JPH0717903A - 高純度テレフタル酸の製造方法 - Google Patents
高純度テレフタル酸の製造方法Info
- Publication number
- JPH0717903A JPH0717903A JP5164751A JP16475193A JPH0717903A JP H0717903 A JPH0717903 A JP H0717903A JP 5164751 A JP5164751 A JP 5164751A JP 16475193 A JP16475193 A JP 16475193A JP H0717903 A JPH0717903 A JP H0717903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terephthalic acid
- crystal
- aqueous solution
- purification
- crude
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 56
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 14
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LPNBBFKOUUSUDB-UHFFFAOYSA-N p-toluic acid Chemical compound CC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 LPNBBFKOUUSUDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical class [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 bromine compound Chemical class 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- GOUHYARYYWKXHS-UHFFFAOYSA-N 4-formylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C=O)C=C1 GOUHYARYYWKXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical class [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- RVHSTXJKKZWWDQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrabromoethane Chemical class BrCC(Br)(Br)Br RVHSTXJKKZWWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWTUEMKLYAGTNQ-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromoethene Chemical class BrC=CBr UWTUEMKLYAGTNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical class NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006606 decarbonylation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
フタル酸を220〜320℃で水に溶解させ、該水溶液
を白金族金属触媒と接触させて精製し、次いで、該水溶
液を冷却することによりテレフタル酸の1番結晶を回収
し、更に、母液を冷却して2番結晶を析出させ、該2番
結晶の少なくとも一部を前記の精製工程に循環すること
を特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法。 【効果】 高収率で高純度テレフタル酸を製造すること
ができる。
Description
製造方法に関する。詳しくは、パラキシレンの酸化反応
により得られた粗テレフタル酸の水溶液を白金族金属の
存在下、精製することにより高純度のテレフタル酸を高
収率で得る方法に関する。
テレフタル酸中には、通常、4−カルボキシベンズアル
デヒド(「4CBA」と略して示す)をはじめとする各
種不純物が比較的多量に含まれており、従来、これを精
製した後、ポリエステルの原料として用いている。
ては、粗テレフタル酸を水素化処理あるいは、酸化処理
する方法が知られている。このうち、テレフタル酸を水
素化処理する方法として、高温、高圧下において粗テレ
フタル酸の水溶液を水素化触媒の存在下に還元処理し、
かつ、処理された水溶液からテレフタル酸の結晶を回収
する方法が提案されている(特公昭41−16860号
公報)。
後、冷却して大部分のテレフタル酸を1番結晶として分
離した後の母液には未だ溶解しているテレフタル酸の
他、安息香酸、パラトルイル酸等の有機不純物や鉄等の
金属類を含有している。従って、この母液に溶解してい
るテレフタル酸の有効利用が望まれるものの、母液を更
に冷却して晶析させた2番結晶は、品質的に極めて劣る
ため、通常は利用されることなく廃棄処分されるのが現
状である。しかし、2番結晶中のテレフタル酸は精製テ
レフタル酸に対して1%程度に相当し、工業的に大量生
産されているテレフタル酸製造業において、これを有効
利用することができれば、公害防止上の面からも、経済
上の面からもその意義は大きい。
結晶をパラキシレンの酸化反応工程に供給する方法が提
案されている(特公昭52−128344号)。この方
法では、2番結晶中のテレフタル酸の回収と、パラトル
イル酸等の中間酸化物を有効利用することはできるが、
2番結晶と共に一定量の水を酸化工程に持込むことにな
