JPH07147013A

JPH07147013A - 薄膜磁気ヘッド用スライダーの製造方法

Info

Publication number: JPH07147013A
Application number: JP29211193A
Authority: JP
Inventors: Hideki Sonobe; 秀樹薗部; Eisei Togawa; 衛星戸川; Masayuki Hayashi; 雅之林; Noriyuki Saiki; 教行斉木; Kazunari Takemoto; 一成竹元; Kazuo Nate; 和男名手; Saburo Suzuki; 三郎鈴木; Yoshiki Hagiwara; 芳樹萩原
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-11-22
Filing date: 1993-11-22
Publication date: 1995-06-06

Abstract

(57)【要約】【目的】マスク除去の際の、マスク剥離残渣や、加工面
上の損傷を防止する。【構成】空気ベアリング面を呈するレールを有する型の
磁気ヘッド用スライダーを、ジキヘッドを形成し基板を
切断する工程（ａ）と、エッチング用マスク用のリフト
オフ薄膜を形成する工程（ｃ）と、エッチング用マスク
を形成し、パターニングする工程（ｄ）と、スライダー
面をエッチングする工程（ｅ）と、リフトオフ薄膜を溶
剤によって除去することによりマスク材を剥離する工程
（ｆ）より製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置に用いら
れる磁気ヘッドの製造方法に係わり、とくに精密微細加
工を必要とする薄膜磁気ヘッド用スライダーの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置における高記録
密度化が望まれており、この高記録密度化の実現のため
に、記録媒体への記録、並びに記録媒体からの再生を行
う薄膜磁気ヘッド用スライダーの、磁気ディスク面に対
する浮上量の低減が要求されている。

【０００３】そして、このような薄膜磁気ヘッド用スラ
イダーの低減を実現するためには、スライダー加工の、
さらなる微細化、高精度化が必要となる。

【０００４】従来、薄膜磁気ヘッドのスライダー加工
は、前工程であるヘッド素子形成のウエハプロセスの
後、ウエハ切断したブロックの側面を機械加工すること
によって行われてきた。しかし、ヘッド浮上量を０．１
ミクロン以下にするためには、負圧型スライダーや、種
々の曲線形状のレールを有するスライダーが必要である
にもかかわらず、量産性を考慮すると機械加工では直線
的なスライダーレ−ルしか形成できない。

【０００５】そこで、最近では、曲線や複雑な直線の組
み合わせからなるレール形状のスライダーを量産加工す
るために、予め形成したマスクの上からサンドブラスト
法によりスライダを加工したり、レーザーを走査させて
表面を蒸発させて加工する方法が提案されている。ま
た、自由なレール形状を精度良く加工する方法として、
半導体製造ウエハプロセスで行なわれているフォトエッ
チング技術（例えば、Ｖａｃｕｕｍ，３８（１１），
ｐ．１００７−１００９，１９８８．）を用いるプロ
セスが提案されている。

【０００６】図２に、このフォトエッチング技術を用い
た薄膜磁気ヘッド用スライダの製造プロセスを示す。

【０００７】図示するように、ウエハ１上にフォトリソ
グラフィーにより素子を形成し、これをブロック状に切
り出す（ａ）。

【０００８】次に、切り出されたスライダーブロック２
の浮上面（被加工面）を上にして加工用治具３上に固定
する（ｂ）。

【０００９】その後、被加工面上にエッチング用マスク
４を形成し（ｃ）、パターニングした後、ドライエッチ
ング等により加工することでスライダーレールを形成す
る（ｄ）。

【００１０】最後に、被加工面上にあるエッチング用マ
スクの残膜を除去し（ｅ）、続いて、このレール形成さ
れたスライダーブロック５を各スライダーに切断するこ
とによってヘッド用スライダーが製造される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このようなサンドブラ
スト法やレーザー法、あるいは、イオンミリングなどの
ドライエッチングプロセスによるスライダーレール加工
を用いることにより、加工精度を上げることが可能とな
ってきたが、これらの加工方法においては、加工中に加
工用マスク（エッチング用マスク）材が加熱されたり、
高エネルギービームにさらされることにより、マスク材
が変質し、エッチング後のマスク剥離が困難となるため
に、加工面上に損傷を与えず、かつ、マスク材の剥離残
渣（図２ｅ符号７）等を残さず、マスク残膜を除去する
ことが困難であるという問題があった。

【００１２】一方、これを防止するために耐熱性の高い
炭素膜やダイヤモンド薄膜をエッチング用マスク材とし
て用いた場合、これらの除去には通常Ｏ₂プラズマを用
いたアッシングや反応性イオンエッチング、あるいは反
応性ドライエッチング等を用いる必要があるが、これら
の除去方法では、アッシングやエッチング時に、露出し
ている磁気ヘッド素子や露出してくるスライダー面がエ
ッチングイオンやエッチングガスによって酸化あるいは
削られてしまうという問題があった。

【００１３】さて、ヘッドを安定に０．１ミクロン程度
の隙間で浮上させるためにはレール幅加工時の精度が必
要であり、具体的には数１００ミクロンのレール幅の場
合、加工寸法のばらつきとしては、数ミクロン以下が要
求される。そして、このような低浮上量を実現するため
に、加工後のレール表面上を高清浄に保つ高精度加工法
の確立が望まれていた。

【００１４】また、たとえば特開平４−２７６３６７号
公報や、特開平４−３６４２１７号公報に記載の技術の
うに、ヘッドの信頼性向上の観点から、スライダーレー
ル面にも保護膜が施される場合があり、この場合は、保
護膜に損傷を与えることなく、エッチング用マスク材を
除去することが必要となる。

【００１５】そこで、本発明は、スライダー面上に精度
良く自由な形状のレールを、高清浄に形成することので
きる薄膜磁気ヘッド用スライダーの製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記目的達成のために、
本発明は、エッチング用マスクを用いたエッジングによ
って、空気ベアリング面を呈するレールを有する薄膜磁
気ヘッド用スライダーを製造する方法であって、磁気ヘ
ッド素子が形成された前記薄膜磁気ヘッド用スライダー
のレ−ルを形成する面上に、溶剤によって溶解可能な薄
膜を、エッチング用マスクのリフトオフ層として生成す
るステップと、前記リフトオフ層の上にエッジング用マ
スクを生成するステップと。

【００１７】エッチング用マスクを用いたエッジングに
よって、薄膜磁気ヘッド用スライダーにレールを形成す
るステップと、前記リフトオフ薄膜を前記溶剤によって
除去することにより、前記エッチング用マスクを剥離す
るステップとを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
用スライダーの製造方法を提供する。

【００１８】

【作用】本発明者によれば、エッチング後のマスク除去
時の残渣発生や被加工面への損傷を防止するために、エ
ッチング用マスクの下層にリフトオフ用の薄膜を設け
る。

【００１９】すなわち、本発明によれば、たとえば、図
１に示すように、薄膜磁気ヘッド用スライダーは製造さ
れる。

【００２０】図示するように、まず、ウエハ１上にフォ
トリソグラフィーにより素子を形成し、これをブロック
状に切り出す（ａ）。

【００２１】次に、切り出されたスライダーブロック２
の浮上面（被加工面）を上にして加工用治具３上に固定
する（ｂ）。

【００２２】次に、加工用治具３上に被加工面を上にし
て固定されたスライダーブロック２の全面に気相堆積法
によりリフトオフ薄膜６を形成する（ｃ）。

【００２３】その形成法としては、スパッタリング法や
蒸着法等の物理的気相堆積法、プラズマ重合法、ＣＶＤ
法等の化学的気相堆積法などが有効であるが、他の方法
によってもよい。

【００２４】また、リフトオフ薄膜の材質はプロセス耐
性を考慮して選ばれるが、湿式溶解性は勿論のこと、接
着性(密着性)、耐熱性、耐溶剤性、剥離性などプロセス
耐性を兼ねそなえたものを選択する。

【００２５】たとえば、リフトオフ薄膜としては、アル
カリ水溶液に可溶な金属あるいは金属酸化膜などを用い
ることができる。また、この場合は、特に、純水により
溶解可能な酸化モリブデン薄膜（ＭｏＯ₃またはＭｏ
Ｏ₂）、酸化タングステン（ＷＯ₃またはＷＯ₂）薄膜が
好ましい。リフトオフ用の剥離液として純水を用いるこ
とにより、素子等に損傷を与えない製造プロセスが可能
となるからである。。

【００２６】また、リフトオフ薄膜としては、スパッタ
法、蒸着法等の物理的気相堆積法あるいはプラズマ重合
法、ＣＶＤ法等の化学的気相堆積法により成膜された高
分子有機薄膜も用いることができる。この場合、リフト
オフ用の剥離液としてはアセトン、トルエン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等の汎用有機溶剤を使用するようにする。
このような高分子有機薄膜としては、有機溶剤に溶解す
るものであれば、特に限定されるものではないが、例え
ば、ポリアミド樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリアクリル酸樹脂、ポリメタクリル酸樹
脂、パリレン樹脂（界面剥離型）などを用いることがで
きる。

【００２７】また、形成するリフトオフ薄膜の膜厚は、
特に限定されるものではないが、約０．０５ミクロンか
ら１ミクロンの範囲が選ばれる。中でも、好ましくは
０．１ミクロンから０．５ミクロンの範囲である。

【００２８】さて、このようにしてリフトオフ薄膜６を
形成したら、次は、スライダーブロックのリフトオフ薄
膜６上に、ドライエッチング用マスク材４を形成する
（ｄ）。

【００２９】そして、ドライエッチング法などによりス
ライダーレール面を加工する（ｅ）。なお、この時、エ
ッチング用マスク材の材質によってはエッチングの時の
加熱により焼き付きを起す場合がある。なお、ドライエ
ッチングとは、狭義には、ガスプラズマやイオンを用い
たエッチングのことを指すこともあるが、ここでは広義
に、微粒子によるエッチング等も含む意味で用いてい
る。例えば、プラズマエッチング、反応性イオンエッチ
ング、イオンミリング、サンドブラスト、エキシマレー
ザーエッチング等もドライエッチングに含まれる。

【００３０】最後に、このリフトオフ薄膜を前述した溶
剤による湿式剥離法で剥離除去した後、洗浄することに
より、スライダー加工が完成する（ｆ）。なお、リフト
オフ薄膜の除去には、先に述べた純水、アルカリ水溶
液、汎用有機溶剤のほか、リフトオフ薄膜として材質に
おうじて、市販のレジスト剥離液、レジスト現像液等を
用いることができる。また、湿式剥離においては、加熱
したり、超音波を併用したりすることが望ましい。

【００３１】さて、このようにしてリフトオフ薄膜によ
って、エッチング用マスクを確実に、素子へのダメ−ジ
なく剥離することができる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明に係る薄膜ヘッド用スライダー
の製造方法の具体的な実施例を示す。

【００３３】（第１実施例）まず、第１の実施例につい
て説明する。

【００３４】本第１実施例では、基板としてアルミナチ
タンカーバイドを用いた。そして、従来と同様にして、
素子形成した基盤を切断したスライダーブロック２を
得、加工すべきレール面を上にして治具３に固定した。

【００３５】あおして、このスライダーブロックの被加
工面上にリフトオフ薄膜としてＲＦスパッタ装置を用い
酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）薄膜（０．２ミクロン厚）
を形成した。なお、成膜条件は、Ａｒ流量：３０ｓｃｃ
ｍ、高周波出力：２００Ｗ（６インチターゲット）とし
た。

【００３６】次に、リフトオフ薄膜の上にロールコータ
ーを用いてアルカリ現像形ノボラック系ポジ形フォトレ
ジスト(東京応化製ＯＦＰＲ−８００、粘度１００ｃ
ｐ）を５ミクロン厚に塗布し、露光（プロジェクション
露光で、４Ｊ／ｃｍ²照射)、現像（２．３８ｗｔ．％Ｎ
ＭＤ−３に１分３０秒浸漬）によりレジストパターンを
作成した。

【００３７】そして、このパターニングされたレジスト
膜をマスクに、スライダー面をアルゴン／４フッ化炭素
（８０：２０）のイオンミリングにより加工した。な
お、イオンミリング条件は６００Ｖ、６００ｍＡ、１１
時間であった。加工深さは約６ミクロンであった。

【００３８】最後に、８０℃の純水中に１０分間、超音
波浸漬し、リフトオフ薄膜を溶解させ、エッチング用マ
スクの残膜を剥離除去し、レール面が加工されたスライ
ダーブロック５を得た。

【００３９】この結果、得られた加工されたスライダレ
ールの精度は、フォトマスク寸法からのシフト量のばら
つきでみると３σで１．９ミクロンであり、極めて優れ
ていることが確認できた。また、スライダレール加工工
程後のレール面上には、レジスト剥離残渣等の付着物も
なく、また、エッチングによる損傷もなく、極めて良好
なスライダーが得られたことを確認した。

【００４０】（第２実施例）次に、第２の実施例につい
て説明する。

【００４１】本第２実施例では、基板としてチタニアを
用いた。そして、従来と同様にして素子形成された基板
を切断し、スライダーブロック２を得、加工すべきレー
ル面を上にして治具３に固定した。

【００４２】そして、このスライダーブロックの被加工
面上に、ＲＦスパッタ装置を用いて、リフトオフ薄膜と
して酸化モリブデン薄膜（０．１５ミクロン厚）を生成
し、さらに、ＲＦスパッタ装置を用いて、Ｓｉ膜（０．
０１ミクロン厚）、カーボン膜（１０ミクロン厚）およ
びＳｉ膜（０．５ミクロン厚）を形成した。なお、酸化
モリブデン薄膜の成膜条件は、Ａｒ流量；３０ｓｃｃ
ｍ、高周波出力：８００Ｗ（６インチターゲット）とし
た。

【００４３】次に、その上にロールコーターを用いてア
ルカリ現像形ノボラック系ポジ形フォトレジスト（東京
応化製ＯＦＰＲ−８００、粘度６０ｃｐ）を２．５ミク
ロン厚に塗布し、露光(プロジェクション露光で、２Ｊ
／ｃｍ²照射)、現像（２．３８ｗｔ．％ＮＭＤ−３に１
分３０秒浸漬）して、レジストパターンを作成した。

【００４４】そして、レジストパターンをマスクに、Ｃ
Ｆ₄ガスを用いた反応性ドライエッチングによりＳｉ膜
を加工した。なお、ドライエッチング条件は、３００
Ｗ、２０分とした。次に、このパターニングされたＳｉ
膜をマスクに、酸素プラズマを用いた反応性ドライエッ
チングによりカーボン膜をエッチングした。この時のエ
ッチング条件は、高周波出力３００Ｗ、酸素ガス圧１０
Ｐａ、バイアス電圧５００Ｖであった。

【００４５】次に、このパターニングされたカーボン膜
をマスクに、スライダー面をアルゴン／４フッ化炭素
（８０：２０）のイオンミリングにより加工した。な
お、イオンミリング条件は６００V、６００ｍＡ、１１
時間であった。加工深さは約１０ミクロンであった。

【００４６】最後に、汎用のレジスト現像液である２．
３８ｗｔ．％ＮＭＤ−３（東京応化工業製）に、１０分
間、超音波浸漬（５０℃）することにより、リフトオフ
薄膜を溶解し、エッチング用マスクのカーボン残膜を剥
離除去し、レール面が加工されたスライダーブロック５
を得た。

【００４７】本第２実施例によって、加工したスライダ
ーレールの精度は高く、フォトマスク寸法からのシフト
量のばらつきは３σで１．３ミクロンであり、極めて優
れていることが確認できた。また、スライダーレール加
工工程後のレール面上には、カーボン膜剥離残渣等の付
着物もなく、極めて良好なスライダーが得られたことを
確認した。

【００４８】（実施例３）本第３実施例では、基板とし
てチタニアを使用した。そして、従来と同様にして素子
形成された基板を切断し、スライダーブロック２を得、
加工すべきレール面を上にして治具３に固定した。

【００４９】そして、このスライダーの被加工面上にリ
フトオフ薄膜としてＲＦスパッタ装置を用い酸化タング
ステン（ＷＯ₃）薄膜（０．１ミクロン厚）を形成し
た。なお、その成膜条件として、Ａｒ流量：３０ｓｃｃ
ｍ、高周波出力：２００Ｗ（６インチターゲット）とし
た。

【００５０】続いて、このリフトオフ薄膜上にエポキシ
アクリレート系感光性ドライフィルム（膜厚：３０ミク
ロン）を１２０℃でラミネートとした。この感光性フィ
ルムを１／１プロジェクションアライナで露光（照射量
１ｍＪ／ｃｍ²）し、アルカリ現像することによりレジ
ストパターンを作成した。

【００５１】次に、このレジストフィルムパターンをマ
スクとしてアルゴン／四フッ化炭素（９０：１０）でイ
オンミリングし、チタニア面を５ミクロンエッチングし
た。

【００５２】最後に、０．０１Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液中に、２５分間超音波浸漬（２５℃）することによ
り、リフトオフ薄膜を溶解させ、エッチング用マスクの
残膜を剥離除去して、レール面が加工されたスライダー
ブロック５を得た。

【００５３】本第３実施例によって加工したスライダー
レールの精度は、フォトマスク寸法からのシフト量のば
らつきでみると、３σで２．５ミクロンであり、極めて
優れていることが確認できた。また、スライダーレール
加工工程後のレール面上には、レジスト剥離残渣等の付
着物もなく、極めて良好なスライダが得られたことを確
認した。

【００５４】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について説明する。

【００５５】本第４実施例では、素子形成された基板と
してチタニアを用いた。そして、従来と同様にして素子
形成した基板を切断し、スライダーブロック２を得、加
工すべきレール面を上にして治具３に固定した。

【００５６】次に、このスライダの被加工面上に真空蒸
着装置を用いてリフトオフ薄膜としてポリアミド膜（１
ミクロン厚）を成膜し、その上にＲＦスパッタ装置を用
いて、Ｓｉ膜（０．０１ミクロン厚）、カーボン膜（１
０ミクロン厚）、および、Ｓｉ膜（０．７ミクロン厚）
を形成した。そして、その上にロールコーターを用いて
アルカリ現像形ノボラック系ポジ形フォトレジスト（東
京応化製ＯＦＰＲ−８００、粘度６０ｃｐ）を２．５ミ
クロン厚に塗布し、露光（プロジェクション露光で、２
Ｊ／ｃｍ²照射）、現像（２．３８ｗｔ．％ＮＭＤ−３
に１分３０秒浸漬）によりレジストパターンを作成し
た。

【００５７】次に、レジストパターンをマスクに、ＣＦ
₄−ＲＩＥによりＳｉ膜を加工した。なお、ＲＩＥ条件
は３００Ｗ、２０分であった。次に、このパターニング
されたＳｉ膜をマスクに、酸素プラズマを用いた反応性
ドライエッチングによりカーボン膜をエッチングした。
この時のエッチング条件は、高周波出力３００Ｗ、酸素
ガス圧１０Ｐａ、バイアス電圧５００Ｖであった。

【００５８】次に、このパターニングされたカーボン膜
をマスクに、スライダー面をアルゴン／４フッ化炭素
（８０：２０）のイオンミリングにより加工した。な
お、イオンミリング条件は６００Ｖ、６００ｍＡ、１１
時間であった。加工深さは約１０ミクロンであった。

【００５９】最後に、８０℃のＮ−メチルピロリドンに
１０分間超音波浸漬することにより、ポリアミド膜を溶
解させ、エッチング用マスクのカーボン残膜を剥離除去
することにより、レール面が加工されたスライダーブロ
ック５を得た。

【００６０】本第４実施例によれば加工されたスライダ
ーレールの精度は、フォトマスク寸法からのシフト量で
みると、そのばらつきは３σで２．０ミクロンであり、
極めて優れていることが確認できた。また、スライダー
レール加工工程後のレール面上には、カーボン膜剥離残
渣や損傷等もなく、極めて良好なスライダーが得られた
ことを確認した。

【００６１】（その他の実施例）本発明者らは、前述し
た実施例１〜４と同様にして、表１に示す条件で実施例
５〜１５の条件でスライダー面の加工を行なった。

【００６２】そして、これらの実施例によっても加工さ
れたスライダーレールは高精度に形成されており、スラ
イダーレール加工工程後のレール面上には、いずれもの
場合においても、カーボン膜剥離残渣や損傷等もなく、
極めて良好なスライダーが得られることを確認した。

【００６３】また、本発明者らは、以下に示す２つのリ
フトオフ薄膜を用いない加工方法によるスライダー加工
を比較例として行い、前述した各実施例の効果を確認し
た。

【００６４】（比較例１）本比較例では、素子形成され
た基板としてアルミナチタンカーバイドを用いた。そす
て、基板を切断し、スライダーブロック２を得、加工す
べきレール面を上にして治具３に固定した。

【００６５】続いて、このスライダーの被加工面上にロ
ールコーターを用いてアルカリ現像形ノボラック系ポジ
形フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００、粘度
１００ｃｐ）を６ミクロン厚に塗布し、露光（プロジェ
クション露光で、５Ｊ／ｃｍ²照射）、現像（２．３８
ｗｔ．％ＮＭＤ−３に１分３０秒浸漬）によりレジスト
パターンを得た。

【００６６】次に、このパターニングされたレジスト膜
をマスクに、スライダー面をアルゴン／４フッ化炭素
（８０：２０）のイオンミリングにより加工した。な
お、イオンミリング条件は６００Ｖ、６００ｍＡ、１１
時間であった。加工深さは約６ミクロンであった。

【００６７】最後に、レジスト剥離液に約３０分間超音
波浸漬（８０℃）し、レジスト除去を行ったが、スライ
ダーレール加工工程後のレール面上にはレジストの剥離
残渣７が残った。又、酸素プラズマを用いたドライエッ
チングを行ったが、完全に残渣をなくすことはできなか
った。また、レール面上への損傷も認められた。

【００６８】（比較例２）本比較例では、素子形成され
た基板としてチタニアを用いた。基板を切断し、スライ
ダーブロック２を得、加工すべきレール面を上にして治
具３に固定した。

【００６９】続いて、このスライダーの被加工面上にＲ
Ｆスパッタ装置を用いて、Ｓｉ膜（０．０１ミクロン
厚）、カーボン膜（１０ミクロン厚）、及びＳｉ膜
（０．７ミクロン厚）を形成した。その上にロールコー
ターを用いてアルカリ現像形ノボラック系ポジ形フォト
レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００、粘度６０ｃ
ｐ）を４ミクロン厚に塗布し、露光（プロジェクション
露光で、４Ｊ／ｃｍ²照射）、現像（２．３８ｗｔ．％
ＮＭＤ−３に１分３０秒浸漬）によりレジストパターン
を得た。

【００７０】次にレジストパターンをマスクに、ＣＦ₄
−ＲＩＥによりＳｉ膜を加工した。なお、ＲＩＥ条件は
３００Ｗ、２０分であった。次に、このパターニングさ
れたＳｉ膜をマスクに、酸素プラズマを用いた反応性ド
ライエッチングによりカーボン膜をエッチングした。こ
の時のエッチング条件は、高周波出力３００Ｗ、酸素ガ
ス圧１０Ｐａ、バイアス電圧５００Ｖであった。

【００７１】次に、このパターニングされたカーボン膜
をマスクに、スライダー面をアルゴン／４フッ化炭素
（８０：２０）のイオンミリングにより加工した。な
お、イオンミリング条件は６００Ｖ、６００ｍＡ、１１
時間であった。加工深さは約１０ミクロンであった。

【００７２】最後に、酸素プラズマ処理によるドライエ
ッチングを行い、カーボンマスク除去を行ったが、スラ
イダーレール加工工程後のレール面上には、カーボン膜
剥離残渣７が残ってしまった。

【００７３】以上説明してきたように、本実施例によれ
ば、フォトリソグラフィ−等の手法をりようして作成し
たマスクを用いたエッジングによって、自由な形状のス
ライダを精度良く作成できると共に、リフトオフ薄膜を
用いることによりスライダ表面を高清浄に精度よく作成
することができる。

【００７４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、スライ
ダー面上に精度良く自由な形状のレールを、高清浄に形
成することのできる薄膜磁気ヘッド用スライダーの製造
方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッド用スライダーの製
造方法の工程例を示す説明図である。

【図２】従来の技術に係る薄膜磁気ヘッド用スライダー
の製造方法の工程例を示す説明図である。

【符号の説明】

１・・・素子形成されたウェハ２・・・切り出されたスライダーブロック３・・・スライダーレール加工用治具４・・・エッチング用マスク５・・・スライダーレール加工されたブロック６・・・リフトオフ薄膜７・・・エッチング用マスク剥離後残渣

フロントページの続き (72)発明者斉木教行神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者竹元一成神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者名手和男神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者鈴木三郎神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者萩原芳樹神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エッチング用マスクを用いたエッジングに
よって、空気ベアリング面を呈するレールを有する薄膜
磁気ヘッド用スライダーを製造する方法であって、磁気ヘッド素子が形成された前記薄膜磁気ヘッド用スラ
イダーのレ−ルを形成する面上に、溶剤によって溶解可
能な薄膜を、エッチング用マスクのリフトオフ層として
生成するステップと、前記リフトオフ層の上にエッジング用マスクを生成する
ステップと。エッチング用マスクを用いたエッジングに
よって、薄膜磁気ヘッド用スライダーにレールを形成す
るステップと、前記リフトオフ層を前記溶剤によって除去することによ
り、前記エッチング用マスクを剥離するステップとを有
することを特徴とする薄膜磁気ヘッド用スライダーの製
造方法。