JPH0715146B2 - 堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成方法Info
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- JPH0715146B2 JPH0715146B2 JP62192729A JP19272987A JPH0715146B2 JP H0715146 B2 JPH0715146 B2 JP H0715146B2 JP 62192729 A JP62192729 A JP 62192729A JP 19272987 A JP19272987 A JP 19272987A JP H0715146 B2 JPH0715146 B2 JP H0715146B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は堆積膜形成方法に係り、特に柱状体に膜厚、膜
質が均一な堆積膜を堆積することの可能な堆積膜形成方
法に関する。
質が均一な堆積膜を堆積することの可能な堆積膜形成方
法に関する。
従来、半導体レーザーの被堆積面に誘電体あるいは金属
の堆積膜を形成する場合、短冊形につながった半導体レ
ーザーとスペーサーとを交互に並べ、さらに左右から挾
みつける治具を用いてスパッタリング等の上方から飛来
する堆積膜のソースによって被堆積面に堆積膜を形成す
ることが成されていた。
の堆積膜を形成する場合、短冊形につながった半導体レ
ーザーとスペーサーとを交互に並べ、さらに左右から挾
みつける治具を用いてスパッタリング等の上方から飛来
する堆積膜のソースによって被堆積面に堆積膜を形成す
ることが成されていた。
しかしながら、このような堆積膜形成方法において、真
空蒸着装置のように堆積膜のソースが半導体レーザーの
被堆積面より下側に配置される堆積膜形成装置には、第
６図に示すように、上記の左右から挾みつける治具16に
ネジ等をつけて、半導体レーザー14とスペーサー15とを
さらに強く挾む必要があり、着脱の作業性に問題があっ
た。
空蒸着装置のように堆積膜のソースが半導体レーザーの
被堆積面より下側に配置される堆積膜形成装置には、第
６図に示すように、上記の左右から挾みつける治具16に
ネジ等をつけて、半導体レーザー14とスペーサー15とを
さらに強く挾む必要があり、着脱の作業性に問題があっ
た。
また、さらにこの被堆積面と対向する裏面にも堆積膜を
形成する場合には、一度、スパッタリング装置等の膜形
成装置から上記治具16を取り出し、短冊状の半導体レー
ザーの上下を逆にして前と同様に治具16に固定した後、
堆積膜形成装置に入れて堆積を形成しており、短冊状の
半導体レーザー14を反転する場合、膜形成装置の真空状
態を破った後、さらに短冊状半導体レーザー14の上下を
逆にして再び整列し直すといった複雑な工程を有してい
るため、作業上、大きな障害となっていた。
形成する場合には、一度、スパッタリング装置等の膜形
成装置から上記治具16を取り出し、短冊状の半導体レー
ザーの上下を逆にして前と同様に治具16に固定した後、
堆積膜形成装置に入れて堆積を形成しており、短冊状の
半導体レーザー14を反転する場合、膜形成装置の真空状
態を破った後、さらに短冊状半導体レーザー14の上下を
逆にして再び整列し直すといった複雑な工程を有してい
るため、作業上、大きな障害となっていた。
さらに、治具16の構造上被堆積面と垂直なへき開した面
が治具に接触するようになっており、半導体レーザーの
構造上重要な面に傷をつけ易く、素子を劣化させる可能
性があった。
が治具に接触するようになっており、半導体レーザーの
構造上重要な面に傷をつけ易く、素子を劣化させる可能
性があった。
また、スパッタリング装置のように形成膜のまわり込み
が大きな装置では、短冊状の半導体レーザーを寝かせ
て、並べた状態で成膜が行われているが、この方法では
対向する両面に反射率の異なる堆積膜を形成するために
は、レジスト塗布等、複雑な工程が必要であり、作業性
に問題があった。
が大きな装置では、短冊状の半導体レーザーを寝かせ
て、並べた状態で成膜が行われているが、この方法では
対向する両面に反射率の異なる堆積膜を形成するために
は、レジスト塗布等、複雑な工程が必要であり、作業性
に問題があった。
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、柱状体の被堆積面
に膜厚、膜質を均一な堆積膜を形成するとともに、その
作業性を改善し、柱状体の構成面と治具との接触部分を
へらして傷等を防ぐことのできる堆積膜形成方法を提供
することにある。
に膜厚、膜質を均一な堆積膜を形成するとともに、その
作業性を改善し、柱状体の構成面と治具との接触部分を
へらして傷等を防ぐことのできる堆積膜形成方法を提供
することにある。
本発明の堆積膜形成方法は、柱状体の被堆積面に堆積膜
形成粒子を飛来させて堆積膜を形成する方法において、
その上面に前記柱状体が被堆積面を下にして挿入される
複数の溝が並設され、その下面に前記溝に挿入された柱
状体の被堆積面の一部を露出させる凹部が設けられ、且
つ、前記凹部の底面が被堆積面より上方に位置するよう
に形成された板状の保持部材を用い、前記保持部材の複
数の溝に夫々柱状体を挿入した状態で、下方から堆積膜
形成粒子を飛来させ、凹部から露出した被堆積面の一部
に堆積膜を形成したことを特徴とする。
形成粒子を飛来させて堆積膜を形成する方法において、
その上面に前記柱状体が被堆積面を下にして挿入される
複数の溝が並設され、その下面に前記溝に挿入された柱
状体の被堆積面の一部を露出させる凹部が設けられ、且
つ、前記凹部の底面が被堆積面より上方に位置するよう
に形成された板状の保持部材を用い、前記保持部材の複
数の溝に夫々柱状体を挿入した状態で、下方から堆積膜
形成粒子を飛来させ、凹部から露出した被堆積面の一部
に堆積膜を形成したことを特徴とする。
本発明は、その上面に柱状体が被堆積面を下にして挿入
される複数の溝が並設され、その下面に前記溝に挿入さ
れた柱状体の被堆積面の一部を露出させる凹部が設けら
れ、且つ、前記凹部の底面が被堆積面より上方に位置す
るように形成された板状の保持部材を用い、前記保持部
材の複数の溝に夫々柱状体を挿入した状態で、下方から
堆積膜形成粒子を飛来させ、凹部から露出した被堆積面
の一部に堆積膜を形成するので、堆積膜形成粒子が保持
部材によって、遮られることなく被堆積面に到達し、被
堆積面に均一に堆積膜を形成することが可能となる。ま
た保持部材と柱状体との接触面積を減少させ、傷等の機
械的な破壊による不良を減少させることができる。
される複数の溝が並設され、その下面に前記溝に挿入さ
れた柱状体の被堆積面の一部を露出させる凹部が設けら
れ、且つ、前記凹部の底面が被堆積面より上方に位置す
るように形成された板状の保持部材を用い、前記保持部
材の複数の溝に夫々柱状体を挿入した状態で、下方から
堆積膜形成粒子を飛来させ、凹部から露出した被堆積面
の一部に堆積膜を形成するので、堆積膜形成粒子が保持
部材によって、遮られることなく被堆積面に到達し、被
堆積面に均一に堆積膜を形成することが可能となる。ま
た保持部材と柱状体との接触面積を減少させ、傷等の機
械的な破壊による不良を減少させることができる。
なお、上記堆積膜形成方法により、被堆積面へ堆積膜を
形成した後、更に前記保持部材に第２の保持部材を嵌合
させて裏返し、前記第２の保持部材で柱状体を前記保持
部材の溝から突出させた状態で保持し、前記第２の保持
部材に設けられた貫通穴を通して堆積膜形成粒子を飛来
させ、前記柱状体の被堆積面に対向した面に堆積膜を形
成すれば、堆積膜形成粒子の飛来方向に対する柱状体の
被堆積面の配置を、真空を保持したまま変えて、柱状体
の複数の被堆積面に均一な堆積膜を形成することができ
る。
形成した後、更に前記保持部材に第２の保持部材を嵌合
させて裏返し、前記第２の保持部材で柱状体を前記保持
部材の溝から突出させた状態で保持し、前記第２の保持
部材に設けられた貫通穴を通して堆積膜形成粒子を飛来
させ、前記柱状体の被堆積面に対向した面に堆積膜を形
成すれば、堆積膜形成粒子の飛来方向に対する柱状体の
被堆積面の配置を、真空を保持したまま変えて、柱状体
の複数の被堆積面に均一な堆積膜を形成することができ
る。
また、前記柱状体の両端部を保持部材によって保持する
ことにより前記柱状体を保持すれば、より柱状体に対す
る接触面積を減らし、保持部材による傷等の機械的な破
壊の可能性が減少する。
ことにより前記柱状体を保持すれば、より柱状体に対す
る接触面積を減らし、保持部材による傷等の機械的な破
壊の可能性が減少する。
さらに、複数の柱状体は、保持部材に形成された複数の
溝に夫々挿入されるので、各柱状体の間には保持部材が
存在することになり、被堆積面の側面の被堆積面の近傍
以外は保持部材で覆われており、その側面に堆積膜は形
成されない。加えて、本発明に用いる保持部材は、柱状
体を挿入する複数の溝と、被堆積面を露出させる為の凹
部を板状の部材に形成するだけでよい為、容易に作成す
ることができる。
溝に夫々挿入されるので、各柱状体の間には保持部材が
存在することになり、被堆積面の側面の被堆積面の近傍
以外は保持部材で覆われており、その側面に堆積膜は形
成されない。加えて、本発明に用いる保持部材は、柱状
体を挿入する複数の溝と、被堆積面を露出させる為の凹
部を板状の部材に形成するだけでよい為、容易に作成す
ることができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
なお、柱状体は短冊状の半導体レーザーを一例として取
り上げるが、これに限定されるものではない。形状も四
角柱に限定されず、三角柱，五角柱，円柱等であっても
よい。
り上げるが、これに限定されるものではない。形状も四
角柱に限定されず、三角柱，五角柱，円柱等であっても
よい。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は保持手段（保持部材となる）に
挿入された半導レーザーの状態を示す説明図である。
挿入された半導レーザーの状態を示す説明図である。
第２図は上記保持手段の斜視図である。
第２図に示すように、保持手段１には列状に溝２が設け
られており、この溝２と直角に、裏面に凹部３が設けら
れている。保持手段１の材料としては、ガラスやアルミ
ナ等のセラミックの焼結体，ステンレスなどが用いられ
る。
られており、この溝２と直角に、裏面に凹部３が設けら
れている。保持手段１の材料としては、ガラスやアルミ
ナ等のセラミックの焼結体，ステンレスなどが用いられ
る。
所定の巾にへき開された短冊状の半導体レーザー４は、
第２図の保持手段１上に掘られた溝２に、膜付けが行な
われる面を下側にして挿入されて第１図のような状態と
なる。第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ、第２
図をA,B,C方向から見た状態を示す。短冊状の半導体レ
ーザー４の下側の面は、両端部のみが保持手段１に接し
ており、従来例のように、平板プレート上に面を下側に
して置く構造と異なり、へき開された面を傷つけるとい
った不都合は生じない。さらに、第１図（Ａ）に示され
ているように凹部３は、半導体レーザー４の被堆積面が
突出するように深く掘られているため、例えば、電子ビ
ーム蒸着装置のように蒸発して飛来してくる物質の回り
込みが小さい装置を用いても、保持手段１によって被堆
積面上に影部が生じず、均一な堆積膜が面上に成膜され
る。
第２図の保持手段１上に掘られた溝２に、膜付けが行な
われる面を下側にして挿入されて第１図のような状態と
なる。第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ、第２
図をA,B,C方向から見た状態を示す。短冊状の半導体レ
ーザー４の下側の面は、両端部のみが保持手段１に接し
ており、従来例のように、平板プレート上に面を下側に
