JPH071795B2 - 半導体式触覚センサ - Google Patents
半導体式触覚センサInfo
- Publication number
- JPH071795B2 JPH071795B2 JP62005104A JP510487A JPH071795B2 JP H071795 B2 JPH071795 B2 JP H071795B2 JP 62005104 A JP62005104 A JP 62005104A JP 510487 A JP510487 A JP 510487A JP H071795 B2 JPH071795 B2 JP H071795B2
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- JP
- Japan
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- pressure
- sensitive
- output
- semiconductor substrate
- tactile sensor
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- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、工業用ロボット等に使用される半導体式触覚
センサに係り、特に拡散抵抗を用いた感圧部がマトリク
ス状に配設されている感圧半導体基板に関する。
センサに係り、特に拡散抵抗を用いた感圧部がマトリク
ス状に配設されている感圧半導体基板に関する。
（従来の技術） この種の従来の半導体式触覚センサは第９図（ａ），
（ｂ）に示すように構成されていた。即ち、半導体基板
91の一方の表面に拡散抵抗Ｒがブリッジ接続されてなる
感圧部92…がマトリクス状に配設され、他方の表面にお
ける上記感圧部92…に対向する部分は薄肉となってダイ
ヤフラム93…が形成されている。そして、上記感圧部92
…に入力電圧を加えたり、各出力を基板端部に引き出す
ために上記半導体基板（感圧基板）91上にパターン配線
が形成されている。そして、出力用パターン配線から出
力を基板外部へ引き出すために、たとえばボンディング
ワイヤ（図示せず）が接続されており、基板外部で感圧
部出力の処理、感圧部マトリクスの出力選択処理等を行
なって荷重分布等を測定することが可能となっている。
（ｂ）に示すように構成されていた。即ち、半導体基板
91の一方の表面に拡散抵抗Ｒがブリッジ接続されてなる
感圧部92…がマトリクス状に配設され、他方の表面にお
ける上記感圧部92…に対向する部分は薄肉となってダイ
ヤフラム93…が形成されている。そして、上記感圧部92
…に入力電圧を加えたり、各出力を基板端部に引き出す
ために上記半導体基板（感圧基板）91上にパターン配線
が形成されている。そして、出力用パターン配線から出
力を基板外部へ引き出すために、たとえばボンディング
ワイヤ（図示せず）が接続されており、基板外部で感圧
部出力の処理、感圧部マトリクスの出力選択処理等を行
なって荷重分布等を測定することが可能となっている。
ところで、従来、各感圧部92…毎の入力パターン配線9
4、出力パターン配線95としてそれぞれ２本形成する必
要がある。この場合、入力パターン配線はマトリクスの
同一列内で共用しているが、出力パターン配線はそれぞ
れ別々に引き出している。従って、ｎ行×ｎ列のマトリ
クスの場合、出力配線は2n2となり、ｎを大きくするに
つれて出力配線数が多く（ｎ＝８の場合、128本）な
る。これによって、感圧基板91上の配線部の面積が大き
くなり、感圧部92を高密度に集積化することができず、
特に出力パターン配線94の引き回しが複雑になり、パタ
ーン配線の信頼性が低下する等の問題があった。
4、出力パターン配線95としてそれぞれ２本形成する必
要がある。この場合、入力パターン配線はマトリクスの
同一列内で共用しているが、出力パターン配線はそれぞ
れ別々に引き出している。従って、ｎ行×ｎ列のマトリ
クスの場合、出力配線は2n2となり、ｎを大きくするに
つれて出力配線数が多く（ｎ＝８の場合、128本）な
る。これによって、感圧基板91上の配線部の面積が大き
くなり、感圧部92を高密度に集積化することができず、
特に出力パターン配線94の引き回しが複雑になり、パタ
ーン配線の信頼性が低下する等の問題があった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記したように感圧部マトリクスの出力パタ
ーン配線数が多くなり、その配線部の面積が大きくなる
と共に配線パターンが複雑になるという問題点を解決す
べくなされたもので、上記出力パターン配線数を減少す
ることができ、感圧部の高密度の集積化を可能とし、出
力パターン配線の引き回しを少なくして、そのパターン
配線の信頼性の向上を図り得る半導体式触覚センサを提
供することを目的とする。
ーン配線数が多くなり、その配線部の面積が大きくなる
と共に配線パターンが複雑になるという問題点を解決す
べくなされたもので、上記出力パターン配線数を減少す
ることができ、感圧部の高密度の集積化を可能とし、出
力パターン配線の引き回しを少なくして、そのパターン
配線の信頼性の向上を図り得る半導体式触覚センサを提
供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の半導体式触覚センサは、表面に拡散抵抗を用い
た感圧部がマトリクス状に形成され、裏面の上記感圧部
に対向する部分が薄肉状に形成された感圧半導体基板
と、上記感圧半導体基板の各感圧部の周囲の厚肉部に形
成され、上記感圧部の２個の入力端に各応答して接続さ
れた感圧部入力電圧をスイッチ制御して与えるための第
１及び第２の電解効果トランジスタと、上記感圧半導体
基板の各感圧部の周囲の厚肉部に形成され、上記感圧部
の２個の出力端に各対応して接続された感圧出力をスイ
ッチ制御して取り出すための第３及び第４の電解効果ト
ランジスタと、を具備することを特徴とする。
た感圧部がマトリクス状に形成され、裏面の上記感圧部
に対向する部分が薄肉状に形成された感圧半導体基板
と、上記感圧半導体基板の各感圧部の周囲の厚肉部に形
成され、上記感圧部の２個の入力端に各応答して接続さ
れた感圧部入力電圧をスイッチ制御して与えるための第
１及び第２の電解効果トランジスタと、上記感圧半導体
基板の各感圧部の周囲の厚肉部に形成され、上記感圧部
の２個の出力端に各対応して接続された感圧出力をスイ
ッチ制御して取り出すための第３及び第４の電解効果ト
ランジスタと、を具備することを特徴とする。
また、前記感圧半導体基板の表面の全面が弾性材により
被覆されており、この弾性材を介して外部から加えられ
る力を感じることを特徴とする。
被覆されており、この弾性材を介して外部から加えられ
る力を感じることを特徴とする。
（作用） 各感圧部に対して入力電圧のスイッチ制御及び出力信号
のスイッチ制御が可能になり、この両方のスイッチ制御
によって１つの感圧部からの出力信号のみ感圧半導体基
板から取り出すことが可能になるので、感圧基板上の出
力用パターン配線が少なくて済み、パターン配線の信頼
性が向上とすると共に感圧部の高集積化が可能になる。
のスイッチ制御が可能になり、この両方のスイッチ制御
によって１つの感圧部からの出力信号のみ感圧半導体基
板から取り出すことが可能になるので、感圧基板上の出
力用パターン配線が少なくて済み、パターン配線の信頼
性が向上とすると共に感圧部の高集積化が可能になる。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の半導体式触覚センサの
一実施例の基礎となる感圧半導体基板１を示している。
即ち、半導体基板１の一方の表面にｎ行×ｎ列のマトリ
クス状に感圧部２…が形成されており、他方の表面にお
ける上記感圧部２…に対向する部分が薄肉となってダイ
ヤフラム部３…が形成されており、上記各感圧部２…に
接続される入力用、出力用のパターン配線が形成されて
いる。上記感圧部２…は、第２図（ａ），（ｂ）に示す
ように薄肉部に４個の拡散抵抗Ｒが形成されている。そ
して、上記薄肉部の周囲の厚肉部に上記拡散抵抗Ｒをブ
リッジ回路となるように接続するためのパターン配線４
と、このブリッジ回路に入力電極Vinを与えるためにマ
トリクスの列方向に形成された入力用の２本のパターン
配線５（１本は感圧基板外で接地される）と、上記ブリ
ッジ回路の２個の出力端に各対応して一端が接続される
出力選択用の２個のMOS FET（絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタ）６と、この２個のMOSトランジスタ６の各
ゲートに共通接続され、マトリクスの列方向に形成され
た出力スイッチ制御用の１本のパターン配線７と、上記
２個のMOSトランジスタ６の各他端に対応して接続さ
れ、マトリクスの行方向に形成されたブリッジ回路出力
用の２本のパターン配線８とが形成されている。この場
合、前記２本の入力用パターン配線５および１本のスイ
ッチ制御用パターン配線７はマトリクスの同一列内で共
用されており、前記２本の出力用パターン配線８はマト
リクスの同一行内で共用されている。なお、各感圧部２
…におけるブリッジ回路と２個のMOSトランジスタ６と
のパターンレイアウトの一例を第３図に示しており、各
感圧部２…の回路における入力電圧Vin、出力信号Vout
の関係を第４図に示している。
一実施例の基礎となる感圧半導体基板１を示している。
即ち、半導体基板１の一方の表面にｎ行×ｎ列のマトリ
クス状に感圧部２…が形成されており、他方の表面にお
ける上記感圧部２…に対向する部分が薄肉となってダイ
ヤフラム部３…が形成されており、上記各感圧部２…に
接続される入力用、出力用のパターン配線が形成されて
いる。上記感圧部２…は、第２図（ａ），（ｂ）に示す
ように薄肉部に４個の拡散抵抗Ｒが形成されている。そ
して、上記薄肉部の周囲の厚肉部に上記拡散抵抗Ｒをブ
リッジ回路となるように接続するためのパターン配線４
と、このブリッジ回路に入力電極Vinを与えるためにマ
トリクスの列方向に形成された入力用の２本のパターン
配線５（１本は感圧基板外で接地される）と、上記ブリ
ッジ回路の２個の出力端に各対応して一端が接続される
出力選択用の２個のMOS FET（絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタ）６と、この２個のMOSトランジスタ６の各
ゲートに共通接続され、マトリクスの列方向に形成され
た出力スイッチ制御用の１本のパターン配線７と、上記
２個のMOSトランジスタ６の各他端に対応して接続さ
れ、マトリクスの行方向に形成されたブリッジ回路出力
用の２本のパターン配線８とが形成されている。この場
合、前記２本の入力用パターン配線５および１本のスイ
ッチ制御用パターン配線７はマトリクスの同一列内で共
用されており、前記２本の出力用パターン配線８はマト
リクスの同一行内で共用されている。なお、各感圧部２
…におけるブリッジ回路と２個のMOSトランジスタ６と
のパターンレイアウトの一例を第３図に示しており、各
感圧部２…の回路における入力電圧Vin、出力信号Vout
の関係を第４図に示している。
第５図および第６図は、それぞれ上記感圧基板１を用い
た触覚センサを示している。即ち、第５図は、感圧基板
１の裏面の凹部（ダイヤフラム部）に操作部材50が突入
する状態となるように裏面全面を弾性材（たとえばゴ
ム）51により被覆したものである。また、第６図は、感
圧基板１の表面（拡散抵抗形成面）全面を弾性材（たと
えばゴム）61にり被覆したものである。
た触覚センサを示している。即ち、第５図は、感圧基板
１の裏面の凹部（ダイヤフラム部）に操作部材50が突入
する状態となるように裏面全面を弾性材（たとえばゴ
ム）51により被覆したものである。また、第６図は、感
圧基板１の表面（拡散抵抗形成面）全面を弾性材（たと
えばゴム）61にり被覆したものである。
上記触覚センサにおいては、外圧が弾性材51あるいは61
を介して感圧基板１の薄肉部（ダイヤフラム部３）に加
えられると、拡散抵抗Ｒの抵抗値が変化し、ブリッジ回
路の出力電圧が変化する。従って、マトリクスの各列順
にブリッジ回路出力を取り出すようにスイッチ制御し、
各行の出力信号を感圧基板外部回路（センサ外部回路）
で選択することによって、各感圧部２…の出力を選択的
に得ることが可能になり、この出力を処理することによ
て感圧基板１に加えられた力の分布荷重等を測定するこ
とが可能になる。即ち、マトリクスのたとえば第４列の
スイッチ制御信号をアクティブにして、マトリクスの各
行における第４列のMOSトランジスタ６をオンしたとき
には各行の出力信号には第４列の感圧部２の出力が取り
出されるようになり、この各行の出力信号がセンサ外部
回路で選択されるようになる。
を介して感圧基板１の薄肉部（ダイヤフラム部３）に加
えられると、拡散抵抗Ｒの抵抗値が変化し、ブリッジ回
路の出力電圧が変化する。従って、マトリクスの各列順
にブリッジ回路出力を取り出すようにスイッチ制御し、
各行の出力信号を感圧基板外部回路（センサ外部回路）
で選択することによって、各感圧部２…の出力を選択的
に得ることが可能になり、この出力を処理することによ
て感圧基板１に加えられた力の分布荷重等を測定するこ
とが可能になる。即ち、マトリクスのたとえば第４列の
スイッチ制御信号をアクティブにして、マトリクスの各
行における第４列のMOSトランジスタ６をオンしたとき
には各行の出力信号には第４列の感圧部２の出力が取り
出されるようになり、この各行の出力信号がセンサ外部
回路で選択されるようになる。
なお、前記MOSトランジスタ６は感圧基板１の厚肉部に
形成されているので、感圧基板１に加えられた力によっ
て特性が変化するおそれはない。もし、MOSトランジス
タ６を薄肉部に設けると、基板の歪の影響で特性が変化
するおそれがある。
形成されているので、感圧基板１に加えられた力によっ
て特性が変化するおそれはない。もし、MOSトランジス
タ６を薄肉部に設けると、基板の歪の影響で特性が変化
するおそれがある。
上記触覚センサによれば、感圧部マトリクスの行，列数
がたとえば８×８の場合、従来例に比べて、入力用パタ
ーン配線数５は同じ（16本）であり、スイッチ制御用パ
ターン配線７が８本増えるけれども、出力用パターン配
線８が128本から16本に減るので、全体としてパターン
配線数が大幅に（本例では104本）減る。従って、感圧
基板上の配線部の面積が小さくなり、感圧部２…を高密
度に集積化することが可能になり、特に出力パターン配
線８の引き回しを簡素化でき、パターン配線の断線など
の発生率が減少し、パターン配線の信頼性が向上するよ
うになる。
がたとえば８×８の場合、従来例に比べて、入力用パタ
ーン配線数５は同じ（16本）であり、スイッチ制御用パ
ターン配線７が８本増えるけれども、出力用パターン配
線８が128本から16本に減るので、全体としてパターン
配線数が大幅に（本例では104本）減る。従って、感圧
基板上の配線部の面積が小さくなり、感圧部２…を高密
度に集積化することが可能になり、特に出力パターン配
線８の引き回しを簡素化でき、パターン配線の断線など
の発生率が減少し、パターン配線の信頼性が向上するよ
うになる。
第７図（ａ），（ｂ）は本発明の半導体式触覚センサの
一実施例における感圧基板71を示しており、第１図
（ａ），（ｂ）を参照して前述した感圧基板１に比べ
て、各感圧部72…の薄肉部の周囲の厚肉部において２本
の入力用パターン配線５とブリッジ回路の２個の入力端
との間に接続される入力選択用の２個のMOS FET73が形
成され、感圧部マトリクスの各行の２本の出力用パター
ン配線８の各対応する１本づつの配線が共通に接続され
ており、感圧部マトリクスにおける同一行の上記入力選
択用MOSトランジスタ73を共通にスイッチ制御するため
の入力スイッチ制御用のパターン配線74が各行毎に形成
されている点が異なり、その他の部分は同一であるので
第１図（ａ），（ｂ）中と同一符号を付している。な
お、各感圧部72…におけるブリッジ回路と４個のMOSト
ランジスタ（入力用２個，出力用２個）とのパターンレ
イアウトの一例を第８図に示している。
一実施例における感圧基板71を示しており、第１図
（ａ），（ｂ）を参照して前述した感圧基板１に比べ
て、各感圧部72…の薄肉部の周囲の厚肉部において２本
の入力用パターン配線５とブリッジ回路の２個の入力端
との間に接続される入力選択用の２個のMOS FET73が形
成され、感圧部マトリクスの各行の２本の出力用パター
ン配線８の各対応する１本づつの配線が共通に接続され
ており、感圧部マトリクスにおける同一行の上記入力選
択用MOSトランジスタ73を共通にスイッチ制御するため
の入力スイッチ制御用のパターン配線74が各行毎に形成
されている点が異なり、その他の部分は同一であるので
第１図（ａ），（ｂ）中と同一符号を付している。な
お、各感圧部72…におけるブリッジ回路と４個のMOSト
ランジスタ（入力用２個，出力用２個）とのパターンレ
イアウトの一例を第８図に示している。
上記感圧基板71においては、各感圧部72…に対して出力
信号のスイッチ制御のみならず入力電圧のスイッチ制御
も可能であり、この両方のスイッチ制御によって１つの
感圧部72からの出力信号のみ感圧基板71から取り出すこ
とが可能になる。これによって、感圧基板71の出力用パ
ターン配線８を２本に減らすことが可能になると共に、
さらにセンサ外部へ出力させるために上記パターン配線
にワイヤーボンディングを行うためのボンディングパッ
ドの個数を減らすことが可能になる。
信号のスイッチ制御のみならず入力電圧のスイッチ制御
も可能であり、この両方のスイッチ制御によって１つの
感圧部72からの出力信号のみ感圧基板71から取り出すこ
とが可能になる。これによって、感圧基板71の出力用パ
ターン配線８を２本に減らすことが可能になると共に、
さらにセンサ外部へ出力させるために上記パターン配線
にワイヤーボンディングを行うためのボンディングパッ
ドの個数を減らすことが可能になる。
尚、前記感圧基板71の表面（拡散抵抗形成面）全面を、
第６図に示すように弾性材（たとえばゴム）により被覆
することも可能であることは言うまでもない。
第６図に示すように弾性材（たとえばゴム）により被覆
することも可能であることは言うまでもない。
［発明の効果］ 上述したように本発明の半導体式触覚センサによれば、
感圧基板上の出力パターン配線を減らすことができ、パ
ターン配線の信頼性を向上させることができ、感圧部の
高集積化が可能になり、解像度の高い測定（分布荷重
等）が可能になる。触覚センサにおいて、解像度の高い
分布荷重信号を得ることは測定物からの力やモーメント
のベクトルを高精度で検出することが可能となり、ロボ
ット等の触覚センサを使用する制御系においてきめ細か
な制御を行うことができる。
感圧基板上の出力パターン配線を減らすことができ、パ
ターン配線の信頼性を向上させることができ、感圧部の
高集積化が可能になり、解像度の高い測定（分布荷重
等）が可能になる。触覚センサにおいて、解像度の高い
分布荷重信号を得ることは測定物からの力やモーメント
のベクトルを高精度で検出することが可能となり、ロボ
ット等の触覚センサを使用する制御系においてきめ細か
な制御を行うことができる。
第１図（ａ）は本発明の半導体式触覚センサの一実施例
の基礎となる感圧半導体基板を概略的に示す平面図、第
１図（ｂ）は同図（ａ）中の感圧部のダイヤフラム構造
を示す断面図、第２図（ａ）は第１図（ａ）中の感圧部
（印部）を取り出してパターン構成を示す平面図、第
２図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３
図は第１図（ａ）中の感圧部を取り出して示す回路図、
第４図は第１図（ａ）中の感圧部における入力電圧Vin
と出力信号Voutとの関係を示す回路図、第５図および第
６図は第１図（ａ），（ｂ）の感圧半導体基板を有する
触覚センサの相異なる例を示す断面図、第７図（ａ）は
本発明の半導体式触覚センサの一実施例における感圧半
導体基板を概略液に示す平面図、第７図（ｂ）は同図
（ａ）中のダイヤフラム構造を示す断面図、第８図は第
７図（ａ）中の感圧部（印部）を取り出して示す回路
図、第９図（ａ）は従来の半導体式触覚センサにおける
感圧基板を示す平面図、第９図（ｂ）は同図（ａ）中の
ダイヤフラム構造を示す断面図である。 1,71……感圧半導体基板、2,72……感圧部、３……ダイ
ヤフラム部、５……入力用パターン配線、6,73……電界
効果トランジスタ、７……入力スイッチ制御用パターン
配線、８……出力用パターン配線、74……出力スイッチ
制御用パターン配線。
の基礎となる感圧半導体基板を概略的に示す平面図、第
１図（ｂ）は同図（ａ）中の感圧部のダイヤフラム構造
を示す断面図、第２図（ａ）は第１図（ａ）中の感圧部
（印部）を取り出してパターン構成を示す平面図、第
２図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３
図は第１図（ａ）中の感圧部を取り出して示す回路図、
第４図は第１図（ａ）中の感圧部における入力電圧Vin
と出力信号Voutとの関係を示す回路図、第５図および第
６図は第１図（ａ），（ｂ）の感圧半導体基板を有する
触覚センサの相異なる例を示す断面図、第７図（ａ）は
本発明の半導体式触覚センサの一実施例における感圧半
導体基板を概略液に示す平面図、第７図（ｂ）は同図
（ａ）中のダイヤフラム構造を示す断面図、第８図は第
７図（ａ）中の感圧部（印部）を取り出して示す回路
図、第９図（ａ）は従来の半導体式触覚センサにおける
感圧基板を示す平面図、第９図（ｂ）は同図（ａ）中の
ダイヤフラム構造を示す断面図である。 1,71……感圧半導体基板、2,72……感圧部、３……ダイ
ヤフラム部、５……入力用パターン配線、6,73……電界
効果トランジスタ、７……入力スイッチ制御用パターン
配線、８……出力用パターン配線、74……出力スイッチ
制御用パターン配線。
Claims (2)
- 【請求項１】表面に拡散抵抗を用いた感圧部がマトリク
ス状に形成され、裏面の上記感圧部に対向する部分が薄
肉状に形成された感圧半導体基板と、 上記感圧半導体基板の各感圧部の周囲の厚肉部に形成さ
れ、上記感圧部の２個の入力端に各対応して接続された
感圧部入力電圧をスイッチ制御して与えるための第１及
び第２の電解効果トランジスタと、 上記感圧半導体基板の各感圧部の周囲の厚肉部に形成さ
れ、上記感圧部の２個の出力端に各対応して接続された
感圧出力をスイッチ制御して取り出すための第３及び第
４の電解効果トランジスタと、 を具備することを特徴とする半導体式触覚センサ。 - 【請求項２】前記感圧半導体基板の表面の全面が弾性材
により被覆されており、この弾性材を介して外部から加
えられる力を感じることを特徴とする前記特許請求の範
囲第１項に記載の半導体式触覚センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005104A JPH071795B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 半導体式触覚センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005104A JPH071795B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 半導体式触覚センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174375A JPS63174375A (ja) | 1988-07-18 |
| JPH071795B2 true JPH071795B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=11602056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62005104A Expired - Fee Related JPH071795B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 半導体式触覚センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071795B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032661A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Distribution value measuring method and measuring system using distribution value sensor therefore |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0117281B1 (en) * | 1982-12-03 | 1989-07-26 | International Business Machines Corporation | Updating data processing files |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP62005104A patent/JPH071795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032661A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Distribution value measuring method and measuring system using distribution value sensor therefore |
| US8175821B2 (en) | 2006-09-12 | 2012-05-08 | The University Of Tokyo | Method for measuring physical quantity distribution and measurement system using sensor for physical quantity distribution |
| JP5261852B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2013-08-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 分布量計測方法およびそのための分布量センサを用いた計測システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63174375A (ja) | 1988-07-18 |
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