JPH07166342A - スパッタリングターゲット材の接合方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット材の接合方法Info
- Publication number
- JPH07166342A JPH07166342A JP31003893A JP31003893A JPH07166342A JP H07166342 A JPH07166342 A JP H07166342A JP 31003893 A JP31003893 A JP 31003893A JP 31003893 A JP31003893 A JP 31003893A JP H07166342 A JPH07166342 A JP H07166342A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ターゲット材と、銅及び銅合金又はステンレス
からなる冷却部材をIn系の半田を用い、これを加熱空
冷して接合するスパッタリングターゲット材の接合方法
において、前記ターゲット材と前記冷却部材にTi/P
t/Au/Snの蒸着を施して接合することを特徴とす
るスパッタリングターゲット材の接合方法。 【効果】Ti/Pt/Au/Sn蒸着をターゲットと冷
却部材に行うことにより、高真空下の使用にも耐えるこ
とができる。
からなる冷却部材をIn系の半田を用い、これを加熱空
冷して接合するスパッタリングターゲット材の接合方法
において、前記ターゲット材と前記冷却部材にTi/P
t/Au/Snの蒸着を施して接合することを特徴とす
るスパッタリングターゲット材の接合方法。 【効果】Ti/Pt/Au/Sn蒸着をターゲットと冷
却部材に行うことにより、高真空下の使用にも耐えるこ
とができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はCr系の難接合材ターゲ
ット材と、銅又は銅合金又は難接合材であるステンレス
冷却部材とをろう接合する方法に関する。
ット材と、銅又は銅合金又は難接合材であるステンレス
冷却部材とをろう接合する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来は、冷却部材は熱伝導の良い銅を使
用するのが一般的であり、銅はあらゆるろう材に非常に
濡れやすい性質である。又、銅はめっきによる表面改質
が容易であるので、ターゲット材が難接合材の場合の
み、接合の考慮をする必要があった。
用するのが一般的であり、銅はあらゆるろう材に非常に
濡れやすい性質である。又、銅はめっきによる表面改質
が容易であるので、ターゲット材が難接合材の場合の
み、接合の考慮をする必要があった。
【0003】又、銅とターゲット材は熱膨張係数が異な
るため、特開平1−262088 号,特開平1−262089号,特
開平2−11759 号公報にあるように、ろう接合の冷却過
程におけるターゲット材及び冷却部材の収縮量が、同一
になる温度にそれぞれ加熱したり、熱膨張の差異から生
じる反りと、逆方向に反り量に応じた反りを与えつつ、
ろう接合を行っている。
るため、特開平1−262088 号,特開平1−262089号,特
開平2−11759 号公報にあるように、ろう接合の冷却過
程におけるターゲット材及び冷却部材の収縮量が、同一
になる温度にそれぞれ加熱したり、熱膨張の差異から生
じる反りと、逆方向に反り量に応じた反りを与えつつ、
ろう接合を行っている。
【0004】しかし、温度管理が難しいことや、適当な
反りを逆に与えることは、実作業上難しい。
反りを逆に与えることは、実作業上難しい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリングターゲ
ット材は、銅及び銅合金の冷却部材に接合し、スパッタ
リング装置に装着し、水冷して使用するのが通例であ
る。
ット材は、銅及び銅合金の冷却部材に接合し、スパッタ
リング装置に装着し、水冷して使用するのが通例であ
る。
【0006】しかし、スパッタリング材のターゲットの
中には、その成分系より水冷による錆発生防止の観点か
ら、銅ではなくてステレンスのような難接合材を冷却部
材として使用する場合がある。
中には、その成分系より水冷による錆発生防止の観点か
ら、銅ではなくてステレンスのような難接合材を冷却部
材として使用する場合がある。
【0007】ステンレスは一般に、ほとんどのろう材に
は濡れにくく、接合は難しい。
は濡れにくく、接合は難しい。
【0008】Co系ターゲットや、Nb系ターゲット及
びNiOターゲットも、ろう材には濡れにくい。
びNiOターゲットも、ろう材には濡れにくい。
【0009】よって、特殊なフラックスを用いないと、
ろう材は濡れ広がらない。
ろう材は濡れ広がらない。
【0010】しかし、高真空状態で用いるスパッタリン
グターゲット材の接合にフラックスを用いると、有害な
ガスが生じスパッタリングに支障をきたす。
グターゲット材の接合にフラックスを用いると、有害な
ガスが生じスパッタリングに支障をきたす。
【0011】又、表面改質のために、ターゲットと冷却
部材にTi/Pt/Auを蒸着する方法があるが、生成
する膜組成の安定化には更に高真空の下でスパッタリン
グを行う必要がある。従来の方法では、AuとIn半田
の濡れ性密着性で十分であったが、高真空の下ては更に
濡れ性・密着性を改善しなければならなかった。
部材にTi/Pt/Auを蒸着する方法があるが、生成
する膜組成の安定化には更に高真空の下でスパッタリン
グを行う必要がある。従来の方法では、AuとIn半田
の濡れ性密着性で十分であったが、高真空の下ては更に
濡れ性・密着性を改善しなければならなかった。
【0012】本発明の目的は、難接合ターゲットと、難
接合冷却部材の接合を高真空下の使用でも、使用可能な
接合方法を提供することにある。
接合冷却部材の接合を高真空下の使用でも、使用可能な
接合方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】難接合材であるCo系や
Nb系ターゲット,NiOターゲット及びステンレス冷
却部材に、Ti/Pt/Au/Suの蒸着を行い、表面
の改質を行う。
Nb系ターゲット,NiOターゲット及びステンレス冷
却部材に、Ti/Pt/Au/Suの蒸着を行い、表面
の改質を行う。
【0014】この方法によると、特殊なフラックスを用
いないため、高真空状態でも有害なガスの発生は無い。
いないため、高真空状態でも有害なガスの発生は無い。
【0015】最上部膜のSnは、Auと共晶反応を起こ
し、Au−Suになる。又はIn半田にもSnが含有さ
れているので非常に濡れやすく、Snを介してAuとI
n半田が従来より濡れ性が改善され、密着力が強い接合
が行える。
し、Au−Suになる。又はIn半田にもSnが含有さ
れているので非常に濡れやすく、Snを介してAuとI
n半田が従来より濡れ性が改善され、密着力が強い接合
が行える。
【0016】
【作用】ろう材に濡れにくいSUS材及びターゲット材
を、非常に濡れ易いTi/Pt/Au/Suの蒸着,密
着力が強い接合が行える。
を、非常に濡れ易いTi/Pt/Au/Suの蒸着,密
着力が強い接合が行える。
【0017】膜を形成して、表面改質を行い、従来より
密着強度の大きいろう接合が容易にできる。
密着強度の大きいろう接合が容易にできる。
【0018】
【実施例】SUS304の20mm角のTP材にTi/P
t/Au/Snの蒸着膜厚を、0.1μ/0.2μ/0.
2μ/0.1μとして蒸着を行い、テープ剥離テストを
行った。
t/Au/Snの蒸着膜厚を、0.1μ/0.2μ/0.
2μ/0.1μとして蒸着を行い、テープ剥離テストを
行った。
【0019】その結果、剥離は全く認められなかった。
【0020】同様に、Co−Cr−TaターゲットにT
i/Pt/Au/Snの蒸着を行いテープ剥離テストを
行ったが、剥離は全く認められなかった。
i/Pt/Au/Snの蒸着を行いテープ剥離テストを
行ったが、剥離は全く認められなかった。
【0021】又、従来のCr/Ni/Au,Ti/Pt
/AuとSUS材との密着強度をダイシェアテストによ
り評価したところ、本発明の密着強度は従来の1.5 〜
2倍の値が得られた。
/AuとSUS材との密着強度をダイシェアテストによ
り評価したところ、本発明の密着強度は従来の1.5 〜
2倍の値が得られた。
【0022】予備テストの結果、SUS及びCo−Cr
−Taターゲットへの蒸着性に問題ないことを確認し、
強度も従来より高くなる事を確認した。
−Taターゲットへの蒸着性に問題ないことを確認し、
強度も従来より高くなる事を確認した。
【0023】次に、φ130/φ70×12t SUS
304冷却部材とφ240×6tCo−Cr−Taター
ゲットの接合を行った。
304冷却部材とφ240×6tCo−Cr−Taター
ゲットの接合を行った。
【0024】SUS304冷却部材はリング状であるの
で、その部分のみ蒸着されるように、蒸着マスクを作成
し、Ti/Pt/Au/Snをそれぞれ0.1/0.2/
0.2/0.1μm の膜厚で蒸着膜を形成した。
で、その部分のみ蒸着されるように、蒸着マスクを作成
し、Ti/Pt/Au/Snをそれぞれ0.1/0.2/
0.2/0.1μm の膜厚で蒸着膜を形成した。
【0025】次にターゲット材にも、SUSのリングの
接合面に蒸着されるように、マスクを作成し、Ti/P
t/Au/SnをSUS材と同じ膜厚になるように、蒸
着膜を形成した。
接合面に蒸着されるように、マスクを作成し、Ti/P
t/Au/SnをSUS材と同じ膜厚になるように、蒸
着膜を形成した。
【0026】蒸着が終わったターゲットの接合面にIn
半田箔を置き180〜200℃に加熱し、接合面上に溶
接したIn半田をターゲット全面に薄くのばす。
半田箔を置き180〜200℃に加熱し、接合面上に溶
接したIn半田をターゲット全面に薄くのばす。
【0027】同様にして、SUS冷却部材にもIn半田
を全面に薄くのばす。
を全面に薄くのばす。
【0028】次にターゲットと、SUS冷却部材の接合
面の間に、In半田箔をずれが無いように積層し、クリ
ップで留め約10kgのおもしを乗せて、雰囲気温度20
0〜230℃の炉の中に入れて約30分保持する。
面の間に、In半田箔をずれが無いように積層し、クリ
ップで留め約10kgのおもしを乗せて、雰囲気温度20
0〜230℃の炉の中に入れて約30分保持する。
【0029】このようにして接合を行った結果、剥離,
変形のない接合が行えた。
変形のない接合が行えた。
【0030】又、接合品の放射線検査の結果、接合部の
面積率95%以上と良好であった。今まで難接合材であ
ったSUS材と、Co−Cr−Taターゲット材の接合
が、特殊な治工具を使用せずに安価で容易に行うことが
できた。
面積率95%以上と良好であった。今まで難接合材であ
ったSUS材と、Co−Cr−Taターゲット材の接合
が、特殊な治工具を使用せずに安価で容易に行うことが
できた。
【0031】
【発明の効果】本発明によると、Ti/Pt/Au/S
n蒸着をターゲットと冷却部材に行うことにより、高真
空下の使用にも耐えることができる。
n蒸着をターゲットと冷却部材に行うことにより、高真
空下の使用にも耐えることができる。
【図1】接合前の各部材の積層状態を示す説明図。
1…Co−Cr−Taターゲット材、2…Ti/Pt/
Au/Sn蒸着膜、3…ろう材、4…SUS冷却部材。
Au/Sn蒸着膜、3…ろう材、4…SUS冷却部材。
Claims (1)
- 【請求項1】ターゲット材と、銅及び銅合金又はステン
レスからなる冷却部材をIn系の半田を用い、これを加
熱空冷して接合するスパッタリングターゲット材の接合
方法において、前記ターゲット材と前記冷却部材にTi
/Pt/Au/Snの蒸着を施して接合することを特徴
とするスパッタリングターゲット材の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31003893A JPH07166342A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | スパッタリングターゲット材の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31003893A JPH07166342A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | スパッタリングターゲット材の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166342A true JPH07166342A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18000418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31003893A Pending JPH07166342A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | スパッタリングターゲット材の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07166342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428489B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2004-04-28 | 아이.지.시 주식회사 | 이종 접합체 제작에 있어 휨발생 저감 방법 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP31003893A patent/JPH07166342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428489B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2004-04-28 | 아이.지.시 주식회사 | 이종 접합체 제작에 있어 휨발생 저감 방법 |
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