JPH07154194A - 圧電結晶素子 - Google Patents
圧電結晶素子Info
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- JPH07154194A JPH07154194A JP6165530A JP16553094A JPH07154194A JP H07154194 A JPH07154194 A JP H07154194A JP 6165530 A JP6165530 A JP 6165530A JP 16553094 A JP16553094 A JP 16553094A JP H07154194 A JPH07154194 A JP H07154194A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 技術的に特性が良好で、効率良く作製でき、
高い電気機械的なカップリングと良好な温度依存性を有
する、圧電結晶素子を見出す。 【構成】 ほぼ平坦な石英表面１′を有する石英基板１
を備えた音響表面波を応用するための圧電結晶素子であ
って、平坦な石英表面１′が一般公式 AB04 の石英に類
似な結晶から成るエピタキシャル成長した層２を有し、
ここで Aが Al または Ga で、B が Pまたは As であ
り、石英表面１′とエピタキシャル層２がほぼ同じ結晶
方位を有する。
高い電気機械的なカップリングと良好な温度依存性を有
する、圧電結晶素子を見出す。 【構成】 ほぼ平坦な石英表面１′を有する石英基板１
を備えた音響表面波を応用するための圧電結晶素子であ
って、平坦な石英表面１′が一般公式 AB04 の石英に類
似な結晶から成るエピタキシャル成長した層２を有し、
ここで Aが Al または Ga で、B が Pまたは As であ
り、石英表面１′とエピタキシャル層２がほぼ同じ結晶
方位を有する。
Description
【産業上の利用分野】この発明は、ほぼ平坦な少なくと
も一つの石英表面を有する石英基板を備えた音響表面波
を応用するための圧電結晶素子に関する。
も一つの石英表面を有する石英基板を備えた音響表面波
を応用するための圧電結晶素子に関する。
【従来の技術】30 MHz 〜 30 GHz までの範囲の信号処
理やサンサ電子回路には、音響表面波（AOW あるいは S
AW) が益々使用されている。これは表面技術を応用して
信号励起と信号処理の可能性の広い分野を提供する。SA
W 部品の基板として最も重要な判定基準は高い電気機械
的なカップリングと動作時間の良好な温度安定性にあ
る。これ等の二つの目標は今まで知れている可能性と限
定さえて状態でのみ一致する。基板としては、大抵モノ
リシック圧電結晶が使用される。石英は温度補償された
断面を与えるが、カップリングが弱い。他方、ニオブ酸
リチュウムやタンタル酸リチュウムは強い温度依存性を
有する。両方の要請をより良くまとめた他の物質は現在
調べられている。しかし、結晶成長に経費がかかり、困
難であるので、未だ大量に競合する価格で得られていな
い。これには、石英に類似のタイプ AlPO4（ベルリナイ
ト； Berlinit)と GaPO4が属する。波は基板内に僅か数
波長しか侵入しないので、これ等の波は表面の薄膜によ
って強く影響される。周知の配置では、大抵、波長励起
を可能にするため、非圧電基板上に圧電層が、例えばガ
ラス基板上に ZnO膜の場合 (O. YAMAZAKI et al.,IEEE
Trans. SU-27, 1976, 724) あるいはシリコンの場合
(F. S. Hickernell et al., IEEE Ultrasonics Symp. 1
980, 104), 取り付けてある。あるいは電気フィルム
が、例えばタンタル酸リチュウムの上に非晶質 SiO2 の
場合 (T. E. PARKER and H. WICHANSKY, J. Appl. Phy
s. 50, (1979), 1360),温度依存性を補償するために使
用されている。
理やサンサ電子回路には、音響表面波（AOW あるいは S
AW) が益々使用されている。これは表面技術を応用して
信号励起と信号処理の可能性の広い分野を提供する。SA
W 部品の基板として最も重要な判定基準は高い電気機械
的なカップリングと動作時間の良好な温度安定性にあ
る。これ等の二つの目標は今まで知れている可能性と限
定さえて状態でのみ一致する。基板としては、大抵モノ
リシック圧電結晶が使用される。石英は温度補償された
断面を与えるが、カップリングが弱い。他方、ニオブ酸
リチュウムやタンタル酸リチュウムは強い温度依存性を
