JPH07122961A - 表面弾性波素子とその製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子とその製造方法Info
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- JPH07122961A JPH07122961A JP5268542A JP26854293A JPH07122961A JP H07122961 A JPH07122961 A JP H07122961A JP 5268542 A JP5268542 A JP 5268542A JP 26854293 A JP26854293 A JP 26854293A JP H07122961 A JPH07122961 A JP H07122961A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波素子とその製造方法に関し、Ａｌ
−Ｃｕ多層電極材料の粒径を小さくしたまま、膜中の亀
裂やボイドが発生するのを阻止して長寿命の表面弾性波
素子を提供する。 【構成】 圧電性のＬｉＴａＯ3 基板１の上に、少なく
とも銅が添加されたＡｌ−１％Ｃｕ膜２，７とＣｕ膜６
を交互に形成し、この多層膜をパターニングして電極を
形成する。また、圧電性のＬｉＴａＯ3 基板１の上に、
少なくとも銅が添加されたＡｌ−１％Ｃｕ膜２，７とＣ
ｕ膜６を２００℃を超えない温度で形成し、その後の工
程も２００℃を超えない温度に保つことによって、Ａｌ
結晶粒３，８が大きく成長するのを阻止し、結晶粒界
４，９と、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２，７とＣｕ膜６の界面に
ＣｕＡｌ2 ５，１０を形成してＡｌのストレスマイグレ
ーションを低減して長寿命化する。
−Ｃｕ多層電極材料の粒径を小さくしたまま、膜中の亀
裂やボイドが発生するのを阻止して長寿命の表面弾性波
素子を提供する。 【構成】 圧電性のＬｉＴａＯ3 基板１の上に、少なく
とも銅が添加されたＡｌ−１％Ｃｕ膜２，７とＣｕ膜６
を交互に形成し、この多層膜をパターニングして電極を
形成する。また、圧電性のＬｉＴａＯ3 基板１の上に、
少なくとも銅が添加されたＡｌ−１％Ｃｕ膜２，７とＣ
ｕ膜６を２００℃を超えない温度で形成し、その後の工
程も２００℃を超えない温度に保つことによって、Ａｌ
結晶粒３，８が大きく成長するのを阻止し、結晶粒界
４，９と、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２，７とＣｕ膜６の界面に
ＣｕＡｌ2 ５，１０を形成してＡｌのストレスマイグレ
ーションを低減して長寿命化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波素子とその
製造方法に関する。一般的に、表面弾性波（ＳＡＷ）素
子は、圧電基板ならびにその上に設けられた電圧を表面
弾性波に変換もしくは逆変換するすだれ状の櫛型電極と
から構成されている。そしてその機能としては、高周波
電圧をすだれ状の櫛型電極を用いて波長が１０-5倍程度
の表面弾性波に変換し、圧電基板の表面を伝播させた
後、再びすだれ状の櫛型電極で電圧に変換する。
製造方法に関する。一般的に、表面弾性波（ＳＡＷ）素
子は、圧電基板ならびにその上に設けられた電圧を表面
弾性波に変換もしくは逆変換するすだれ状の櫛型電極と
から構成されている。そしてその機能としては、高周波
電圧をすだれ状の櫛型電極を用いて波長が１０-5倍程度
の表面弾性波に変換し、圧電基板の表面を伝播させた
後、再びすだれ状の櫛型電極で電圧に変換する。
【０００２】この表面弾性波と電圧の２回の変換の際、
櫛型電極の形状により、周波数選択性をもたせることが
でき、それを利用してフィルターあるいは共振器を形成
することができる。また、伝播速度も電磁波の１０-5倍
程度に遅くできることから遅延素子としても用いること
もできる。上記の機能を利用して小型、安価で調整が不
要なフィルター、共振器、遅延線等への応用がすでにな
されている。
櫛型電極の形状により、周波数選択性をもたせることが
でき、それを利用してフィルターあるいは共振器を形成
することができる。また、伝播速度も電磁波の１０-5倍
程度に遅くできることから遅延素子としても用いること
もできる。上記の機能を利用して小型、安価で調整が不
要なフィルター、共振器、遅延線等への応用がすでにな
されている。
【０００３】すなわち、ＴＶのＩＦフィルター、ＶＴＲ
の発振器用の共振器、コードレス電話用ＶＣＯ等のほ
か、最近は自動車電話、携帯電話等のＲＦフィルター、
ＩＦフィルターとしての利用が進んでいる。さらに、こ
の分野での応用を拡大するためには、表面弾性波素子の
通過帯域の改善と耐電力特性の向上が主な課題である。
の発振器用の共振器、コードレス電話用ＶＣＯ等のほ
か、最近は自動車電話、携帯電話等のＲＦフィルター、
ＩＦフィルターとしての利用が進んでいる。さらに、こ
の分野での応用を拡大するためには、表面弾性波素子の
通過帯域の改善と耐電力特性の向上が主な課題である。
【０００４】特に、自動車電話や携帯電話では、その送
信電力が０．６Ｗ〜３Ｗと比較的大きく、機器内のフロ
ントエンド部のフィルター、特にアンテナ分波器には大
きなＲＦ電力が加わる。これまでは、表面弾性波フィル
ターの最大入力電力は０．２Ｗ程度であり、耐電力性に
乏しかったため、アンテナ分波器には耐電力性が大きい
誘電体フィルターが用いられてきた。
信電力が０．６Ｗ〜３Ｗと比較的大きく、機器内のフロ
ントエンド部のフィルター、特にアンテナ分波器には大
きなＲＦ電力が加わる。これまでは、表面弾性波フィル
ターの最大入力電力は０．２Ｗ程度であり、耐電力性に
乏しかったため、アンテナ分波器には耐電力性が大きい
誘電体フィルターが用いられてきた。
【０００５】しかし、誘電体フィルターは大型であるた
め、機器全体を小型化する上でネックになっていた。し
たがって、表面弾性波素子の耐電力性を向上させ、表面
弾性波素子によるアンテナ分波器を実現することができ
れば、携帯電話の小型化はさらに進み、産業上の利用効
果は大きくなる。
め、機器全体を小型化する上でネックになっていた。し
たがって、表面弾性波素子の耐電力性を向上させ、表面
弾性波素子によるアンテナ分波器を実現することができ
れば、携帯電話の小型化はさらに進み、産業上の利用効
果は大きくなる。
【０００６】
【従来の技術】表面弾性波素子においては、上記のよう
に櫛型電極が用いられるが、その材料としては、質量が
軽いことと、電気抵抗値が低いことから、一般にアルミ
ニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）に微量の
異種金属を添加したアルミニウム系合金（必ずしも固溶
体でない場合が多い）が用いられてきた。そして、表面
弾性波素子によるアンテナ分波器の構造に関していくつ
かの提案がある。
に櫛型電極が用いられるが、その材料としては、質量が
軽いことと、電気抵抗値が低いことから、一般にアルミ
ニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）に微量の
異種金属を添加したアルミニウム系合金（必ずしも固溶
体でない場合が多い）が用いられてきた。そして、表面
弾性波素子によるアンテナ分波器の構造に関していくつ
かの提案がある。
【０００７】その代表的なものとしては、特開平５−１
６７３８９号公報、特開平５−１６７３８８号公報等を
挙げることができる。しかしながら、従来のアンテナ分
波器はＲＦ電力が増大したとき充分に耐えうる特性を有
していなかった。
６７３８９号公報、特開平５−１６７３８８号公報等を
挙げることができる。しかしながら、従来のアンテナ分
波器はＲＦ電力が増大したとき充分に耐えうる特性を有
していなかった。
【０００８】一般に耐電力性を評価するときは、機器の
使用しうる最大入力電力での寿命が目安になるが、従来
のアンテナ分波器では、例えば、国内ＮＴＴ仕様の携帯
電話等の場合の値である１Ｗ入力、環境温度８５℃（チ
ップ温度１２０℃）の加速劣化試験で１６００時間程度
の寿命しかなかった。これは、携帯電話の寿命から考え
て充分とはいえず、少なくともこの２倍以上は必要と考
えられている。
使用しうる最大入力電力での寿命が目安になるが、従来
のアンテナ分波器では、例えば、国内ＮＴＴ仕様の携帯
電話等の場合の値である１Ｗ入力、環境温度８５℃（チ
ップ温度１２０℃）の加速劣化試験で１６００時間程度
の寿命しかなかった。これは、携帯電話の寿命から考え
て充分とはいえず、少なくともこの２倍以上は必要と考
えられている。
【０００９】表面弾性波素子の寿命を決めているのは、
主に、フィルターの電極指（櫛型電極指ＩＤＴ）の耐電
力性であり、従来から半導体装置の分野でマイグレーシ
ョンに強いことで定評があったスパッタ成膜による微量
の銅が添加されたアルミニウム系合金膜が用いられてき
たが、高電力負荷がかかるアンテナ分波器として用いら
れる表面弾性波素子の電極材料としては不十分であっ
た。上記の特許文献の他に、表面弾性波素子の電極の耐
電力性を向上させる方法として下記のような技術が報告
されている。
主に、フィルターの電極指（櫛型電極指ＩＤＴ）の耐電
力性であり、従来から半導体装置の分野でマイグレーシ
ョンに強いことで定評があったスパッタ成膜による微量
の銅が添加されたアルミニウム系合金膜が用いられてき
たが、高電力負荷がかかるアンテナ分波器として用いら
れる表面弾性波素子の電極材料としては不十分であっ
た。上記の特許文献の他に、表面弾性波素子の電極の耐
電力性を向上させる方法として下記のような技術が報告
されている。
【００１０】１．アルミニウム（Ａｌ）系合金の添加金
属を変える。例えば、アルミニウム−チタン合金（Ａｌ
−Ｔｉ）等を用いることは、第１７回ＥＭシンポジウム
予稿集のｐｐ．７−１２「ＳＡＷ耐電力電極のＡｌ系薄
膜材料と作成法の検討」（湯原他）に詳しく報告されて
いる。この報告によると、電極の材料をアルミニウムチ
タン（Ａｌ−Ｔｉ）合金に変えることによって表面弾性
波素子の寿命がアルミニウム銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金膜の
１０倍程度に増加している。
属を変える。例えば、アルミニウム−チタン合金（Ａｌ
−Ｔｉ）等を用いることは、第１７回ＥＭシンポジウム
予稿集のｐｐ．７−１２「ＳＡＷ耐電力電極のＡｌ系薄
膜材料と作成法の検討」（湯原他）に詳しく報告されて
いる。この報告によると、電極の材料をアルミニウムチ
タン（Ａｌ−Ｔｉ）合金に変えることによって表面弾性
波素子の寿命がアルミニウム銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金膜の
１０倍程度に増加している。
【００１１】２．アルミニウム（Ａｌ）エピタキシャル
単結晶膜を用いる。この方法は、アルミニウム（Ａｌ）
のストレスマイグレーションにおける粒界拡散が、単結
晶化により抑えられることを利用したもので、電子情報
通信学会論文誌Ａ，Ｖｏｌ．Ｊ７６−Ａ，Ｎｏ．２，ｐ
ｐ．１４５〜１５２（１９９３）（家木他）に報告され
ている。
単結晶膜を用いる。この方法は、アルミニウム（Ａｌ）
のストレスマイグレーションにおける粒界拡散が、単結
晶化により抑えられることを利用したもので、電子情報
通信学会論文誌Ａ，Ｖｏｌ．Ｊ７６−Ａ，Ｎｏ．２，ｐ
ｐ．１４５〜１５２（１９９３）（家木他）に報告され
ている。
【００１２】この方法による寿命の伸びは、蒸着による
アルミニウム銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）膜の２０００倍と報
告されている。蒸着によるアルミニウム銅合金（Ａｌ−
Ｃｕ）膜はスパッタ成膜によるものに比べて、もともと
寿命が１〜２桁短いため（前記湯原他の論文参照）、実
質的には２０〜２００倍の範囲と判断される。ただし、
この方法は現在のところ下地の基板材料として水晶の時
にしかエピタキシャル成長できることを確認しておら
ず、移動通信のフィルターとしてよく使われる基板材料
であるＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 では実現されていな
い。
アルミニウム銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）膜の２０００倍と報
告されている。蒸着によるアルミニウム銅合金（Ａｌ−
Ｃｕ）膜はスパッタ成膜によるものに比べて、もともと
寿命が１〜２桁短いため（前記湯原他の論文参照）、実
質的には２０〜２００倍の範囲と判断される。ただし、
この方法は現在のところ下地の基板材料として水晶の時
にしかエピタキシャル成長できることを確認しておら
ず、移動通信のフィルターとしてよく使われる基板材料
であるＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 では実現されていな
い。
【００１３】表面弾性波素子におけるストレスマイグレ
ーションは、前記のように半導体装置の配線技術におけ
るエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーシ
ョンと類似した点があり、アルミニウム銅合金（Ａｌ−
Ｃｕ）膜を採用したときのように、半導体装置における
耐マイグレーション技術は、表面弾性波素子における耐
マイグレーション技術の参考になるが、これらの中で最
近注目されているのは次の技術である。
ーションは、前記のように半導体装置の配線技術におけ
るエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーシ
ョンと類似した点があり、アルミニウム銅合金（Ａｌ−
Ｃｕ）膜を採用したときのように、半導体装置における
耐マイグレーション技術は、表面弾性波素子における耐
マイグレーション技術の参考になるが、これらの中で最
近注目されているのは次の技術である。
【００１４】アルミニウム（Ａｌ）膜の中間に、アルミ
ニウム（Ａｌ）と遷移金属の金属間化合物膜を層状に形
成して、アルミニウム（Ａｌ）原子のエレクトロマイグ
レーションをその金属間化合物でブロックする方法であ
る。この方法は、米国特許第４０１７８９０号明細書
（１９７７年４月、ＩＢＭのＪ．Ｋ．Ｈｏｗａｒｄ）に
記載され、関連してＪ．Ｋ．Ｈｏｗａｒｄ，Ｊ．Ｆ．Ｗ
ｈｉｔｅ，Ｐ．Ｓ．Ｈｏ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
Ｖｏｌ．４９，ｐ．４０８３（１９７８）に報告されて
いる。これらの報告によると、遷移金属としてクローム
（Ｃｒ）を使った時に寿命が最大になり、アルミニウム
銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）の１０倍程度となっている。しか
し、本発明の発明者がこの方法を表面弾性波素子の電極
に適用したところ充分な効果を生じなかった。
ニウム（Ａｌ）と遷移金属の金属間化合物膜を層状に形
成して、アルミニウム（Ａｌ）原子のエレクトロマイグ
レーションをその金属間化合物でブロックする方法であ
る。この方法は、米国特許第４０１７８９０号明細書
（１９７７年４月、ＩＢＭのＪ．Ｋ．Ｈｏｗａｒｄ）に
記載され、関連してＪ．Ｋ．Ｈｏｗａｒｄ，Ｊ．Ｆ．Ｗ
ｈｉｔｅ，Ｐ．Ｓ．Ｈｏ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
Ｖｏｌ．４９，ｐ．４０８３（１９７８）に報告されて
いる。これらの報告によると、遷移金属としてクローム
（Ｃｒ）を使った時に寿命が最大になり、アルミニウム
銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）の１０倍程度となっている。しか
し、本発明の発明者がこの方法を表面弾性波素子の電極
に適用したところ充分な効果を生じなかった。
【００１５】以上説明したように、電極材料を改善する
従来技術として、いくつかの方法があるが、どの方法も
充分な耐電力性を有しておらず、さらに性能の優れた電
極材料の開発が必要になっている。
従来技術として、いくつかの方法があるが、どの方法も
充分な耐電力性を有しておらず、さらに性能の優れた電
極材料の開発が必要になっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】前記のアルミニウム
（Ａｌ）膜とアルミニウム（Ａｌ）と遷移金属の金属間
化合物膜の多層構造により耐電力性を向上する方法は、
表面弾性波素子に適用した場合には効果がないどころ
か、かえって劣化した。
（Ａｌ）膜とアルミニウム（Ａｌ）と遷移金属の金属間
化合物膜の多層構造により耐電力性を向上する方法は、
表面弾性波素子に適用した場合には効果がないどころ
か、かえって劣化した。
【００１７】図６は、従来の３層構造の電極を有する表
面弾性波フィルターの構造説明図である。この図におい
て、１１はＬｉＴａＯ3 圧電基板、１２はＡｌ−１％Ｃ
ｕ合金膜、１３はＴａ膜、１４はＡｌ−１％Ｃｕ膜、１
５，１６はＡｌ−Ｔａ合金膜である。
面弾性波フィルターの構造説明図である。この図におい
て、１１はＬｉＴａＯ3 圧電基板、１２はＡｌ−１％Ｃ
ｕ合金膜、１３はＴａ膜、１４はＡｌ−１％Ｃｕ膜、１
５，１６はＡｌ−Ｔａ合金膜である。
【００１８】この従来の３層構造電極構造を用いた表面
弾性波フィルターにおいては、ＬｉＴａＯ3 圧電基板１
１の上に、厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ合金膜１２
を形成し、その上に厚さ５００ÅのＴａ膜１３を形成
し、その上に厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜１４を
形成し、真空中で４００℃の熱処理を施して、Ａｌ−１
％Ｃｕ合金膜１２，１４とＴａ膜１３の界面と、Ａｌ−
１％Ｃｕ合金膜１２，１４の粒界に充分なＴａ−Ａｌ
（ＴａＡｌ3 ）１５，１６を形成し、これを櫛型にパタ
ーニングして電極を形成していた。
弾性波フィルターにおいては、ＬｉＴａＯ3 圧電基板１
１の上に、厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ合金膜１２
を形成し、その上に厚さ５００ÅのＴａ膜１３を形成
し、その上に厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜１４を
形成し、真空中で４００℃の熱処理を施して、Ａｌ−１
％Ｃｕ合金膜１２，１４とＴａ膜１３の界面と、Ａｌ−
１％Ｃｕ合金膜１２，１４の粒界に充分なＴａ−Ａｌ
（ＴａＡｌ3 ）１５，１６を形成し、これを櫛型にパタ
ーニングして電極を形成していた。
【００１９】この表面弾性波フィルターの寿命を、チッ
プ温度１２０℃、高周波電力１Ｗで加速劣化試験によっ
て測定した結果は１００時間となり、厚さ３２００Åの
Ａｌ−１％Ｃｕ単層膜を用いた場合の１６００時間に比
べ１／１６とかえって悪くなった。
プ温度１２０℃、高周波電力１Ｗで加速劣化試験によっ
て測定した結果は１００時間となり、厚さ３２００Åの
Ａｌ−１％Ｃｕ単層膜を用いた場合の１６００時間に比
べ１／１６とかえって悪くなった。
【００２０】図７は、従来の３層構造の電極を有する表
面弾性波フィルターの耐電力特性説明図である。この図
の横軸は入力電力、縦軸は寿命（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ
Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ ＭＴＴＦ）であり、曲線ａは熱
処理しない場合のＡｌ−１％Ｃｕ単層膜、曲線ｂは熱処
理をしない場合のＡｌ−１％Ｃｕ／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃ
ｕ膜、曲線ｃは４００℃で熱処理をした場合のＡｌ−１
％Ｃｕ／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜の耐電力性（寿命）を
示している。なお、各膜を形成するときの基板温度はい
ずれも１２０℃である。
面弾性波フィルターの耐電力特性説明図である。この図
の横軸は入力電力、縦軸は寿命（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ
Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ ＭＴＴＦ）であり、曲線ａは熱
処理しない場合のＡｌ−１％Ｃｕ単層膜、曲線ｂは熱処
理をしない場合のＡｌ−１％Ｃｕ／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃ
ｕ膜、曲線ｃは４００℃で熱処理をした場合のＡｌ−１
％Ｃｕ／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜の耐電力性（寿命）を
示している。なお、各膜を形成するときの基板温度はい
ずれも１２０℃である。
【００２１】前記のＪ．Ｋ．Ｈｏｗａｒｄ他の文献によ
れば、上記の構造の３層構造電極を有する表面弾性波フ
ィルターは、Ａｌ−１％Ｃｕ膜に比べて２０倍以上の長
寿命が得られるはずであるが、実験によれば、通常の４
００℃の熱処理条件下で成膜した場合のＡｌ−１％Ｃｕ
／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（曲線ｃ参照）は、熱処理し
ないＡｌ−１％Ｃｕ単層膜（曲線ａ参照）の寿命より著
しく短いという結果が得られた。
れば、上記の構造の３層構造電極を有する表面弾性波フ
ィルターは、Ａｌ−１％Ｃｕ膜に比べて２０倍以上の長
寿命が得られるはずであるが、実験によれば、通常の４
００℃の熱処理条件下で成膜した場合のＡｌ−１％Ｃｕ
／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（曲線ｃ参照）は、熱処理し
ないＡｌ−１％Ｃｕ単層膜（曲線ａ参照）の寿命より著
しく短いという結果が得られた。
【００２２】この違いは、半導体装置の配線の寿命劣化
と、表面弾性波フィルターのＩＤＴの寿命劣化とは、そ
のメカニズムが異なる部分があるためである。これを簡
単にいえば、半導体装置の配線の寿命劣化は、Ａｌ電子
のエレクトロマイグレーションと静的なストレスマイグ
レーションの両方が関与しているのに対し、表面弾性波
フィルターのＩＤＴの寿命劣化は主に動的なストレスマ
イグレーションが影響している。
と、表面弾性波フィルターのＩＤＴの寿命劣化とは、そ
のメカニズムが異なる部分があるためである。これを簡
単にいえば、半導体装置の配線の寿命劣化は、Ａｌ電子
のエレクトロマイグレーションと静的なストレスマイグ
レーションの両方が関与しているのに対し、表面弾性波
フィルターのＩＤＴの寿命劣化は主に動的なストレスマ
イグレーションが影響している。
【００２３】そして、寿命劣化に関与するパラメータに
よっては、エレクトロマイグレーションと動的ストレス
マイグレーションの違いによって、全く逆に作用する場
合がある。代表的な例は、Ａｌの粒径であり、文献
（Ｊ．Ｂ．Ｇｈａｔｅ，“Ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔ
ｉｏｎ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｆａｉｌｕｒｅ ＶＬＳＩ
Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ”，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔ
ｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｐｐ１１３〜１２０，１９
８３）によれば、半導体装置の配線の場合、粒径が大き
いほどエレクトロマイグレーションが抑えられ寿命が長
くなる。一方、前記の湯原他の文献によれば、表面弾性
波素子の場合、粒径が大きいほど、寿命は逆に短くな
る。
よっては、エレクトロマイグレーションと動的ストレス
マイグレーションの違いによって、全く逆に作用する場
合がある。代表的な例は、Ａｌの粒径であり、文献
（Ｊ．Ｂ．Ｇｈａｔｅ，“Ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔ
ｉｏｎ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｆａｉｌｕｒｅ ＶＬＳＩ
Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ”，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔ
ｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｐｐ１１３〜１２０，１９
８３）によれば、半導体装置の配線の場合、粒径が大き
いほどエレクトロマイグレーションが抑えられ寿命が長
くなる。一方、前記の湯原他の文献によれば、表面弾性
波素子の場合、粒径が大きいほど、寿命は逆に短くな
る。
【００２４】図８は、電極材料の粒径と寿命の模式的関
係説明図である。この図の横軸は電極材料の粒径を示
し、縦軸は寿命を示している。この図に示されているよ
うに、半導体装置の配線の場合は、エレクトロマイグレ
ーションが主となっているため寿命は電極材料の粒径と
ともに長くなり、表面弾性波素子（ＳＡＷ）の電極の場
合は、ストレスマイグレーションが主となっているため
電極材料の粒径とともに短くなる。この粒径は、熱処理
を加えることによって大きくなる。
係説明図である。この図の横軸は電極材料の粒径を示
し、縦軸は寿命を示している。この図に示されているよ
うに、半導体装置の配線の場合は、エレクトロマイグレ
ーションが主となっているため寿命は電極材料の粒径と
ともに長くなり、表面弾性波素子（ＳＡＷ）の電極の場
合は、ストレスマイグレーションが主となっているため
電極材料の粒径とともに短くなる。この粒径は、熱処理
を加えることによって大きくなる。
【００２５】以上の因果関係から、図７の曲線ｃで示さ
れた従来通常に行われていた４００℃の熱処理を加えて
成膜したＡｌ−１％Ｃｕ／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜の劣
化の原因はこの４００℃の熱処理にあり、この熱処理に
よって粒径が大きくなり、ストレスマイグレーションが
起こりやすくなったため、寿命が短くなったものと考え
ることができる。
れた従来通常に行われていた４００℃の熱処理を加えて
成膜したＡｌ−１％Ｃｕ／Ｔａ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜の劣
化の原因はこの４００℃の熱処理にあり、この熱処理に
よって粒径が大きくなり、ストレスマイグレーションが
起こりやすくなったため、寿命が短くなったものと考え
ることができる。
【００２６】これらをさらに裏付けるデータとして、同
じ構成の３層膜を熱処理を行わず、しかも全工程中で２
００℃を超えないように配慮して形成した表面弾性波フ
ィルターの寿命を評価すると図７の曲線ｂのようにな
り、熱処理しないＡｌ−１％Ｃｕ単層膜（曲線ａ参照）
と同程度になる。４００℃程度の高温での熱処理を行わ
ないことによって、寿命は１桁近く向上していることが
わかる。
じ構成の３層膜を熱処理を行わず、しかも全工程中で２
００℃を超えないように配慮して形成した表面弾性波フ
ィルターの寿命を評価すると図７の曲線ｂのようにな
り、熱処理しないＡｌ−１％Ｃｕ単層膜（曲線ａ参照）
と同程度になる。４００℃程度の高温での熱処理を行わ
ないことによって、寿命は１桁近く向上していることが
わかる。
【００２７】これは、電極材料の粒径が小さく保たれて
いるためであるが、この場合、粒径が小さくて寿命が比
較的長いとはいっても、熱処理をしていないため層間の
Ａｌと遷移金属の合金が形成されず、膜中に発生する亀
裂、すなわち、ボイドの成長を阻止するストッパーの役
割がないため、寿命は、熱処理しないＡｌ−１％Ｃｕ単
層膜（曲線ａ参照）よりは改善されないままである。本
発明は、Ａｌ−Ｃｕ多層電極材料の粒径を小さくしたま
ま、膜中に亀裂やボイドが発生するのを阻止して長寿命
の表面弾性波素子を提供することを目的とする。
いるためであるが、この場合、粒径が小さくて寿命が比
較的長いとはいっても、熱処理をしていないため層間の
Ａｌと遷移金属の合金が形成されず、膜中に発生する亀
裂、すなわち、ボイドの成長を阻止するストッパーの役
割がないため、寿命は、熱処理しないＡｌ−１％Ｃｕ単
層膜（曲線ａ参照）よりは改善されないままである。本
発明は、Ａｌ−Ｃｕ多層電極材料の粒径を小さくしたま
ま、膜中に亀裂やボイドが発生するのを阻止して長寿命
の表面弾性波素子を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる表面弾性
波素子においては、圧電基板の上に、少なくとも銅が添
加されたアルミニウム合金の膜と銅の膜が交互に積層さ
れた電極が形成された構成を採用した。
波素子においては、圧電基板の上に、少なくとも銅が添
加されたアルミニウム合金の膜と銅の膜が交互に積層さ
れた電極が形成された構成を採用した。
【００２９】この場合、少なくとも銅が添加されたアル
ミニウム合金の膜と銅の膜とは、互いにその内部応力の
向きが逆であり、合計の内部応力がほぼ零、もしくは、
圧縮応力である構成を用いることによってＡｌのストレ
スマイグレーションを低減することができる。
ミニウム合金の膜と銅の膜とは、互いにその内部応力の
向きが逆であり、合計の内部応力がほぼ零、もしくは、
圧縮応力である構成を用いることによってＡｌのストレ
スマイグレーションを低減することができる。
【００３０】また、この場合、圧電材料をＬｉＴａＯ3
またはＬｉＮｂＯ3 にすることができる。
またはＬｉＮｂＯ3 にすることができる。
【００３１】また本発明にかかる表面弾性波素子の製造
方法においては、圧電基板の上に、少なくとも銅が添加
されたアルミニウム合金の膜と銅の膜を、２００℃を超
えない温度で交互に積層して形成し、該積層膜をパター
ニングして電極を形成し、その後の工程も２００℃を超
えない温度に維持することによって、電極材料の粒界の
成長を抑制するようにした。
方法においては、圧電基板の上に、少なくとも銅が添加
されたアルミニウム合金の膜と銅の膜を、２００℃を超
えない温度で交互に積層して形成し、該積層膜をパター
ニングして電極を形成し、その後の工程も２００℃を超
えない温度に維持することによって、電極材料の粒界の
成長を抑制するようにした。
【００３２】この場合、圧電材料をＬｉＴａＯ3 または
ＬｉＮｂＯ3 で形成することができる。
ＬｉＮｂＯ3 で形成することができる。
【００３３】
【作用】一般に、Ａｌに異種金属を少量（〜数ｗ％）添
加した膜は、Ａｌの結晶粒界にＡｌと異種金属の合金が
介在する構造をもつといわれている。
加した膜は、Ａｌの結晶粒界にＡｌと異種金属の合金が
介在する構造をもつといわれている。
【００３４】図９は、Ａｌ−Ｃｕ膜電極構造の説明図で
ある。この図において、２１はＬｉＴａＯ3 基板、２２
はＡｌ−Ｃｕ膜、２３はＡｌ結晶粒、２４は結晶粒界、
２５はＣｕＡｌ2 である。この図は、ＬｉＴａＯ3 基板
２１の上に、Ａｌ−Ｃｕ膜２２をスパッタ法や電子ビー
ム蒸着法によって形成し、パターニングした例である
が、基本的にはＡｌの多結晶構造であり、多数のＡｌ結
晶粒２３が存在し、その結晶粒界２４に、ＣｕＡｌ2 ２
５が偏析している。
ある。この図において、２１はＬｉＴａＯ3 基板、２２
はＡｌ−Ｃｕ膜、２３はＡｌ結晶粒、２４は結晶粒界、
２５はＣｕＡｌ2 である。この図は、ＬｉＴａＯ3 基板
２１の上に、Ａｌ−Ｃｕ膜２２をスパッタ法や電子ビー
ム蒸着法によって形成し、パターニングした例である
が、基本的にはＡｌの多結晶構造であり、多数のＡｌ結
晶粒２３が存在し、その結晶粒界２４に、ＣｕＡｌ2 ２
５が偏析している。
【００３５】Ａｌ膜に比べてＡｌ−Ｃｕ膜がマイグレー
ションに強いのは、この結晶粒界２４に存在するＣｕＡ
ｌ2 ２５が、Ａｌ原子の流動を阻止するためであるとい
われている。Ａｌに添加する金属として、上記のＣｕに
代えてＴｉやＳｉ等を用いた場合も同様な効果が生じ
る。いま、この構造を有するＡｌ膜の上面にＣｕ膜を形
成した場合を考える。
ションに強いのは、この結晶粒界２４に存在するＣｕＡ
ｌ2 ２５が、Ａｌ原子の流動を阻止するためであるとい
われている。Ａｌに添加する金属として、上記のＣｕに
代えてＴｉやＳｉ等を用いた場合も同様な効果が生じ
る。いま、この構造を有するＡｌ膜の上面にＣｕ膜を形
成した場合を考える。
【００３６】図１０は、Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｕ膜電極構造の
説明図である。この図において、２１はＬｉＴａＯ3 基
板、２２はＡｌ−Ｃｕ膜、２３はＡｌ結晶粒、２４は結
晶粒界、２５はＣｕＡｌ2 、２６はＣｕ膜である。この
図は、ＬｉＴａＯ3 基板２１の上に、Ａｌ−Ｃｕ合金膜
２２をスパッタ法や電子ビーム蒸着法によって形成し、
その上にＣｕ膜２６を形成し、パターニングした例であ
るが、基本的にはＡｌの多結晶構造であり、多数のＡｌ
結晶粒２３が存在し、その結晶粒界２４と、Ａｌ−Ｃｕ
膜２２とＣｕ膜２６の間に、ＣｕＡｌ2 ２５が偏析して
いる。
説明図である。この図において、２１はＬｉＴａＯ3 基
板、２２はＡｌ−Ｃｕ膜、２３はＡｌ結晶粒、２４は結
晶粒界、２５はＣｕＡｌ2 、２６はＣｕ膜である。この
図は、ＬｉＴａＯ3 基板２１の上に、Ａｌ−Ｃｕ合金膜
２２をスパッタ法や電子ビーム蒸着法によって形成し、
その上にＣｕ膜２６を形成し、パターニングした例であ
るが、基本的にはＡｌの多結晶構造であり、多数のＡｌ
結晶粒２３が存在し、その結晶粒界２４と、Ａｌ−Ｃｕ
膜２２とＣｕ膜２６の間に、ＣｕＡｌ2 ２５が偏析して
いる。
【００３７】Ａｌ−Ｃｕ膜２２の上にＣｕ膜２６を形成
するときには、基板温度が２００℃以下の低い場合で
も、結晶粒界と、Ａｌ−Ｃｕ膜２２とＣｕ膜２６の界面
には少量のＣｕＡｌ2 ２５が形成される。その原因は、
スパッタされるＣｕが大きな運動エネルギーをもってお
り、これがＡｌ原子に衝突し、Ａｌ原子に運動エネルギ
ーを与えつつ成膜されるため、熱処理が局部的に施され
たことと同様の効果を生じ、Ａｌ−Ｃｕ合金膜２２とＣ
ｕ膜２６の界面にＣｕＡｌ2 が生成されるものと思われ
る。界面のＣｕＡｌ2 の厚さは数１０Å程度である。こ
の構造の膜の上にさらにＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成した場
合を考える。
するときには、基板温度が２００℃以下の低い場合で
も、結晶粒界と、Ａｌ−Ｃｕ膜２２とＣｕ膜２６の界面
には少量のＣｕＡｌ2 ２５が形成される。その原因は、
スパッタされるＣｕが大きな運動エネルギーをもってお
り、これがＡｌ原子に衝突し、Ａｌ原子に運動エネルギ
ーを与えつつ成膜されるため、熱処理が局部的に施され
たことと同様の効果を生じ、Ａｌ−Ｃｕ合金膜２２とＣ
ｕ膜２６の界面にＣｕＡｌ2 が生成されるものと思われ
る。界面のＣｕＡｌ2 の厚さは数１０Å程度である。こ
の構造の膜の上にさらにＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成した場
合を考える。
【００３８】図１１は、ＣｕＡｌ2 の結晶構造説明図で
ある。この図に示されるように、ＣｕＡｌ2 の結晶はＣ
ｕ層とＡｌ層が交互に積層した構造を有するため、Ｃｕ
膜との整合性も極めて良好であり、強固な結合が期待で
きる。したがって、図１０のＡｌ−Ｃｕ膜２２のＡｌ結
晶粒界２４に存在するＣｕＡｌ2 ２５と、Ａｌ−Ｃｕ膜
２２とＣｕ膜２６の界面に存在するＣｕＡｌ2 ２５が同
じ結晶であるため、相互の接合力も強固になる。
ある。この図に示されるように、ＣｕＡｌ2 の結晶はＣ
ｕ層とＡｌ層が交互に積層した構造を有するため、Ｃｕ
膜との整合性も極めて良好であり、強固な結合が期待で
きる。したがって、図１０のＡｌ−Ｃｕ膜２２のＡｌ結
晶粒界２４に存在するＣｕＡｌ2 ２５と、Ａｌ−Ｃｕ膜
２２とＣｕ膜２６の界面に存在するＣｕＡｌ2 ２５が同
じ結晶であるため、相互の接合力も強固になる。
【００３９】図１２は、Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−Ｃｕ
膜電極構造の説明図である。この図において、２１はＬ
ｉＴａＯ3 基板、２２はＡｌ−Ｃｕ膜、２３はＡｌ結晶
粒、２４は結晶粒界、２５はＣｕＡｌ2 、２６はＣｕ
膜、２７はＡｌ−Ｃｕ膜、２８はＡｌ結晶粒、２９は結
晶粒界、３０はＣｕＡｌ2 である。この図は、ＬｉＴａ
Ｏ3 基板２１の上に、Ａｌ−Ｃｕ膜２２をスパッタ法や
電子ビーム蒸着法によって形成し、その上にＣｕ膜２６
を形成し、さらにその上にＡｌ−Ｃｕ膜２７を形成し、
パターニングした例であるが、Ａｌ−Ｃｕ膜２２のＡｌ
結晶粒２２の結晶粒界２４にはＣｕＡｌ2 ２５が形成さ
れ、Ａｌ−Ｃｕ膜２７のＡｌ結晶粒２８の結晶粒界２９
にはＣｕＡｌ2 ３０が形成され、Ｃｕ膜２６と上下のＡ
ｌ−Ｃｕ膜２２，２７の間にもＣｕＡｌ2 が形成されて
いる。
膜電極構造の説明図である。この図において、２１はＬ
ｉＴａＯ3 基板、２２はＡｌ−Ｃｕ膜、２３はＡｌ結晶
粒、２４は結晶粒界、２５はＣｕＡｌ2 、２６はＣｕ
膜、２７はＡｌ−Ｃｕ膜、２８はＡｌ結晶粒、２９は結
晶粒界、３０はＣｕＡｌ2 である。この図は、ＬｉＴａ
Ｏ3 基板２１の上に、Ａｌ−Ｃｕ膜２２をスパッタ法や
電子ビーム蒸着法によって形成し、その上にＣｕ膜２６
を形成し、さらにその上にＡｌ−Ｃｕ膜２７を形成し、
パターニングした例であるが、Ａｌ−Ｃｕ膜２２のＡｌ
結晶粒２２の結晶粒界２４にはＣｕＡｌ2 ２５が形成さ
れ、Ａｌ−Ｃｕ膜２７のＡｌ結晶粒２８の結晶粒界２９
にはＣｕＡｌ2 ３０が形成され、Ｃｕ膜２６と上下のＡ
ｌ−Ｃｕ膜２２，２７の間にもＣｕＡｌ2 が形成されて
いる。
【００４０】このような状態では、上下のＡｌ−Ｃｕ膜
２２，２７中の結晶粒界２４，２９に存在するＣｕＡｌ
2 ２５，３０と、Ａｌ−Ｃｕ膜２２，２７とＣｕ膜２６
の界面に存在するＣｕＡｌ2 が強く結合し、膜全体とし
ては中心のＣｕ膜が屋台骨のようになり、その上下のＡ
ｌ−Ｃｕ膜の結晶粒界に存在するＣｕＡｌ2 が小骨を張
り巡らした構造となるため、ストレスマイグレーション
に強い膜が２００℃以下の低温で実現できる。
２２，２７中の結晶粒界２４，２９に存在するＣｕＡｌ
2 ２５，３０と、Ａｌ−Ｃｕ膜２２，２７とＣｕ膜２６
の界面に存在するＣｕＡｌ2 が強く結合し、膜全体とし
ては中心のＣｕ膜が屋台骨のようになり、その上下のＡ
ｌ−Ｃｕ膜の結晶粒界に存在するＣｕＡｌ2 が小骨を張
り巡らした構造となるため、ストレスマイグレーション
に強い膜が２００℃以下の低温で実現できる。
【００４１】これに熱処理を加えると界面のＣｕＡｌ2
は厚くなるが、前記のようにＡｌ結晶粒が大きく成長し
却ってストレスマイグレーションに弱くなる。したがっ
て、２００℃を超える高温での熱処理を加えてはならな
い。以上説明したように、本発明の基本原理は、Ａｌ−
Ｃｕ膜とＣｕ膜を積層し、Ｃｕ膜を中心として、Ａｌ−
Ｃｕ膜中のＡｌ結晶粒界に形成されるＣｕＡｌ2 によっ
て網の目構造を形成することによってストレスマイグレ
ーションを阻止することである。
は厚くなるが、前記のようにＡｌ結晶粒が大きく成長し
却ってストレスマイグレーションに弱くなる。したがっ
て、２００℃を超える高温での熱処理を加えてはならな
い。以上説明したように、本発明の基本原理は、Ａｌ−
Ｃｕ膜とＣｕ膜を積層し、Ｃｕ膜を中心として、Ａｌ−
Ｃｕ膜中のＡｌ結晶粒界に形成されるＣｕＡｌ2 によっ
て網の目構造を形成することによってストレスマイグレ
ーションを阻止することである。
【００４２】また、本発明の基本原理は、前記の湯原他
の文献でも述べられているが、Ａｌ合金膜の内部応力
が、表面弾性波素子の耐電力性（寿命）に大きく関係
し、Ａｌ合金膜の応力が零かやや圧縮性であるときに耐
電力性が高く、引っ張り応力が強いほど耐電力性が弱く
なる点に着目し利用した点である。
の文献でも述べられているが、Ａｌ合金膜の内部応力
が、表面弾性波素子の耐電力性（寿命）に大きく関係
し、Ａｌ合金膜の応力が零かやや圧縮性であるときに耐
電力性が高く、引っ張り応力が強いほど耐電力性が弱く
なる点に着目し利用した点である。
【００４３】図１３は、合金膜の内部応力と表面弾性波
素子の耐電力性の関係図である。この図は先に湯原他に
よって報告されたデータを引用したものであり、横軸は
合金膜の内部応力を示し、縦軸は表面弾性素子のストレ
ス、すなわち、耐電力性の傾向を示している。この図に
示されているように、合金膜の内部応力が零または圧縮
性の場合は表面弾性素子の耐電力性が大きいが、引っ張
り性の場合は表面弾性素子の耐電力性が劣化することが
わかる。
素子の耐電力性の関係図である。この図は先に湯原他に
よって報告されたデータを引用したものであり、横軸は
合金膜の内部応力を示し、縦軸は表面弾性素子のストレ
ス、すなわち、耐電力性の傾向を示している。この図に
示されているように、合金膜の内部応力が零または圧縮
性の場合は表面弾性素子の耐電力性が大きいが、引っ張
り性の場合は表面弾性素子の耐電力性が劣化することが
わかる。
【００４４】したがって、多層合金膜を形成する場合
に、互いに膜の内部応力を逆向きの符号とし、その大き
さも互いに釣合うように成膜して、膜全体の内部応力を
零かやや圧縮性に調整することによって耐電力性を向上
することができる。
に、互いに膜の内部応力を逆向きの符号とし、その大き
さも互いに釣合うように成膜して、膜全体の内部応力を
零かやや圧縮性に調整することによって耐電力性を向上
することができる。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の一実施例の表面弾性波素子の構成説明図であ
る。この図において、１はＬｉＴａＯ3 基板、２はＡｌ
−１％Ｃｕ膜、３はＡｌ結晶粒、４は結晶粒界、５はＣ
ｕＡｌ2 、６はＣｕ膜、７はＡｌ−１％Ｃｕ膜、８はＡ
ｌ結晶粒、９は結晶粒界、１０はＣｕＡｌ2 である。こ
の実施例の表面弾性波素子においては、圧電性を有する
ＬｉＴａＯ3 基板１の上に、２００℃以下の温度に保っ
たまま、厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜２を形成
し、その上に厚さ４００ÅのＣｕ膜６を形成し、その上
に厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜７を形成して、合
計２４００Åの３層積層膜を形成し、この３層積層膜を
パターニングして櫛型電極（３層膜電極Ａ）を形成して
いる。
本発明の一実施例の表面弾性波素子の構成説明図であ
る。この図において、１はＬｉＴａＯ3 基板、２はＡｌ
−１％Ｃｕ膜、３はＡｌ結晶粒、４は結晶粒界、５はＣ
ｕＡｌ2 、６はＣｕ膜、７はＡｌ−１％Ｃｕ膜、８はＡ
ｌ結晶粒、９は結晶粒界、１０はＣｕＡｌ2 である。こ
の実施例の表面弾性波素子においては、圧電性を有する
ＬｉＴａＯ3 基板１の上に、２００℃以下の温度に保っ
たまま、厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜２を形成
し、その上に厚さ４００ÅのＣｕ膜６を形成し、その上
に厚さ１０００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜７を形成して、合
計２４００Åの３層積層膜を形成し、この３層積層膜を
パターニングして櫛型電極（３層膜電極Ａ）を形成して
いる。
【００４６】この場合、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２のＡｌ結晶
粒３の結晶粒界４にはＣｕＡｌ2 ５が形成され、Ａｌ−
１％Ｃｕ膜７のＡｌ結晶粒８の結晶粒界９にはＣｕＡｌ
2 １０が形成され、また、Ｃｕ膜６と上下のＡｌ−１％
Ｃｕ膜２，７の間にもＣｕＡｌ2 ５，１０が形成されて
いる。
粒３の結晶粒界４にはＣｕＡｌ2 ５が形成され、Ａｌ−
１％Ｃｕ膜７のＡｌ結晶粒８の結晶粒界９にはＣｕＡｌ
2 １０が形成され、また、Ｃｕ膜６と上下のＡｌ−１％
Ｃｕ膜２，７の間にもＣｕＡｌ2 ５，１０が形成されて
いる。
【００４７】また、この実施例の３層膜電極Ａと比較す
るために、ＬｉＴａＯ3 基板の上に厚さ３２００ÅのＡ
ｌ−１％Ｃｕ単層膜からなる櫛型電極（単層膜電極Ｃ）
を形成した。そしてまた、３層膜電極の応力調整の効果
を比較するため、ＬｉＴａＯ3 基板上に厚さ７００Åの
Ａｌ−１％Ｃｕ膜と、厚さ６００ÅのＣｕ膜と、厚さ７
００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜を形成して合計２０００Åの
３層積層膜を形成し、この３層積層膜をパターニングし
て櫛型電極（３層膜電極Ｂ）を形成した。また、３層膜
電極Ａの熱処理効果をみるため、３層膜電極Ａを成膜し
た後４００℃で熱処理した櫛型電極（３層膜電極ＡＡ）
を形成した。
るために、ＬｉＴａＯ3 基板の上に厚さ３２００ÅのＡ
ｌ−１％Ｃｕ単層膜からなる櫛型電極（単層膜電極Ｃ）
を形成した。そしてまた、３層膜電極の応力調整の効果
を比較するため、ＬｉＴａＯ3 基板上に厚さ７００Åの
Ａｌ−１％Ｃｕ膜と、厚さ６００ÅのＣｕ膜と、厚さ７
００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ膜を形成して合計２０００Åの
３層積層膜を形成し、この３層積層膜をパターニングし
て櫛型電極（３層膜電極Ｂ）を形成した。また、３層膜
電極Ａの熱処理効果をみるため、３層膜電極Ａを成膜し
た後４００℃で熱処理した櫛型電極（３層膜電極ＡＡ）
を形成した。
【００４８】これらの膜の厚さは下記の方法で決定し
た。 標準として厚さ３２００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ単層膜
を考える。このＡｌ−１％Ｃｕ単層膜を電極とし後に示
す方法によって表面弾性波フィルターを形成すると、９
３３ＭＨｚを中心とするＮＴＴ仕様の送信用バンドパス
フィルターを実現することができる。
た。 標準として厚さ３２００ÅのＡｌ−１％Ｃｕ単層膜
を考える。このＡｌ−１％Ｃｕ単層膜を電極とし後に示
す方法によって表面弾性波フィルターを形成すると、９
３３ＭＨｚを中心とするＮＴＴ仕様の送信用バンドパス
フィルターを実現することができる。
【００４９】表面弾性波フィルターにおいては質量負荷
効果によって、電極の質量に応じて中心周波数が変化す
るため、電極を変えた場合の耐電力性を正確に比較する
ためには、電極膜の質量を、標準にするＡｌ−１％Ｃｕ
単層膜電極Ｃを用いた表面弾性波フィルターの電極の質
量に合わせ、周波数が変動するのを防ぐことが必要であ
る。
効果によって、電極の質量に応じて中心周波数が変化す
るため、電極を変えた場合の耐電力性を正確に比較する
ためには、電極膜の質量を、標準にするＡｌ−１％Ｃｕ
単層膜電極Ｃを用いた表面弾性波フィルターの電極の質
量に合わせ、周波数が変動するのを防ぐことが必要であ
る。
【００５０】Ｃｕの密度が８．９、Ａｌの密度が２．７
であり、Ｃｕ膜の密度はＡｌの密度の約３倍であるか
ら、上記３層膜電極Ａ、３層膜電極Ｂ、３層膜電極ＡＡ
の電極の質量は、標準にした厚さ３２００ÅのＡｌ−１
％Ｃｕ単層膜電極Ｃとほぼ同一の質量をもつことにな
る。したがって、３層膜電極Ａ、３層膜電極Ｂおよび３
層膜電極ＡＡを用いた表面弾性波フィルターは９３３Ｍ
Ｈｚフィルターとほぼ同じ特性を示す。
であり、Ｃｕ膜の密度はＡｌの密度の約３倍であるか
ら、上記３層膜電極Ａ、３層膜電極Ｂ、３層膜電極ＡＡ
の電極の質量は、標準にした厚さ３２００ÅのＡｌ−１
％Ｃｕ単層膜電極Ｃとほぼ同一の質量をもつことにな
る。したがって、３層膜電極Ａ、３層膜電極Ｂおよび３
層膜電極ＡＡを用いた表面弾性波フィルターは９３３Ｍ
Ｈｚフィルターとほぼ同じ特性を示す。
【００５１】 前に説明したように耐電力性を向上す
るためには、多層膜電極の内部応力のバランスをとる必
要がある。そして多層膜の内部応力は、多層膜を成長す
るときの基板温度、成膜速度が一定であれば、各層の膜
厚に依存する。
るためには、多層膜電極の内部応力のバランスをとる必
要がある。そして多層膜の内部応力は、多層膜を成長す
るときの基板温度、成膜速度が一定であれば、各層の膜
厚に依存する。
【００５２】図２は、Ａｌ−１％Ｃｕ膜とＣｕ膜の膜厚
と内部応力の実験結果の説明図である。この図において
横軸は膜厚を示し、縦軸は応力を示し、ＬｉＴａＯ3 基
板の上に、基板温度を室温とし、成膜速度を２００Å／
分として金属膜を形成した場合の、Ａｌ−１％Ｃｕ膜と
Ｃｕ膜の膜厚と内部応力の実験結果を示している。
と内部応力の実験結果の説明図である。この図において
横軸は膜厚を示し、縦軸は応力を示し、ＬｉＴａＯ3 基
板の上に、基板温度を室温とし、成膜速度を２００Å／
分として金属膜を形成した場合の、Ａｌ−１％Ｃｕ膜と
Ｃｕ膜の膜厚と内部応力の実験結果を示している。
【００５３】積層膜内の内部応力のバランスを考慮する
と、Ａｌ−１％Ｃｕ膜／Ｃｕ膜／Ａｌ−１％Ｃｕ膜の３
層膜電極Ａの場合は、Ｃｕ膜が４００Åで−６×１０8
Ｎ／ｍ2 （符号は−が圧縮で＋が引っ張り応力を示
す）、Ａｌ−１％Ｃｕ膜は１０００Åで＋２×１０8 Ｎ
／ｍ2 であるため、３層膜電極全体では−２×１０8 Ｎ
／ｍ2 となり、弱い圧縮応力がかかっている。先に説明
した図１３によると、この内部応力−２×１０8 Ｎ／ｍ
2 は、多層膜電極の耐電力性が劣化しない領域に含まれ
ている。
と、Ａｌ−１％Ｃｕ膜／Ｃｕ膜／Ａｌ−１％Ｃｕ膜の３
層膜電極Ａの場合は、Ｃｕ膜が４００Åで−６×１０8
Ｎ／ｍ2 （符号は−が圧縮で＋が引っ張り応力を示
す）、Ａｌ−１％Ｃｕ膜は１０００Åで＋２×１０8 Ｎ
／ｍ2 であるため、３層膜電極全体では−２×１０8 Ｎ
／ｍ2 となり、弱い圧縮応力がかかっている。先に説明
した図１３によると、この内部応力−２×１０8 Ｎ／ｍ
2 は、多層膜電極の耐電力性が劣化しない領域に含まれ
ている。
【００５４】また、３層膜電極Ｂは、Ｃｕ膜が６００Å
で−１×１０8 Ｎ／ｍ2 、Ａｌ−１％Ｃｕ膜が７００Å
つづで２×２．５×１０8 Ｎ／ｍ2 、全体では４×１０
8 Ｎ／ｍ2 となり、引っ張り応力となる。図１３による
と、この内部応力４×１０8 Ｎ／ｍ2 は多層膜電極の耐
電力性が悪くなる領域に含まれている。
で−１×１０8 Ｎ／ｍ2 、Ａｌ−１％Ｃｕ膜が７００Å
つづで２×２．５×１０8 Ｎ／ｍ2 、全体では４×１０
8 Ｎ／ｍ2 となり、引っ張り応力となる。図１３による
と、この内部応力４×１０8 Ｎ／ｍ2 は多層膜電極の耐
電力性が悪くなる領域に含まれている。
【００５５】図３は、本発明の一実施例の表面弾性波フ
ィルターの構成説明図であり、（Ａ）はその斜視図であ
り、（Ｂ）は等価回路である。この図において、Ｔinは
入力端子、Ｔout は出力端子、Ｒp1は第１の並列共振
器、Ｒp2は第２の並列共振器、Ｒp3は第３の並列共振
器、Ｒs1は第１の直列共振器、Ｒs2は第２の直列共振
器、Ｒp11 ，Ｒp12 ，Ｒp21 ，Ｒp22 ，Ｒp31 ，
Ｒp3 2 ，Ｒs11 ，Ｒs12 ，Ｒs21 ，Ｒs22 は反射器であ
る。
ィルターの構成説明図であり、（Ａ）はその斜視図であ
り、（Ｂ）は等価回路である。この図において、Ｔinは
入力端子、Ｔout は出力端子、Ｒp1は第１の並列共振
器、Ｒp2は第２の並列共振器、Ｒp3は第３の並列共振
器、Ｒs1は第１の直列共振器、Ｒs2は第２の直列共振
器、Ｒp11 ，Ｒp12 ，Ｒp21 ，Ｒp22 ，Ｒp31 ，
Ｒp3 2 ，Ｒs11 ，Ｒs12 ，Ｒs21 ，Ｒs22 は反射器であ
る。
【００５６】この実施例の表面弾性波フィルターは、そ
の詳細は特開平５−１８３３８０号公報に記載されてい
るが、１．５×２×０．５ｍｍの３６°Ｙ−ＸＬｉＴａ
Ｏ3圧電基板の上に、この実施例の多層膜の櫛型電極を
形成して、入力端子Ｔinから出力端子Ｔout に向かって
第１の直列共振器Ｒs1と第２の直列共振器Ｒs2を直列接
続して形成し、入力端子、第１の直列共振器Ｒs1と第２
の直列共振器Ｒs2の接続点、出力端子から、第１の並列
共振器Ｒp1と、第２の並列共振器Ｒp2と、第３の並列共
振器Ｒp3を接地するように形成している。そして、第１
の直列共振器Ｒs1には反射器Ｒs11 ，Ｒs12 が、第２の
直列共振器Ｒs2には反射器Ｒs21 ，Ｒs22 が、第１の並
列共振器Ｒp1には反射器Ｒp11 ，Ｒp12 が、第２の並列
共振器Ｒp2には反射器Ｒp21 ，Ｒp22 が、第３の並列共
振器Ｒp3には反射器Ｒp31 ，Ｒp32 が設けられている。
の詳細は特開平５−１８３３８０号公報に記載されてい
るが、１．５×２×０．５ｍｍの３６°Ｙ−ＸＬｉＴａ
Ｏ3圧電基板の上に、この実施例の多層膜の櫛型電極を
形成して、入力端子Ｔinから出力端子Ｔout に向かって
第１の直列共振器Ｒs1と第２の直列共振器Ｒs2を直列接
続して形成し、入力端子、第１の直列共振器Ｒs1と第２
の直列共振器Ｒs2の接続点、出力端子から、第１の並列
共振器Ｒp1と、第２の並列共振器Ｒp2と、第３の並列共
振器Ｒp3を接地するように形成している。そして、第１
の直列共振器Ｒs1には反射器Ｒs11 ，Ｒs12 が、第２の
直列共振器Ｒs2には反射器Ｒs21 ，Ｒs22 が、第１の並
列共振器Ｒp1には反射器Ｒp11 ，Ｒp12 が、第２の並列
共振器Ｒp2には反射器Ｒp21 ，Ｒp22 が、第３の並列共
振器Ｒp3には反射器Ｒp31 ，Ｒp32 が設けられている。
【００５７】なお、厚さが０．５ｍｍのＬｉＴａＯ3 圧
電基板を、結晶軸のｘ軸方向である１．５ｍｍの辺がこ
の図の横方向になるようにし、２ｍｍの辺がこの図の縦
方向、すなわち、表面弾性波の伝播方向になるようにし
て用い、第１の並列共振器Ｒ p1の電極のピッチλp を
４．３９μｍ、開口長を１６０μｍ、第１の直列共振器
Ｒs1の開口長を６０μｍ、第２の直列共振器Ｒs2の電極
のピッチを４．１６μｍとしている。
電基板を、結晶軸のｘ軸方向である１．５ｍｍの辺がこ
の図の横方向になるようにし、２ｍｍの辺がこの図の縦
方向、すなわち、表面弾性波の伝播方向になるようにし
て用い、第１の並列共振器Ｒ p1の電極のピッチλp を
４．３９μｍ、開口長を１６０μｍ、第１の直列共振器
Ｒs1の開口長を６０μｍ、第２の直列共振器Ｒs2の電極
のピッチを４．１６μｍとしている。
【００５８】図４は、本発明の一実施例の表面弾性波フ
ィルターの通過特性図である。この図の横軸は周波数、
縦軸は減衰量を示している。この図に示されるように、
９５０ＭＨｚ近傍にほぼ６０ＭＨｚの通過帯域を有する
帯域通過フィルターの特性を有している。通過帯域の減
衰量は１．５ｄＢである。
ィルターの通過特性図である。この図の横軸は周波数、
縦軸は減衰量を示している。この図に示されるように、
９５０ＭＨｚ近傍にほぼ６０ＭＨｚの通過帯域を有する
帯域通過フィルターの特性を有している。通過帯域の減
衰量は１．５ｄＢである。
【００５９】この表面弾性波フィルターの寿命試験は、
通過帯域内のもっとも耐電力性の弱い周波数、ここでは
９５０ＭＨｚ近傍を選び、そこに高周波電力を印加し
た。このとき、フィルターチップの温度が若干上昇する
が、それを見込んで外部温度を制御し、フィルターチッ
プの表面温度が一定になるようにして高周波電力とその
寿命を測定した。
通過帯域内のもっとも耐電力性の弱い周波数、ここでは
９５０ＭＨｚ近傍を選び、そこに高周波電力を印加し
た。このとき、フィルターチップの温度が若干上昇する
が、それを見込んで外部温度を制御し、フィルターチッ
プの表面温度が一定になるようにして高周波電力とその
寿命を測定した。
【００６０】図５は、本発明の一実施例の表面弾性波フ
ィルターの耐電力特性図である。この図の横軸は入力電
力を示し、縦軸は寿命を示している。一般的に、表面弾
性波フィルターの電極の寿命はアレニウスの関係式 ｌｎ（ＭＴＴＦ）＝Ａ＋Ｂ／Ｔ−ｎ×ｌｎ（Ｐｉｎ） に従うとすると、フィルターチップ温度Ｔが一定であれ
ば、入力電力（Ｐｉｎ）の自然対数と寿命（ＭＴＴＦ）
の自然対数は右下がりの直線で表される。ここで、Ａ，
Ｂ，ｎは比例定数である。この図の寿命特性は上記の関
係式の右下がりの関係を表しているが、この図における
寿命は、図４における通過帯域の減衰量１．５ｄＢから
０．３ｄＢ悪化するまでの時間と定義した。
ィルターの耐電力特性図である。この図の横軸は入力電
力を示し、縦軸は寿命を示している。一般的に、表面弾
性波フィルターの電極の寿命はアレニウスの関係式 ｌｎ（ＭＴＴＦ）＝Ａ＋Ｂ／Ｔ−ｎ×ｌｎ（Ｐｉｎ） に従うとすると、フィルターチップ温度Ｔが一定であれ
ば、入力電力（Ｐｉｎ）の自然対数と寿命（ＭＴＴＦ）
の自然対数は右下がりの直線で表される。ここで、Ａ，
Ｂ，ｎは比例定数である。この図の寿命特性は上記の関
係式の右下がりの関係を表しているが、この図における
寿命は、図４における通過帯域の減衰量１．５ｄＢから
０．３ｄＢ悪化するまでの時間と定義した。
【００６１】この図５には、この実施例の電極を用いた
表面弾性波フィルターの他に、これと比較するために、
前記の３種類の電極を用いた表面弾性波フィルター寿命
をも示している。この測定では、フィルターチップ温度
Ｔを３９３Ｋ（１２０℃）とした。
表面弾性波フィルターの他に、これと比較するために、
前記の３種類の電極を用いた表面弾性波フィルター寿命
をも示している。この測定では、フィルターチップ温度
Ｔを３９３Ｋ（１２０℃）とした。
【００６２】この図の曲線ａは熱処理せず、−２×１０
8 Ｎ／ｍ2 の圧縮応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／
Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ａ）を用いた表面弾性波
フィルターの寿命を示し、曲線ｂは熱処理せず、＋４×
１０8 Ｎ／ｍ2 の引っ張り応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ
／Ｃｕ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ｂ）を用いた表
面弾性波フィルターの寿命を示し、曲線ｃは熱処理しな
いＡｌ−１％Ｃｕ膜（単層膜電極）を用いた表面弾性波
フィルターの寿命を示し、曲線ｄは４００℃の熱処理を
したＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜
電極ＡＡ）を用いた表面弾性波フィルターの寿命を示し
ている。なお、各膜を形成するときの基板温度はいずれ
も１２０℃である。
8 Ｎ／ｍ2 の圧縮応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／
Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ａ）を用いた表面弾性波
フィルターの寿命を示し、曲線ｂは熱処理せず、＋４×
１０8 Ｎ／ｍ2 の引っ張り応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ
／Ｃｕ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ｂ）を用いた表
面弾性波フィルターの寿命を示し、曲線ｃは熱処理しな
いＡｌ−１％Ｃｕ膜（単層膜電極）を用いた表面弾性波
フィルターの寿命を示し、曲線ｄは４００℃の熱処理を
したＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜
電極ＡＡ）を用いた表面弾性波フィルターの寿命を示し
ている。なお、各膜を形成するときの基板温度はいずれ
も１２０℃である。
【００６３】従来のＡｌ−１％Ｃｕ単層膜（単層膜電
極）を用いた表面弾性波フィルター（曲線ｃ参照）に比
べて、この実施例の熱処理せず、−２×１０8 Ｎ／ｍ2
の圧縮応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−１％
Ｃｕ膜（３層膜電極Ａ）を用いた表面弾性波フィルター
（曲線ａ参照）の寿命は１２０倍になっている。
極）を用いた表面弾性波フィルター（曲線ｃ参照）に比
べて、この実施例の熱処理せず、−２×１０8 Ｎ／ｍ2
の圧縮応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−１％
Ｃｕ膜（３層膜電極Ａ）を用いた表面弾性波フィルター
（曲線ａ参照）の寿命は１２０倍になっている。
【００６４】また、この実施例の熱処理せず、−２×１
０8 Ｎ／ｍ2 の圧縮応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ
／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ａ）を熱処理した３層
膜（３層膜電極ＡＡ）を有する弾性波フィルター（曲線
ｄ参照）の寿命は激しく短くなり、従来のＡｌ−１％Ｃ
ｕ単層膜（単層膜電極）を用いた表面弾性波フィルター
（曲線ｃ参照）より悪くなっている。
０8 Ｎ／ｍ2 の圧縮応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ
／Ａｌ−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ａ）を熱処理した３層
膜（３層膜電極ＡＡ）を有する弾性波フィルター（曲線
ｄ参照）の寿命は激しく短くなり、従来のＡｌ−１％Ｃ
ｕ単層膜（単層膜電極）を用いた表面弾性波フィルター
（曲線ｃ参照）より悪くなっている。
【００６５】さらに、熱処理せず、＋４×１０8 Ｎ／ｍ
2 の引っ張り応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ
−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ｂ）を用いた表面弾性波フィ
ルター（曲線ｂ参照）の寿命は、従来のＡｌ−１％Ｃｕ
単層膜（単層膜電極）を用いた表面弾性波フィルター
（曲線ｃ参照）より改善されているものの、内部応力を
調整したこの実施例の表面弾性波フィルター（曲線ａ参
照）に比較して約１桁劣っている。この実施例の表面弾
性波フィルターでは、１Ｗ入力時の寿命として２０万時
間が得られ、アンテナ分波器として充分な耐電力性を有
しているといえる。
2 の引っ張り応力を有するＡｌ−１％Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ
−１％Ｃｕ膜（３層膜電極Ｂ）を用いた表面弾性波フィ
ルター（曲線ｂ参照）の寿命は、従来のＡｌ−１％Ｃｕ
単層膜（単層膜電極）を用いた表面弾性波フィルター
（曲線ｃ参照）より改善されているものの、内部応力を
調整したこの実施例の表面弾性波フィルター（曲線ａ参
照）に比較して約１桁劣っている。この実施例の表面弾
性波フィルターでは、１Ｗ入力時の寿命として２０万時
間が得られ、アンテナ分波器として充分な耐電力性を有
しているといえる。
【００６６】以上説明した実施例は、Ａｌ系合金をＡｌ
−１％Ｃｕとした例であるが、Ｃｕの組成をこの値から
外して調節することもできる。また、Ａｌ−ＣｕのＣｕ
に代えて、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ等を添加した
場合でも前記とほぼ同様な効果が得られるものと思われ
る。したがって、これらの添加金属膜に対しても本発明
のような構造を採れば、原理上、耐電力性が改善される
ことは自ずから明らかである。また、Ａｌに２種類以上
の添加金属を加える場合も、少なくとも１種類の金属の
層との多層膜構造を採用すると、本発明の原理によっ
て、本発明に近い効果が得られるものと考えられる。ま
た、本実施例のような３層構造のみならず、２層あるい
は４層以上の多層膜構造についても本発明を適用するこ
とは可能である。
−１％Ｃｕとした例であるが、Ｃｕの組成をこの値から
外して調節することもできる。また、Ａｌ−ＣｕのＣｕ
に代えて、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｚｎ等を添加した
場合でも前記とほぼ同様な効果が得られるものと思われ
る。したがって、これらの添加金属膜に対しても本発明
のような構造を採れば、原理上、耐電力性が改善される
ことは自ずから明らかである。また、Ａｌに２種類以上
の添加金属を加える場合も、少なくとも１種類の金属の
層との多層膜構造を採用すると、本発明の原理によっ
て、本発明に近い効果が得られるものと考えられる。ま
た、本実施例のような３層構造のみならず、２層あるい
は４層以上の多層膜構造についても本発明を適用するこ
とは可能である。
【００６７】また、圧電基板として、一般的な圧電結晶
基板を用いることもできるが、フィルター等の特性向上
には、この実施例で挙げたＬｉＴａＯ3 （３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬）、あるいはＬｉＮｂＯ3 （６４°Ｙカット
−Ｘ伝搬）等の材料が効果的である。
基板を用いることもできるが、フィルター等の特性向上
には、この実施例で挙げたＬｉＴａＯ3 （３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬）、あるいはＬｉＮｂＯ3 （６４°Ｙカット
−Ｘ伝搬）等の材料が効果的である。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
電極の材料に、Ａｌ−Ｃｕ膜／Ｃｕ膜／Ａｌ−Ｃｕ膜の
多層構造を採用することによって、ストレスマイグレー
ションに弱いため高い温度での熱処理ができない表面弾
性波素子の場合でも耐電力性を大幅に向上させることが
でき、表面弾性波フィルター等の表面弾性波素子の性能
向上に寄与するところが大きい。
電極の材料に、Ａｌ−Ｃｕ膜／Ｃｕ膜／Ａｌ−Ｃｕ膜の
多層構造を採用することによって、ストレスマイグレー
ションに弱いため高い温度での熱処理ができない表面弾
性波素子の場合でも耐電力性を大幅に向上させることが
でき、表面弾性波フィルター等の表面弾性波素子の性能
向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の一実施例の表面弾性波素子の構成説明
図である。
図である。
【図２】Ａｌ−１％Ｃｕ膜とＣｕ膜の膜厚と内部応力の
実験結果の説明図である。
実験結果の説明図である。
【図３】本発明の一実施例の表面弾性波フィルターの構
成説明図であり、（Ａ）はその斜視図であり、（Ｂ）は
等価回路である。
成説明図であり、（Ａ）はその斜視図であり、（Ｂ）は
等価回路である。
【図４】本発明の一実施例の表面弾性波フィルターの通
過特性図である。
過特性図である。
【図５】本発明の一実施例の表面弾性波フィルターの耐
電力特性図である。
電力特性図である。
【図６】従来の３層構造の電極を有する表面弾性波フィ
ルターの構造説明図である。
ルターの構造説明図である。
【図７】従来の３層構造の電極を有する表面弾性波フィ
ルターの耐電力特性説明図である。
ルターの耐電力特性説明図である。
【図８】電極材料の粒径と寿命の模式的関係説明図であ
る。
る。
【図９】Ａｌ−Ｃｕ膜電極構造の説明図である。
【図１０】Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｕ膜電極構造の説明図であ
る。
る。
【図１１】ＣｕＡｌ2 の結晶構造説明図である。
【図１２】Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−Ｃｕ膜電極構造の
説明図である。
説明図である。
【図１３】合金膜の内部応力と表面弾性波素子の耐電力
性の関係図である。
性の関係図である。
１ ＬｉＴａＯ3 基板 ２ Ａｌ−１％Ｃｕ膜 ３ Ａｌ結晶粒 ４ 結晶粒界 ５ ＣｕＡｌ2 ６ Ｃｕ膜 ７ Ａｌ−１％Ｃｕ膜 ８ Ａｌ結晶粒 ９ 結晶粒界 １０ ＣｕＡｌ2 １１ ＬｉＴａＯ3 圧電基板 １２ Ａｌ−１％Ｃｕ合金膜 １３ Ｔａ膜 １４ Ａｌ−１％Ｃｕ膜 １５，１６ Ａｌ−Ｔａ Ｔin 入力端子 Ｔout 出力端子 Ｒp1 第１の並列共振器 Ｒp2 第２の並列共振器 Ｒp3 第３の並列共振器 Ｒs1 第１の直列共振器 Ｒs2 第２の直列共振器 Ｒp11 ，Ｒp12 ，Ｒp21 ，Ｒp22 ，Ｒp31 ，Ｒp32 ，Ｒ
s11 ，Ｒs12 ，Ｒs21，Ｒs22 反射器 ２１ ＬｉＴａＯ3 基板 ２２ Ａｌ−Ｃｕ膜 ２３ Ａｌ結晶粒 ２４ 結晶粒界 ２５ ＣｕＡｌ2 ２６ Ｃｕ膜 ２７ Ａｌ−Ｃｕ膜 ２８ Ａｌ結晶粒 ２９ 結晶粒界 ３０ ＣｕＡｌ2
s11 ，Ｒs12 ，Ｒs21，Ｒs22 反射器 ２１ ＬｉＴａＯ3 基板 ２２ Ａｌ−Ｃｕ膜 ２３ Ａｌ結晶粒 ２４ 結晶粒界 ２５ ＣｕＡｌ2 ２６ Ｃｕ膜 ２７ Ａｌ−Ｃｕ膜 ２８ Ａｌ結晶粒 ２９ 結晶粒界 ３０ ＣｕＡｌ2
フロントページの続き (72)発明者 松田 隆志 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 西原 時弘 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 高松 光夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 谷口 元始 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板の上に、少なくとも銅が添加さ
れたアルミニウム合金の膜と銅の膜が交互に積層された
電極が形成されたことを特徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項２】 少なくとも銅が添加されたアルミニウム
合金の膜と銅の膜とは、互いにその内部応力の向きが逆
であり、合計の内部応力がほぼ零、もしくは、圧縮応力
であることを特徴とする請求項１に記載された表面弾性
波素子。 - 【請求項３】 圧電材料がＬｉＴａＯ3 またはＬｉＮｂ
Ｏ3 からなることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載された表面弾性波素子。 - 【請求項４】 圧電基板の上に、少なくとも銅が添加さ
れたアルミニウム合金の膜と銅の膜を、２００℃を超え
ない温度で交互に積層して形成し、該積層膜をパターニ
ングして電極を形成し、その後の工程も２００℃を超え
ない温度に維持することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。 - 【請求項５】 圧電材料をＬｉＴａＯ3 またはＬｉＮｂ
Ｏ3 で形成することを特徴とする請求項４に記載された
表面弾性波素子の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26854293A JP3379049B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
| FR9410465A FR2711863B1 (fr) | 1993-10-27 | 1994-08-31 | Dispositif à onde acoustique de surface et son procéédé de fabrication. |
| US08/676,504 US5774962A (en) | 1993-10-27 | 1996-07-08 | Process for producing a surface acoustic wave device |
| US08/863,026 US5773917A (en) | 1993-10-27 | 1997-05-23 | Surface acoustic wave device and production process thereof |
| US09/286,328 USRE38278E1 (en) | 1993-10-27 | 1999-04-05 | Surface acoustic wave device and production process thereof |
| US09/482,546 USRE38002E1 (en) | 1993-10-27 | 2000-01-14 | Process for providing a surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26854293A JP3379049B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122961A true JPH07122961A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3379049B2 JP3379049B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=17459979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26854293A Expired - Fee Related JP3379049B2 (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US5774962A (ja) |
| JP (1) | JP3379049B2 (ja) |
| FR (1) | FR2711863B1 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011526A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US5844347A (en) * | 1995-09-01 | 1998-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Saw device and its manufacturing method |
| WO1999054995A1 (en) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
| WO2002035702A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| US6413439B1 (en) | 1999-03-18 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| US6486591B2 (en) | 2000-12-14 | 2002-11-26 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US6657366B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave element |
| DE19962117B4 (de) * | 1999-03-18 | 2004-05-06 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung |
| WO2004114521A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| US6903488B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | SAW device and manufacturing method |
| JP2006165207A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| US7141909B2 (en) | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7218038B2 (en) | 2003-05-26 | 2007-05-15 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave element, and surface acoustic wave device including the same |
| US7301421B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, manufacturing method therefor, and communications equipment |
| US7307369B2 (en) | 2004-08-26 | 2007-12-11 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment |
| US7389570B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-06-24 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment |
| JP2008172668A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
| US7423365B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-09-09 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US8049577B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-11-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic wave device, duplexer using the same, and communication apparatus using the duplexer |
| JP2012084932A (ja) * | 2012-02-01 | 2012-04-26 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| US9923539B2 (en) | 2014-03-05 | 2018-03-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| JPWO2019009373A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2020-06-11 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置 |
| WO2021085465A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9622654D0 (en) * | 1996-10-31 | 1997-01-08 | Flowers James E | Filters |
| WO1999005788A1 (en) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| JP3317273B2 (ja) * | 1998-08-25 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、フィルタ、共用器、通信機装置 |
| US6259185B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-10 | Cts Corporation | Metallization for high power handling in a surface acoustic wave device and method for providing same |
| JP3712035B2 (ja) | 1999-04-28 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の製造方法 |
| US6625855B1 (en) * | 1999-10-06 | 2003-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing surface acoustic wave device |
| JP3338010B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2002-10-28 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP3402311B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2003-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US6965190B2 (en) * | 2001-09-12 | 2005-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| TWI282660B (en) * | 2001-12-27 | 2007-06-11 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor |
| US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
| DE10206369B4 (de) * | 2002-02-15 | 2012-12-27 | Epcos Ag | Elektrodenstruktur mit verbesserter Leistungsverträglichkeit und Verfahren zur Herstellung |
| JP4060090B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2008-03-12 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波素子 |
| DE10246784B4 (de) * | 2002-10-08 | 2013-06-13 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit geringer Einfügedämpfung und Verfahren zur Herstellung |
| WO2006046545A1 (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| DE102004058016B4 (de) * | 2004-12-01 | 2014-10-09 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement mit hoher Bandbreite |
| CN101288201A (zh) * | 2005-10-13 | 2008-10-15 | 诺基亚公司 | 一种天线配置 |
| JP4559490B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2010-10-06 | パイオニア株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2007335977A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Toshiba Corp | 電子素子 |
| WO2009016906A1 (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波装置及びその製造方法 |
| CN103763648B (zh) * | 2013-12-27 | 2017-06-09 | 圆展科技股份有限公司 | 耳机装置 |
| DE102018109849B4 (de) * | 2018-04-24 | 2020-03-05 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustischer Resonator und Verfahren zum Bilden desselben |
| CN113328725B (zh) * | 2021-05-21 | 2024-04-05 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波谐振结构、滤波器及声波谐振结构的制造方法 |
| CN114592172A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-07 | 广东广纳芯科技有限公司 | 声表面波滤波器的叉指电极及其制备方法、以及声表面波滤波器 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3721841A (en) * | 1971-06-16 | 1973-03-20 | Motorola Inc | Contact for piezoelectric crystals |
| US4017890A (en) * | 1975-10-24 | 1977-04-12 | International Business Machines Corporation | Intermetallic compound layer in thin films for improved electromigration resistance |
| JPS595724A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |
| US4445066A (en) * | 1982-06-30 | 1984-04-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrode structure for a zinc oxide thin film transducer |
| GB2186456B (en) * | 1986-01-13 | 1989-11-08 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPS62272610A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPS634648A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS639971A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2555072B2 (ja) * | 1987-05-11 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 固体電子装置 |
| JPS6480113A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPH01303910A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | 固体電子素子、その製造方法、及びそれを利用した装置 |
| JPH0284719A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5162690A (en) * | 1989-04-14 | 1992-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US5071714A (en) * | 1989-04-17 | 1991-12-10 | International Business Machines Corporation | Multilayered intermetallic connection for semiconductor devices |
| US5171642A (en) * | 1989-04-17 | 1992-12-15 | International Business Machines Corporation | Multilayered intermetallic connection for semiconductor devices |
| JPH03152935A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04288718A (ja) | 1991-02-22 | 1992-10-13 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子の電極構造 |
| JPH05206776A (ja) | 1992-01-30 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
| US5710978A (en) | 1993-06-29 | 1998-01-20 | Swift Computers, Inc. | Logging recorder system for trunking radio |
| JPH09223944A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-08-26 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP26854293A patent/JP3379049B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-31 FR FR9410465A patent/FR2711863B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-08 US US08/676,504 patent/US5774962A/en not_active Ceased
-
1997
- 1997-05-23 US US08/863,026 patent/US5773917A/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-04-05 US US09/286,328 patent/USRE38278E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-14 US US09/482,546 patent/USRE38002E1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844347A (en) * | 1995-09-01 | 1998-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Saw device and its manufacturing method |
| WO1997011526A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US5929723A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-27 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave apparatus having an electrode that is a doped alloy film |
| WO1999054995A1 (en) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
| US6297580B1 (en) | 1998-04-21 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
| US6413439B1 (en) | 1999-03-18 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| DE19962117B4 (de) * | 1999-03-18 | 2004-05-06 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung |
| US6909341B2 (en) | 2000-10-23 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter utilizing a layer for preventing grain boundary diffusion |
| KR100791708B1 (ko) * | 2000-10-23 | 2008-01-03 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 필터 및 그 제조 방법 |
| WO2002035702A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| US6657366B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave element |
| US6486591B2 (en) | 2000-12-14 | 2002-11-26 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US7467447B2 (en) | 2001-09-21 | 2008-12-23 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a SAW device |
| US6903488B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | SAW device and manufacturing method |
| US7218038B2 (en) | 2003-05-26 | 2007-05-15 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave element, and surface acoustic wave device including the same |
| US7141909B2 (en) | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7218039B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-05-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Surface acoustic wave device |
| WO2004114521A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| US7423365B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-09-09 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US7301421B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, manufacturing method therefor, and communications equipment |
| US7389570B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-06-24 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment |
| US7307369B2 (en) | 2004-08-26 | 2007-12-11 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment |
| JP2006165207A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008172668A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
| US8049577B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-11-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic wave device, duplexer using the same, and communication apparatus using the duplexer |
| USRE48129E1 (en) | 2007-11-15 | 2020-07-28 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic wave device, duplexer using the same, and communication apparatus using the duplexer |
| JP2012084932A (ja) * | 2012-02-01 | 2012-04-26 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| US9923539B2 (en) | 2014-03-05 | 2018-03-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| JPWO2019009373A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2020-06-11 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置 |
| WO2021085465A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| US12519453B2 (en) | 2019-10-30 | 2026-01-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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