JPH07114321B2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH07114321B2 JPH07114321B2 JP2024658A JP2465890A JPH07114321B2 JP H07114321 B2 JPH07114321 B2 JP H07114321B2 JP 2024658 A JP2024658 A JP 2024658A JP 2465890 A JP2465890 A JP 2465890A JP H07114321 B2 JPH07114321 B2 JP H07114321B2
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- thin film
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は静磁波装置に関し、特に体積前進静磁波（MS
FVW）を利用した静磁波装置に関する。
FVW）を利用した静磁波装置に関する。
（従来技術） 第７図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。静磁波装置１は、静磁波素子２を
含む。静磁波素子２は、第８図に示すように、台として
GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板３を
含む。GGG基板３上には、フェリ磁性基体としてのYIG
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜４が形成
される。YIG薄膜４の主面上には、その長手方向に間隔
を隔てて、２つのトランスデューサ5aおよび5bが形成さ
れる。
を示す図解図である。静磁波装置１は、静磁波素子２を
含む。静磁波素子２は、第８図に示すように、台として
GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板３を
含む。GGG基板３上には、フェリ磁性基体としてのYIG
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜４が形成
される。YIG薄膜４の主面上には、その長手方向に間隔
を隔てて、２つのトランスデューサ5aおよび5bが形成さ
れる。
YIG薄膜４の主面に直交する方向には、YIG薄膜４に直流
磁界を印加するための２つの磁石６が形成される。これ
らの磁石６によって、YIG薄膜４の主面に直交する向き
に、直流磁界が印加される。そして、一方のトランスデ
ューサ5aに入力信号が入力される。それによって、YIG
薄膜４上に体積前進静磁波（MSFVW）が励起される。こ
の体積前進静磁波がYIG薄膜４上を伝搬し、他方のトラ
ンスデューサ5bで受信される。そして、トランスデュー
サ5bから出力信号として出力される。
磁界を印加するための２つの磁石６が形成される。これ
らの磁石６によって、YIG薄膜４の主面に直交する向き
に、直流磁界が印加される。そして、一方のトランスデ
ューサ5aに入力信号が入力される。それによって、YIG
薄膜４上に体積前進静磁波（MSFVW）が励起される。こ
の体積前進静磁波がYIG薄膜４上を伝搬し、他方のトラ
ンスデューサ5bで受信される。そして、トランスデュー
サ5bから出力信号として出力される。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような従来の静磁波装置では、YIG
薄膜の主面に直交する方向に磁石が配置されているた
め、静磁波装置の厚みが大きくなってしまう。
薄膜の主面に直交する方向に磁石が配置されているた
め、静磁波装置の厚みが大きくなってしまう。
また、磁石の中央付近では均一な磁界を得ることができ
るが、端部付近では磁界の強さが小さくなってしまう。
そのため、YIG薄膜に均一な磁界を印加しようとすれ
ば、YIG薄膜の主面より大きい面積を有する磁石を使用
する必要がある。そのため、このような静磁波装置は、
大型のものとなっていた。
るが、端部付近では磁界の強さが小さくなってしまう。
そのため、YIG薄膜に均一な磁界を印加しようとすれ
ば、YIG薄膜の主面より大きい面積を有する磁石を使用
する必要がある。そのため、このような静磁波装置は、
大型のものとなっていた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化すること
ができ、かつフェリ磁性基体に均一な直流磁界を印加す
ることができる静磁波装置を提供することである。
ができ、かつフェリ磁性基体に均一な直流磁界を印加す
ることができる静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この発明は、フェリ磁性基体を有する静磁波素子と、フ
ェリ磁性基体の主面に直交する方向に直流磁界を印加す
るための磁石とを含む静磁波装置において、磁石は、フ
ェリ磁性基体の主面に平行する方向に配置されたことを
特徴とする、静磁波装置である。
ェリ磁性基体の主面に直交する方向に直流磁界を印加す
るための磁石とを含む静磁波装置において、磁石は、フ
ェリ磁性基体の主面に平行する方向に配置されたことを
特徴とする、静磁波装置である。
（作用） フェリ磁性基体の主面に平行する方向に磁石が配置さ
れ、その磁石による磁力線がフェリ磁性基体の主面を直
角に貫く。
れ、その磁石による磁力線がフェリ磁性基体の主面を直
角に貫く。
（発明の効果） この発明によれば、フェリ磁性基体の主面に平行する方