有する。両方の要請をより良くまとめた他の物質は現在
調べられている。しかし、結晶成長に経費がかかり、困
難であるので、未だ大量に競合する価格で得られていな
い。これには、石英に類似のタイプ AlPO4（ベルリナイ
ト； Berlinit)と GaPO4が属する。波は基板内に僅か数
波長しか侵入しないので、これ等の波は表面の薄膜によ
って強く影響される。周知の配置では、大抵、波長励起
を可能にするため、非圧電基板上に圧電層が、例えばガ
ラス基板上に ZnO膜の場合 (O. YAMAZAKI et al.,IEEE
Trans. SU-27, 1976, 724) あるいはシリコンの場合
(F. S. Hickernell et al., IEEE Ultrasonics Symp. 1
980, 104), 取り付けてある。あるいは電気フィルム
が、例えばタンタル酸リチュウムの上に非晶質 SiO2 の
場合 (T. E. PARKER and H. WICHANSKY, J. Appl. Phy
s. 50, (1979), 1360),温度依存性を補償するために使
用されている。
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、技
術的に特性が良好で、効率良く作製でき、高い電気機械
的なカップリングと良好な温度依存性を有する、圧電結
晶素子を見出すことにある。
術的に特性が良好で、効率良く作製でき、高い電気機械
的なカップリングと良好な温度依存性を有する、圧電結
晶素子を見出すことにある。
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
により、冒頭に述べた種類の圧電結晶素子にあって、平
坦な石英表面１′が一般公式 AB04 の石英に類似な結晶
から成るエピタキシャル成長した層２を有し、ここで A
が Al または Ga で、B が Pまたは As であり、石英表
面１′とエピタキシャル層２がほぼ同じ結晶方位を有す
ることによって解決されている。この発明による他の有
利な構成は、特許請求の範囲の従属請求項に記載されて
いる。
により、冒頭に述べた種類の圧電結晶素子にあって、平
坦な石英表面１′が一般公式 AB04 の石英に類似な結晶
から成るエピタキシャル成長した層２を有し、ここで A
が Al または Ga で、B が Pまたは As であり、石英表
面１′とエピタキシャル層２がほぼ同じ結晶方位を有す
ることによって解決されている。この発明による他の有
利な構成は、特許請求の範囲の従属請求項に記載されて
いる。
【作用】驚くべきことには、たとえば石英板上に非常に
薄いエピタキー GaPO4層が特定の結晶方位で石英より良
好な特性を有する、つまり良好な温度安定性が高い電子
音響カップリングに結び付く圧電素子を見出されること
が確認できる。GaPO4 層の良好な効果は、この発明によ
り、膜厚が 0.1〜 200μm あるいは表面波の波長の４分
の１で既に顕著である。結晶学的なｘ軸がサジタル平面
に垂直であり、表面波が石英類似タイプの場合純粋な横
方向特性を有する所謂Ｘシリンダ切断面の方位では、驚
くことに、層構造でのカップリングが純粋な石英素子あ
るいは GaPO4素子でのカップリングより相当大きいこと
が確認される。数μm の厚さの層のみを適当な石英板上
で成長させる必要があるので、成長期間が極度に短縮
し、部品を非常に有効に作製でき、高価な素材、特にガ
リウムを極度に節約して使用できる。石英の成長を進め
ることにより、種として直径が３インチのウェハーを入
手できる。このウェハーを使用すると、多数の部品を同
時に製造でき、エピタキシャル層をこの発明によれば熱
水法で、あるいはスパッリング法で付けることができ
る。この発明の有利な実施例によれば、エピタキシャル
層が石英の表面の一部のみを覆っている。変換器でカッ
プリングを高めることや、エピタキシャルに付着された
基板により波の減衰を少なくすることに関して重きを置
く多くの実施例では、エピタキシャル層を電極パターン
の領域にのみ直接付けると有利である。エピタキシャル
層を熱水法で付けるか、あるいは例えば化学気相蒸着
（ＣＶＤ，プラズマ活性ＣＶＤ）または物理蒸着（スパ
ッタリング、蒸着、イオンプレーティング）のような気
相からの析出法で付ける。共振器としての応用には、エ
ピタキシャル層の縁部はＳＡＷの反射に使用される。こ
の発明によれば、表面波の反射に使用される石英表面の
帯状領域に付加的なエピタキシャル層が設けてあると有
利である。この発明の他の構成では、エピタキシャル層
が石英表面の窪みに配置されている。石英基板にこの窪
みを設けて、この場合に望ましくない反射を低減する。
従って、この構成はエピタキシャル層の高いカップリン
グを石英の表面波の低い減衰に結び付ける。最後に、こ
の発明によれば、エピタキシャル層で被覆した石英表面
の少なくとも二つの部分の間に、中間空間を少なくとも
部分的に覆う感度の良い層がある。その場合、音響表面
波の位相速度は測定すべき量の影響の下で変わり、測定
すべき量は例えば NO2濃度である。 M. RAPP et al., S
ensors and Actuators B, 4(1991) 103 - 108の例によ
れば、層の材料としてフタロシアニンを使用できる。石
英表面の一部領域上にエピタキシャル層を限定するに
は、層を付ける時にマスクにより、あるいは層をエッチ
ング技術で層を部分的に除去して行われる。更に、この
発明によれば、エピタキシャル層がその表面に表面に平
行に伝播する音響波を励起し、影響を与えおよび／また
は受信する電極構造がある。例えば、通常の装置で光リ
ソグラフィーの変換器、反射体および他のパターンを取
り付けることができる。更に、この発明による圧電結晶
素子を光音響部品として有利に使用することはエピタキ
シャル層を導波路として使用できることにある。
薄いエピタキー GaPO4層が特定の結晶方位で石英より良
好な特性を有する、つまり良好な温度安定性が高い電子
音響カップリングに結び付く圧電素子を見出されること
が確認できる。GaPO4 層の良好な効果は、この発明によ
り、膜厚が 0.1〜 200μm あるいは表面波の波長の４分
の１で既に顕著である。結晶学的なｘ軸がサジタル平面
に垂直であり、表面波が石英類似タイプの場合純粋な横
方向特性を有する所謂Ｘシリンダ切断面の方位では、驚
くことに、層構造でのカップリングが純粋な石英素子あ
るいは GaPO4素子でのカップリングより相当大きいこと
が確認される。数μm の厚さの層のみを適当な石英板上
で成長させる必要があるので、成長期間が極度に短縮
し、部品を非常に有効に作製でき、高価な素材、特にガ
リウムを極度に節約して使用できる。石英の成長を進め
ることにより、種として直径が３インチのウェハーを入
手できる。このウェハーを使用すると、多数の部品を同
時に製造でき、エピタキシャル層をこの発明によれば熱
水法で、あるいはスパッリング法で付けることができ
る。この発明の有利な実施例によれば、エピタキシャル
層が石英の表面の一部のみを覆っている。変換器でカッ
プリングを高めることや、エピタキシャルに付着された
基板により波の減衰を少なくすることに関して重きを置
く多くの実施例では、エピタキシャル層を電極パターン
の領域にのみ直接付けると有利である。エピタキシャル
層を熱水法で付けるか、あるいは例えば化学気相蒸着
（ＣＶＤ，プラズマ活性ＣＶＤ）または物理蒸着（スパ
ッタリング、蒸着、イオンプレーティング）のような気
相からの析出法で付ける。共振器としての応用には、エ
ピタキシャル層の縁部はＳＡＷの反射に使用される。こ
の発明によれば、表面波の反射に使用される石英表面の
帯状領域に付加的なエピタキシャル層が設けてあると有
利である。この発明の他の構成では、エピタキシャル層
が石英表面の窪みに配置されている。石英基板にこの窪
みを設けて、この場合に望ましくない反射を低減する。
従って、この構成はエピタキシャル層の高いカップリン
グを石英の表面波の低い減衰に結び付ける。最後に、こ
の発明によれば、エピタキシャル層で被覆した石英表面
の少なくとも二つの部分の間に、中間空間を少なくとも
部分的に覆う感度の良い層がある。その場合、音響表面
波の位相速度は測定すべき量の影響の下で変わり、測定
すべき量は例えば NO2濃度である。 M. RAPP et al., S
ensors and Actuators B, 4(1991) 103 - 108の例によ
れば、層の材料としてフタロシアニンを使用できる。石
英表面の一部領域上にエピタキシャル層を限定するに
は、層を付ける時にマスクにより、あるいは層をエッチ
ング技術で層を部分的に除去して行われる。更に、この
発明によれば、エピタキシャル層がその表面に表面に平
行に伝播する音響波を励起し、影響を与えおよび／また
は受信する電極構造がある。例えば、通常の装置で光リ
ソグラフィーの変換器、反射体および他のパターンを取
り付けることができる。更に、この発明による圧電結晶
素子を光音響部品として有利に使用することはエピタキ
シャル層を導波路として使用できることにある。
【実施例】以下、この発明の方法を実施例である図面に
基づきより詳しく説明する。石英１の基板上でほぼ平坦
な石英表面１′上にエピタキシャル成長し、この表面と