るため、パラキシレン液相酸化反応の制御が難しくなる
という問題点があった。
点に鑑み、鋭意検討を行った結果、本発明に到達した。
本発明の要旨は、パラキシレンを液相酸化して得られた
粗テレフタル酸を220〜320℃で水に溶解させ、該
水溶液を白金族金属触媒と接触させて精製し、次いで、
該水溶液を冷却することによりテレフタル酸の1番結晶
を回収し、更に、母液を冷却して2番結晶を析出させ、
該2番結晶の少なくとも一部を前記の精製工程に循環す
ることを特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法に存
する。以下、本発明を詳細に説明する。
シレンを、低級脂肪族カルボン酸からなる溶媒中にて、
触媒としての遷移金属化合物及び臭素化合物の存在下、
分子状酸素によって液相酸化する方法が一般的である。
かかるテレフタル酸の製造方法において、通常、溶媒と
しては、酢酸が用いられている。触媒としての遷移金属
化合物としては、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、
クロム等の遷移金属の臭素塩、安息香酸塩、ナフテン酸
塩、酢酸塩等のカルボン酸塩、アセチルアセトナート等
が、また、臭素化合物としては、マンガン、コバルト、
鉄、ニッケル、クロム等の臭素塩、臭化水素酸、臭化ナ
トリウム、ジブロモエチレン、テトラブロモエタン等が
用いられている。遷移金属の臭素塩は、遷移金属化合物
成分と臭素化合物成分とを兼ねることができる。
としては、純酸素、空気、純酸素と不活性ガスとの混合
物等が用いられる。より具体的には、例えば、原料パラ
キシレンは、通常、溶媒に対して1〜50重量%の割合
で用いられる。触媒としてコバルト化合物又はマンガン
化合物と臭素化合物が用いられるときは、これらの化合
物は、溶媒に対して、通常、コバルト原子が10〜50
00重量ppm、マンガン原子が10〜5000重量p
pm、臭素原子が10〜10000重量ppmとなるよ
うに用いられる。また、反応器に供給する分子状酸素は
通常、パラキシレン1モルに対して酸素として3〜20
モルの割合となるように用いられる。そして、反応は通
常、反応温度160〜260℃、反応圧力4〜50kg
/cm2G、滞留時間10〜200分の範囲で行われ
る。
は、通常、不純物として4CBAを50〜10000重
量ppm含んでおり、ポリエステルの原料として用いる
ためには精製が行われる。即ち、加熱により粗テレフタ
ル酸を水に溶解させ、220〜320℃で、通常、水素
の存在下、場合によっては水素の不存在下で白金族金属
と接触させることにより精製して、この後、晶析によっ
て高純度テレフタル酸を得る。
4CBAのような分離し難い不純物を分離容易な不純物
に変えることによって精製する方法であり、例えば、水
素存在下で精製する場合は4CBAはパラトルイル酸に
還元され、また、水素不存在下の場合は安息香酸への脱
カルボニル反応が起こる。粗テレフタル酸水溶液の調製
にあたっては、水100重量部に対して粗テレフタル酸
を通常、1〜80重量部、好ましくは、15〜65重量
部を溶解させる。溶解温度は通常、220〜320℃、
好ましくは260〜300℃で完全に溶解させることが
望ましい。
ム、ロジウム、パラジウム、白金、オスミウム等の白金
族金属と1〜100分間接触させる。これら白金族金属
は、通常、テレフタル酸水溶液に不溶性の担体、例え
ば、活性炭等に担持させて用いられる。これらの触媒の
中では、特に、活性炭に担持させたパラジウム(以下、
「Pd/C」と略す)を固定床として用いるのが精製効
果の点から好ましい。この時、粗テレフタル酸水溶液1
t/H当たり分子状水素が0.05〜10Nm3/H存
在することが好ましい。
の水溶液は、次いで、70〜180℃、好ましくは11
0〜170℃迄冷却され、溶解していたテレフタル酸の
大部分を晶析させ(以下、この結晶を「1番結晶」と称
する)、分離回収される。冷却は1槽または多槽の晶析
槽を用いて段階的に行われる。3ないし5段の晶析槽を
用いる場合、例えば、1段目では200〜280℃、2
段目では180〜230℃、3〜5段目では70〜18
0℃に冷却される。本反応における1番結晶とは、上記
の如き多段の晶析槽を用いた場合には、1段目(第1晶
析槽)で晶析したテレフタル酸結晶のみを指すものでは
なく、製品としてのテレフタル酸を分離するまでの全量
を意味する。即ち、精製処理の温度から1番結晶の析出
温度まで冷却したときに晶析したテレフタル酸結晶全て
を指す。晶析が多段階で行われても、晶析したテレフタ
ル酸の分離は通常はまとめて1回の操作で行われる。
90〜99.5%、好ましくは92〜99%である。晶
析率をこれ以上高くするとパラトルイル酸、安息香酸等
の他、構造不明の有機性不純物及び、鉄等の金属類がテ
レフタル酸結晶中に混入する恐れがあり、90%未満の
場合は精製効果の上からは問題ないが生産性に劣るので
上記範囲が選択される。
却して母液中に溶解しているテレフタル酸を晶析させる
(以下、この結晶を「2番結晶」と称する)。この場合
の析出温度は20〜130℃で、かつ、1番結晶の析出
温度より20℃以上、好ましくは50℃以上低い温度が
選ばれる。2番結晶の析出温度は好ましくは30〜50
℃である。2番結晶には、パラトルイル酸、安息香酸等
の他、構造不明の有機性不純物及び、鉄等の金属類を多
量に同伴しているので、そのまま製品化するこはできな
い。
なくとも一部を白金族金属触媒による精製工程に循環し
て有効利用することを特徴とする。この2番結晶は、含
水ケーキとしてそのまま精製工程へ循環してもよいし、
乾燥させてから循環してもよい。循環量は好ましくは全
量であるが、製品の品質を考慮のうえ適宜変更すること
ができる。このような操作を繰り返しても得られるテレ
フタル酸の純度は、従来の2番結晶を廃棄処分していた
プロセスでの1番結晶と全く変わりはなく、収率向上の
寄与は大きい。2番結晶を分離した後の母液には不純物
が濃縮されほとんどテレフタル酸は含まれていないの
で、中和処理、活性汚泥処理等のために系外の廃水処理
設備に導かれる。
