JPH0713603B2 - ガス検知素子の製造方法 - Google Patents
ガス検知素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0713603B2 JPH0713603B2 JP61005111A JP511186A JPH0713603B2 JP H0713603 B2 JPH0713603 B2 JP H0713603B2 JP 61005111 A JP61005111 A JP 61005111A JP 511186 A JP511186 A JP 511186A JP H0713603 B2 JPH0713603 B2 JP H0713603B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- detection element
- gas detection
- temperature
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 50
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はイソブタンガス等の可燃性ガスの検知回路に用
いるガス検知素子の製造方法に関する。
いるガス検知素子の製造方法に関する。
（従来の技術） 従来、イソブタンガス等の可燃性ガスのガス検知素子と
して、SnO2を主成分としてこれにAg、Au、Pd、Pt、Rh、
Ru等の貴金属を副成分として添加したものが知られてい
る。
して、SnO2を主成分としてこれにAg、Au、Pd、Pt、Rh、
Ru等の貴金属を副成分として添加したものが知られてい
る。
しかし上記ガス検知素子はガス検知を行う際ガス検知素
子を350℃以上の高温度で加熱しなければイソブタンガ
ス等の可燃性ガスに対して作動せず、しかもかかる高温
度で長時間に亘って作動させるとガス検知素子内に組込
まれている素子加熱ヒータが次第に劣化して作動温度を
保持出来ず感度が低下してしまい、またかかる高温度で
の作動によってイソブタンガス等の可燃性ガス以外のア
ルコール等の雑ガスをも検知する等の不都合を有してい
る。
子を350℃以上の高温度で加熱しなければイソブタンガ
ス等の可燃性ガスに対して作動せず、しかもかかる高温
度で長時間に亘って作動させるとガス検知素子内に組込
まれている素子加熱ヒータが次第に劣化して作動温度を
保持出来ず感度が低下してしまい、またかかる高温度で
の作動によってイソブタンガス等の可燃性ガス以外のア
ルコール等の雑ガスをも検知する等の不都合を有してい
る。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明はかかる従来の不都合を解消し、イソブタンガス
等の可燃性ガスに対して200℃ないし250℃の温度下で優
れた感度を有し、安定性および耐久性に優れたガス検知
素子の製造方法を提供することを目的とする。
等の可燃性ガスに対して200℃ないし250℃の温度下で優
れた感度を有し、安定性および耐久性に優れたガス検知
素子の製造方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明のガス検知素子の製造方法は、SnCl4とSn（SO4）
２との水溶液にアンモニア水を滴下して沈澱生成物を得
た後、該沈澱生成物を乾燥し、焼成したSnO2を主成分と
し、これに▲SO2- 4▼を副成分として0.01ないし５重量
％含有せしめた後、焼成することを特徴とする。
２との水溶液にアンモニア水を滴下して沈澱生成物を得
た後、該沈澱生成物を乾燥し、焼成したSnO2を主成分と
し、これに▲SO2- 4▼を副成分として0.01ないし５重量
％含有せしめた後、焼成することを特徴とする。
ここで、▲SO2- 4▼の含有量は▲SO2- 4▼をSO4とみな
し、重量％として示すものとする。
し、重量％として示すものとする。
第１図は主成分SnO2に対し副成分▲SO2- 4▼を種々の量
で含有させて得られたガス検知素子の250℃温度下にお
ける該各▲SO2- 4▼の含有量（重量％）の空気中におけ
る電気抵抗値（以下単に抵抗値と称す）RA並びにイソブ
タンガス濃度1800ppmの雰囲気中における抵抗値RGとの
関係を示すもので、図中曲線Ａは空気中における抵抗値
RAを、曲線Ｂはイソブタンガス雰囲気中における抵抗値
RGを夫々示す。
で含有させて得られたガス検知素子の250℃温度下にお
ける該各▲SO2- 4▼の含有量（重量％）の空気中におけ
る電気抵抗値（以下単に抵抗値と称す）RA並びにイソブ
タンガス濃度1800ppmの雰囲気中における抵抗値RGとの
関係を示すもので、図中曲線Ａは空気中における抵抗値
RAを、曲線Ｂはイソブタンガス雰囲気中における抵抗値
RGを夫々示す。
第１図に示すようにガス検知素子の空気中における抵抗
値RA（曲線Ａ）は▲SO2- 4▼の含有量の増加に従い上昇
傾向となりその含有量が0.5重量％で最大値に達し、更
に含有量が増加するに従い下降傾向となりその含有量が
10重量％を超えると横這い傾向を示す。またガス検知素
子のイソブタンガス雰囲気中における抵抗値RG（曲線
Ｂ）は▲SO2- 4▼の含有量の増加に従い下降傾向となり
その含有量が0.5重量％で最小値に達し、更に含有量が
増加するに従い上昇傾向となりその含有量が５重量％を
超えると横這い傾向を示す。
値RA（曲線Ａ）は▲SO2- 4▼の含有量の増加に従い上昇
傾向となりその含有量が0.5重量％で最大値に達し、更
に含有量が増加するに従い下降傾向となりその含有量が
10重量％を超えると横這い傾向を示す。またガス検知素
子のイソブタンガス雰囲気中における抵抗値RG（曲線
Ｂ）は▲SO2- 4▼の含有量の増加に従い下降傾向となり
その含有量が0.5重量％で最小値に達し、更に含有量が
増加するに従い上昇傾向となりその含有量が５重量％を
超えると横這い傾向を示す。
また主成分SnO2に対し副成分▲SO2- 4▼を種々の量で含
有させて得たガス検知素子につき200℃の温度下で、該
各▲SO2- 4▼含有量（重量％）と空気中における抵抗値R
A並びにイソブタンガス濃度1800ppm雰囲気における抵抗
値RGを測定した場合も250℃温度下の場合と同様の結果
が得られた。
有させて得たガス検知素子につき200℃の温度下で、該
各▲SO2- 4▼含有量（重量％）と空気中における抵抗値R
A並びにイソブタンガス濃度1800ppm雰囲気における抵抗
値RGを測定した場合も250℃温度下の場合と同様の結果
が得られた。
従って主成分SnO2に対する副成分▲SO2- 4▼の含有量は
0.01重量％以上にすることによって検知ガスに対する感
度向上効果が得られる。
0.01重量％以上にすることによって検知ガスに対する感
度向上効果が得られる。
またガスの検知素子は主成分SnO2に対し含有すべき副成
分▲SO2- 4▼の量の上限は空気中抵抗値RAとイソブタン
ガス雰囲気中抵抗値RGとの差異が明確に現れている範囲
すなわち５重量％となる。
分▲SO2- 4▼の量の上限は空気中抵抗値RAとイソブタン
ガス雰囲気中抵抗値RGとの差異が明確に現れている範囲
すなわち５重量％となる。
尚、ガス検知素子に対する信頼性、安定性および経済上
の観点から主成分SnO2に対して副成分▲SO2- 4▼の含有
範囲を0.1重量％ないし３重量％とすることが好まし
い。
の観点から主成分SnO2に対して副成分▲SO2- 4▼の含有
範囲を0.1重量％ないし３重量％とすることが好まし
い。
（実施例） 次に実施例、比較例について詳しく説明する。
実施例 SnCl4とSn（SO4）２との重量比1:1の水溶液にアンモニ
ア水を滴下して沈澱生成物を得、この沈澱生成物を濾過
して乾燥後粉砕し、これを温度570℃で３時間焼成後、
再び粉砕してSnO2に対し▲SO2- 4▼が0.5重量％含有され
たガス検知素子原料を得た。得られた原料に純水を加え
てペースト状にし、大きさ縦2.5mm、横3.5mm、厚さ1.0m
mの形状に成形し電極を兼ねた素子加熱ヒータを埋め込
んで、温度600℃で１時間焼成してガス検知素子KAを得
た。
ア水を滴下して沈澱生成物を得、この沈澱生成物を濾過
して乾燥後粉砕し、これを温度570℃で３時間焼成後、
再び粉砕してSnO2に対し▲SO2- 4▼が0.5重量％含有され
たガス検知素子原料を得た。得られた原料に純水を加え
てペースト状にし、大きさ縦2.5mm、横3.5mm、厚さ1.0m
mの形状に成形し電極を兼ねた素子加熱ヒータを埋め込
んで、温度600℃で１時間焼成してガス検知素子KAを得
た。
比較例 SnCl4のみの水溶液にアンモニア水を滴下して沈澱生成
物を得、焼成後▲SO2- 4▼が無含有の原料である以外は
前記実施例と同様にしてガス検知素子KBを得た。
物を得、焼成後▲SO2- 4▼が無含有の原料である以外は
前記実施例と同様にしてガス検知素子KBを得た。
得られたガス検知素子KAおよびKBを温度200℃より400℃
までの間において各温度に保持しながら、空気中におけ
る抵抗値RA並びにイソブタンガス1800ppm雰囲気中にお
ける抵抗値RGについて夫々測定し、空気中における抵抗
値RAを、イソブタンガス雰囲気中における抵抗値RGで除
した値の対数値［l0g（RA/RG）］を検知ガスに対する感
度とし、この感度と各温度との関係すなわち感度変化を
求めた。その結果を第２図に示す。図中曲線Ｃは▲SO2-
4▼を含有するガス検知素子KAの感度変化、曲線Ｄは▲S
O2- 4▼が無含有のガス検知素子KBの感度変化を夫々示
す。
までの間において各温度に保持しながら、空気中におけ
る抵抗値RA並びにイソブタンガス1800ppm雰囲気中にお
ける抵抗値RGについて夫々測定し、空気中における抵抗
値RAを、イソブタンガス雰囲気中における抵抗値RGで除
した値の対数値［l0g（RA/RG）］を検知ガスに対する感
度とし、この感度と各温度との関係すなわち感度変化を
求めた。その結果を第２図に示す。図中曲線Ｃは▲SO2-
4▼を含有するガス検知素子KAの感度変化、曲線Ｄは▲S
O2- 4▼が無含有のガス検知素子KBの感度変化を夫々示
す。
第２図から実施例のガス検知素子KAは比較例のガス検知
素子KBに比して温度200℃ないし250℃の範囲において感
度に顕著な差があり、主成分SnO2に対して副成分として
▲SO2- 4▼を含有させることによりイソブタンガスに対
して200℃ないし250℃の温度下で極めて優れた感度を示
すことが確認された。
素子KBに比して温度200℃ないし250℃の範囲において感
度に顕著な差があり、主成分SnO2に対して副成分として
▲SO2- 4▼を含有させることによりイソブタンガスに対
して200℃ないし250℃の温度下で極めて優れた感度を示
すことが確認された。
また本発明の製造方法で得られたガス検知素子は従来品
における温度350℃以上のような高温度ではなく、温度2
00℃ないし250℃のような低温度で作動させることが出
来るので、ガス検知素子内の素子加熱ヒーターが劣化す
ることがないため安定性があり耐久性に優れる。
における温度350℃以上のような高温度ではなく、温度2
00℃ないし250℃のような低温度で作動させることが出
来るので、ガス検知素子内の素子加熱ヒーターが劣化す
ることがないため安定性があり耐久性に優れる。
（発明の効果） このように本発明方法で得られたガス検知素子は、主成
分SnO2に対し副成分▲SO2- 4▼を0.01ないし５重量％含
有しているために、イソブタンガス等の可燃性ガスを20
0℃ないし250℃の温度下で検知出来、低温度で作動させ
るため安定性および耐久性に優れる等の効果を有する。
分SnO2に対し副成分▲SO2- 4▼を0.01ないし５重量％含
有しているために、イソブタンガス等の可燃性ガスを20
0℃ないし250℃の温度下で検知出来、低温度で作動させ
るため安定性および耐久性に優れる等の効果を有する。
第１図は主成分SnO2に対する副成分▲SO2- 4▼含有量と
各抵抗値RA、RGとの関係を示す図、第２図は▲SO2- 4▼
を含有せるガス検知素子および▲SO2- 4▼無含有のガス
検知素子の各温度における感度変化を示す図である。
各抵抗値RA、RGとの関係を示す図、第２図は▲SO2- 4▼
を含有せるガス検知素子および▲SO2- 4▼無含有のガス
検知素子の各温度における感度変化を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】SnCl4とSn（SO4）２との水溶液にアンモニ
ア水を滴下して沈澱生成物を得た後、該沈澱生成物を乾
燥し、焼成したSnO2を主成分とし、これに▲SO2- 4▼を
副成分として0.01ないし５重量％含有せしめた後、焼成
することを特徴とするガス検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005111A JPH0713603B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | ガス検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005111A JPH0713603B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | ガス検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62163956A JPS62163956A (ja) | 1987-07-20 |
| JPH0713603B2 true JPH0713603B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=11602240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61005111A Expired - Lifetime JPH0713603B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | ガス検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713603B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107831269B (zh) * | 2017-10-19 | 2020-03-27 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 提升硫化氢敏感的二氧化锡气敏材料稳定性的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58200153A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス検知素子 |
-
1986
- 1986-01-16 JP JP61005111A patent/JPH0713603B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62163956A (ja) | 1987-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61260605A (ja) | セラミツク湿度センサ | |
| JP2921032B2 (ja) | アンモニアガスセンサ | |
| JPH0713603B2 (ja) | ガス検知素子の製造方法 | |
| JP3197457B2 (ja) | アンモニアガスセンサ及びその製造方法 | |
| EP0115953A2 (en) | Gas sensor | |
| US4509034A (en) | Gas sensor | |
| JPS6036017B2 (ja) | 還元性ガス検知素子の製造方法 | |
| JPH0531104B2 (ja) | ||
| JPH0658900A (ja) | 湿度センサ | |
| JPS6214921B2 (ja) | ||
| KR100276287B1 (ko) | 수소 및 알콜 감지용 반도체식 가스센서 감지재료 | |
| JP3919306B2 (ja) | 炭化水素ガス検知素子 | |
| KR940009954B1 (ko) | 가스센서 감지소자의 제조방법 | |
| JPH0380257B2 (ja) | ||
| JPS6155064B2 (ja) | ||
| JPS62254047A (ja) | 低アルコ−ル感度ガスセンサの製造方法 | |
| EP0470250A1 (en) | Moisture sensor | |
| JPH0473744B2 (ja) | ||
| JPS6236173B2 (ja) | ||
| JPH01297548A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS6363064B2 (ja) | ||
| JPS6245495B2 (ja) | ||
| JPS6356940B2 (ja) | ||
| KR100275926B1 (ko) | SnO₂분말의 비표면적을 증가시키는 방법 | |
| JPS59108947A (ja) | Ｃｏガス検出素子 |