ほぼ同じ方位で、石英に類似の結晶の層２，例えば GaP
O4層がある。この層の表面２′上に光リソグラフィー内
部デジタル変換器３あるいは表面波の励起あるいは表面
波に影響を与える他のパターンを付ける。波は層２でし
かも石英結晶１の最上部の表面１′に平行に伝播する。
石英結晶１とエピタキシャル層２から成る層パターンの
最適結晶方位は、層物質あるいは基板物質の単結晶の結
晶方位とは異なる。更に、この結晶方位は表面波の分散
のため、波長に対する膜厚の比に依存する。それ故、一
定の物質の組み合わせで、必ず僅かな方位領域ができ
る。石英上の GaPO4層に対して以下の角度範囲で高い電
気機械カップリングと伝播時間あるいは周波数の十分な
温度補償が得られる。ｘ1 軸が波数ベクトルの方向を向
き、ｘ3 軸が層の界面に垂直である座標系が圧電に関す
る IEEE 規格に関する座標系から以下のオイラー角の回
転により得られると、最適方位が得られる。即ち、λ＝
ほぼ 0°, μ＝ 50 °〜 70 °, θ＝ほぼ 0°，あるい
は以下の角度、λ＝ほぼ 0°, μ＝ - 20 °〜 0°, θ
＝ 90 °である。最初の組では、結晶学的なｘあるいは
ｘ1 軸が波の伝播方向を向く（図１のｘボール（Boule)
方位），最後の組では、伝播方向と表面の垂線で決まる
サジタル平面に垂直に向く（図２のｘシリンダ方位）。
石英上の AlPO4（ベルリナイト）では、最適方位が以下
の範囲にある。即ち、λ＝ほぼ 0°, μ＝ 65 °〜 90
°, θ＝ほぼ 0°あるいはλ＝ほぼ 0°, μ＝- 40 °
〜 - 20 °ないしは 40 °〜 60 °, θ＝ほぼ 90 °で
ある。例えば GaPO4のエピタキシャル層が UV 領域から
赤外領域まで透明であるので、導波路としても有利に利
用できる。 GaPO4層２内で表面２′に平行に伝播する光
波は表面２や石英１に対する界面１′でも全反射する。
従って、層のパターンは、光を表面波で変調し、回折さ
せ、あるいはスイッチングする音響部品に適している。
図４の実施例では、石英１の基板上のほぼ平坦な石英表
面１′上で一部にのみエピタキシャル成長し、石英表面
に対してほぼ同じ方位を向いた石英に似た結晶の層２，
例えば GaPO4層がある。この層の表面２′上には光リソ
グラフィー内部デジタル変換器３あるいは表面波を励起
したり表面波に影響を与える他のパターンが付けてあ
る。波は層２中で、しかも石英結晶１の最上部で表面
１′に平行に伝播する。エピタキシャル層２の縁部やエ
ピタキシャル層４を有する付加的なストライプ領域ｂ，
ｃでの SAW反射は共振子の応用で共振子の良さを高め
る。図５の実施例では、エピタキシャル層が部分ａとｂ
を覆い、石英表面１′の窪みに付けてある。上記の処置
によりこの場合望ましくない反射を低減する。図６の実
施例では、電極パターン３の間のエピタキシャル層２の
ない領域に、SAW パラメータが測定量、例えば NO2の濃
度の影響の下で変化する敏感な層６が付けてある。例と
して、この発明による結晶素子は以下のように作製され
る。所定の方位を有する石英ウェハーを成長オートクレ
ーブ内に固定する。このオートクレーブに成長溶液を満
たす。温度を時間的にあるいは空間的に可変して、ウェ
ハー上にエピタキシャル GaPO4層を付ける。これは高温
高圧下で行われる。溶液を排除して、層を付けた石英板
を取り出す。GaPO4 層を所望の厚さにラッピングして研
磨する。エッチング技術あるいはリフトオフ技術を用い
て、金属薄膜から成る光リソグラフィー表面波パターン
が形成される。ウェハーを切り出し、個々の素子をケー
スに固定して接点を付ける。
基づきより詳しく説明する。石英１の基板上でほぼ平坦
な石英表面１′上にエピタキシャル成長し、この表面と
ほぼ同じ方位で、石英に類似の結晶の層２，例えば GaP
O4層がある。この層の表面２′上に光リソグラフィー内
部デジタル変換器３あるいは表面波の励起あるいは表面
波に影響を与える他のパターンを付ける。波は層２でし
かも石英結晶１の最上部の表面１′に平行に伝播する。
石英結晶１とエピタキシャル層２から成る層パターンの
最適結晶方位は、層物質あるいは基板物質の単結晶の結
晶方位とは異なる。更に、この結晶方位は表面波の分散
のため、波長に対する膜厚の比に依存する。それ故、一
定の物質の組み合わせで、必ず僅かな方位領域ができ
る。石英上の GaPO4層に対して以下の角度範囲で高い電
気機械カップリングと伝播時間あるいは周波数の十分な
温度補償が得られる。ｘ1 軸が波数ベクトルの方向を向
き、ｘ3 軸が層の界面に垂直である座標系が圧電に関す
る IEEE 規格に関する座標系から以下のオイラー角の回
転により得られると、最適方位が得られる。即ち、λ＝
ほぼ 0°, μ＝ 50 °〜 70 °, θ＝ほぼ 0°，あるい
は以下の角度、λ＝ほぼ 0°, μ＝ - 20 °〜 0°, θ
＝ 90 °である。最初の組では、結晶学的なｘあるいは
ｘ1 軸が波の伝播方向を向く（図１のｘボール（Boule)
方位），最後の組では、伝播方向と表面の垂線で決まる
サジタル平面に垂直に向く（図２のｘシリンダ方位）。
石英上の AlPO4（ベルリナイト）では、最適方位が以下
の範囲にある。即ち、λ＝ほぼ 0°, μ＝ 65 °〜 90
°, θ＝ほぼ 0°あるいはλ＝ほぼ 0°, μ＝- 40 °
〜 - 20 °ないしは 40 °〜 60 °, θ＝ほぼ 90 °で
ある。例えば GaPO4のエピタキシャル層が UV 領域から
赤外領域まで透明であるので、導波路としても有利に利
用できる。 GaPO4層２内で表面２′に平行に伝播する光
波は表面２や石英１に対する界面１′でも全反射する。
従って、層のパターンは、光を表面波で変調し、回折さ
せ、あるいはスイッチングする音響部品に適している。
図４の実施例では、石英１の基板上のほぼ平坦な石英表
面１′上で一部にのみエピタキシャル成長し、石英表面
に対してほぼ同じ方位を向いた石英に似た結晶の層２，
例えば GaPO4層がある。この層の表面２′上には光リソ
グラフィー内部デジタル変換器３あるいは表面波を励起
したり表面波に影響を与える他のパターンが付けてあ
る。波は層２中で、しかも石英結晶１の最上部で表面
１′に平行に伝播する。エピタキシャル層２の縁部やエ
ピタキシャル層４を有する付加的なストライプ領域ｂ，
ｃでの SAW反射は共振子の応用で共振子の良さを高め
る。図５の実施例では、エピタキシャル層が部分ａとｂ
を覆い、石英表面１′の窪みに付けてある。上記の処置
によりこの場合望ましくない反射を低減する。図６の実
施例では、電極パターン３の間のエピタキシャル層２の
ない領域に、SAW パラメータが測定量、例えば NO2の濃
度の影響の下で変化する敏感な層６が付けてある。例と
して、この発明による結晶素子は以下のように作製され
る。所定の方位を有する石英ウェハーを成長オートクレ
ーブ内に固定する。このオートクレーブに成長溶液を満
たす。温度を時間的にあるいは空間的に可変して、ウェ
ハー上にエピタキシャル GaPO4層を付ける。これは高温
高圧下で行われる。溶液を排除して、層を付けた石英板
を取り出す。GaPO4 層を所望の厚さにラッピングして研
磨する。エッチング技術あるいはリフトオフ技術を用い
て、金属薄膜から成る光リソグラフィー表面波パターン
が形成される。ウェハーを切り出し、個々の素子をケー
スに固定して接点を付ける。
【発明の効果】以上説明したように、この発明の圧電結
晶素子は、技術的に特性が良好で、効率良く作製でき、
高い電気機械的なカップリングと良好な温度依存性を有
する。
晶素子は、技術的に特性が良好で、効率良く作製でき、
高い電気機械的なカップリングと良好な温度依存性を有
する。
【図１】特定結晶方位のこの発明による圧電結晶素子の
模式斜視図である。
模式斜視図である。
【図２】図１とは異なる結晶方位のこの発明による圧電
結晶素子の模式斜視図である。
結晶素子の模式斜視図である。
【図３】図１または図２の結晶素子のＡ−Ａ′断面図で
ある。
ある。
【図４】この発明による他の結晶素子の断面図である。
【図５】図４の結晶素子の他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】図４の結晶素子の他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
１ 石英基板 １′ 石英表面 ２ エピタキシャル層 ２′ エピタキシャル層の表面 ３ 内部デジタル変換器 ４ 付加的なエピタキシャル層 ５ 窪み ６ 敏感な層 ａ，ｂ，ｃ 石英表面の一部 λ，μ，θ オイラー角 ｘ1,ｘ2,ｘ3 結晶軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴオルフガング・ヴアルネファー オーストリア国、8045 グラーツ、グラツ エル・ストラーセ、54
Claims (15)
- 【請求項１】 ほぼ平坦な少なくとも一つの石英表面
（１′）を有する石英基板（１）を備えた音響表面波を
応用するための圧電結晶素子において、平坦な石英表面
（１′）が一般公式 AB04 の石英に類似な結晶から成る
エピタキシャル成長した層（２）を有し、ここで Aが A
l または Ga で、B が Pまたは As であり、石英表面
（１′）とエピタキシャル層（２）がほぼ同じ結晶方位
を有することを特徴とする圧電結晶素子。 - 【請求項２】 エピタキシャル層（２）は GaPO4で形成
され、その結晶方位がオイラー角、λで 0°の範囲, μ
で 50 °〜 70 °の範囲およびθで 0°によって決定さ
れることを特徴とする請求項１に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項３】 エピタキシャル層（２）は GaPO4で形成
され、その結晶方位がオイラー角、λで 0°の範囲, μ
で -20°〜 0°の範囲およびθで 90 °によって決定さ
れることを特徴とする請求項１に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項４】 エピタキシャル層（２）は AlPO4で形成
され、その結晶方位がオイラー角、λで 0°の範囲, μ
で 65 °〜 90 °の範囲およびθで 0°によって決定さ
れることを特徴とする請求項１に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項５】 エピタキシャル層（２）は AlPO4で形成
され、その結晶方位がオイラー角、λで 0°の範囲, μ
で -40°〜 -20°の範囲およびθで 90 °によって決定
されることを特徴とする請求項１に記載の圧電結晶素
子。 - 【請求項６】 エピタキシャル層（２）は石英表面
（１′）の一部（ａ，ｂ，ｃ・・・）のみ覆うことを特
徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の圧電結晶素
子。 - 【請求項７】 エピタキシャル層（２）は石英表面
（１′）の窪み（５）に配設されていることを特徴とす
る請求項６に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項８】 石英表面（１′）上のストライプ状領域
に付加的なエピタキシャル層（４）が設けてあり、この
層が表面波を反射させるために使用されることを特徴と
する請求項６に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項９】 エピタキシャル層（２）を被覆した石英
表面（１′）の少なくとも二つの部分の間に中間空間を
少なくとも部分的に被覆する敏感な層（６）があり、音
響表面波の位相速度が測定すべき量の影響の下で変化す
ることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の
圧電結晶素子。 - 【請求項１０】 測定すべき量は NO2濃度であることを
特徴とする請求項９に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項１１】 エピタキシャル層（２，４）は 0.1〜
200μm であることを特徴とする請求項１〜１０の何れ
か１項に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項１２】 エピタキシャル層（２）は熱水法で付
けてあることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項
に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項１３】 エピタキシャル層（２）はスパッタリ
ング法で付けてあることを特徴とする請求項１〜１１の
何れか１項に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項１４】 エピタキシャル層（２）はその表面
（２′）にこの表面に平行に伝播する音響波を励起、音
響波に影響与える、および／または音響波を受信する電
極パターン（３）を有することを特徴とする請求項１〜
５の何れか１項に記載の圧電結晶素子。 - 【請求項１５】 請求項１〜５の何れか１項の圧電結晶
素子を光音響部品として使用し、エピタキシャル層
（２）が導波路として使用されることを特徴とする使用
方法。
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| AT144293 | 1993-07-20 | ||
| AT1442/93 | 1993-07-20 | ||
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| AT1564/93 | 1993-08-05 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990302 |