JPH07176865A - スルーホールを内包する多層セラミック配線基板 - Google Patents
スルーホールを内包する多層セラミック配線基板Info
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- JPH07176865A JPH07176865A JP16227692A JP16227692A JPH07176865A JP H07176865 A JPH07176865 A JP H07176865A JP 16227692 A JP16227692 A JP 16227692A JP 16227692 A JP16227692 A JP 16227692A JP H07176865 A JPH07176865 A JP H07176865A
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- holes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スルーホールを内包する多層セラミック配線
基板の提供 【構成】 内層配線がスルーホールによって層間接続さ
れている多層セラミック配線基板において、該基板両面
に設けた絶縁層によってスルーホールの両端開口部が覆
われていることを特徴とする多層セラミック配線基板。 【効果】上記多層セラミック配線基板は、絶縁層のスル
ーホール開口部でのマイクロクラックがなく、スルーホ
ール部分での電気的接続の信頼性が高く、また絶縁層表
面の回路配線も凹み部分での制約を殆ど受けないので、
回路の構成が容易である。さらに、本発明の多層セラミ
ック配線基板は、その製造が容易であり、信頼性の高い
製品を容易に得ることができる。
基板の提供 【構成】 内層配線がスルーホールによって層間接続さ
れている多層セラミック配線基板において、該基板両面
に設けた絶縁層によってスルーホールの両端開口部が覆
われていることを特徴とする多層セラミック配線基板。 【効果】上記多層セラミック配線基板は、絶縁層のスル
ーホール開口部でのマイクロクラックがなく、スルーホ
ール部分での電気的接続の信頼性が高く、また絶縁層表
面の回路配線も凹み部分での制約を殆ど受けないので、
回路の構成が容易である。さらに、本発明の多層セラミ
ック配線基板は、その製造が容易であり、信頼性の高い
製品を容易に得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板両面に設けた絶縁
層によってスルーホールの両端開口部が覆われた構造を
有する多層セラミック配線基板に関する。さらに詳細に
は、スルーホール両端の開口部分が充分な電気的信頼性
を有し、かつ基板両面に設けた絶縁層の該開口部におけ
る凹みが小さく、従って、該両端開口部分によって絶縁
層表面の配線が妨げられずに小形化でき、かつ低コスト
で量産性に優れた多層セラミック配線基板に関する。
層によってスルーホールの両端開口部が覆われた構造を
有する多層セラミック配線基板に関する。さらに詳細に
は、スルーホール両端の開口部分が充分な電気的信頼性
を有し、かつ基板両面に設けた絶縁層の該開口部におけ
る凹みが小さく、従って、該両端開口部分によって絶縁
層表面の配線が妨げられずに小形化でき、かつ低コスト
で量産性に優れた多層セラミック配線基板に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】近年、半導体デバイスの小形
化、高性能化が進み、これに伴いセラミック基板上に多
層回路を歩留まり良く、かつ簡単に形成する技術が求め
られている。基板の高密度化の手段として、印刷多層法
やグリーンシート多層法と呼ばれる方法で回路を多層化
した多層セラミック基板が従来用いられている。印刷多