向に磁石が配置されるため、フェリ磁性基体の主面に直
交する方向に磁石が配置されたものに比べて、静磁波装
置を薄型化することができる。しかも、フェリ磁性基体
を貫く磁力線は、上述のように配置された磁石によるも
のであるため、フェリ磁性基体の主面より大きい面積を
有する磁石を必要とせず、小さい磁石で均一な磁界を得
ることができる。
向に磁石が配置されるため、フェリ磁性基体の主面に直
交する方向に磁石が配置されたものに比べて、静磁波装
置を薄型化することができる。しかも、フェリ磁性基体
を貫く磁力線は、上述のように配置された磁石によるも
のであるため、フェリ磁性基体の主面より大きい面積を
有する磁石を必要とせず、小さい磁石で均一な磁界を得
ることができる。
したがって、従来のものに比べて小型化され、しかもフ
ェリ磁性基体に均一な磁界を印加することができる静磁
波装置を得ることができる。
ェリ磁性基体に均一な磁界を印加することができる静磁
波装置を得ることができる。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。静磁
波装置10は静磁波素子12を含む。静磁波素子12は、台と
してのGGG基板14を含み、GGG基板14上にフェリ磁性基体
としてのYIG薄膜16が形成される。YIG薄膜16上には、そ
の長手方向に間隔を隔てて２つのトランスデューサ18a
および18bが形成される。トランスデューサ18a,18bは、
YIG薄膜16の幅方向に延びるように形成され、それぞれ
の一端が接地される。
波装置10は静磁波素子12を含む。静磁波素子12は、台と
してのGGG基板14を含み、GGG基板14上にフェリ磁性基体
としてのYIG薄膜16が形成される。YIG薄膜16上には、そ
の長手方向に間隔を隔てて２つのトランスデューサ18a
および18bが形成される。トランスデューサ18a,18bは、
YIG薄膜16の幅方向に延びるように形成され、それぞれ
の一端が接地される。
静磁波素子12の近傍には、２つの磁石20が形成される。
これらの磁石20は、YIG薄膜16の主面に平行する方向に
配置される。この実施例では、第１図においてその上側
がＮ極、下側がＳ極となるように、磁石20が配置され
る。
これらの磁石20は、YIG薄膜16の主面に平行する方向に
配置される。この実施例では、第１図においてその上側
がＮ極、下側がＳ極となるように、磁石20が配置され
る。
この静磁波装置10では、第２図に示すように、磁石20に
よってYIG薄膜16の主面に直交する方向に直流磁界が印
加される。そして、たとえば一方のトランスデューサ18
aに入力信号が入力される。この入力信号によって、YIG
薄膜16に体積前進静磁波（MSFVW）が励起され、他のト
ランスデューサ18bの方向に伝搬する。伝搬してきた静
磁波は、トランスデューサ18bで受信され、出力信号と
して出力される。
よってYIG薄膜16の主面に直交する方向に直流磁界が印
加される。そして、たとえば一方のトランスデューサ18
aに入力信号が入力される。この入力信号によって、YIG
薄膜16に体積前進静磁波（MSFVW）が励起され、他のト
ランスデューサ18bの方向に伝搬する。伝搬してきた静
磁波は、トランスデューサ18bで受信され、出力信号と
して出力される。
この静磁波装置10では、磁石20がYIG薄膜16の主面に平
行する方向に配置されるため、装置全体を薄型化するこ
とができる。また、上述のように配置された磁石によっ
て、YIG薄膜16の主面に直交する方向に直流磁界が印加
されるため、YIG薄膜16の主面より大きい面積を有する
磁石を必要とせず、小型の磁石を用いることができる。
したがって、従来のものに比べて、静磁波装置10を小型
化することができる。
行する方向に配置されるため、装置全体を薄型化するこ
とができる。また、上述のように配置された磁石によっ
て、YIG薄膜16の主面に直交する方向に直流磁界が印加
されるため、YIG薄膜16の主面より大きい面積を有する
磁石を必要とせず、小型の磁石を用いることができる。
したがって、従来のものに比べて、静磁波装置10を小型
化することができる。
なお、上述の実施例では、２つの磁石20を用いたが、第
３図に示すように、１つの磁石20に溝20aを形成し、こ
の溝20a内に静磁波素子12を置いてもよい。この場合、Y
IG薄膜16の主面に平行する方向にある部分の磁石20は同
一方向に磁化され、YIG薄膜16の主面に直交する方向に
ある部分の磁石20はそれと逆方向に磁化される。この場
合も、第３図に示すように、YIG薄膜16の主面に直交す
る方向に均一な直流磁界が印加される。そして、従来の
ものに比べて、静磁波装置10を薄型化，小型化すること
が可能である。また、第４図に示すように、複数の磁石
20を用いて、第３図に示す静磁波装置と同様の形状の静
磁波装置を形成してもよい。
３図に示すように、１つの磁石20に溝20aを形成し、こ
の溝20a内に静磁波素子12を置いてもよい。この場合、Y
IG薄膜16の主面に平行する方向にある部分の磁石20は同
一方向に磁化され、YIG薄膜16の主面に直交する方向に
ある部分の磁石20はそれと逆方向に磁化される。この場
合も、第３図に示すように、YIG薄膜16の主面に直交す
る方向に均一な直流磁界が印加される。そして、従来の
ものに比べて、静磁波装置10を薄型化，小型化すること
が可能である。また、第４図に示すように、複数の磁石
20を用いて、第３図に示す静磁波装置と同様の形状の静
磁波装置を形成してもよい。
さらに、第５図に示すように、２つの磁石20の一方側を
つなぐように、鉄などの磁性体22を形成してもよい。こ
の場合も、第５図に示すように、YIG薄膜16の主面に直
交する方向に直流磁界を印加することができ、静磁波装
置10を薄型化，小型化することができる。また、第６図
に示すように、磁石20の両側に磁性体22を形成しても同
様の効果を得ることができる。
つなぐように、鉄などの磁性体22を形成してもよい。こ
の場合も、第５図に示すように、YIG薄膜16の主面に直
交する方向に直流磁界を印加することができ、静磁波装
置10を薄型化，小型化することができる。また、第６図
に示すように、磁石20の両側に磁性体22を形成しても同
様の効果を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第２図は第１図に示す静磁波装置の磁界の分布状態を示
す図解図である。 第３図は第１図に示す静磁波装置の他の実施例と、その
磁界の分布状態を示す図解図である。 第４図は第３図に示す静磁波装置の変形例と、その磁界
の分布状態を示す図解図である。 第５図は第１図に示す静磁波装置のさらに他の実施例
と、その磁界の分布状態を示す図解図である。 第６図は第５図に示す静磁波装置の変形例と、その磁界
の分布状態を示す図解図である。 第７図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。 第８図は第７図に示す従来の静磁波装置に用いられる静
磁波素子の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12は静磁波素子、14はGG
G基板、16はYIG薄膜、20は磁石を示す。
す図解図である。 第３図は第１図に示す静磁波装置の他の実施例と、その
磁界の分布状態を示す図解図である。 第４図は第３図に示す静磁波装置の変形例と、その磁界
の分布状態を示す図解図である。 第５図は第１図に示す静磁波装置のさらに他の実施例
と、その磁界の分布状態を示す図解図である。 第６図は第５図に示す静磁波装置の変形例と、その磁界
の分布状態を示す図解図である。 第７図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。 第８図は第７図に示す従来の静磁波装置に用いられる静
磁波素子の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12は静磁波素子、14はGG
G基板、16はYIG薄膜、20は磁石を示す。
フロントページの続き (72)発明者 金谷 文夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鎌土 恭秀 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平２−288406（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−236723（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130614（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−276301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−121160（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−91325（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】フェリ磁性基体を有する静磁波素子と、前
記フェリ磁性基体の主面に直交する方向に直流磁界を印
加するための磁石とを含む静磁波装置において、 前記磁石は、前記フェリ磁性基体の主面に平行する方向
に配置されたことを特徴とする、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024658A JPH07114321B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024658A JPH07114321B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03229501A JPH03229501A (ja) | 1991-10-11 |
| JPH07114321B2 true JPH07114321B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=12144249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024658A Expired - Fee Related JPH07114321B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114321B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2024658A patent/JPH07114321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03229501A (ja) | 1991-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |