を行なう場合、第二レジスト層への転写寸法は露
光量によって変化する。そこで、便宜上１μm lines＆s
pacesが1:1で転写される露光量を最適露光量とした。本
実施例においては、最適露光量は80mJ/cm2（ただし、36
5nmで測定）であった。
ングした。ここで、同一のフォトマスクを用いてパター
ン転写を行なう場合、第二レジスト層への転写寸法は露
光量によって変化する。そこで、便宜上１μm lines＆s
pacesが1:1で転写される露光量を最適露光量とした。本
実施例においては、最適露光量は80mJ/cm2（ただし、36
5nmで測定）であった。
そこで上記の条件で第二レジスト層をパターニングした
後、平行平板形RIE装置を用いて、O2RIE（条件：O2圧力
＝3mtorr,RFPWR＝0.64mW/cm2（7MHz））により、20〜30
分間エッチングを行ない、上記第二レジスト層をパター
ンマスクとして、第一レジスト層のパターニングを行な
った。その結果、サブミクロンレベルのパターン寸法で
アスペクト比３以上の垂直段差形状を持つレジストパタ
ーンが精度良く得られた。この時、第二レジストパター
ンから第一レジストパターンへの寸法変換差は0.1μｍ
以下であった。
後、平行平板形RIE装置を用いて、O2RIE（条件：O2圧力
＝3mtorr,RFPWR＝0.64mW/cm2（7MHz））により、20〜30
分間エッチングを行ない、上記第二レジスト層をパター
ンマスクとして、第一レジスト層のパターニングを行な
った。その結果、サブミクロンレベルのパターン寸法で
アスペクト比３以上の垂直段差形状を持つレジストパタ
ーンが精度良く得られた。この時、第二レジストパター
ンから第一レジストパターンへの寸法変換差は0.1μｍ
以下であった。
実施例2.〜 実施例1.と同様にして、第１表に示した種々の条件によ
り二層レジスト法を試みたところ、いずれにおいても、
サブミクロンレベルのパターン寸法でアスペクト比３以
上の垂直段差形状を持つ微細レジストパターンを得るこ
とが出来た。
り二層レジスト法を試みたところ、いずれにおいても、
サブミクロンレベルのパターン寸法でアスペクト比３以
上の垂直段差形状を持つ微細レジストパターンを得るこ
とが出来た。
〔発明の効果〕 以上述べた様に、本発明によれば、サブミクロンレベル
のパターン寸法で高アスペクト比の微細レジストパター
ンが精度良く得られる。しかも、現在半導体プロセスに
おいて主流を占めているアルカリ現像プロセスをそのま
ま適用できるので、実用上極めて有利であり、半導体素
子等の製造プロセスにとって非常に有力な技術である。
のパターン寸法で高アスペクト比の微細レジストパター
ンが精度良く得られる。しかも、現在半導体プロセスに
おいて主流を占めているアルカリ現像プロセスをそのま
ま適用できるので、実用上極めて有利であり、半導体素
子等の製造プロセスにとって非常に有力な技術である。
第１図は、二層レジスト法を用いたリソグラフィプロセ
スの概念図である。 １……半導基板、２……有機高分子材料被膜（第一レジ
スト層）、３……光及び放射線感応性高分子膜（第二レ
ジスト層）。
スの概念図である。 １……半導基板、２……有機高分子材料被膜（第一レジ
スト層）、３……光及び放射線感応性高分子膜（第二レ
ジスト層）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名手 和男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−3139（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−168247（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−168248（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−188539（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第一レジスト層を設け、この上に
第二レジスト層を設け、この第二レジスト層を光または
放射線により所望の部分を露光し、現像して第一レジス
ト層の所望の部分が露出したパターンを設け、露出した
第一レジスト層の部分を酸素プラズマによる反応性イオ
ンエッチングにより除去する微細パターン形成方法にお
いて、上記第二レジスト層が下記一般式（１）で表わさ
れる単位からなるアルカリ可溶性ポリオルガノシルセス
キオキサン系重合体と感光性溶解阻害剤とからなる感光
性樹脂組成物であることを特徴とする微細パターン形成
方法。 〔R1−SiO3/2〕 …（１） （ただし、一般式（１）中のR1はフェノール性水酸基を
少なくとも一つ有する有機基である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089927A JPH07113772B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089927A JPH07113772B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247350A JPS62247350A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH07113772B2 true JPH07113772B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=13984331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61089927A Expired - Lifetime JPH07113772B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07113772B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023190168A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 大日本印刷株式会社 | 硬化膜形成方法、インプリントモールド用基板の製造方法、インプリントモールドの製造方法、凹凸構造体の製造方法、パターン形成方法、ハードマスク形成方法、絶縁膜形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0769609B2 (ja) * | 1987-02-09 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613139A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP61089927A patent/JPH07113772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023190168A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 大日本印刷株式会社 | 硬化膜形成方法、インプリントモールド用基板の製造方法、インプリントモールドの製造方法、凹凸構造体の製造方法、パターン形成方法、ハードマスク形成方法、絶縁膜形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62247350A (ja) | 1987-10-28 |
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