る。実施例において、吸光度(「OD340」と略して
示す)とは、粗テレフタル酸7.5gを2規定の水酸化
カリウム水溶液50mlに溶解した溶液を光路長1cm
の石英セルで測定した340mμ波長光での吸光度を意
味する。
ラリー加熱ライン、スラリー溶解槽、0.5重量%のP
dを活性炭に担持させた触媒を充填した水添反応器及び
晶析槽を備えた装置を用いて固定床流通方式で粗テレフ
タル酸の水添精製を行った。本装置は、ラインや、機器
については閉塞防止のために電気ヒーターと保温材及
び、圧力調整器で温度、圧力を正確に制御されている。
最初に、スラリー化槽及び、計量槽を除く全系を窒素ガ
スで十分置換した後、90kg/cm2 Gに加圧した。
次に、計量槽内に仕込んだ水をスラリーフィードポンプ
を用いてスラリー加熱ライン、溶解槽、反応器を経由し
て晶析槽へと順次流通させ、系内を加熱して290℃に
昇温した。
ットルの撹拌機付きスラリー化槽で4CBAを2850
ppmを含み、OD340が0.420の粗テレフタル
酸30重量部、水70重量部から調整したスラリーを計
量槽に移送し、水からスラリーに切り替えてフィードを
開始した。このスラリーはスラリー加熱ライン、溶解槽
を経由し、2分後には完全に溶解し、290℃のテレフ
タル酸水溶液が得られた。該水溶液を6リットル/Hで
3リットル/Hの水素と共に水添反応器に導入して還元
精製処理した。
ル酸水溶液を晶析槽に移送して150℃に冷却した。1
番結晶としてテレフタル酸を晶析させ、同温度で母液か
ら分離した。テレフタル酸水溶液中に含まれるテレフタ
ル酸の98%が回収された。1番結晶を分離した後の母
液を更に40℃迄冷却して2番結晶を晶析させた。な
お、この2番結晶は1番結晶に対して(乾燥重量換算)
1.1重量%、テレフタル酸含有量は93重量%であっ
た。粗テレフタル酸結晶、精製テレフタル酸結晶(1番
結晶)及び、2番結晶の物性値を表−1に示す。
して15%含んだ状態で粗テレフタル酸のスラリー化槽
に戻してテレフタル酸水溶液の原料の一部として用い、
繰り返し24時間反応を行った。比較例1と同様に冷却
し、分離したテレフタル酸の品質には全く問題がなく、
1番結晶として高純度のテレフタル酸が回収された。粗
テレフタル酸結晶、精製テレフタル酸結晶(1番結晶)
及び、スラリー化槽に戻した2番結晶(以下「リサイク
ルケーキ」と略す)の物性値を表−2に示す。
ることなく高純度テレフタル酸の品質を維持しつつ、2
番結晶を回収、利用することができ、高収率で高純度テ
レフタル酸を製造することができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 パラキシレンを液相酸化して得られた粗
テレフタル酸を220〜320℃で水に溶解させ、該水
溶液を白金族金属触媒と接触させて精製し、次いで、該
水溶液を冷却することによりテレフタル酸の1番結晶を
回収し、更に、母液を冷却して2番結晶を析出させ、該
2番結晶の少なくとも一部を前記の精製工程に循環する
ことを特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法。 - 【請求項2】 1番結晶の析出温度が、70〜180℃
であることを特徴とする請求項1の製造方法。 - 【請求項3】 2番結晶の析出温度が、1番結晶の析出
温度より20℃以上低く、かつ20〜130℃の範囲で
あることを特徴とする請求項1の製造方法。 - 【請求項4】 テレフタル酸水溶液中に含まれるテレフ
タル酸の90〜99.5%を1番結晶として回収する請
求項1の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16475193A JP3319044B2 (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16475193A JP3319044B2 (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0717903A true JPH0717903A (ja) | 1995-01-20 |
| JP3319044B2 JP3319044B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=15799231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16475193A Expired - Lifetime JP3319044B2 (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319044B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088066A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of purifying aromatic polycarboxylic acid |
| US7387799B2 (en) | 2003-05-19 | 2008-06-17 | Well-Being Biochemical Corp. | Anti-bacterial, anti-viral, and anti-fungus composition, its preparation and use |
| US7858124B2 (en) | 2003-07-29 | 2010-12-28 | Well-Being Biochemical Corp. | Anti-bacterial, anti-virus, and anti-fungus composition, its preparation and use |
| CN116986613A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-11-03 | 浙江省天正设计工程有限公司 | 一种pta行业化工废盐资源化处理方法 |
-
1993
- 1993-07-02 JP JP16475193A patent/JP3319044B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088066A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of purifying aromatic polycarboxylic acid |
| US7005540B2 (en) | 2001-04-27 | 2006-02-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of purifying aromatic polycarboxylic acid |
| US7387799B2 (en) | 2003-05-19 | 2008-06-17 | Well-Being Biochemical Corp. | Anti-bacterial, anti-viral, and anti-fungus composition, its preparation and use |
| US7976876B2 (en) * | 2003-05-19 | 2011-07-12 | Well-Being Biochemical Corp. | Anti-bacterial, anti-virus, and anti-fungus composition, its preparation and use |
| US7858124B2 (en) | 2003-07-29 | 2010-12-28 | Well-Being Biochemical Corp. | Anti-bacterial, anti-virus, and anti-fungus composition, its preparation and use |
| CN116986613A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-11-03 | 浙江省天正设计工程有限公司 | 一种pta行业化工废盐资源化处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3319044B2 (ja) | 2002-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4286101A (en) | Process for preparing terephthalic acid | |
| KR100580419B1 (ko) | 순수한 카르복실산의 개선된 제조 방법 | |
| EP0083224B1 (en) | Process for producing aromatic polycarboxylic acid with high purity | |
| JPH07118201A (ja) | 2,6−ナフタレンジカルボン酸の精製方法 | |
| JP3319044B2 (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
| US6491795B2 (en) | Process for recovering benzyl benzoate | |
| JPH0257528B2 (ja) | ||
| JPH07118200A (ja) | ナフタレンジカルボン酸の製造方法 | |
| JP3232765B2 (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
| JPH09151162A (ja) | ナフタレンジカルボン酸の精製法 | |
| JP4207273B2 (ja) | ナフタレンジカルボン酸の製造法 | |
| JP2924104B2 (ja) | 高純度イソフタル酸の製造方法 | |
| JP4032186B2 (ja) | 高純度2,6−ナフタレンジカルボン酸ジメチルの製造法 | |
| JPH07238051A (ja) | 高純度ナフタレンジカルボン酸の製造方法 | |
| JPS62212340A (ja) | 2,6−ナフタレンジカルボン酸とトリメリツト酸の併産方法 | |
| JPH07173100A (ja) | 高純度2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造方法 | |
| JPH05294892A (ja) | ナフタレンジカルボン酸の製造方法 | |
| JPH09104654A (ja) | ナフタレンジカルボン酸の精製方法 | |
| KR20040061555A (ko) | 2,6-나프탈렌디카르복실산의 정제 방법 | |
| JPS6293254A (ja) | 2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造法 | |
| JPH1053557A (ja) | 高純度2,6−ナフタレンジカルボン酸の製造方法 | |
| JPH09151160A (ja) | 単環芳香族カルボン酸の精製方法 | |
| JP3348462B2 (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
| JP3187212B2 (ja) | ナフタレンジカルボン酸の連続製造法 | |
| JP3757989B2 (ja) | ナフタレンジカルボン酸の精製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080621 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110621 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120621 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130621 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |