JPH07201699A - ステージ装置 - Google Patents
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- JPH07201699A JPH07201699A JP33503293A JP33503293A JPH07201699A JP H07201699 A JPH07201699 A JP H07201699A JP 33503293 A JP33503293 A JP 33503293A JP 33503293 A JP33503293 A JP 33503293A JP H07201699 A JPH07201699 A JP H07201699A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理基板の表面の傾斜角及び高さ(フォー
カス位置)を高速に所定の基準面に合わせ込む。 【構成】 ウエハ12を保持するウエハホルダー14を
3個の支点16A〜16Cを介してフォーカス・レベリ
ングステージ15上に載置し、レーザ干渉計20X,2
0Yによるウエハホルダー14の(x,y)座標の計測
値、AFセンサー25A1〜25Anにより検出された
ウエハ12表面の多点の計測点での基準面からのデフォ
ーカス量、及び各計測点での重み係数W1 〜Wn を面位
置算出系33に供給する。面位置算出系33では、3個
の支点16A〜16Cでの制御偏差を算出し、フォーカ
ス・レベリング制御系22が増幅器23A〜23Cを介
して支点16A〜16Cの駆動量を制御する。
カス位置)を高速に所定の基準面に合わせ込む。 【構成】 ウエハ12を保持するウエハホルダー14を
3個の支点16A〜16Cを介してフォーカス・レベリ
ングステージ15上に載置し、レーザ干渉計20X,2
0Yによるウエハホルダー14の(x,y)座標の計測
値、AFセンサー25A1〜25Anにより検出された
ウエハ12表面の多点の計測点での基準面からのデフォ
ーカス量、及び各計測点での重み係数W1 〜Wn を面位
置算出系33に供給する。面位置算出系33では、3個
の支点16A〜16Cでの制御偏差を算出し、フォーカ
ス・レベリング制御系22が増幅器23A〜23Cを介
して支点16A〜16Cの駆動量を制御する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理基板上の表面領
域の傾きを補正するステージ装置に関し、特に、半導体
素子や液晶表示素子を製造する露光装置の感光基板の表
面の局所的な傾き、又は全体的な傾きを補正するレベリ
ングステージに適用して好適なものである。
域の傾きを補正するステージ装置に関し、特に、半導体
素子や液晶表示素子を製造する露光装置の感光基板の表
面の局所的な傾き、又は全体的な傾きを補正するレベリ
ングステージに適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、フォトリソグラフィ用の露光装置
では、マスク、又はレチクルのパターンを感光基板(ウ
エハ、ガラスプレート等)上に位置合わせして露光する
が、その際、感光基板表面の全体、又は局所的な表面領
域の平均的な平面を、基準となる面に対して平行に合わ
せる作業、所謂レベリング(又はチルティング)も同時
に行われている。
では、マスク、又はレチクルのパターンを感光基板(ウ
エハ、ガラスプレート等)上に位置合わせして露光する
が、その際、感光基板表面の全体、又は局所的な表面領
域の平均的な平面を、基準となる面に対して平行に合わ
せる作業、所謂レベリング(又はチルティング)も同時
に行われている。
【0003】例えば、マスクと感光基板とを10〜30
0μm程度のギャップ間隔で近接させるプロキシミティ
露光方式におけるレベリングは、感光基板上のパターン
の被転写領域の表面を、マスクのパターン面と平行にす
ることである。また、マスクやレチクルのパターン像を
投影光学系を介して感光基板上に結像するプロジェクシ
ョン方式でのレベリングは、投影されたパターンの像面
と感光基板表面とを平行にする(この場合、ほとんど一
致させる)ことである。
0μm程度のギャップ間隔で近接させるプロキシミティ
露光方式におけるレベリングは、感光基板上のパターン
の被転写領域の表面を、マスクのパターン面と平行にす
ることである。また、マスクやレチクルのパターン像を
投影光学系を介して感光基板上に結像するプロジェクシ
ョン方式でのレベリングは、投影されたパターンの像面
と感光基板表面とを平行にする(この場合、ほとんど一
致させる)ことである。
【0004】このようなレベリング作業は、マスクやレ
チクルのパターンの転写領域内の全面で正しい転写像質
(感光基板上のレジスト層に食刻されたパターンプロフ
ァイルの質)を得るために行われる。特に高開口数、高
解像力の投影光学系を備えたプロジェクション方式の露
光装置では、その投影光学系による投影視野の大きさに
比べて、焦点深度が格段に小さくなる。この場合、焦点
深度ΔFは露光用の照明光の波長λ、及び投影光学系の
開口数NAによって、ほぼΔF=λ/(2NA 2)の関係
で決まってくる。
チクルのパターンの転写領域内の全面で正しい転写像質
(感光基板上のレジスト層に食刻されたパターンプロフ
ァイルの質)を得るために行われる。特に高開口数、高
解像力の投影光学系を備えたプロジェクション方式の露
光装置では、その投影光学系による投影視野の大きさに
比べて、焦点深度が格段に小さくなる。この場合、焦点
深度ΔFは露光用の照明光の波長λ、及び投影光学系の
開口数NAによって、ほぼΔF=λ/(2NA 2)の関係
で決まってくる。
【0005】ここで、λ=365[nm](水銀ランプ
のi線)、NA=0.6とすると、実効的な焦点深度Δ
Fはベストフォーカス位置に対して約0.5μm(光軸
方向の幅で1μm)になる。これに対して投影露光され
るパターン像の大きさは、露光方式、装置によっても異
なるが、代表的なウエハステッパでは15×15mm角
程度である。これは、1m角の大きさの板材の厚みで考
えると、わずか66.7μmに相当するに過ぎない。こ
のように極めて小さい焦点深度のために、投影露光装置
では、感光基板の表面の局所的なうねりも考慮して正確
にレベリングを行って投影像面との平行度を保つ必要性
がある。
のi線)、NA=0.6とすると、実効的な焦点深度Δ
Fはベストフォーカス位置に対して約0.5μm(光軸
方向の幅で1μm)になる。これに対して投影露光され
るパターン像の大きさは、露光方式、装置によっても異
なるが、代表的なウエハステッパでは15×15mm角
程度である。これは、1m角の大きさの板材の厚みで考
えると、わずか66.7μmに相当するに過ぎない。こ
のように極めて小さい焦点深度のために、投影露光装置
では、感光基板の表面の局所的なうねりも考慮して正確
にレベリングを行って投影像面との平行度を保つ必要性
がある。
【0006】斯かるレベリングを行うために必要なの
は、感光基板表面の全体、又は局所部分の基準面からの
平均的な傾き量を正確に計測することである。その計測
方式として従来より様々のものが提案されているが、代
表的なものとして、(A)特公平3−5652号公報、
(B)USP.4,084,903 、(C)特公平4−42601号
公報、(D)USP.4,383,757 等が知られている。以下、
これらの従来技術を簡単に説明する。
は、感光基板表面の全体、又は局所部分の基準面からの
平均的な傾き量を正確に計測することである。その計測
方式として従来より様々のものが提案されているが、代
表的なものとして、(A)特公平3−5652号公報、
(B)USP.4,084,903 、(C)特公平4−42601号
公報、(D)USP.4,383,757 等が知られている。以下、
これらの従来技術を簡単に説明する。
【0007】先ず、(A)の特許公報には、感光基板上
の複数点(3点以上)の各々のZ方向の高さ位置をエア
マイクロメータ等のギャップセンサで計測し、その計測
値と各測定点のXY平面内での座標値とに基づいて、感
光基板表面の近似平面式を最小自乗法で特定した後、そ
の近似平面の基準面からのずれ量を、感光基板のレベリ
ング機構の3つの駆動点の各座標位置で決定し、その各
駆動点でのZ方向のずれ量を補正する方式が開示されて
いる。
の複数点(3点以上)の各々のZ方向の高さ位置をエア
マイクロメータ等のギャップセンサで計測し、その計測
値と各測定点のXY平面内での座標値とに基づいて、感
光基板表面の近似平面式を最小自乗法で特定した後、そ
の近似平面の基準面からのずれ量を、感光基板のレベリ
ング機構の3つの駆動点の各座標位置で決定し、その各
駆動点でのZ方向のずれ量を補正する方式が開示されて
いる。
【0008】また、(B)の特許公報には、投影光学系
の鏡筒先端部の周辺4箇所にエアマイクロメータのノズ
ルを配置し、その4箇所のノズルの内2つをX軸上に設
け、残りの2つをY軸上に設け、各ノズルによって感光
基板表面と鏡筒との間の距離(ギャップ)を測定し、X
軸上の2つのノズルの背圧の差によって、感光基板のY
軸回りの傾き量αy を求め、Y軸上の2つのノズルの背
圧の差によって感光基板のX軸回りの傾き量αx を求
め、それら傾き量αx 、αy を用いて、感光基板のホル
ダを3本のピエゾ素子の夫々で上下動させて傾き補正す
る方式が開示されている。
の鏡筒先端部の周辺4箇所にエアマイクロメータのノズ
ルを配置し、その4箇所のノズルの内2つをX軸上に設
け、残りの2つをY軸上に設け、各ノズルによって感光
基板表面と鏡筒との間の距離(ギャップ)を測定し、X
軸上の2つのノズルの背圧の差によって、感光基板のY
軸回りの傾き量αy を求め、Y軸上の2つのノズルの背
圧の差によって感光基板のX軸回りの傾き量αx を求
め、それら傾き量αx 、αy を用いて、感光基板のホル
ダを3本のピエゾ素子の夫々で上下動させて傾き補正す
る方式が開示されている。
【0009】そして、(C)の特許公報には、投影光学
系からの投影像が投射される感光基板上の局所領域に、
斜め方向からコリメート光を照射し、その反射光(平行
光束)を集光レンズを介してスポット状に結像し、その
スポット光を4分割光電素子で受光し、4分割光電素子
上のスポット光の受光位置の変化から、感光基板上の局
所領域の平均的な傾き量を検出する方式が開示されてい
る。また、(D)の特許公報には、投影光学系を介して
感光基板上の複数点の夫々に光スポットを投射し、その
反射光を再び投影光学系を介して再結像させ、その再結
像された像の状態の変化、即ち、光スポットとしてのコ
ントラストの変化から感光基板上の各光スポットの投射
点での光軸方向(Z方向)のフォーカス誤差を検出し、
そのフォーカス誤差が各投射点でほぼ零になるように、
感光基板のホルダを3つの駆動部(サーボモータ)によ
って傾ける方式が開示されている。
系からの投影像が投射される感光基板上の局所領域に、
斜め方向からコリメート光を照射し、その反射光(平行
光束)を集光レンズを介してスポット状に結像し、その
スポット光を4分割光電素子で受光し、4分割光電素子
上のスポット光の受光位置の変化から、感光基板上の局
所領域の平均的な傾き量を検出する方式が開示されてい
る。また、(D)の特許公報には、投影光学系を介して
感光基板上の複数点の夫々に光スポットを投射し、その
反射光を再び投影光学系を介して再結像させ、その再結
像された像の状態の変化、即ち、光スポットとしてのコ
ントラストの変化から感光基板上の各光スポットの投射
点での光軸方向(Z方向)のフォーカス誤差を検出し、
そのフォーカス誤差が各投射点でほぼ零になるように、
感光基板のホルダを3つの駆動部(サーボモータ)によ
って傾ける方式が開示されている。
【0010】以上の(A)〜(D)の各従来技術の他に
必要なのは、レベリング機構自体の構造上の精密さ、安
定性であり、それについての1つの従来技術は先の
(D)の特許公報に開示されている。また、レベリング
機構の他の技術としては、(E)特開昭62−2742
01号公報に開示されているように、レベリングテーブ
ルの周囲を3等分する位置にZ方向の駆動点を設け、各
駆動点でレベリングテーブルとそのベースとをドーナツ
形の板ばねで結合し、横方向の剛性を高めた方式も知ら
れている。
必要なのは、レベリング機構自体の構造上の精密さ、安
定性であり、それについての1つの従来技術は先の
(D)の特許公報に開示されている。また、レベリング
機構の他の技術としては、(E)特開昭62−2742
01号公報に開示されているように、レベリングテーブ
ルの周囲を3等分する位置にZ方向の駆動点を設け、各
駆動点でレベリングテーブルとそのベースとをドーナツ
形の板ばねで結合し、横方向の剛性を高めた方式も知ら
れている。
【0011】更に、投影光学系によって露光される1つ
のフィールド内の3点の夫々でフォーカス誤差を計測
し、その計測結果から1つのフィールド内のX軸方向と
Y軸方向の傾き量(θx,θy)と総合的なフォーカス
誤差量(f)とをアナログ値として求め、それら傾き量
(θx,θy)及びフォーカス誤差量(f)の他に、ウ
エハ上のフィールドの座標位置(アナログ値)とウエハ
レベリングテーブルの3つの駆動点の各座標位置(アナ
ログ値)とを用いて、3つの駆動点の夫々のサーボモー
タの移動量(Z方向の駆動点の補正量)をアナログ演算
回路で算出するレベリング制御方式が、(F)USP.4,50
4,144 により知られている。
のフィールド内の3点の夫々でフォーカス誤差を計測
し、その計測結果から1つのフィールド内のX軸方向と
Y軸方向の傾き量(θx,θy)と総合的なフォーカス
誤差量(f)とをアナログ値として求め、それら傾き量
(θx,θy)及びフォーカス誤差量(f)の他に、ウ
エハ上のフィールドの座標位置(アナログ値)とウエハ
レベリングテーブルの3つの駆動点の各座標位置(アナ
ログ値)とを用いて、3つの駆動点の夫々のサーボモー
タの移動量(Z方向の駆動点の補正量)をアナログ演算
回路で算出するレベリング制御方式が、(F)USP.4,50
4,144 により知られている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
の内、(A)の公報に開示されたレベリング制御方式で
は、エアーマイクロメータ等のギャップセンサにより感
光基板上の3個以上の計測点での高さを計測しているた
め、高さ計測に要する時間が長くなり、レベリング動作
の応答性が悪いという不都合があった。レベリング動作
の応答性が悪い制御方式では、特に例えばステップ・ア
ンド・スキャン方式のようにレチクルと感光基板とを同
期して走査しながら、レチクルのパターン像を感光基板
上に逐次露光するような露光装置への適用が困難であ
る。
の内、(A)の公報に開示されたレベリング制御方式で
は、エアーマイクロメータ等のギャップセンサにより感
光基板上の3個以上の計測点での高さを計測しているた
め、高さ計測に要する時間が長くなり、レベリング動作
の応答性が悪いという不都合があった。レベリング動作
の応答性が悪い制御方式では、特に例えばステップ・ア
ンド・スキャン方式のようにレチクルと感光基板とを同
期して走査しながら、レチクルのパターン像を感光基板
上に逐次露光するような露光装置への適用が困難であ
る。
【0013】同様に、(B)の公報に開示されたレベリ
ング制御方式でも、エアーマイクロメータを使用してい
るため、応答性が悪いのは(A)の公報の方式と同様で
ある。更に、(B)の公報の方式では、4点でのフォー
カス位置から先ず2軸の回りの傾き角を算出し、それら
傾き角から改めて駆動素子の駆動量を算出しているた
め、計算時間が長くなり応答性が益々悪くなるという不
都合があった。
ング制御方式でも、エアーマイクロメータを使用してい
るため、応答性が悪いのは(A)の公報の方式と同様で
ある。更に、(B)の公報の方式では、4点でのフォー
カス位置から先ず2軸の回りの傾き角を算出し、それら
傾き角から改めて駆動素子の駆動量を算出しているた
め、計算時間が長くなり応答性が益々悪くなるという不
都合があった。
【0014】また、(C)の公報の技術では、平均的な
傾斜角が計測されるのみで、平均的なフォーカス位置
(高さ)は計測されないため、別途フォーカス位置検出
用のセンサが必要となり、制御機構が複雑であるという
不都合があった。次に、(D)の公報の技術では、投影
光学系を介して感光基板上の各点でのフォーカス位置を
計測しているため、投影光学系を使用しない露光装置で
は適用できないと共に、レチクルのパターンを露光する
ための照明光学系等が複雑化する恐れがある。一方、
(E)の公報に開示されているように、横方向の剛性を
高める方式には特に不都合はない。
傾斜角が計測されるのみで、平均的なフォーカス位置
(高さ)は計測されないため、別途フォーカス位置検出
用のセンサが必要となり、制御機構が複雑であるという
不都合があった。次に、(D)の公報の技術では、投影
光学系を介して感光基板上の各点でのフォーカス位置を
計測しているため、投影光学系を使用しない露光装置で
は適用できないと共に、レチクルのパターンを露光する
ための照明光学系等が複雑化する恐れがある。一方、
(E)の公報に開示されているように、横方向の剛性を
高める方式には特に不都合はない。
【0015】また、(F)の公報に開示されたレベリン
グ制御方式では、(B)の公報の技術と同様に、3点で
のフォーカス位置から先ず2軸の回りの傾き角、及びフ
ォーカス位置を算出し、それら傾き角、及びフォーカス
位置から改めて駆動素子の駆動量を算出するという2段
階の演算を行っているため、計算時間が長くなり応答性
が悪いという不都合があった。また、3点のフォーカス
位置を計測しているだけであるため、例えば特異的にフ
ォーカス位置が高いか又は低い計測点があると、感光基
板の露光面と基準面との傾斜角及びフォーカス位置の誤
差が大きくなるという不都合がある。
グ制御方式では、(B)の公報の技術と同様に、3点で
のフォーカス位置から先ず2軸の回りの傾き角、及びフ
ォーカス位置を算出し、それら傾き角、及びフォーカス
位置から改めて駆動素子の駆動量を算出するという2段
階の演算を行っているため、計算時間が長くなり応答性
が悪いという不都合があった。また、3点のフォーカス
位置を計測しているだけであるため、例えば特異的にフ
ォーカス位置が高いか又は低い計測点があると、感光基
板の露光面と基準面との傾斜角及びフォーカス位置の誤
差が大きくなるという不都合がある。
【0016】これに関して、レチクルのパターン像を感
光基板の各ショット領域に露光する場合には、それまで
のプロセスにより各ショット領域に凹凸(段差)が生じ
ていることがある。そして、レチクルのパターン像の中
にはパターンの線幅として種々のものが混じっているた
め、各ショット領域の全面で鮮明な像を露光するために
は、レチクルのパターン像の中で最も線幅の狭いパター
ンが露光される感光基板上の領域を基準面に合わせるこ
とが望ましい場合がある。しかしながら、従来のレベリ
ング制御方式では、感光基板上の所望の領域を重点的に
基準面に合わせるようなことはできなかった。
光基板の各ショット領域に露光する場合には、それまで
のプロセスにより各ショット領域に凹凸(段差)が生じ
ていることがある。そして、レチクルのパターン像の中
にはパターンの線幅として種々のものが混じっているた
め、各ショット領域の全面で鮮明な像を露光するために
は、レチクルのパターン像の中で最も線幅の狭いパター
ンが露光される感光基板上の領域を基準面に合わせるこ
とが望ましい場合がある。しかしながら、従来のレベリ
ング制御方式では、感光基板上の所望の領域を重点的に
基準面に合わせるようなことはできなかった。
【0017】本発明は斯かる点に鑑み、被処理基板の表
面の傾斜角及び高さ(フォーカス位置)を高速に所定の
基準面に合わせ込むことができ、例えばステップ・アン
ド・スキャン方式の露光装置のように高速応答性が要求
される用途にも容易に適用できるステージ装置を提供す
ることを目的とする。更に、本発明は、被処理基板上の
表面の所定の狭い領域の傾斜角又は高さを重点的に所定
の基準面の傾斜角又は高さに合わせ込むことができると
共に、応答速度が高いステージ装置を提供することをも
目的とする。
面の傾斜角及び高さ(フォーカス位置)を高速に所定の
基準面に合わせ込むことができ、例えばステップ・アン
ド・スキャン方式の露光装置のように高速応答性が要求
される用途にも容易に適用できるステージ装置を提供す
ることを目的とする。更に、本発明は、被処理基板上の
表面の所定の狭い領域の傾斜角又は高さを重点的に所定
の基準面の傾斜角又は高さに合わせ込むことができると
共に、応答速度が高いステージ装置を提供することをも
目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明によるステージ装
置は、例えば図1及び図4に示すように、被処理基板
(12)の表面の傾斜角を補正するステージ装置におい
て、被処理基板(12)を保持する載物テーブル(1
4)と、2次元平面上で載物テーブル(14)を位置決
めする位置決め用ステージ(17)と、この位置決め用
ステージに対してそれぞれ伸縮自在の3個の支点(16
A〜16C)を介して載物テーブル(14)を支持する
レベリング手段(15)と、2次元平面内での載物テー
ブル(14)の位置を検出するステージ座標計測手段
(19X,19Y,20X,20Y)と、被処理基板
(12)の表面の3個以上の計測点から所定の基準面ま
でのその2次元平面に垂直な方向(Z方向)の偏差をそ
れぞれ検出する多点高さ検出手段(25A1〜25A
n)と、そのステージ座標計測手段及びその多点高さ検
出手段の検出結果に基づいて、レベリング手段(15)
の3個の支点(16A〜16C)の伸縮量の偏差(e1
〜e3)を算出する演算手段(33)と、この演算手段に
より算出された偏差、この偏差の積分値、及びこの偏差
の微分値に基づいてレベリング手段(15)の3個の支
点(16A〜16C)の伸縮量を制御する制御手段(2
2)とを有するものである。
置は、例えば図1及び図4に示すように、被処理基板
(12)の表面の傾斜角を補正するステージ装置におい
て、被処理基板(12)を保持する載物テーブル(1
4)と、2次元平面上で載物テーブル(14)を位置決
めする位置決め用ステージ(17)と、この位置決め用
ステージに対してそれぞれ伸縮自在の3個の支点(16
A〜16C)を介して載物テーブル(14)を支持する
レベリング手段(15)と、2次元平面内での載物テー
ブル(14)の位置を検出するステージ座標計測手段
(19X,19Y,20X,20Y)と、被処理基板
(12)の表面の3個以上の計測点から所定の基準面ま
でのその2次元平面に垂直な方向(Z方向)の偏差をそ
れぞれ検出する多点高さ検出手段(25A1〜25A
n)と、そのステージ座標計測手段及びその多点高さ検
出手段の検出結果に基づいて、レベリング手段(15)
の3個の支点(16A〜16C)の伸縮量の偏差(e1
〜e3)を算出する演算手段(33)と、この演算手段に
より算出された偏差、この偏差の積分値、及びこの偏差
の微分値に基づいてレベリング手段(15)の3個の支
点(16A〜16C)の伸縮量を制御する制御手段(2
2)とを有するものである。
【0019】この場合、被処理基板(12)の表面の3
個以上の計測点のそれぞれに重みW 1 〜Wn を付け、演
算手段(33)は、多点高さ検出手段(25A1〜25
An)の検出結果にその重みを付けて算出した残留誤差
成分が最小になるようにレベリング手段(15)の3個
の支点(16A〜16C)の伸縮量の偏差を算出するこ
とが望ましい。
個以上の計測点のそれぞれに重みW 1 〜Wn を付け、演
算手段(33)は、多点高さ検出手段(25A1〜25
An)の検出結果にその重みを付けて算出した残留誤差
成分が最小になるようにレベリング手段(15)の3個
の支点(16A〜16C)の伸縮量の偏差を算出するこ
とが望ましい。
【0020】
【作用】斯かる本発明の演算手段(33)において、多
点高さ検出手段(25A1〜25An)の出力からレベ
リング手段(14)の各支点(16A〜16C)の制御
偏差を求める動作は、以下のような原理による。先ず、
図2に示すように、被処理基板が移動する平面をxy平
面として、このxy平面に垂直な軸をz軸とする。多点
高さ検出手段(16A〜16C)はz軸に対して固定さ
れており、その計測点P1 〜Pn の座標を(xi ,y
i )(i=1〜n)とし、また、各計測点Pi で検出さ
れる被処理基板(12)表面の基準面からの高さのずれ
(以下、「デフォーカス量」と呼ぶ)の計測値をΔfi
とする。先ず、被処理基板(12)の表面に最小自乗法
で近似される平面を、係数A〜Cを用いて次式で定義す
る。
点高さ検出手段(25A1〜25An)の出力からレベ
リング手段(14)の各支点(16A〜16C)の制御
偏差を求める動作は、以下のような原理による。先ず、
図2に示すように、被処理基板が移動する平面をxy平
面として、このxy平面に垂直な軸をz軸とする。多点
高さ検出手段(16A〜16C)はz軸に対して固定さ
れており、その計測点P1 〜Pn の座標を(xi ,y
i )(i=1〜n)とし、また、各計測点Pi で検出さ
れる被処理基板(12)表面の基準面からの高さのずれ
(以下、「デフォーカス量」と呼ぶ)の計測値をΔfi
とする。先ず、被処理基板(12)の表面に最小自乗法
で近似される平面を、係数A〜Cを用いて次式で定義す
る。
【0021】
【数1】
【0022】次に、各計測点Pi の計測値にデフォーカ
ス重み係数Wi による重み付けを行って、次のような重
み付けの自乗和による残留誤差成分Sを定義する。
ス重み係数Wi による重み付けを行って、次のような重
み付けの自乗和による残留誤差成分Sを定義する。
【0023】
【数2】
【0024】この場合、デフォーカス重み係数Wi の設
定方法としては、被処理基板(12)がウエハであり一
括露光方式の露光装置で露光を行う場合には、例えばそ
のウエハ上で線幅の最も狭いパターンが露光される領域
付近の計測点の重み係数の値を大きくすればよい。ま
た、ステップ・アンド・スキャン方式又はスキャン方式
で露光を行う場合には、デフォーカス重み係数Wi は、
載物テーブル(14)の2次元座標(これを(X,Y)
とする)と投影光学系の光軸との相対座標の関数、即ち
Wi(X,Y)となる。なお、重み付けを行わない場合に
は、(数2)において、Wi =1(i=1〜n)とすれ
ばよい。
定方法としては、被処理基板(12)がウエハであり一
括露光方式の露光装置で露光を行う場合には、例えばそ
のウエハ上で線幅の最も狭いパターンが露光される領域
付近の計測点の重み係数の値を大きくすればよい。ま
た、ステップ・アンド・スキャン方式又はスキャン方式
で露光を行う場合には、デフォーカス重み係数Wi は、
載物テーブル(14)の2次元座標(これを(X,Y)
とする)と投影光学系の光軸との相対座標の関数、即ち
Wi(X,Y)となる。なお、重み付けを行わない場合に
は、(数2)において、Wi =1(i=1〜n)とすれ
ばよい。
【0025】そして、残留誤差成分Sが最小になるよう
に、近似平面を決定する係数A、B、及びCの値を定め
る。即ち、係数A、B、及びCは行列Q及び変数ベクト
ルF(後述)を用いて次式で与えられる。
に、近似平面を決定する係数A、B、及びCの値を定め
る。即ち、係数A、B、及びCは行列Q及び変数ベクト
ルF(後述)を用いて次式で与えられる。
【0026】
【数3】
【0027】ここで、行列Qは次のような3行×3列の
行列である。
行列である。
【0028】
【数4】
【0029】この行列Qの各要素の分子q11〜q33、及
び分母q0 は、座標(xi ,yi )及びデフォーカス重
み係数Wi を用いて次式で与えられる。
び分母q0 は、座標(xi ,yi )及びデフォーカス重
み係数Wi を用いて次式で与えられる。
【0030】
【数5】
【0031】また、(数3)中の変数ベクトルFは次式
で定義される。
で定義される。
【0032】
【数6】
【0033】この場合、多点高さ検出手段の各計測点P
i の座標(xi ,yi )は定数なので、一括露光方式の
ように重み係数Wi が定数である場合には、行列Qは定
数行列である。一方、スキャン露光方式の場合には、重
み係数Wi は載物テーブル(14)の2次元座標(X,
Y)の関数となるので、行列Qも座標(X,Y)の関数
となる。一方、変数ベクトルFは、多点高さ検出手段が
出力する各計測点のデフォーカス量と、多点高さ検出手
段の計測点の位置、及び重み係数Wi で定まる。
i の座標(xi ,yi )は定数なので、一括露光方式の
ように重み係数Wi が定数である場合には、行列Qは定
数行列である。一方、スキャン露光方式の場合には、重
み係数Wi は載物テーブル(14)の2次元座標(X,
Y)の関数となるので、行列Qも座標(X,Y)の関数
となる。一方、変数ベクトルFは、多点高さ検出手段が
出力する各計測点のデフォーカス量と、多点高さ検出手
段の計測点の位置、及び重み係数Wi で定まる。
【0034】本発明では、所定の基準面(例えば投影光
学系の像面)をz=0の平面として、レベリング及びフ
ォーカシングにより、被処理基板(12)の表面の近似
平面をその基準面(z=0の面)と一致させる。即ち、
レベリング手段(15)の3個の支点(16A〜16
C)の制御偏差は、各支点の位置における上記の被処理
基板(12)表面の近似平面と基準面(z=0の面)と
の距離に外ならないので、各支点(16A〜16C)で
の制御偏差(伸縮量の偏差)e1 ,e2 ,及びe 3 は次
式で与えられる。
学系の像面)をz=0の平面として、レベリング及びフ
ォーカシングにより、被処理基板(12)の表面の近似
平面をその基準面(z=0の面)と一致させる。即ち、
レベリング手段(15)の3個の支点(16A〜16
C)の制御偏差は、各支点の位置における上記の被処理
基板(12)表面の近似平面と基準面(z=0の面)と
の距離に外ならないので、各支点(16A〜16C)で
の制御偏差(伸縮量の偏差)e1 ,e2 ,及びe 3 は次
式で与えられる。
【0035】
【数7】
【0036】ここで、行列Rは次式で定義される。
【0037】
【数8】
【0038】ここで、(X1 ,Y1 )、(X2 ,Y
2 )、(X3 ,Y3 )は、図3に示すように、3点の支
点(16A〜16C)のz軸(投影光学系がある場合に
は、この投影光学系の光軸)を基準としたときの位置座
標である。従って、行列Rは載物テーブル(14)、ひ
いては被処理基板(12)の移動に伴って変化する行列
である。即ち、被処理基板(12)の中心OWを基準と
した3個の支点(16A〜16C)の座標を(X10,Y
10)、(X20,Y20)、(X30,Y30)とすると、(数
8)の行列Rは次のように表すことができる。
2 )、(X3 ,Y3 )は、図3に示すように、3点の支
点(16A〜16C)のz軸(投影光学系がある場合に
は、この投影光学系の光軸)を基準としたときの位置座
標である。従って、行列Rは載物テーブル(14)、ひ
いては被処理基板(12)の移動に伴って変化する行列
である。即ち、被処理基板(12)の中心OWを基準と
した3個の支点(16A〜16C)の座標を(X10,Y
10)、(X20,Y20)、(X30,Y30)とすると、(数
8)の行列Rは次のように表すことができる。
【0039】
【数9】
【0040】ここで、(X,Y)はz軸基準での被処理
基板(12)の中心OWの座標であり、載物テーブル
(14)用のステージ座標計測手段(19X,19Y,
20X,20Y)により検出される。以上のようにし
て、多点高さ検出手段の出力するデフォーカス量Δfi
と、レベリング手段(15)の支点(16A〜16C)
の制御偏差との関係が得られる。
基板(12)の中心OWの座標であり、載物テーブル
(14)用のステージ座標計測手段(19X,19Y,
20X,20Y)により検出される。以上のようにし
て、多点高さ検出手段の出力するデフォーカス量Δfi
と、レベリング手段(15)の支点(16A〜16C)
の制御偏差との関係が得られる。
【0041】次に、このようにして得られた制御偏差e
1 ,e2 ,e3 を0にするように、各支点(16A〜2
6C)を駆動する駆動速度指令値u1 ,u2 ,u3 を、
図1の制御手段(22)にて求める。比例、積分、及び
微分制御である所謂PID制御方式を適用する場合、積
分ゲインkI 、比例ゲインkP 、及び微分ゲインkDを
用いて、その駆動速度指令値は次式で与えられる。
1 ,e2 ,e3 を0にするように、各支点(16A〜2
6C)を駆動する駆動速度指令値u1 ,u2 ,u3 を、
図1の制御手段(22)にて求める。比例、積分、及び
微分制御である所謂PID制御方式を適用する場合、積
分ゲインkI 、比例ゲインkP 、及び微分ゲインkDを
用いて、その駆動速度指令値は次式で与えられる。
【0042】
【数10】
【0043】この制御を行うことにより、制御偏差e
1 ,e2 ,及びe3 を0とすることができる。即ち、被
処理基板(12)表面の(数1)による近似平面がz=
0の基準面と一致する。被処理基板(12)表面の近似
平面は、重み係数Wi によって定められるので、被処理
基板(12)内で特にデフォーカス量を小さく抑えたい
部分の重みWi を大きく設定すれば、それに最適な制御
が行われる。
1 ,e2 ,及びe3 を0とすることができる。即ち、被
処理基板(12)表面の(数1)による近似平面がz=
0の基準面と一致する。被処理基板(12)表面の近似
平面は、重み係数Wi によって定められるので、被処理
基板(12)内で特にデフォーカス量を小さく抑えたい
部分の重みWi を大きく設定すれば、それに最適な制御
が行われる。
【0044】また、この制御ではフォーカシング動作と
レベリング動作とを区別することなく同時に行っている
ので、これらの動作を連続的に実行する場合に比べて高
速に制御が行われる。更に、ここで適用した制御はPI
D制御であるので、微分項の効果による高速な適応性
と、積分項の効果による定常偏差が0という特性を備え
ている。
レベリング動作とを区別することなく同時に行っている
ので、これらの動作を連続的に実行する場合に比べて高
速に制御が行われる。更に、ここで適用した制御はPI
D制御であるので、微分項の効果による高速な適応性
と、積分項の効果による定常偏差が0という特性を備え
ている。
【0045】
【実施例】以下、本発明によるステージ装置の一実施例
につき図面を参照して説明する。本実施例は、投影露光
装置においてウエハのレベリング及びフォーカシングを
行うステージに本発明を適用したものである。図4は、
本実施例の投影露光装置を示し、この図4において、光
源及びオプティカル・インテグレータ等を含む光源系1
からの露光光ILが、第1リレーレンズ2、レチクルブ
ラインド(可変視野絞り)3、第2リレーレンズ4、ミ
ラー5、及びメインコンデンサーレンズ6を介して、均
一な照度でレチクル7上のパターン領域8を照明する。
レチクルブラインド3の配置面はレチクル7のパターン
形成面と共役であり、レチクルブラインド3の開口の位
置及び形状により、レチクル7上の照明領域の位置及び
形状が設定される。光源系1内の光源としては、超高圧
水銀ランプ、エキシマレーザ光源、又はYAGレーザの
高調波発生装置等が使用される。
につき図面を参照して説明する。本実施例は、投影露光
装置においてウエハのレベリング及びフォーカシングを
行うステージに本発明を適用したものである。図4は、
本実施例の投影露光装置を示し、この図4において、光
源及びオプティカル・インテグレータ等を含む光源系1
からの露光光ILが、第1リレーレンズ2、レチクルブ
ラインド(可変視野絞り)3、第2リレーレンズ4、ミ
ラー5、及びメインコンデンサーレンズ6を介して、均
一な照度でレチクル7上のパターン領域8を照明する。
レチクルブラインド3の配置面はレチクル7のパターン
形成面と共役であり、レチクルブラインド3の開口の位
置及び形状により、レチクル7上の照明領域の位置及び
形状が設定される。光源系1内の光源としては、超高圧
水銀ランプ、エキシマレーザ光源、又はYAGレーザの
高調波発生装置等が使用される。
【0046】レチクル7のパターン領域8内のパターン
の像が、投影光学系PLを介してフォトレジストが塗布
されたウエハ12上のショット領域13A内に投影露光
される。投影光学系PLの光軸AXに平行にz軸を取
り、光軸AXに垂直な2次元平面内で図4の紙面に平行
な方向にx軸を、図4の紙面に垂直な方向にy軸を取
る。レチクル7はレチクルステージ9上に保持され、装
置全体の動作を制御する主制御系10が、レチクル駆動
系11を介してレチクルステージ9の位置の微調整を行
う。
の像が、投影光学系PLを介してフォトレジストが塗布
されたウエハ12上のショット領域13A内に投影露光
される。投影光学系PLの光軸AXに平行にz軸を取
り、光軸AXに垂直な2次元平面内で図4の紙面に平行
な方向にx軸を、図4の紙面に垂直な方向にy軸を取
る。レチクル7はレチクルステージ9上に保持され、装
置全体の動作を制御する主制御系10が、レチクル駆動
系11を介してレチクルステージ9の位置の微調整を行
う。
【0047】一方、ウエハ12は、ウエハホルダー14
上に保持され、ウエハホルダー14は3個のz軸方向に
移動自在な支点16A〜16Cを介してフォーカス・レ
ベリングステージ15上に載置され、フォーカス・レベ
リングステージ15はXYステージ17上に載置され、
XYステージ17はウエハベース18上に2次元的に摺
動自在に支持されている。フォーカス・レベリングステ
ージ15は、3個の支点16A〜16Cを介してウエハ
ホルダー14上のウエハ12のZ方向の位置(フォーカ
ス位置)の微調整を行うと共に、ウエハ12の露光面の
傾斜角の微調整を行う。また、XYステージ17は、フ
ォーカス・レベリングステージ15、ウエハホルダー1
4及びウエハ12をx方向及びy方向に位置決めする。
上に保持され、ウエハホルダー14は3個のz軸方向に
移動自在な支点16A〜16Cを介してフォーカス・レ
ベリングステージ15上に載置され、フォーカス・レベ
リングステージ15はXYステージ17上に載置され、
XYステージ17はウエハベース18上に2次元的に摺
動自在に支持されている。フォーカス・レベリングステ
ージ15は、3個の支点16A〜16Cを介してウエハ
ホルダー14上のウエハ12のZ方向の位置(フォーカ
ス位置)の微調整を行うと共に、ウエハ12の露光面の
傾斜角の微調整を行う。また、XYステージ17は、フ
ォーカス・レベリングステージ15、ウエハホルダー1
4及びウエハ12をx方向及びy方向に位置決めする。
【0048】ウエハホルダー14の上端に固定されたx
軸用の移動鏡19X、及び外部のレーザ干渉計20Xに
より、ウエハホルダー14のx座標が常時モニターさ
れ、図1に示すように、y軸用の移動鏡19Y、及び外
部のレーザ干渉計20Yにより、ウエハホルダー14の
y座標が常時モニターされ、検出されたx,y座標が主
制御系10、及び後述の面位置算出系33に供給されて
いる。
軸用の移動鏡19X、及び外部のレーザ干渉計20Xに
より、ウエハホルダー14のx座標が常時モニターさ
れ、図1に示すように、y軸用の移動鏡19Y、及び外
部のレーザ干渉計20Yにより、ウエハホルダー14の
y座標が常時モニターされ、検出されたx,y座標が主
制御系10、及び後述の面位置算出系33に供給されて
いる。
【0049】図4に戻り、主制御系10は、ウエハ駆動
系21を介してXYステージ17の動作を制御する。ま
た、面位置算出系33で算出された制御偏差に基づい
て、所謂PID(比例、積分、微分)制御方式のフォー
カス・レベリング制御系22が増幅器23A〜23Cを
介して、フォーカス・レベリングステージ15内の3個
の支点16A〜16Cのz方向への移動量を制御する。
系21を介してXYステージ17の動作を制御する。ま
た、面位置算出系33で算出された制御偏差に基づい
て、所謂PID(比例、積分、微分)制御方式のフォー
カス・レベリング制御系22が増幅器23A〜23Cを
介して、フォーカス・レベリングステージ15内の3個
の支点16A〜16Cのz方向への移動量を制御する。
【0050】次に、ウエハ12の露光面のz方向の位置
(フォーカス位置)を検出するための多点のフォーカス
位置検出系(以下、「AFセンサー」という)の構成に
つき説明する。本実施例では、ウエハ12上のフォーカ
ス位置の計測点の個数nを9個とする。従って、図4の
装置では、実際には9個の同じ構成のAFセンサーが配
置されているが、図4ではその内の手前側の3個のAF
センサー25A1,25A2,25A3のみを示す。先
ず手前側の中央のAFセンサー25A2において、光源
26A2から射出されたフォトレジストに対して非感光
性の検出光が、送光スリット板27A2内のスリットパ
ターンを照明し、そのスリットパターンの像が対物レン
ズ28A2を介して、投影光学系PLの光軸AXに対し
て斜めにウエハ12上のショット領域13Aの中央(光
軸AX上)の計測点P2に投影される。計測点P2から
の反射光が、集光レンズ29A2を介して振動スリット
板30A2上に集光され、振動スリット板30A2上に
計測点P2に投影されたスリットパターン像が再結像さ
れる。
(フォーカス位置)を検出するための多点のフォーカス
位置検出系(以下、「AFセンサー」という)の構成に
つき説明する。本実施例では、ウエハ12上のフォーカ
ス位置の計測点の個数nを9個とする。従って、図4の
装置では、実際には9個の同じ構成のAFセンサーが配
置されているが、図4ではその内の手前側の3個のAF
センサー25A1,25A2,25A3のみを示す。先
ず手前側の中央のAFセンサー25A2において、光源
26A2から射出されたフォトレジストに対して非感光
性の検出光が、送光スリット板27A2内のスリットパ
ターンを照明し、そのスリットパターンの像が対物レン
ズ28A2を介して、投影光学系PLの光軸AXに対し
て斜めにウエハ12上のショット領域13Aの中央(光
軸AX上)の計測点P2に投影される。計測点P2から
の反射光が、集光レンズ29A2を介して振動スリット
板30A2上に集光され、振動スリット板30A2上に
計測点P2に投影されたスリットパターン像が再結像さ
れる。
【0051】振動スリット板30A2のスリットを通過
した光が光電検出器31A2により光電変換され、この
光電変換信号が増幅器32A2に供給される。増幅器3
2A2は、振動スリット板30A2の駆動信号により光
電検出器31A2からの光電変換信号を同期検波し、得
られた信号を増幅することにより、計測点P2のフォー
カス位置に対して所定範囲でほぼ線形に変化するフォー
カス信号を生成し、このフォーカス信号を面位置算出系
33に供給する。同様に、他のAFセンサー25A1
は、計測点P2に対して−x方向側の計測点P1にスリ
ットパターン像を投影し、このスリットパターン像から
の光を光電検出器31A1で光電変換して、増幅器32
A1に供給する。増幅器32A1は、計測点P1のフォ
ーカス位置に対応するフォーカス信号を面位置算出系3
3に供給する。同様に、AFセンサー25A3は、計測
点P2に対してx方向側の計測点P3にスリットパター
ン像を投影し、このスリットパターン像からの光を光電
検出器31A3で光電変換して、増幅器32A3に供給
する。増幅器32A3は、計測点P3のフォーカス位置
に対応するフォーカス信号を面位置算出系33に供給す
る。
した光が光電検出器31A2により光電変換され、この
光電変換信号が増幅器32A2に供給される。増幅器3
2A2は、振動スリット板30A2の駆動信号により光
電検出器31A2からの光電変換信号を同期検波し、得
られた信号を増幅することにより、計測点P2のフォー
カス位置に対して所定範囲でほぼ線形に変化するフォー
カス信号を生成し、このフォーカス信号を面位置算出系
33に供給する。同様に、他のAFセンサー25A1
は、計測点P2に対して−x方向側の計測点P1にスリ
ットパターン像を投影し、このスリットパターン像から
の光を光電検出器31A1で光電変換して、増幅器32
A1に供給する。増幅器32A1は、計測点P1のフォ
ーカス位置に対応するフォーカス信号を面位置算出系3
3に供給する。同様に、AFセンサー25A3は、計測
点P2に対してx方向側の計測点P3にスリットパター
ン像を投影し、このスリットパターン像からの光を光電
検出器31A3で光電変換して、増幅器32A3に供給
する。増幅器32A3は、計測点P3のフォーカス位置
に対応するフォーカス信号を面位置算出系33に供給す
る。
【0052】この場合、AFセンサー25A1〜25A
3からの光電変換信号から増幅器32A1〜32A3に
より得られたフォーカス信号は、それぞれ計測点P1〜
P3が投影光学系PLによる結像面に合致しているとき
に0になるようにキャリブレーションが行われている。
従って、各フォーカス信号は、それぞれ計測点P1〜P
3のフォーカス位置の結像面からのずれ量(デフォーカ
ス量)に対応しているため、第i番目のAFセンサー2
5Ai(i=1,2,…)により得られるフォーカス信
号をそれぞれデフォーカス量Δfi とみなす。
3からの光電変換信号から増幅器32A1〜32A3に
より得られたフォーカス信号は、それぞれ計測点P1〜
P3が投影光学系PLによる結像面に合致しているとき
に0になるようにキャリブレーションが行われている。
従って、各フォーカス信号は、それぞれ計測点P1〜P
3のフォーカス位置の結像面からのずれ量(デフォーカ
ス量)に対応しているため、第i番目のAFセンサー2
5Ai(i=1,2,…)により得られるフォーカス信
号をそれぞれデフォーカス量Δfi とみなす。
【0053】図5は、図4の実施例でのウエハ12上の
計測点の分布を示し、この図5において、ウエハ上のシ
ョット領域13A内にx方向及びy方向に所定ピッチ
で、3×3個の計測点P1 〜P9 が設定され、各計測点
Pi にそれぞれ対応するAFセンサー25Ai(図4で
はAFセンサー25A1〜25A3のみが図示)からス
リットパターン像が斜めに投影されている。そして、各
計測点Pi でAFセンサー25Aiにより計測されたデ
フォーカス量Δfi(フォーカス信号)が、並行に図4の
面位置算出系33に供給されている。
計測点の分布を示し、この図5において、ウエハ上のシ
ョット領域13A内にx方向及びy方向に所定ピッチ
で、3×3個の計測点P1 〜P9 が設定され、各計測点
Pi にそれぞれ対応するAFセンサー25Ai(図4で
はAFセンサー25A1〜25A3のみが図示)からス
リットパターン像が斜めに投影されている。そして、各
計測点Pi でAFセンサー25Aiにより計測されたデ
フォーカス量Δfi(フォーカス信号)が、並行に図4の
面位置算出系33に供給されている。
【0054】また、本実施例では、図5の各計測点Pi
でのデフォーカス量Δfi の計測値にそれぞれ重み係数
Wi を割り当てる。例えばショット領域13Aに露光さ
れるレチクルのパターン像の線幅がどこでもほぼ等しい
場合には、重み係数Wi の値は共通に1としてもよい。
一方、例えば計測点P4 及びP6 をそれぞれ囲む部分領
域34A及び34Bに線幅が最も狭いパターンが露光さ
れる場合には、計測点P4 及びP6 のそれぞれの重み係
数W4 及びW6 を1より大きく設定し、中間の計測点P
5 での重み係数W5 を1より小さく設定するようにして
もよい。これにより、例えば図5のAA線に沿う断面図
が図6に示すような場合、本実施例によるフォーカシン
グ及びレベリングを実行すると、投影光学系の像面は部
分領域34A及び34Bの何れにも比較的近い面46B
に設定され、最も狭い線幅のパターン像が高い解像度で
露光される。
でのデフォーカス量Δfi の計測値にそれぞれ重み係数
Wi を割り当てる。例えばショット領域13Aに露光さ
れるレチクルのパターン像の線幅がどこでもほぼ等しい
場合には、重み係数Wi の値は共通に1としてもよい。
一方、例えば計測点P4 及びP6 をそれぞれ囲む部分領
域34A及び34Bに線幅が最も狭いパターンが露光さ
れる場合には、計測点P4 及びP6 のそれぞれの重み係
数W4 及びW6 を1より大きく設定し、中間の計測点P
5 での重み係数W5 を1より小さく設定するようにして
もよい。これにより、例えば図5のAA線に沿う断面図
が図6に示すような場合、本実施例によるフォーカシン
グ及びレベリングを実行すると、投影光学系の像面は部
分領域34A及び34Bの何れにも比較的近い面46B
に設定され、最も狭い線幅のパターン像が高い解像度で
露光される。
【0055】それに対して、図6の場合に、重み係数W
i の値を共通に1とすると、投影光学系の像面は全体の
平均的な面46Aに設定され、部分領域34Aに露光さ
れる最も狭い線幅のパターンの解像度が低下する恐れが
生ずる。即ち、本実施例のように各計測点Pi の計測デ
ータに重み係数Wi を付すことにより、ショット領域1
3Aの全面にレチクルのパターン像を高い解像度で露光
できる。
i の値を共通に1とすると、投影光学系の像面は全体の
平均的な面46Aに設定され、部分領域34Aに露光さ
れる最も狭い線幅のパターンの解像度が低下する恐れが
生ずる。即ち、本実施例のように各計測点Pi の計測デ
ータに重み係数Wi を付すことにより、ショット領域1
3Aの全面にレチクルのパターン像を高い解像度で露光
できる。
【0056】ここで、図7を参照して、本実施例で使用
されている支点16A〜16Cの構成例につき説明す
る。図7は、支点16Aの断面図であり、この図7にお
いて、図4のフォーカス・レベリングステージ15上に
駆動機構ハウジング40が固定され、駆動機構ハウジン
グ40内に送りねじ41が回転自在に収納され、送りね
じ41の左端にカップリング42を介してロータリモー
タ43が接続され、送りねじ46の右端にカップリング
44を介して回転角検出用のロータリエンコーダ45が
接続されている。また、送りねじ41にナット39が螺
合され、ナット39に支柱38を介して上端が傾斜した
斜面部36が固定され、斜面部36の上端に回転体35
Aが接触している。回転体35Aは、図4のウエハホル
ダー14内に回転自在に、且つ横方向には移動できない
ように埋め込まれている。
されている支点16A〜16Cの構成例につき説明す
る。図7は、支点16Aの断面図であり、この図7にお
いて、図4のフォーカス・レベリングステージ15上に
駆動機構ハウジング40が固定され、駆動機構ハウジン
グ40内に送りねじ41が回転自在に収納され、送りね
じ41の左端にカップリング42を介してロータリモー
タ43が接続され、送りねじ46の右端にカップリング
44を介して回転角検出用のロータリエンコーダ45が
接続されている。また、送りねじ41にナット39が螺
合され、ナット39に支柱38を介して上端が傾斜した
斜面部36が固定され、斜面部36の上端に回転体35
Aが接触している。回転体35Aは、図4のウエハホル
ダー14内に回転自在に、且つ横方向には移動できない
ように埋め込まれている。
【0057】また、斜面部36は直線ガイド37に沿っ
て送りねじ41に平行な方向に移動できるように支持さ
れている。この場合、図4のフォーカス・レベリング制
御系22からの駆動速度指令値が増幅器23Aを介して
ロータリモータ43に供給され、ロータリモータ43は
指示された駆動速度(駆動回転角速度)で送りねじ41
を回転する。これにより、ナット39が送りねじ41に
沿ってy方向に移動し、斜面部36も送りねじ41に沿
って移動する。従って、斜面部36の上端に接触する回
転体35Aは、回転しながら駆動機構ハウジング40に
対して上下方向(z方向)に変位する。また、送りねじ
43の回転角をロータリエンコーダ45により計測する
ことにより、回転体35Aの上下方向への変位量が検出
される。他の支点16B,16Cも同じ構成である。
て送りねじ41に平行な方向に移動できるように支持さ
れている。この場合、図4のフォーカス・レベリング制
御系22からの駆動速度指令値が増幅器23Aを介して
ロータリモータ43に供給され、ロータリモータ43は
指示された駆動速度(駆動回転角速度)で送りねじ41
を回転する。これにより、ナット39が送りねじ41に
沿ってy方向に移動し、斜面部36も送りねじ41に沿
って移動する。従って、斜面部36の上端に接触する回
転体35Aは、回転しながら駆動機構ハウジング40に
対して上下方向(z方向)に変位する。また、送りねじ
43の回転角をロータリエンコーダ45により計測する
ことにより、回転体35Aの上下方向への変位量が検出
される。他の支点16B,16Cも同じ構成である。
【0058】なお、支点16A〜16Cは、図7のよう
にロータリーモータを使用する方式の外に、例えばピエ
ゾ素子等から構成してもよい。但し、例えばピエゾ素子
から支点16A〜16Cを構成した場合には、フォーカ
ス・レベリング制御系22からは、駆動速度指令値では
なく例えば変位量そのものを表す駆動指令値を供給する
ようにしてもよい。
にロータリーモータを使用する方式の外に、例えばピエ
ゾ素子等から構成してもよい。但し、例えばピエゾ素子
から支点16A〜16Cを構成した場合には、フォーカ
ス・レベリング制御系22からは、駆動速度指令値では
なく例えば変位量そのものを表す駆動指令値を供給する
ようにしてもよい。
【0059】次に、図1を参照して、本例のフォーカシ
ング及びレベリング動作の一例につき説明する。図1
は、図4の投影露光装置において、投影光学系PLを省
略し、n個のAFセンサー25A1〜25An(図5の
場合にはn=9)を簡略化して表示したものであり、図
1において、AFセンサー25A1〜25Anにより、
対応する計測点P1〜Pnでのウエハ12の露光面と投
影光学系の像面とのz方向の位置ずれ量、即ちデフォー
カス量Δf1 〜Δfn が検出され、これらデフォーカス
量がフォーカス信号として面位置算出系33に供給され
ている。面位置算出系33には、x軸用のレーザ干渉計
20X及びy軸用のレーザ干渉計20Yにより計測され
たウエハ12の中心の座標(X,Y)も供給されてい
る。
ング及びレベリング動作の一例につき説明する。図1
は、図4の投影露光装置において、投影光学系PLを省
略し、n個のAFセンサー25A1〜25An(図5の
場合にはn=9)を簡略化して表示したものであり、図
1において、AFセンサー25A1〜25Anにより、
対応する計測点P1〜Pnでのウエハ12の露光面と投
影光学系の像面とのz方向の位置ずれ量、即ちデフォー
カス量Δf1 〜Δfn が検出され、これらデフォーカス
量がフォーカス信号として面位置算出系33に供給され
ている。面位置算出系33には、x軸用のレーザ干渉計
20X及びy軸用のレーザ干渉計20Yにより計測され
たウエハ12の中心の座標(X,Y)も供給されてい
る。
【0060】また、主制御系10から面位置算出系33
に対して、ウエハ12上のフォーカス位置の計測点P1
〜Pn に与える重み係数W1 〜Wn も供給され、投影光
学系の光軸をz軸とした場合の各計測点Pi の座標値
(xi ,yi )も主制御系10から面位置算出系33に
対して予め設定されている。更に、ウエハ12の中心を
基準とした場合の、3個の支点16A〜16Cの座標値
(X10,Y10)、(X20,Y20)、(X30,Y30)も、
予め主制御系10から面位置算出系33に供給されてい
る。
に対して、ウエハ12上のフォーカス位置の計測点P1
〜Pn に与える重み係数W1 〜Wn も供給され、投影光
学系の光軸をz軸とした場合の各計測点Pi の座標値
(xi ,yi )も主制御系10から面位置算出系33に
対して予め設定されている。更に、ウエハ12の中心を
基準とした場合の、3個の支点16A〜16Cの座標値
(X10,Y10)、(X20,Y20)、(X30,Y30)も、
予め主制御系10から面位置算出系33に供給されてい
る。
【0061】そこで、面位置算出系33は、先ず(数
4)、(数5)より行列Qを求め、(数6)より変数ベ
クトルFを求め、(数9)により行列Rを求めた後、
(数6)より3個の支点16A〜16Cのそれぞれの制
御偏差(デフォーカス量)e1 ,e2 ,e3 を求める。
この際に、重み係数Wi は、プロセスに応じてオペレー
タが自由に設定可能であるが、例えばウエハ12上のシ
ョット領域13A内で特にデフォーカス量を小さく抑え
たい部分に対しては大きく、逆にデフォーカス量の許容
値が大きい部分に対しては小さく設定する。一括露光方
式の場合には、重み係数は1枚のウエハ12に対して露
光前に一度設定すると、それ以後は一定値である。しか
しながら、スキャン露光方式の場合には露光中にAFセ
ンサー25A1〜25Anとショット領域との相対位置
関係が変化するため、重み係数Wi はXYステージの位
置に依存して変化する。
4)、(数5)より行列Qを求め、(数6)より変数ベ
クトルFを求め、(数9)により行列Rを求めた後、
(数6)より3個の支点16A〜16Cのそれぞれの制
御偏差(デフォーカス量)e1 ,e2 ,e3 を求める。
この際に、重み係数Wi は、プロセスに応じてオペレー
タが自由に設定可能であるが、例えばウエハ12上のシ
ョット領域13A内で特にデフォーカス量を小さく抑え
たい部分に対しては大きく、逆にデフォーカス量の許容
値が大きい部分に対しては小さく設定する。一括露光方
式の場合には、重み係数は1枚のウエハ12に対して露
光前に一度設定すると、それ以後は一定値である。しか
しながら、スキャン露光方式の場合には露光中にAFセ
ンサー25A1〜25Anとショット領域との相対位置
関係が変化するため、重み係数Wi はXYステージの位
置に依存して変化する。
【0062】面位置算出系33によって計算された制御
偏差e1 ,e2 ,e3 は、PID制御方式のフォーカス
・レベリング制御系22に供給され、フォーカス・レベ
リング制御系22では、(数10)に従って各支点16
A〜16C内のロータローモータ(例えば図7のロータ
リモータ43)の駆動速度指令値u1 ,u2 ,u3 を求
める。この場合、(数10)内の積分ゲインkI 、比例
ゲインkP 、及び微分ゲインkD は予め設定されてい
る。そして、駆動速度指令値u1 ,u2 ,u3 はそれぞ
れ増幅器23A,23B,23Cを介して支点16A,
16B,16C内のロータリーモータに供給される。
偏差e1 ,e2 ,e3 は、PID制御方式のフォーカス
・レベリング制御系22に供給され、フォーカス・レベ
リング制御系22では、(数10)に従って各支点16
A〜16C内のロータローモータ(例えば図7のロータ
リモータ43)の駆動速度指令値u1 ,u2 ,u3 を求
める。この場合、(数10)内の積分ゲインkI 、比例
ゲインkP 、及び微分ゲインkD は予め設定されてい
る。そして、駆動速度指令値u1 ,u2 ,u3 はそれぞ
れ増幅器23A,23B,23Cを介して支点16A,
16B,16C内のロータリーモータに供給される。
【0063】以上の制御系を動作させることで、ウエハ
12上のショット領域13Aの露光面が投影光学系PL
の像面に合致し、フォーカシング及びレベリングが行わ
れたことになる。その後、ショット領域13Aにレチク
ル7のパターン像が露光され、以後例えばショット領域
13B,13C,…にもフォーカシング、及びレベリン
グを行った後にそれぞれレチクル7のパターン像が露光
される。
12上のショット領域13Aの露光面が投影光学系PL
の像面に合致し、フォーカシング及びレベリングが行わ
れたことになる。その後、ショット領域13Aにレチク
ル7のパターン像が露光され、以後例えばショット領域
13B,13C,…にもフォーカシング、及びレベリン
グを行った後にそれぞれレチクル7のパターン像が露光
される。
【0064】この場合、本実施例においては、各AFセ
ンサー25A1〜25nで計測されたデフォーカス量か
ら直接各支点16A〜16Cの制御偏差を算出している
ため、演算時間が短縮されている。従って、スキャン露
光方式のように高い応答速度が要求される場合にも、ス
テージの走査に追従して高精度にフォーカシング及びレ
ベリングを行うことができる。更に、重み係数Wi を用
いて、ウエハ12上のショット領域内の所望の部分領域
を重点的に投影光学系PLの像面に合わせ込むことがで
きるため、ウエハ12の露光面に段差が生じているよう
な場合でも、ショット領域の全面に高い解像度でレチク
ルのパターン像を露光できる。
ンサー25A1〜25nで計測されたデフォーカス量か
ら直接各支点16A〜16Cの制御偏差を算出している
ため、演算時間が短縮されている。従って、スキャン露
光方式のように高い応答速度が要求される場合にも、ス
テージの走査に追従して高精度にフォーカシング及びレ
ベリングを行うことができる。更に、重み係数Wi を用
いて、ウエハ12上のショット領域内の所望の部分領域
を重点的に投影光学系PLの像面に合わせ込むことがで
きるため、ウエハ12の露光面に段差が生じているよう
な場合でも、ショット領域の全面に高い解像度でレチク
ルのパターン像を露光できる。
【0065】なお、上述実施例は、投影光学系を使用し
た場合に本発明を適用したものであるが、本発明のステ
ージ装置は、例えばプロキシミティ方式のような投影光
学系を使用しない露光装置の高さ調整及びレベリング用
ステージとしても適用できる。このように、本発明は上
述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。
た場合に本発明を適用したものであるが、本発明のステ
ージ装置は、例えばプロキシミティ方式のような投影光
学系を使用しない露光装置の高さ調整及びレベリング用
ステージとしても適用できる。このように、本発明は上
述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。
【0066】
【発明の効果】本発明においては、3点の伸縮自在の支
点により、レベリング及び高さ調整(フォーカシング)
が行われ、また、演算手段により、多点高さ検出手段で
検出された3個以上の偏差から、各支点での駆動偏差が
直接求められる。従って、一度2軸の回りの回転角及び
高さを算出する方式と比べて、本発明によれば演算時間
が短縮され、しかも、3点の支点を同時に駆動すること
によりレベリング動作と高さ調整動作(フォーカシング
動作)とが同時に実行されるので、レベリング及び高さ
調整工程のスループットが向上する。
点により、レベリング及び高さ調整(フォーカシング)
が行われ、また、演算手段により、多点高さ検出手段で
検出された3個以上の偏差から、各支点での駆動偏差が
直接求められる。従って、一度2軸の回りの回転角及び
高さを算出する方式と比べて、本発明によれば演算時間
が短縮され、しかも、3点の支点を同時に駆動すること
によりレベリング動作と高さ調整動作(フォーカシング
動作)とが同時に実行されるので、レベリング及び高さ
調整工程のスループットが向上する。
【0067】更に本発明では、各支点の動作をPID制
御方式の制御手段により制御しているため、制御目標の
変化に対する応答性に優れ、定常偏差のないサーボ系を
構成でき、露光装置のフォーカス・レベリングステージ
として適用した場合に、高い結像性能を得ることができ
る。また、3個以上の計測点に対してそれぞれ重みを付
した場合には、例えば被処理基板内の所望の位置付近の
計測点の重みを大きくして、その計測点での高さ偏差
(デフォーカス量)を小さくするというように、高さ偏
差の被処理基板内での最適化が可能となる。
御方式の制御手段により制御しているため、制御目標の
変化に対する応答性に優れ、定常偏差のないサーボ系を
構成でき、露光装置のフォーカス・レベリングステージ
として適用した場合に、高い結像性能を得ることができ
る。また、3個以上の計測点に対してそれぞれ重みを付
した場合には、例えば被処理基板内の所望の位置付近の
計測点の重みを大きくして、その計測点での高さ偏差
(デフォーカス量)を小さくするというように、高さ偏
差の被処理基板内での最適化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図4の投影露光装置のフォーカス・レベリング
機構を簡略化して示す一部斜視図を含む構成図である。
機構を簡略化して示す一部斜視図を含む構成図である。
【図2】図1のウエハ12の表面と投影光学系の像面と
の間のデフォーカス量Δf1 〜Δfn の説明に供する拡
大斜視図である。
の間のデフォーカス量Δf1 〜Δfn の説明に供する拡
大斜視図である。
【図3】図1のz軸と、多点のAFセンサーの計測点及
び3個の支点との関係の説明に供する斜視図である。
び3個の支点との関係の説明に供する斜視図である。
【図4】本発明によるステージ装置の一実施例が適用さ
れた投影露光装置を示す構成図である。
れた投影露光装置を示す構成図である。
【図5】図4の多点のAFセンサーによるウエハ12上
のフォーカス位置の計測点の分布の一例を示す平面図で
ある。
のフォーカス位置の計測点の分布の一例を示す平面図で
ある。
【図6】図5のAA線に沿う断面図である。
【図7】図4の支点16Aの構成例を示す断面図であ
る。
る。
7 レチクル PL 投影光学系 10 主制御系 12 ウエハ 13A ショット領域 14 ウエハホルダー 15 フォーカス・レベリングステージ 16A〜16C 支点 17 XYステージ 20X,20Y レーザ干渉計 22 フォーカス・レベリング制御系 25A1〜25A3 AFセンサー 33 面位置算出系 P1 〜Pn 計測点 W1 〜Wn 重み係数
Claims (2)
- 【請求項1】 被処理基板の表面の傾斜角を補正するス
テージ装置において、 前記被処理基板を保持する載物テーブルと、 2次元平面上で前記載物テーブルを位置決めする位置決
め用ステージと、 該位置決め用ステージに対してそれぞれ伸縮自在の3個
の支点を介して前記載物テーブルを支持するレベリング
手段と、 前記2次元平面内での前記載物テーブルの位置を検出す
るステージ座標計測手段と、 前記被処理基板の表面の3個以上の計測点から所定の基
準面までの前記2次元平面に垂直な方向の偏差をそれぞ
れ検出する多点高さ検出手段と、 前記ステージ座標計測手段及び前記多点高さ検出手段の
検出結果に基づいて、前記レベリング手段の前記3個の
支点の伸縮量の偏差を算出する演算手段と、 該演算手段により算出された偏差、該偏差の積分値、及
び該偏差の微分値に基づいて前記レベリング手段の前記
3個の支点の伸縮量を制御する制御手段と、を有するこ
とを特徴とするステージ装置。 - 【請求項2】 前記被処理基板の表面の3個以上の計測
点のそれぞれに重みを付け、前記演算手段は、前記多点
高さ検出手段の検出結果に前記重みを付けて算出した残
留誤差成分が最小になるように前記レベリング手段の前
記3個の支点の伸縮量の偏差を算出することを特徴とす
る請求項1記載のステージ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33503293A JP3401769B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 露光方法、ステージ装置、及び露光装置 |
| US08/363,336 US5473424A (en) | 1993-12-28 | 1994-12-23 | Tilting apparatus |
| KR1019940037710A KR100381763B1 (ko) | 1993-12-28 | 1994-12-28 | 경사조정장치,면위치조정장치,이면위치조정장치를구비한노광장치,및이들장치를이용하여제조된디바이스 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33503293A JP3401769B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 露光方法、ステージ装置、及び露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201699A true JPH07201699A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3401769B2 JP3401769B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=18283981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33503293A Expired - Fee Related JP3401769B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 露光方法、ステージ装置、及び露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5473424A (ja) |
| JP (1) | JP3401769B2 (ja) |
| KR (1) | KR100381763B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6522386B1 (en) | 1997-07-24 | 2003-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element |
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| KR100688683B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2007-02-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 스텝퍼의 상면경사 포커스 보정장치 |
| JP2007071824A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブカードと載置台との平行度調整方法及び検査用プログラム記憶媒体並びに検査装置 |
| JP2008546187A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-12-18 | サイマー インコーポレイテッド | ラインビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム及び方法 |
| JP2010502005A (ja) * | 2006-08-24 | 2010-01-21 | カール ザイス インダストリエル メステクニーク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 平坦なテーブル表面を整列させるための方法および装置 |
| JP4541560B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2010-09-08 | キヤノン株式会社 | 電子デバイス、電子源及び画像形成装置の製造方法 |
| JP2012238864A (ja) * | 2002-04-18 | 2012-12-06 | Applied Materials Inc | 走査による熱束処理 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6122036A (en) * | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US5754299A (en) * | 1995-01-13 | 1998-05-19 | Nikon Corporation | Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus |
| US5812420A (en) * | 1995-09-05 | 1998-09-22 | Nikon Corporation | Vibration-preventive apparatus and exposure apparatus |
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