層法とは、絶縁材ペーストをセラミック質基板表面に印
刷し、焼成して絶縁層を形成する方法であり、またグリ
ーンシート多層法とは、回路を印刷したセラミック質の
未焼成シートを多数積層し焼成して絶縁層を形成する方
法である。
化、高性能化が進み、これに伴いセラミック基板上に多
層回路を歩留まり良く、かつ簡単に形成する技術が求め
られている。基板の高密度化の手段として、印刷多層法
やグリーンシート多層法と呼ばれる方法で回路を多層化
した多層セラミック基板が従来用いられている。印刷多
層法とは、絶縁材ペーストをセラミック質基板表面に印
刷し、焼成して絶縁層を形成する方法であり、またグリ
ーンシート多層法とは、回路を印刷したセラミック質の
未焼成シートを多数積層し焼成して絶縁層を形成する方
法である。
【０００３】上記印刷多層法では、基板両側を電気的に
層間接続するためにスルーホールを設けた基板を用いて
いる。ところが印刷時に絶縁材ペーストがスルーホール
に流れ込むためにスルーホールの開口部を避けて印刷し
なければならず、配線が制限される問題がある。また、
従来のグリーンシート多層法は、未焼成シートを多数積
層して焼成するため、寸法精度の頼性が低い問題があ
る。
層間接続するためにスルーホールを設けた基板を用いて
いる。ところが印刷時に絶縁材ペーストがスルーホール
に流れ込むためにスルーホールの開口部を避けて印刷し
なければならず、配線が制限される問題がある。また、
従来のグリーンシート多層法は、未焼成シートを多数積
層して焼成するため、寸法精度の頼性が低い問題があ
る。
【０００４】このような従来のグリーンシート多層法に
対して、米国特許第4,645,552 号において、予め焼成し
たセラミック基板を用い、これにグリーンシートを積層
し、焼成して絶縁層を形成する方法が提唱されている。
この方法は、焼成した基板を用いるので製品の寸法精度
に優れ、また焼成工程と通じて強度が大きく、熱伝導性
が良く、製品を低コストで製造できる利点がある。但
し、現状の方法は、スルーホールを有する基板を使用す
る場合には基板のスルーホール部分に次のような欠陥が
生じ易い。即ち、スルーホールの両端開口を塞ぐように
グリーンシートを基板表面全体に積層すると、グリーン
シートによって基板のスルーホールが密封され、焼成時
の冷却過程でスルーホールが減圧状態になるために、半
溶融状態のセラミックシートがスルーホールの開口部に
引き込まれ、この部分に凹みを生じ、またスルーホール
開口部分のグリーンシートに微細亀裂（マイクロクラッ
ク）が発生する場合が暫々ある。亀裂が発生するとスル
ーホール開口部分の絶縁層の凹みは小さくなるが、絶縁
層表面に回路パターンを印刷した場合に亀裂の部分で回
路パターンを形成する導体ペーストが流れ、電気的な接
続不良や短絡を生じる虞がある。
対して、米国特許第4,645,552 号において、予め焼成し
たセラミック基板を用い、これにグリーンシートを積層
し、焼成して絶縁層を形成する方法が提唱されている。
この方法は、焼成した基板を用いるので製品の寸法精度
に優れ、また焼成工程と通じて強度が大きく、熱伝導性
が良く、製品を低コストで製造できる利点がある。但
し、現状の方法は、スルーホールを有する基板を使用す
る場合には基板のスルーホール部分に次のような欠陥が
生じ易い。即ち、スルーホールの両端開口を塞ぐように
グリーンシートを基板表面全体に積層すると、グリーン
シートによって基板のスルーホールが密封され、焼成時
の冷却過程でスルーホールが減圧状態になるために、半
溶融状態のセラミックシートがスルーホールの開口部に
引き込まれ、この部分に凹みを生じ、またスルーホール
開口部分のグリーンシートに微細亀裂（マイクロクラッ
ク）が発生する場合が暫々ある。亀裂が発生するとスル
ーホール開口部分の絶縁層の凹みは小さくなるが、絶縁
層表面に回路パターンを印刷した場合に亀裂の部分で回
路パターンを形成する導体ペーストが流れ、電気的な接
続不良や短絡を生じる虞がある。
【０００５】そこで、焼成時にスルーホールが減圧状態
にならないように、スルーホールの片側開口部分のグリ
ーンシートを穿孔して気密状態を解除している。ところ
が、グリーンシートにこの穿孔加工を施すのはコスト高
になり、また孔明け部分には回路の配線を印刷できない
ので、回路構成が制約される問題がある。
にならないように、スルーホールの片側開口部分のグリ
ーンシートを穿孔して気密状態を解除している。ところ
が、グリーンシートにこの穿孔加工を施すのはコスト高
になり、また孔明け部分には回路の配線を印刷できない
ので、回路構成が制約される問題がある。
【０００６】本発明は、従来の多層セラミック回路基板
における前述の問題を解決した回路基板を提供すること
を目的とする。本発明者等は、製造プロセスと電気的信
頼性の点からスルーホールの孔径とセラミック質絶縁層
の凹み量との相関および電気的信頼性を検討した結果、
スルーホール開口部の凹みが小さく、かつマイクロクラ
ックのない絶縁層を有する基板を容易に製造できる知見
を得て、本発明を完成した。
における前述の問題を解決した回路基板を提供すること
を目的とする。本発明者等は、製造プロセスと電気的信
頼性の点からスルーホールの孔径とセラミック質絶縁層
の凹み量との相関および電気的信頼性を検討した結果、
スルーホール開口部の凹みが小さく、かつマイクロクラ
ックのない絶縁層を有する基板を容易に製造できる知見
を得て、本発明を完成した。
【０００７】
【課題の解決手段】本発明によれば、内層配線がスルー
ホールによって層間接続されている多層セラミック配線
基板において、該基板両面に設けた絶縁層によってスル
ーホールの両端開口部が覆われていることを特徴とする
多層セラミック配線基板が提供される。
ホールによって層間接続されている多層セラミック配線
基板において、該基板両面に設けた絶縁層によってスル
ーホールの両端開口部が覆われていることを特徴とする
多層セラミック配線基板が提供される。
【０００８】また、その好適な態様として、スルーホー
ルの孔径が 0.25mm 以下である多層セラミック配線基板
が提供される。さらに、セラミック基板のスルーホール
開口部を含む少なくとも片面にセラミック質のグリーン
シートを積層して焼成することにより上記絶縁層を形成
した多層セラミック配線基板が提供される。
ルの孔径が 0.25mm 以下である多層セラミック配線基板
が提供される。さらに、セラミック基板のスルーホール
開口部を含む少なくとも片面にセラミック質のグリーン
シートを積層して焼成することにより上記絶縁層を形成
した多層セラミック配線基板が提供される。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
は、スルーホールを有するセラミック質の基板が用いら
れる。通常、0.635 mm厚のアルミナ基板に厚さ 0.1〜0.
2mm 程度のガラス質セラミックグリーンシートを積層す
る場合には、孔径が0.3mm 以下、好ましくは0.15〜0.25
mmのスルーホールを有するアルミナ基板が用いられる。
スルーホールの孔径が0.3mm よりも大きいと、スルーホ
ール開口部のセラミック質絶縁層にマイクロクラックが
生じ易くなる。一般的には、0.15〜0.25mm孔径のとき、
セラミック層の凹みも小さく、かつマイクロクラックも
生じない。一方、スルーホールの孔径が0.1mm より小さ
いと、セラミック層の凹みは生じないがアルミナ基板の
製造が困難になり、またスルーホール部の導体印刷も困
難になる。
は、スルーホールを有するセラミック質の基板が用いら
れる。通常、0.635 mm厚のアルミナ基板に厚さ 0.1〜0.
2mm 程度のガラス質セラミックグリーンシートを積層す
る場合には、孔径が0.3mm 以下、好ましくは0.15〜0.25
mmのスルーホールを有するアルミナ基板が用いられる。
スルーホールの孔径が0.3mm よりも大きいと、スルーホ
ール開口部のセラミック質絶縁層にマイクロクラックが
生じ易くなる。一般的には、0.15〜0.25mm孔径のとき、
セラミック層の凹みも小さく、かつマイクロクラックも
生じない。一方、スルーホールの孔径が0.1mm より小さ
いと、セラミック層の凹みは生じないがアルミナ基板の
製造が困難になり、またスルーホール部の導体印刷も困
難になる。
【００１０】なお、グリーンシートの厚さが増すのに比
例してスルーホール開口部でのマイクロクラックは発生
し難くなる。また、同様に、焼成時のセラミック層の粘
性が高いほどスルーホール部分への凹み量は小さい。従
って、アルミナ基板のスルーホールの孔径に応じてガラ
ス質セラミックグリーンシートの厚さおよび組成が選択
される。また、積層圧力を高くすると、セラミック層の
凹み量は小さくなり、次第に平衡となる。また凹み形状
も、積層圧力が低いと底が突き出した形状になるが、積
層圧力が高いと、底が平な形状になる。これはグリーン
シートが剪断応力を受けてマイクロクラックが発生し、
焼成および冷却の際にこのクラックを通じて空気が出入
りするためであると考えられる。従って、積層圧力はセ
ラミック層の凹み量が小さく、かつマイクロクラックを
生じない大きさが選択される。
例してスルーホール開口部でのマイクロクラックは発生
し難くなる。また、同様に、焼成時のセラミック層の粘
性が高いほどスルーホール部分への凹み量は小さい。従
って、アルミナ基板のスルーホールの孔径に応じてガラ
ス質セラミックグリーンシートの厚さおよび組成が選択
される。また、積層圧力を高くすると、セラミック層の
凹み量は小さくなり、次第に平衡となる。また凹み形状
も、積層圧力が低いと底が突き出した形状になるが、積
層圧力が高いと、底が平な形状になる。これはグリーン
シートが剪断応力を受けてマイクロクラックが発生し、
焼成および冷却の際にこのクラックを通じて空気が出入
りするためであると考えられる。従って、積層圧力はセ
ラミック層の凹み量が小さく、かつマイクロクラックを
生じない大きさが選択される。
【００１１】グリーンシートの焼成、冷却後、該グリー
ンシートによって形成されたセラミック質絶縁層の表面
に導体パターンが印刷され、所定の回路が形成される。
該回路には必要に応じて、抵抗、コンデンサーなどが組
み込まれ、該回路表面にはオーバーコートガラスが被せ
られる。この一連の工程を繰り返して多層回路が形成さ
れる。
ンシートによって形成されたセラミック質絶縁層の表面
に導体パターンが印刷され、所定の回路が形成される。
該回路には必要に応じて、抵抗、コンデンサーなどが組
み込まれ、該回路表面にはオーバーコートガラスが被せ
られる。この一連の工程を繰り返して多層回路が形成さ
れる。
【００１２】以下に、本発明の実施例を比較例と共に示
す。なお、本実施例は例示であり本発明を限定するもの
ではない。
す。なお、本実施例は例示であり本発明を限定するもの
ではない。
【００１３】実施例１ スルーホール（孔径 0.2mmφおよび 0.3mmφ）を中心と
して0.2 インチ角の電極を形成したアルミナ基板（82mm
×82mm、厚さ630 μm ）を用い、ガラスセラミック質グ
リーンシート（厚さ: 未焼成120 μm 、焼成後65μm:デ
ュポン社製商品名852AT ）を上記アルミナ基板の両面に
積層し、７５℃の温度下で、各々２０、４０、６０、８
０、１００kg／cm2 の圧力で２分間押圧した後に、大気
中、６０分の時間内で、８５０℃で１０分間、焼成し
た。その後、冷却してアルミナ基板の表面にガラスセラ
ミック質の絶縁層を形成した。この基板について触針型
膜厚計を用い、積層圧力とスルーホール開口部における
絶縁層の凹み量を測定した。この結果を表１および図１
に示す。表１および図１に示すように、孔径 0.3mmφの
スルーホールを有する基板は、積層圧力が４０kg／cm2
を上回ると絶縁層の凹み量が急激に減少し、凹部の底が
平らな形状になるが、これは積層圧力が増加するのに伴
い、凹み部分にマイクロクラックが発生し、ここを通じ
てスルーホールに空気が出入りするために減圧による吸
引力が低下するためである。また、孔径 0.2mmφのスル
ーホールを有する基板では、積層圧力が８０kg／cm2 ま
では絶縁層の凹み量の変化は小さく、マイクロクラック
は生じていない。しかし積層圧力が１００Kg／cm2 を上
回ると凹み量は小さいがマイクロクラックが認められ
た。従って、本実施例の条件では、孔径 0.3mmφのスル
ーホールを有する基板については積層圧力４０kg／cm2
以下、孔径 0.2mmφのスルーホールを有する基板につい
ては積層圧力８０kg／cm2 以下が適当である。
して0.2 インチ角の電極を形成したアルミナ基板（82mm
×82mm、厚さ630 μm ）を用い、ガラスセラミック質グ
リーンシート（厚さ: 未焼成120 μm 、焼成後65μm:デ
ュポン社製商品名852AT ）を上記アルミナ基板の両面に
積層し、７５℃の温度下で、各々２０、４０、６０、８
０、１００kg／cm2 の圧力で２分間押圧した後に、大気
中、６０分の時間内で、８５０℃で１０分間、焼成し
た。その後、冷却してアルミナ基板の表面にガラスセラ
ミック質の絶縁層を形成した。この基板について触針型
膜厚計を用い、積層圧力とスルーホール開口部における
絶縁層の凹み量を測定した。この結果を表１および図１
に示す。表１および図１に示すように、孔径 0.3mmφの
スルーホールを有する基板は、積層圧力が４０kg／cm2
を上回ると絶縁層の凹み量が急激に減少し、凹部の底が
平らな形状になるが、これは積層圧力が増加するのに伴
い、凹み部分にマイクロクラックが発生し、ここを通じ
てスルーホールに空気が出入りするために減圧による吸
引力が低下するためである。また、孔径 0.2mmφのスル
ーホールを有する基板では、積層圧力が８０kg／cm2 ま
では絶縁層の凹み量の変化は小さく、マイクロクラック
は生じていない。しかし積層圧力が１００Kg／cm2 を上
回ると凹み量は小さいがマイクロクラックが認められ
た。従って、本実施例の条件では、孔径 0.3mmφのスル
ーホールを有する基板については積層圧力４０kg／cm2
以下、孔径 0.2mmφのスルーホールを有する基板につい
ては積層圧力８０kg／cm2 以下が適当である。
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例２ スルーホール径0.20mmφ、0.24mmφのアルミナ基板と、
スルーホールを全く設けないアルミナ基板とを用い、積
層圧力を４５Kg／cm2 とした他は実施例１と同一条件に
従って多層基板を製造し、片面に対向電極として0.2 イ
ンチ角の表層電極を形成した。各スルホール径について
144 個の試料について層間絶縁抵抗値（DC100V：１分間
印加）を測定したところ全て１０ＭΩ以上であった。ま
た各スルホール径についておのおの数十個の試料を、８
５℃、８５％RHの条件下で対向電極間に２５ｖの直流電
圧を各々100 、200 、500 時間印加し、各時間経過後の
層間絶縁抵抗値（DC1kV ：１分間印加）を測定した。こ
の結果を表２および図２に示す。この結果から明らかな
ように、本実施例の多層配線基板のスルーホール開口部
はスルーホールを設けない場合と殆ど同程度の層間絶縁
抵抗を有し、電気的接続の信頼性が高い。
スルーホールを全く設けないアルミナ基板とを用い、積
層圧力を４５Kg／cm2 とした他は実施例１と同一条件に
従って多層基板を製造し、片面に対向電極として0.2 イ
ンチ角の表層電極を形成した。各スルホール径について
144 個の試料について層間絶縁抵抗値（DC100V：１分間
印加）を測定したところ全て１０ＭΩ以上であった。ま
た各スルホール径についておのおの数十個の試料を、８
５℃、８５％RHの条件下で対向電極間に２５ｖの直流電
圧を各々100 、200 、500 時間印加し、各時間経過後の
層間絶縁抵抗値（DC1kV ：１分間印加）を測定した。こ
の結果を表２および図２に示す。この結果から明らかな
ように、本実施例の多層配線基板のスルーホール開口部
はスルーホールを設けない場合と殆ど同程度の層間絶縁
抵抗を有し、電気的接続の信頼性が高い。
【００１６】
【表２】
【００１７】比較例 スルーホールの孔径が0.5 mmφ、0.4 mmφおよび0.3 mm
φである以外は実施例２と同一のグリーンシートを用
い、実施例２と同一の条件で多層基板を製造し、層間絶
縁抵抗値を測定した。0.5 mmφおよび0.4 mmφの試料は
全て、肉眼観察でビア孔の絶縁層の凹部周縁に多数のマ
イクロクラックが認められ、表面に導体ペーストを印刷
したところマイクロクラックに導体ペーストが流れ込
み、層間絶縁抵抗は数Ωであり、絶縁基板として用いる
ことができなかった。同様に、0.3 mmφの試料は、その
約１割が層間抵抗値１０ＭΩ以下であり、絶縁不良であ
った。
φである以外は実施例２と同一のグリーンシートを用
い、実施例２と同一の条件で多層基板を製造し、層間絶
縁抵抗値を測定した。0.5 mmφおよび0.4 mmφの試料は
全て、肉眼観察でビア孔の絶縁層の凹部周縁に多数のマ
イクロクラックが認められ、表面に導体ペーストを印刷
したところマイクロクラックに導体ペーストが流れ込
み、層間絶縁抵抗は数Ωであり、絶縁基板として用いる
ことができなかった。同様に、0.3 mmφの試料は、その
約１割が層間抵抗値１０ＭΩ以下であり、絶縁不良であ
った。
【００１８】
【発明の効果】本発明の多層セラミック配線基板は、絶
縁層のスルーホール開口部でのマイクロクラックがな
く、スルーホール部分での電気的接続の信頼性が高く、
また絶縁層表面の回路配線も凹み部分での制約を殆ど受
けないので、回路の構成が容易である。さらに、本発明
の多層セラミック配線基板は、その製造が容易であり、
信頼性の高い製品を容易に得ることができる。
縁層のスルーホール開口部でのマイクロクラックがな
く、スルーホール部分での電気的接続の信頼性が高く、
また絶縁層表面の回路配線も凹み部分での制約を殆ど受
けないので、回路の構成が容易である。さらに、本発明
の多層セラミック配線基板は、その製造が容易であり、
信頼性の高い製品を容易に得ることができる。
【図１】 本発明の実施例１におけるグリーンシートの
積層圧力と凹み量（焼成後の平均値）の関係を示すグラ
フ。
積層圧力と凹み量（焼成後の平均値）の関係を示すグラ
フ。
【図２】 本発明の実施例における層間絶縁抵抗値の印
加時間に対する変化を示すグラフ。
加時間に対する変化を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 手取屋 和夫 石川県松任市相木町383番地 ニッコー株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 内層配線がスルーホールによって層間接
続されている多層セラミック配線基板において、該基板
両面に設けた絶縁層によってスルーホールの両端開口部
が覆われていることを特徴とする多層セラミック配線基
板。 - 【請求項２】 スルーホールの孔径が 0.25mm 以下であ
る請求項１の多層セラミック配線基板。 - 【請求項３】 セラミック基板のスルーホール開口部を
含む少なくとも片面にセラミック質のグリーンシートを
積層して焼成することにより上記絶縁層を形成した請求
項１の多層セラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162276A JP2566868B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | スルーホールを内包する多層セラミック配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162276A JP2566868B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | スルーホールを内包する多層セラミック配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176865A true JPH07176865A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2566868B2 JP2566868B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=15751399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4162276A Expired - Lifetime JP2566868B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | スルーホールを内包する多層セラミック配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2566868B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156947A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Anritsu Corp | 高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュール |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047495A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | 株式会社日立製作所 | セラミツク配線基板 |
| JPS62174373U (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-05 | ||
| JPS63156393A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造方法 |
| JPH03259596A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH03261196A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP4162276A patent/JP2566868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63156393A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造方法 |
| JPH03259596A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156947A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Anritsu Corp | 高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2566868B2 (ja) | 1996-12-25 |
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