して置く構造と異なり、へき開された面を傷つけるとい
った不都合は生じない。さらに、第１図（Ａ）に示され
ているように凹部３は、半導体レーザー４の被堆積面が
突出するように深く掘られているため、例えば、電子ビ
ーム蒸着装置のように蒸発して飛来してくる物質の回り
込みが小さい装置を用いても、保持手段１によって被堆
積面上に影部が生じず、均一な堆積膜が面上に成膜され
る。
なお、半導体レーザー４は、保持手段１に形成された複
数の溝２に夫々挿入されるので、各半導体レーザー４の
間には保持手段１が存在することになり、被堆積面の側
面の被堆積面の近傍以外は保持部材１で覆われており、
その側面に堆積膜は形成されない。保持手段１は、半導
体レーザー４を挿入する複数の溝２と、被堆積面を露出
させる為の凹部３を板状の部材に形成するだけでよい
為、容易に作成することができる。
数の溝２に夫々挿入されるので、各半導体レーザー４の
間には保持手段１が存在することになり、被堆積面の側
面の被堆積面の近傍以外は保持部材１で覆われており、
その側面に堆積膜は形成されない。保持手段１は、半導
体レーザー４を挿入する複数の溝２と、被堆積面を露出
させる為の凹部３を板状の部材に形成するだけでよい
為、容易に作成することができる。
上記の保持手段を用いた堆積膜形成方法の一例として、
通常の電子ビーム蒸着装置を用いて誘電体膜を被着する
場合について述べる。上記第１図のように半導体レーザ
ー４が保持された保持手段１を、さらに、第３図のよう
に治具５によって蒸着装置にセッティングする。次に10
-5Torr以上に真空排気し、ヒーターによって治具５付近
の温度を200℃以上に加熱した後、SiO2，Al2O3などの誘
電体形成材料を、フィラメント７から出射した電子ビー
ムにより蒸着源６を加熱蒸発させ、シャッター８によっ
て膜厚を制御して蒸着を行う。
通常の電子ビーム蒸着装置を用いて誘電体膜を被着する
場合について述べる。上記第１図のように半導体レーザ
ー４が保持された保持手段１を、さらに、第３図のよう
に治具５によって蒸着装置にセッティングする。次に10
-5Torr以上に真空排気し、ヒーターによって治具５付近
の温度を200℃以上に加熱した後、SiO2，Al2O3などの誘
電体形成材料を、フィラメント７から出射した電子ビー
ムにより蒸着源６を加熱蒸発させ、シャッター８によっ
て膜厚を制御して蒸着を行う。
以上の工程で、半導体レーザー４の一方の被堆積面に所
定の誘電体膜を形成することができる。
定の誘電体膜を形成することができる。
上記被堆積面と対向する裏面に堆積膜を形成する場合に
も上述の方法を繰り返すことにより、誘電体膜を形成す
ることができる。なお、上述では、形成する堆積膜を誘
電体に限って説明したが、膜質は誘電体に限るものでは
なく、例えば、絶縁膜上の金属薄膜を形成する場合にも
有効である。また、膜の形成方法も電子ビーム蒸着に限
るものではなく、CVD（Chemical Vapor Deposition）法
あるいはプラズマCVD法あるいはスパッタリング法など
で膜のソースが短冊状の半導体レーザーの被堆積面より
下方に位置するものであれば同様の方法で、堆積膜を形
成することが可能である。
も上述の方法を繰り返すことにより、誘電体膜を形成す
ることができる。なお、上述では、形成する堆積膜を誘
電体に限って説明したが、膜質は誘電体に限るものでは
なく、例えば、絶縁膜上の金属薄膜を形成する場合にも
有効である。また、膜の形成方法も電子ビーム蒸着に限
るものではなく、CVD（Chemical Vapor Deposition）法
あるいはプラズマCVD法あるいはスパッタリング法など
で膜のソースが短冊状の半導体レーザーの被堆積面より
下方に位置するものであれば同様の方法で、堆積膜を形
成することが可能である。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
本実施例の堆積膜形成方法は対向する両面に堆積膜形成
を行う場合に好適に用いられるものであり、短冊状の半
導体レーザーの保持手段に回転機構をもたせ、この回転
中に短冊状の半導体レーザーが落下しないような構造を
もち、かつ回転の前後とも被堆積面が隣接する保持手段
の底部よりも下方に突出するような保持手段を用いるこ
とにより、前述した堆積膜形成方法に用いられる一度真
空装置の真空を破り、治具を取出して半導体レーザーの
上下を反転させる作業を省き、作業性を改善するもので
ある。
を行う場合に好適に用いられるものであり、短冊状の半
導体レーザーの保持手段に回転機構をもたせ、この回転
中に短冊状の半導体レーザーが落下しないような構造を
もち、かつ回転の前後とも被堆積面が隣接する保持手段
の底部よりも下方に突出するような保持手段を用いるこ
とにより、前述した堆積膜形成方法に用いられる一度真
空装置の真空を破り、治具を取出して半導体レーザーの
上下を反転させる作業を省き、作業性を改善するもので
ある。
第４図及び第５図は、上述の機能を果たす半導体レーザ
ーの保持手段の構造を示した構成図であり、それぞれ
（Ａ）は回転の前、（Ｂ）は180°回転の後の半導体レ
ーザー４と、その保持手段９及び保持手段（第２の保持
部材となる）10の状態を示した構成図である。
ーの保持手段の構造を示した構成図であり、それぞれ
（Ａ）は回転の前、（Ｂ）は180°回転の後の半導体レ
ーザー４と、その保持手段９及び保持手段（第２の保持
部材となる）10の状態を示した構成図である。
第４図及び第５図に示すように、保持手段９は前実施例
の保持手段１とほぼ同一の構造であるが、保持手段９に
は嵌合ヅメ11が設けられている。また同様に保持手段に
も嵌合ヅメ12が設けられている。
の保持手段１とほぼ同一の構造であるが、保持手段９に
は嵌合ヅメ11が設けられている。また同様に保持手段に
も嵌合ヅメ12が設けられている。
嵌合ヅメ11,12は、保持手段９と保持手段10との相対的
位置がずれないようにするために配設されるものであ
る。保持手段10には、保持手段９の半導体レーザー４の
被堆積面が露出する部分に対応するように穴13があけら
れており、保持手段全体が180°回転した時、第４図
（Ｂ）のようにその穴13の周辺部分に半導体レーザー４
の端部が接触して半導体レーザー４が下へ落ちないよう
な構造になっている。
位置がずれないようにするために配設されるものであ
る。保持手段10には、保持手段９の半導体レーザー４の
被堆積面が露出する部分に対応するように穴13があけら
れており、保持手段全体が180°回転した時、第４図
（Ｂ）のようにその穴13の周辺部分に半導体レーザー４
の端部が接触して半導体レーザー４が下へ落ちないよう
な構造になっている。
この保持手段を用いて半導体レーザー４の被堆積面に堆
積膜を形成する方法は、前述した実施例と同様であり、
第４図（Ａ），第４図（Ｂ）に示す回転前の状態及び第
４図（Ｂ），第５図（Ｂ）に示す180°回転後の状態の
時に半導体レーザー４の被堆積面付近に堆積膜の構成物
質の飛来を妨げるものがなく均一な堆積膜が被堆積面に
生成できる。
積膜を形成する方法は、前述した実施例と同様であり、
第４図（Ａ），第４図（Ｂ）に示す回転前の状態及び第
４図（Ｂ），第５図（Ｂ）に示す180°回転後の状態の
時に半導体レーザー４の被堆積面付近に堆積膜の構成物
質の飛来を妨げるものがなく均一な堆積膜が被堆積面に
生成できる。
なお、保持手段９及び保持手段10を回転させる方法は、
真空装置内又は外部に設けられた不図示のモーター或は
手動により行なう。
真空装置内又は外部に設けられた不図示のモーター或は
手動により行なう。
以上、詳細に説明したように、本発明の堆積膜形成方法
によれば、その上面に柱状体が被堆積面を下にして挿入
される複数の溝が並設され、その下面に前記溝に挿入さ
れた柱状体の被堆積面の一部を露出させる凹部が設けら
れ、且つ、前記凹部の底面が被堆積面より上方に位置す
るように形成された板状の保持部材を用い、前記保持部
材の複数の溝に夫々柱状体を挿入した状態で、下方から
堆積膜形成粒子を飛来させ、凹部から露出した被堆積面
の一部に堆積膜を形成するので、堆積膜形成粒子が保持
部材によって、遮られることなく被堆積面に到達し、被
堆積面に均一に堆積膜を形成することが可能となる。ま
た保持部材と柱状体との接触面積を減少させ、傷等の機
械的な破壊を減少させることができる。
によれば、その上面に柱状体が被堆積面を下にして挿入
される複数の溝が並設され、その下面に前記溝に挿入さ
れた柱状体の被堆積面の一部を露出させる凹部が設けら
れ、且つ、前記凹部の底面が被堆積面より上方に位置す
るように形成された板状の保持部材を用い、前記保持部
材の複数の溝に夫々柱状体を挿入した状態で、下方から
堆積膜形成粒子を飛来させ、凹部から露出した被堆積面
の一部に堆積膜を形成するので、堆積膜形成粒子が保持
部材によって、遮られることなく被堆積面に到達し、被
堆積面に均一に堆積膜を形成することが可能となる。ま
た保持部材と柱状体との接触面積を減少させ、傷等の機
械的な破壊を減少させることができる。
なお、被堆積面への堆積膜の形成の後、更に前記保持部
材に第２の保持部材を嵌合させて裏返し、前記第２の保
持部材で柱状体を前記保持部材の溝から突出させた状態
で保持し、前記第２の保持部材に設けられた貫通穴を通
して堆積膜形成粒子を飛来させ、前記柱状体の被堆積面
に対向した面に堆積膜を形成すれば、片側の膜形成を行
った後に、真空を破ることなく続いてもう片側の膜形成
が行なえるため、工程の単純化，省力化に大いに効果が
あり、かつ柱状体の上下を反転して保持部材に固定する
作業を省くことができるので、この際の被堆積面及び被
堆積面以外の面へ傷をつけたり、汚染物が付着したりす
ることがなくなる。
材に第２の保持部材を嵌合させて裏返し、前記第２の保
持部材で柱状体を前記保持部材の溝から突出させた状態
で保持し、前記第２の保持部材に設けられた貫通穴を通
して堆積膜形成粒子を飛来させ、前記柱状体の被堆積面
に対向した面に堆積膜を形成すれば、片側の膜形成を行
った後に、真空を破ることなく続いてもう片側の膜形成
が行なえるため、工程の単純化，省力化に大いに効果が
あり、かつ柱状体の上下を反転して保持部材に固定する
作業を省くことができるので、この際の被堆積面及び被
堆積面以外の面へ傷をつけたり、汚染物が付着したりす
ることがなくなる。
また、前記柱状体の両端部を保持部材によって保持する
ことにより前記柱状体を保持すれば、より柱状体に対す
る接触面積を減らし、保持部材による傷等の機械的な破
壊の可能性が減少する。
ことにより前記柱状体を保持すれば、より柱状体に対す
る接触面積を減らし、保持部材による傷等の機械的な破
壊の可能性が減少する。
さらに、複数の柱状体は、保持部材に形成された複数の
溝に夫々挿入されるので、各柱状体の間には保持部材が
存在することになり、被堆積面の側面の被堆積面の近傍
以外は保持部材で覆われており、その側面に堆積膜は形
成されない。加えて、本発明に用いる保持部材は、柱状
体を挿入する複数の溝と、被堆積面を露出させる為の凹
部を板状の部材に形成するだけでよい為、容易に作成す
ることができる。
溝に夫々挿入されるので、各柱状体の間には保持部材が
存在することになり、被堆積面の側面の被堆積面の近傍
以外は保持部材で覆われており、その側面に堆積膜は形
成されない。加えて、本発明に用いる保持部材は、柱状
体を挿入する複数の溝と、被堆積面を露出させる為の凹
部を板状の部材に形成するだけでよい為、容易に作成す
ることができる。
本発明は柱状体の傷が特性に大きな影響を与える半導体
レーザー等に好適に用いられ、その性能，信頼性を向上
させることができる。
レーザー等に好適に用いられ、その性能，信頼性を向上
させることができる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は保持手段に挿入された半導レー
ザーの状態を示す説明図である。 第２図は上記保持手段の斜視図である。 第３図は本発明による電子ビーム蒸着装置の構成を示す
概略図である。 第４図及び第５図は、上述の機能を果たす半導体レーザ
ーの保持手段の構造を示した構成図である。 第６図は、従来の堆積膜形成方法を示す概略的説明図で
ある。 1,9,10……保持手段、２……溝、３……凹部、４……半
導体レーザー、11,12……嵌合ヅメ、13……穴。
ザーの状態を示す説明図である。 第２図は上記保持手段の斜視図である。 第３図は本発明による電子ビーム蒸着装置の構成を示す
概略図である。 第４図及び第５図は、上述の機能を果たす半導体レーザ
ーの保持手段の構造を示した構成図である。 第６図は、従来の堆積膜形成方法を示す概略的説明図で
ある。 1,9,10……保持手段、２……溝、３……凹部、４……半
導体レーザー、11,12……嵌合ヅメ、13……穴。
Claims (2)
- 【請求項１】柱状体の被堆積面に堆積膜形成粒子を飛来
させて堆積膜を形成する方法において、その上面に前記
柱状体が被堆積面を下にして挿入される複数の溝が並設
され、その下面に前記溝に挿入された柱状体の被堆積面
の一部を露出させる凹部が設けられ、且つ、前記凹部の
底面が被堆積面より上方に位置するように形成された板
状の保持部材を用い、前記保持部材の複数の溝に夫々柱
状体を挿入した状態で、下方から堆積膜形成粒子を飛来
させ、凹部から露出した被堆積面の一部に堆積膜を形成
したことを特徴とする堆積膜形成方法。 - 【請求項２】被堆積面への堆積膜の形成の後、更に前記
保持部材に第２の保持部材を嵌合させて裏返し、前記第
２の保持部材で柱状体を前記保持部材の溝から突出させ
た状態で保持し、前記第２の保持部材に設けられた貫通
穴を通して堆積膜形成粒子を飛来させ、前記柱状体の被
堆積面に対向した面に堆積膜を形成した特許請求の範囲
第１項記載の堆積膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62192729A JPH0715146B2 (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | 堆積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62192729A JPH0715146B2 (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | 堆積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6439375A JPS6439375A (en) | 1989-02-09 |
| JPH0715146B2 true JPH0715146B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=16296094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62192729A Expired - Fee Related JPH0715146B2 (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | 堆積膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715146B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110464U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | ホ−ヤ株式会社 | 基板収容装置 |
-
1987
- 1987-08-03 JP JP62192729A patent/JPH0715146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6439375A (en) | 1989-02-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |