JPH07206863A - 置換縮合ピペリジンジオン誘導体および除草剤 - Google Patents
置換縮合ピペリジンジオン誘導体および除草剤Info
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Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 一般式〔I〕
(式中、R1 は、置換されてもよいフェニル、置換され
てもよいピリジン、置換されてもよいアラルキル、
R2 、R3 は、それぞれ独立して水素、ハロゲン、C1
〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、
C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルチオ、C1〜4
アルキルスルフィニル、C1〜4アルキルスルホニル、
C1〜4アルコキシカルボニル、カルボキシル、nは、
0または1、またR2 とR3 が一緒になってC2〜4の
アルキレン鎖を表してもよい。R4 は、水素、C1〜4
アルキル、Aは、C1〜4の置換されてもよいアルキレ
ン鎖を表す。)で表される置換縮合ピペリジンジオン誘
導体またはその塩、中間体、除草剤。 【効果】 上記化合物は効果の優れた除草剤を提供す
る。
てもよいピリジン、置換されてもよいアラルキル、
R2 、R3 は、それぞれ独立して水素、ハロゲン、C1
〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、
C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルチオ、C1〜4
アルキルスルフィニル、C1〜4アルキルスルホニル、
C1〜4アルコキシカルボニル、カルボキシル、nは、
0または1、またR2 とR3 が一緒になってC2〜4の
アルキレン鎖を表してもよい。R4 は、水素、C1〜4
アルキル、Aは、C1〜4の置換されてもよいアルキレ
ン鎖を表す。)で表される置換縮合ピペリジンジオン誘
導体またはその塩、中間体、除草剤。 【効果】 上記化合物は効果の優れた除草剤を提供す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な置換縮合ピペリジ
ンジオン誘導体および除草剤に関する。
ンジオン誘導体および除草剤に関する。
【0002】
【従来の技術】農園芸作物の栽培にあたり、多大の労力
を必要としてきた雑草防除に多くの除草剤が使用される
ようになってきた。しかし作物に薬害を生じたり、環境
に残留し、汚染したりすることから、より低い薬量で効
果が確実でしかも安全に使用できる薬剤の開発が望まれ
ている。
を必要としてきた雑草防除に多くの除草剤が使用される
ようになってきた。しかし作物に薬害を生じたり、環境
に残留し、汚染したりすることから、より低い薬量で効
果が確実でしかも安全に使用できる薬剤の開発が望まれ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は工業的
に有利に合成でき、より低い薬量で効果の確実な安全性
の高い、作物との選択性の良い除草剤を提供することで
ある。
に有利に合成でき、より低い薬量で効果の確実な安全性
の高い、作物との選択性の良い除草剤を提供することで
ある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式〔I〕
【0005】
【化5】
【0006】(式中、R1 は、置換されてもよいフェニ
ル、置換されてもよいピリジン、置換されてもよいアラ
ルキルを表し、R2 、R3 は、それぞれ独立して水素、
ハロゲン、C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1
〜4アルキル、C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキル
チオ、C1〜4アルキルスルフィニル、C1〜4アルキ
ルスルホニル、C1〜4アルコキシカルボニル、カルボ
キシルを表し、nは、0または1である。またR2 とR
3 が一緒になってC2〜4のアルキレン鎖を表してもよ
い。R4 は、C1〜4アルキルを表す。Aは、C1〜4
の置換されてもよいアルキレン鎖を表し、置換基として
は、C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4ア
ルキル、C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルチオ、
C1〜4アルキルスルフィニル、C1〜4アルキルスル
ホニル、ハロゲン、オキソ、チオキソである。)で表さ
れる置換縮合ピペリジンジオン誘導体またはその塩、そ
れらの合成中間体および除草剤である。
ル、置換されてもよいピリジン、置換されてもよいアラ
ルキルを表し、R2 、R3 は、それぞれ独立して水素、
ハロゲン、C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1
〜4アルキル、C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキル
チオ、C1〜4アルキルスルフィニル、C1〜4アルキ
ルスルホニル、C1〜4アルコキシカルボニル、カルボ
キシルを表し、nは、0または1である。またR2 とR
3 が一緒になってC2〜4のアルキレン鎖を表してもよ
い。R4 は、C1〜4アルキルを表す。Aは、C1〜4
の置換されてもよいアルキレン鎖を表し、置換基として
は、C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4ア
ルキル、C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルチオ、
C1〜4アルキルスルフィニル、C1〜4アルキルスル
ホニル、ハロゲン、オキソ、チオキソである。)で表さ
れる置換縮合ピペリジンジオン誘導体またはその塩、そ
れらの合成中間体および除草剤である。
【0007】上記R1 のフェニル、ピリジン、及びアラ
ルキルの置換基は、例えば、ハロゲン、OR5 (R
5 は、C1〜4アルキル、C2〜4アルケニル、C2〜
4アルキニル、C1〜4ハロアルキル、C2〜4ハロア
ルケニル、フェニル、ハロフェニル、C1〜4アルコキ
シ置換フェニル、フェニルC1〜4アルキル、ハロフェ
ニルC1〜4アルキル、C1〜4アルコキシ置換フェニ
ルC1〜4アルキル、C1〜4アルキルチオC1〜4ア
ルキル、C1〜4アルキルスルホニルC1〜4アルキ
ル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、アルコキシ
C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、C1〜4アルコ
キシカルボニルC1〜4アルキル、カルボキシC1〜4
アルキル、シアノC1〜4アルキル、C1〜4アルキル
カルボニルC1〜4アルキル、C3〜6シクロアルキル
C1〜4アルキル、ただしシクロアルキルには1〜2個
の酸素原子を含んでいてもよい)、C1〜5アルキル、
C2〜4アルケニル、C2〜4アルキニル、C1〜4ハ
ロアルキル、C2〜4ハロアルケニル、C1〜4アルコ
キシC1〜4アルキル、C1〜4アルキルチオC1〜4
アルキル、C1〜4アルキルスルフィニルC1〜4アル
キル、C1〜4アルキルスルホニルC1〜4アルキル、
S(O)mR6 (R6 は、C1〜4アルキル、C2〜4
アルケニル、C2〜4アルキニル、C1〜4ハロアルキ
ル、C2〜4ハロアルケニル、フェニル、ハロフェニ
ル、ベンジル、ハロベンジル、C1〜4アルキルチオC
1〜4アルキル、C1〜4アルキルスルホニルC1〜4
アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、アル
コキシC1〜4アルコキシC1〜4アルキル、C1〜4
アルコキシルカボニルC1〜4アルキル、カルボキシC
1〜4アルキル、シアノC1〜4アルキル、C1〜4ア
ルキルカルボニルC1〜4アルキル)、ニトロ、C1〜
4ジアルキルアミノスルホニル、C1〜4アルキルカル
ボニル、C1〜4アルコキシカルボニル、CONR7 R
8 (R7 、R8 はそれぞれ独立して水素、C1〜C4ア
ルキルを表す)、カルボキシル、ヒドロキシ、シアノ、
NR9 R10(R9 、R10はそれぞれ独立して水素、C1
〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、
C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルカルボニルアミ
ノを表す)、C1〜4アルキルアミド、ピリジルオキシ
(ハロゲン、C1〜4アルキル、C1〜4ハロアルキル
で置換されていてもよい)等である。
ルキルの置換基は、例えば、ハロゲン、OR5 (R
5 は、C1〜4アルキル、C2〜4アルケニル、C2〜
4アルキニル、C1〜4ハロアルキル、C2〜4ハロア
ルケニル、フェニル、ハロフェニル、C1〜4アルコキ
シ置換フェニル、フェニルC1〜4アルキル、ハロフェ
ニルC1〜4アルキル、C1〜4アルコキシ置換フェニ
ルC1〜4アルキル、C1〜4アルキルチオC1〜4ア
ルキル、C1〜4アルキルスルホニルC1〜4アルキ
ル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、アルコキシ
C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、C1〜4アルコ
キシカルボニルC1〜4アルキル、カルボキシC1〜4
アルキル、シアノC1〜4アルキル、C1〜4アルキル
カルボニルC1〜4アルキル、C3〜6シクロアルキル
C1〜4アルキル、ただしシクロアルキルには1〜2個
の酸素原子を含んでいてもよい)、C1〜5アルキル、
C2〜4アルケニル、C2〜4アルキニル、C1〜4ハ
ロアルキル、C2〜4ハロアルケニル、C1〜4アルコ
キシC1〜4アルキル、C1〜4アルキルチオC1〜4
アルキル、C1〜4アルキルスルフィニルC1〜4アル
キル、C1〜4アルキルスルホニルC1〜4アルキル、
S(O)mR6 (R6 は、C1〜4アルキル、C2〜4
アルケニル、C2〜4アルキニル、C1〜4ハロアルキ
ル、C2〜4ハロアルケニル、フェニル、ハロフェニ
ル、ベンジル、ハロベンジル、C1〜4アルキルチオC
1〜4アルキル、C1〜4アルキルスルホニルC1〜4
アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、アル
コキシC1〜4アルコキシC1〜4アルキル、C1〜4
アルコキシルカボニルC1〜4アルキル、カルボキシC
1〜4アルキル、シアノC1〜4アルキル、C1〜4ア
ルキルカルボニルC1〜4アルキル)、ニトロ、C1〜
4ジアルキルアミノスルホニル、C1〜4アルキルカル
ボニル、C1〜4アルコキシカルボニル、CONR7 R
8 (R7 、R8 はそれぞれ独立して水素、C1〜C4ア
ルキルを表す)、カルボキシル、ヒドロキシ、シアノ、
NR9 R10(R9 、R10はそれぞれ独立して水素、C1
〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル、
C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルカルボニルアミ
ノを表す)、C1〜4アルキルアミド、ピリジルオキシ
(ハロゲン、C1〜4アルキル、C1〜4ハロアルキル
で置換されていてもよい)等である。
【0008】本発明化合物は、次の方法によって製造す
ることができる。
ることができる。
【0009】
【化6】
【0010】(式中、R1 、R2 〜R4 、nおよびA
は、前記と同じ意味を有し、Qは、ハロゲン、アルキル
カルボニルオキシ、アルコキシカルボニルオキシおよび
ベンゾイルオキシ等の脱離基を意味する。) 工程において、化合物〔Va〕〔Vb〕は、化合物〔I
I〕と化合物〔IV〕各々1モルずつあるいは一方を過剰
に用い、1モルまたは、過剰の塩基の存在下に反応させ
ることによって得られる。用いられる塩基は、KOH,
NaOH等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸
塩、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ土類金属炭酸
塩、トリ(C1 −C6 アルキル)アミン、ピリジン、燐
酸ナトリウム等であり、溶媒としては、水、塩化メチレ
ン、クロロホルム、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホ
ルムアミド、THF、ジメトキシエタン、アセトニトリ
ル等が用いられる。反応混合物は反応が完了するまで0
℃〜50℃で撹拌される。また、四級アンモニウム塩等
の相間移動触媒を用いて、二相系で反応させることによ
っても得られる。化合物〔Va〕、〔Vb〕は、化合物
〔II〕と化合物R1 COOH〔VI〕とをDCCと反応さ
せることによっても得られる。DCCとの反応において
用いられる溶媒としては、塩化メチレン、クロロホル
ム、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、T
HF、ジメトキシエタン、アセトニトリル等が用いられ
る。反応混合物は反応が完了するまで−10℃〜50℃
で撹拌される。反応混合物は常法によって処理される。
〔Va〕、〔Vb〕から〔I〕への転位反応はシアノ化
合物および温和な塩基の存在下で行われる。例えば、1
モルの上記化合物(〔Va〕、〔Vb〕)を1〜4モル
の塩基、好ましくは1〜2モルの塩基および0.01モ
ルから0.5モル以上、好ましくは0.05モルから
0.2モルのシアン化合物と反応させる。ここで用いら
れる塩基は前記の塩基がいずれも用いられ得る。また、
シアノ化合物としてはシアン化カリウム、アトンシアン
ヒドリン、シアン化水素、シアン化カリウムを保持した
ポリマー等が用いられる。尚、少量のクラウンエーテル
等の相間移動触媒を加えることにより、反応がより短い
時間で完結する。反応温度は室温から80℃、好ましく
は室温から40℃で行われる。用いられる溶媒は、1,
2−ジクロロエタン、トルエン、アセトニトリル、塩化
メチレン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、メチル
イソブチルケトン、THF、ジメトキシエタン等であ
る。
は、前記と同じ意味を有し、Qは、ハロゲン、アルキル
カルボニルオキシ、アルコキシカルボニルオキシおよび
ベンゾイルオキシ等の脱離基を意味する。) 工程において、化合物〔Va〕〔Vb〕は、化合物〔I
I〕と化合物〔IV〕各々1モルずつあるいは一方を過剰
に用い、1モルまたは、過剰の塩基の存在下に反応させ
ることによって得られる。用いられる塩基は、KOH,
NaOH等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸
塩、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ土類金属炭酸
塩、トリ(C1 −C6 アルキル)アミン、ピリジン、燐
酸ナトリウム等であり、溶媒としては、水、塩化メチレ
ン、クロロホルム、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホ
ルムアミド、THF、ジメトキシエタン、アセトニトリ
ル等が用いられる。反応混合物は反応が完了するまで0
℃〜50℃で撹拌される。また、四級アンモニウム塩等
の相間移動触媒を用いて、二相系で反応させることによ
っても得られる。化合物〔Va〕、〔Vb〕は、化合物
〔II〕と化合物R1 COOH〔VI〕とをDCCと反応さ
せることによっても得られる。DCCとの反応において
用いられる溶媒としては、塩化メチレン、クロロホル
ム、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、T
HF、ジメトキシエタン、アセトニトリル等が用いられ
る。反応混合物は反応が完了するまで−10℃〜50℃
で撹拌される。反応混合物は常法によって処理される。
〔Va〕、〔Vb〕から〔I〕への転位反応はシアノ化
合物および温和な塩基の存在下で行われる。例えば、1
モルの上記化合物(〔Va〕、〔Vb〕)を1〜4モル
の塩基、好ましくは1〜2モルの塩基および0.01モ
ルから0.5モル以上、好ましくは0.05モルから
0.2モルのシアン化合物と反応させる。ここで用いら
れる塩基は前記の塩基がいずれも用いられ得る。また、
シアノ化合物としてはシアン化カリウム、アトンシアン
ヒドリン、シアン化水素、シアン化カリウムを保持した
ポリマー等が用いられる。尚、少量のクラウンエーテル
等の相間移動触媒を加えることにより、反応がより短い
時間で完結する。反応温度は室温から80℃、好ましく
は室温から40℃で行われる。用いられる溶媒は、1,
2−ジクロロエタン、トルエン、アセトニトリル、塩化
メチレン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、メチル
イソブチルケトン、THF、ジメトキシエタン等であ
る。
【0011】上記の置換された安息香酸クロリドおよび
安息香酸は、公知の方法に従って製造することができ
る。
安息香酸は、公知の方法に従って製造することができ
る。
【0012】一般式〔II〕で表される環状ジオン体は、
以下に示す経路に従って製造することができる。
以下に示す経路に従って製造することができる。
【0013】
【化7】
【0014】(式中、R2 、R4 、R12、Aおよびnは
前記と同じ意味を表し、R11はC1〜4アキル、Xはハ
ロゲンを表す。) 環状アミノカルボン酸エステル〔VII 〕と等モルあるい
は過剰の酸ハライド〔VIII〕を、1モルまたは、過剰の
塩基の存在下に反応させることによってジエステル体
〔IX〕が得られる。用いられる塩基は、KOH,NaO
H等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、ア
ルカリ土類金属水酸化物、アルカリ土類金属炭酸塩、ト
リ(C1 −C6 アルキル)アミン、ピリジン、燐酸ナト
リウム等であり、溶媒としては、水、塩化メチレン、ク
ロロホルム、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムア
ミド、THF、ジメトキシエタン、アセトニトリル等が
用いられる。反応は−10℃から用いた溶媒の沸点の間
で行われる。反応生成物〔IX〕は、反応混合物から通常
の処理法によって得られる。次にジエステル体〔IX〕
を、等モル〜3倍モルのナトリウムエチラート等のアル
カリ金属アルコラートあるいは、水素化ナトリウム等の
金属ヒドリドの存在下、有機溶媒中0℃〜溶媒の沸点の
間で反応させ、ついで塩酸等の無機酸で中和することに
よってエステル体〔III ′〕が得られる。ここで反応に
用いられる溶媒としては、エタノール、メタノール等の
アルコール、THF、ジメトキシエタン等のエーテル
類、トルエン、キシレン等の炭化水素類およびDMF等
が挙げられる。得られたエステル体〔III ′〕を、水の
存在下溶媒中で加熱することによってジオン体〔II′〕
が得られる。反応に用いられる溶媒としては、塩化メチ
レン、クロロホルム、トルエン、酢酸エチル、ジメチル
ホルムアミド、THF、ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アセトニトリル等が用いられる。また〔III ′〕
は、LDA、nBuLi等の強い塩基の存在により、ア
ルキルハライド、アルキルジスルフィド等親電子試剤に
より、〔III 〕を与える。エステル体〔III〕は〔III
′〕と同様、水の存在下、溶媒中で加熱することによ
ってジオン体〔II〕を与える。上記の環状−α−酢酸エ
ステル類は、例えばJ.Org.Chem.,27,1
39(1962)およびTetrahedron Le
tt.,29,819(1988)等の記載の方法に従
って、β−アミノ酸類から製造できる。
前記と同じ意味を表し、R11はC1〜4アキル、Xはハ
ロゲンを表す。) 環状アミノカルボン酸エステル〔VII 〕と等モルあるい
は過剰の酸ハライド〔VIII〕を、1モルまたは、過剰の
塩基の存在下に反応させることによってジエステル体
〔IX〕が得られる。用いられる塩基は、KOH,NaO
H等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、ア
ルカリ土類金属水酸化物、アルカリ土類金属炭酸塩、ト
リ(C1 −C6 アルキル)アミン、ピリジン、燐酸ナト
リウム等であり、溶媒としては、水、塩化メチレン、ク
ロロホルム、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムア
ミド、THF、ジメトキシエタン、アセトニトリル等が
用いられる。反応は−10℃から用いた溶媒の沸点の間
で行われる。反応生成物〔IX〕は、反応混合物から通常
の処理法によって得られる。次にジエステル体〔IX〕
を、等モル〜3倍モルのナトリウムエチラート等のアル
カリ金属アルコラートあるいは、水素化ナトリウム等の
金属ヒドリドの存在下、有機溶媒中0℃〜溶媒の沸点の
間で反応させ、ついで塩酸等の無機酸で中和することに
よってエステル体〔III ′〕が得られる。ここで反応に
用いられる溶媒としては、エタノール、メタノール等の
アルコール、THF、ジメトキシエタン等のエーテル
類、トルエン、キシレン等の炭化水素類およびDMF等
が挙げられる。得られたエステル体〔III ′〕を、水の
存在下溶媒中で加熱することによってジオン体〔II′〕
が得られる。反応に用いられる溶媒としては、塩化メチ
レン、クロロホルム、トルエン、酢酸エチル、ジメチル
ホルムアミド、THF、ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アセトニトリル等が用いられる。また〔III ′〕
は、LDA、nBuLi等の強い塩基の存在により、ア
ルキルハライド、アルキルジスルフィド等親電子試剤に
より、〔III 〕を与える。エステル体〔III〕は〔III
′〕と同様、水の存在下、溶媒中で加熱することによ
ってジオン体〔II〕を与える。上記の環状−α−酢酸エ
ステル類は、例えばJ.Org.Chem.,27,1
39(1962)およびTetrahedron Le
tt.,29,819(1988)等の記載の方法に従
って、β−アミノ酸類から製造できる。
【0015】
【化8】
【0016】原料化合物〔II〕、〔III 〕および〔V〕
および本発明化合物には、光学活性体が存在し、さらに
多数の互変異性体の形、たとえば、
および本発明化合物には、光学活性体が存在し、さらに
多数の互変異性体の形、たとえば、
【0017】
【化9】
【0018】の形で存在し得る。かかる形は、すべて本
発明の範囲に含まれる。
発明の範囲に含まれる。
【0019】化合物〔I〕が上記、互変異性体の中で遊
離のヒドロキシル基(*)を有している場合には、該化
合物から、その塩、特に農園芸的に許容され得る塩、エ
ナミンまたはその類似物、アシレート、スルホネート、
カルバメート、エーテル、チオエーテル、スルホキシド
またはスルホン等を誘導し得る。適当な農園芸的に許容
され得る塩としてはナトリウム、カリウム、カルシウム
およびアンモニウム等の塩が挙げられる。アンモニウム
塩の例としては、式:N+ Ra Rb Rc Rd (式中
Ra 、Rb 、Rc およびRd は各々独立して、水素およ
び場合により例えばヒドロキシ基等により置換されたC
1 〜C10アルキル基から選ばれる)のイオンとの塩が挙
げられる。Ra 、Rb 、Rc およびRd はいずれかが場
合により置換されたアルキル基である場合には、これら
は1〜4個の炭素原子を含有していることが望ましい。
適当なエナミンまたはその類似物は、OH部分がそれぞ
れ、式:−NRe Rf(式中Re およびRf はそれぞれ
独立して水素または例えば炭素数1〜6個の場合により
置換されたアルキル基またはアリール基、例えばフェニ
ル基である。)、ハロゲン、S(O)g Rh (式中Rh
は、例えば炭素数1〜6個の場合により置換されたアル
キル基またはアリール基、例えばフェニル基であり、g
は0から2を表す。)に転化されている化合物である。
適当なアシレート、エーテルまたはカルバメート誘導体
は、OH部分がそれぞれ、式:−OCOR1 、−ORj
または−OCONRk Rl (式中R1 およびRj は、前
記のRh と同じ意味を表し、Rk およびRl は、前記の
Re と同じ意味を表す。)に転化されている化合物であ
る。これらの誘導体は慣用の方法で製造し得る。反応終
了後は、通常の後処理を行うことにより目的物を得るこ
とができる。本発明化合物の構造は、IR,NMRおよ
びMS等が決定した。
離のヒドロキシル基(*)を有している場合には、該化
合物から、その塩、特に農園芸的に許容され得る塩、エ
ナミンまたはその類似物、アシレート、スルホネート、
カルバメート、エーテル、チオエーテル、スルホキシド
またはスルホン等を誘導し得る。適当な農園芸的に許容
され得る塩としてはナトリウム、カリウム、カルシウム
およびアンモニウム等の塩が挙げられる。アンモニウム
塩の例としては、式:N+ Ra Rb Rc Rd (式中
Ra 、Rb 、Rc およびRd は各々独立して、水素およ
び場合により例えばヒドロキシ基等により置換されたC
1 〜C10アルキル基から選ばれる)のイオンとの塩が挙
げられる。Ra 、Rb 、Rc およびRd はいずれかが場
合により置換されたアルキル基である場合には、これら
は1〜4個の炭素原子を含有していることが望ましい。
適当なエナミンまたはその類似物は、OH部分がそれぞ
れ、式:−NRe Rf(式中Re およびRf はそれぞれ
独立して水素または例えば炭素数1〜6個の場合により
置換されたアルキル基またはアリール基、例えばフェニ
ル基である。)、ハロゲン、S(O)g Rh (式中Rh
は、例えば炭素数1〜6個の場合により置換されたアル
キル基またはアリール基、例えばフェニル基であり、g
は0から2を表す。)に転化されている化合物である。
適当なアシレート、エーテルまたはカルバメート誘導体
は、OH部分がそれぞれ、式:−OCOR1 、−ORj
または−OCONRk Rl (式中R1 およびRj は、前
記のRh と同じ意味を表し、Rk およびRl は、前記の
Re と同じ意味を表す。)に転化されている化合物であ
る。これらの誘導体は慣用の方法で製造し得る。反応終
了後は、通常の後処理を行うことにより目的物を得るこ
とができる。本発明化合物の構造は、IR,NMRおよ
びMS等が決定した。
【0020】
【実施例】次に実施例を挙げて、本発明化合物を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
【0021】実施例1 6−エトキシカルボニル−1、2、3、6、8、8a−
ヘキサヒドロインドリジン−5、7−ジオン
ヘキサヒドロインドリジン−5、7−ジオン
【0022】
【化10】
【0023】金属ナトリウム1.28gとエタノール3
5mlから合成したナトリウムエチラート中に、エチル
N−エトキシカルボニルアセチルピロリジン−2−ア
セテート12.6gを添加し、2時間加熱還流する。冷
却後5%水酸化ナトリウム水溶液で抽出し、その水層を
冷却下2N塩酸で酸析し、クロロホルムで3回抽出し
た。クロロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮
することにより目的物10.4gを得た。 NMR δ(ppm)1.4(t,3H),1.7
(m,1H),2.0(m,1H),2.3(m,1
H),2.6(m,2H),3.5(m,1H),3.
7(m,2H),4.4(q,2H),13.9(s,
1H)
5mlから合成したナトリウムエチラート中に、エチル
N−エトキシカルボニルアセチルピロリジン−2−ア
セテート12.6gを添加し、2時間加熱還流する。冷
却後5%水酸化ナトリウム水溶液で抽出し、その水層を
冷却下2N塩酸で酸析し、クロロホルムで3回抽出し
た。クロロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮
することにより目的物10.4gを得た。 NMR δ(ppm)1.4(t,3H),1.7
(m,1H),2.0(m,1H),2.3(m,1
H),2.6(m,2H),3.5(m,1H),3.
7(m,2H),4.4(q,2H),13.9(s,
1H)
【0024】実施例2 1、2、3、6、8、8a−ヘキサヒドロインドリジン
−5、7−ジオン
−5、7−ジオン
【0025】
【化11】
【0026】6−エトキシカルボニル−1、2、3、
6、8、8a−ヘキサヒドロインドリジン−5、7−ジ
オン10.4gをアセトニトリル70mlに溶解し、水
7mlを添加後1時間加熱還流した。冷却後、溶媒を減
圧濃縮し、残分を5%水酸化ナトリウム水溶液に溶解さ
せ、クロロホルムで洗浄した。その水層を氷冷下2N塩
酸で酸析し、クロロホルムで3回抽出した。クロロホル
ム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮することにより
目的物4.4gを得た。 NMR δ(ppm)1.7(m,1H),1.9
(m,1H),2.1(m,1H),2.3(dd,1
H),2.4(m,1H),2.85(dd,1H),
3.25(q,2H),3.6(m,2H),3.9
(m,1H)
6、8、8a−ヘキサヒドロインドリジン−5、7−ジ
オン10.4gをアセトニトリル70mlに溶解し、水
7mlを添加後1時間加熱還流した。冷却後、溶媒を減
圧濃縮し、残分を5%水酸化ナトリウム水溶液に溶解さ
せ、クロロホルムで洗浄した。その水層を氷冷下2N塩
酸で酸析し、クロロホルムで3回抽出した。クロロホル
ム層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮することにより
目的物4.4gを得た。 NMR δ(ppm)1.7(m,1H),1.9
(m,1H),2.1(m,1H),2.3(dd,1
H),2.4(m,1H),2.85(dd,1H),
3.25(q,2H),3.6(m,2H),3.9
(m,1H)
【0027】実施例3 6−(3−メトキシ−2−メチル−4−メチルスルホニ
ルベンゾイル)−1、2、3、6、8、8a−ヘキサヒ
ドロインドリン−5、7−ジオン(化合物番号65)
ルベンゾイル)−1、2、3、6、8、8a−ヘキサヒ
ドロインドリン−5、7−ジオン(化合物番号65)
【0028】
【化12】
【0029】1、2、3、6、8、8a−ヘキサヒドロ
インドリジン−5、7−ジオン0.5gをジクロロメタ
ン3mlに溶解し、冷却下にトリエチルアミン0.4g
を加え、次いで3−メトキシ−2−メチル−4−メチル
スルホニルベンゾイルクロリド0.9gを添加後室温で
2時間撹拌した。反応液は始めに重曹水溶液、次いで希
塩酸、水洗を行った後ジクロロメタン層を硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を減圧下で濃縮することによって
O−ベンゾイル体を得、このO−ベンゾイル体をアトニ
トリル5mlに溶解しトリエチルアミン0.7gおよび
アセトンシアンヒドリン0.06gを加えた後室温にて
20時間撹拌した。反応液は、氷水およびクロロホルム
を加えた後、5%水酸化ナトリウム水溶液で2回抽出を
行い、次いで水層を氷冷下2N塩酸で酸析し、クロロホ
ルムで3回抽出した。クロロホルム層を硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、溶媒を留去した後シリカゲルカラムクロマ
ト(クロロホルム−メタノール)で精製を行い、目的物
を結晶として0.8g得た。 融点178〜180℃
インドリジン−5、7−ジオン0.5gをジクロロメタ
ン3mlに溶解し、冷却下にトリエチルアミン0.4g
を加え、次いで3−メトキシ−2−メチル−4−メチル
スルホニルベンゾイルクロリド0.9gを添加後室温で
2時間撹拌した。反応液は始めに重曹水溶液、次いで希
塩酸、水洗を行った後ジクロロメタン層を硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を減圧下で濃縮することによって
O−ベンゾイル体を得、このO−ベンゾイル体をアトニ
トリル5mlに溶解しトリエチルアミン0.7gおよび
アセトンシアンヒドリン0.06gを加えた後室温にて
20時間撹拌した。反応液は、氷水およびクロロホルム
を加えた後、5%水酸化ナトリウム水溶液で2回抽出を
行い、次いで水層を氷冷下2N塩酸で酸析し、クロロホ
ルムで3回抽出した。クロロホルム層を硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、溶媒を留去した後シリカゲルカラムクロマ
ト(クロロホルム−メタノール)で精製を行い、目的物
を結晶として0.8g得た。 融点178〜180℃
【0030】参考例1 エチル N−エトキシカルボニル−3−ピロリジノン−
2−アセテート ジチオエチレンケタール
2−アセテート ジチオエチレンケタール
【0031】
【化13】
【0032】エチル N−エトキシカルボニル−3−ピ
ロリジノン−2−アセテート45.9gをジクロロメタ
ン450mlに溶解し、冷却下にエタンジチオール2
1.31gを添加した後、ボロントリフルオライド・エ
ーテル錯体を冷却下に滴下した。反応液は、室温で1時
間撹拌した後、さらに一晩加熱還流した。冷却後、反応
液を水洗し、ジクロロメタン層を硫酸マグネシウムで乾
燥した後減圧濃縮して、粗生成物を得た。このものをシ
リカゲルカラムクロマトにて精製を行い、目的物54.
7gを得た。
ロリジノン−2−アセテート45.9gをジクロロメタ
ン450mlに溶解し、冷却下にエタンジチオール2
1.31gを添加した後、ボロントリフルオライド・エ
ーテル錯体を冷却下に滴下した。反応液は、室温で1時
間撹拌した後、さらに一晩加熱還流した。冷却後、反応
液を水洗し、ジクロロメタン層を硫酸マグネシウムで乾
燥した後減圧濃縮して、粗生成物を得た。このものをシ
リカゲルカラムクロマトにて精製を行い、目的物54.
7gを得た。
【0033】参考例2 エチル N−エトキシカルボニルピロリジン−2−アセ
テート
テート
【0034】
【化14】
【0035】エチル N−エトキシカルボニル−3−ピ
ロリジノン−2−アセテート ジチオエチレンケタール
39.4gをベンゼン800mlに溶解し窒素気流下で
2、2′−アゾビスイソブチロニトリル2.03gおよ
び水素化トリブチルすず148.24gを添加した後、
9時間加熱還流した。冷却後、反応液を水洗し、ジクロ
ロメタン層を硫酸マグネシウムで乾燥した後減圧濃縮し
て、粗生成物を得た。このものをシリカゲルカラムクロ
マトにて精製を行い、目的物26.5gを得た。
ロリジノン−2−アセテート ジチオエチレンケタール
39.4gをベンゼン800mlに溶解し窒素気流下で
2、2′−アゾビスイソブチロニトリル2.03gおよ
び水素化トリブチルすず148.24gを添加した後、
9時間加熱還流した。冷却後、反応液を水洗し、ジクロ
ロメタン層を硫酸マグネシウムで乾燥した後減圧濃縮し
て、粗生成物を得た。このものをシリカゲルカラムクロ
マトにて精製を行い、目的物26.5gを得た。
【0036】参考例3 エチル N−エトキシカルボニルアセチルピロリジン−
2−アセテート
2−アセテート
【0037】
【化15】
【0038】エチル N−エトキシカルボニルピロリジ
ン−2−アセテート25.5gをクロロホルム250m
lに溶解し、室温下にヨードトリメチルシラン44.5
6gを添加後、室温にて6日間撹拌した。反応液は、減
圧下に濃縮し、濃縮残分にジクロロメタン250mlを
加え、冷却下に、トリエチルアミン13.5g次いでエ
チルマロニルクロリド20.11gを滴下した。反応液
は、室温で7時間撹拌した。反応終了後反応液を水洗
し、ジクロロメタン層を硫酸マグネシウムで乾燥した後
減圧濃縮して、粗生成物を得た。このものをシリカゲル
カラムクロマトにて精製を行い、目的物12.1gを得
た。
ン−2−アセテート25.5gをクロロホルム250m
lに溶解し、室温下にヨードトリメチルシラン44.5
6gを添加後、室温にて6日間撹拌した。反応液は、減
圧下に濃縮し、濃縮残分にジクロロメタン250mlを
加え、冷却下に、トリエチルアミン13.5g次いでエ
チルマロニルクロリド20.11gを滴下した。反応液
は、室温で7時間撹拌した。反応終了後反応液を水洗
し、ジクロロメタン層を硫酸マグネシウムで乾燥した後
減圧濃縮して、粗生成物を得た。このものをシリカゲル
カラムクロマトにて精製を行い、目的物12.1gを得
た。
【0039】上記実施例を含め、本発明化合物の代表例
を第1表に示す。
を第1表に示す。
【0040】
【表1001】
【0041】
【表1002】
【0042】
【表1003】
【0043】
【表1004】
【0044】
【表1005】
【0045】
【表1006】
【0046】
【表1007】
【0047】
【表1008】
【0048】
【表1009】
【0049】本発明化合物は畑作条件で、土壌処理、茎
葉処理のいずれの方法でも高い除草活性を示す。特に茎
葉散布処理で、メヒシバ、アキノエノコログサ、カヤツ
リグサ、イチビ、イヌビユ等の各種の畑雑草に高い効力
を示し、トウモロコシ、ムギ、大豆等の作物に選択性を
示す化合物も含まれている。また、本発明化合物は、作
物,観賞用植物,果樹等の有用植物に対し、生育抑制作
用を示す化合物も含まれている。また本発明化合物は、
水田雑草のノビエ、タマガヤツリ、オモダカ、ホタルイ
等の雑草に対し、優れた殺草効力を有し、イネに選択性
を示す化合物も含まれている。更に本発明化合物は果樹
園,芝生,線路端,空き地等の雑草の防除にも適用する
ことができる。
葉処理のいずれの方法でも高い除草活性を示す。特に茎
葉散布処理で、メヒシバ、アキノエノコログサ、カヤツ
リグサ、イチビ、イヌビユ等の各種の畑雑草に高い効力
を示し、トウモロコシ、ムギ、大豆等の作物に選択性を
示す化合物も含まれている。また、本発明化合物は、作
物,観賞用植物,果樹等の有用植物に対し、生育抑制作
用を示す化合物も含まれている。また本発明化合物は、
水田雑草のノビエ、タマガヤツリ、オモダカ、ホタルイ
等の雑草に対し、優れた殺草効力を有し、イネに選択性
を示す化合物も含まれている。更に本発明化合物は果樹
園,芝生,線路端,空き地等の雑草の防除にも適用する
ことができる。
【0050】
【課題を解決するための手段】−除草剤 本発明除草剤は、前記一般式〔I〕で示される化合物も
しくはその塩の1又は2以上を有効成分として含有し、
通常の農薬と同様の形態を有する。即ち、有効成分化合
物は一般に適当な量を担体と混合して水和剤、乳剤、粒
剤、水溶剤、フロアブル剤等の形に製剤化して使用され
る。固体担体としてはタルク、ホワイトカーボン(シリ
カ)、ベントナイト、クレイ、ケイソウ土等が挙げら
れ、液体担体としては、水、アルコール、ベンゼン、キ
シレン、ケロシン、鉱油、シクロヘキサン、シクロヘキ
サノン、ジメチルホルムアミド等が用いられる。これら
の製剤に於て、均一かつ安定な形態を取るために必要な
らば、界面活性剤を添加することもできる。
しくはその塩の1又は2以上を有効成分として含有し、
通常の農薬と同様の形態を有する。即ち、有効成分化合
物は一般に適当な量を担体と混合して水和剤、乳剤、粒
剤、水溶剤、フロアブル剤等の形に製剤化して使用され
る。固体担体としてはタルク、ホワイトカーボン(シリ
カ)、ベントナイト、クレイ、ケイソウ土等が挙げら
れ、液体担体としては、水、アルコール、ベンゼン、キ
シレン、ケロシン、鉱油、シクロヘキサン、シクロヘキ
サノン、ジメチルホルムアミド等が用いられる。これら
の製剤に於て、均一かつ安定な形態を取るために必要な
らば、界面活性剤を添加することもできる。
【0051】本発明除草剤における有効成分濃度は前述
した製剤の形により種々の濃度に変化するものである
が、例えば、水和剤に於いては、5〜70%、好ましく
は10〜30%:乳剤に於いては、3〜70%、好まし
くは5〜20%:粒剤に於いては0.01〜30%、好
ましくは、0.05〜10%の濃度が用いられる。この
ようにして得られた水和剤、乳剤は水で所定の濃度に希
釈して懸濁液或は乳濁液として、粒剤はそのまま雑草の
発芽前又は発芽後に散布処理もしくは混和処理される。
実際に本発明除草剤を適用するに当たっては10アール
当り有効成分0.1g以上の適当量が施用される。
した製剤の形により種々の濃度に変化するものである
が、例えば、水和剤に於いては、5〜70%、好ましく
は10〜30%:乳剤に於いては、3〜70%、好まし
くは5〜20%:粒剤に於いては0.01〜30%、好
ましくは、0.05〜10%の濃度が用いられる。この
ようにして得られた水和剤、乳剤は水で所定の濃度に希
釈して懸濁液或は乳濁液として、粒剤はそのまま雑草の
発芽前又は発芽後に散布処理もしくは混和処理される。
実際に本発明除草剤を適用するに当たっては10アール
当り有効成分0.1g以上の適当量が施用される。
【0052】又、本発明除草剤は公知の殺菌剤、殺虫
剤、殺ダニ剤、除草剤、植物成長調整剤等と混合して使
用することも出来る。特に、除草剤と混合使用すること
により、使用薬量を減少させることが可能である。又、
省力化をもたらすのみならず、混合薬剤の相乗作用によ
り一層高い効果も期待できる。その場合、複数の公知除
草剤との組合せも可能である。本発明除草剤と混合使用
するにふさわしい薬剤としては、ベンチオカーブ、モリ
ネート、ジメピペレート等のカーバメイト系除草剤、チ
オカーバメイト系除草剤、ブタクロール、プレチラクロ
ール、メフェナセット等の酸アミド系除草剤、クロメト
キシニル、ビフェノックス等のジフェニルエーテル系除
草剤、アトラジン、シアナジン等のトリアジン系除草
剤、クロルスルフロン、スルホメチュロン−メチル等の
スルホニルウレア系除草剤、MCP、MCPB等のフェ
ノキシアルカンカルボン酸系除草剤、ジクロホップ−メ
チル等のフェノキシフェノキシプロピオン酸系除草剤、
フルアジホップブチル等のピリジルオキシフェノキシプ
ロピオン酸系除草剤、ベンゾイルプロップエチル、フラ
ンプロップエチル等のベンゾイルアミノプロピオン酸系
除草剤、イマザキン等のイミダゾリノン系除草剤、その
他として、ピペロホス、ダイムロン、ベンタゾン、ダイ
フェンゾコート、ナプロアニリド、HW−52(4−エ
トキシメトキシベンズ−2,3−ジクロルアニライ
ド)、トリアゾフェナミド、キンクロラック、更に、セ
トキシジム、アロキシジム−ソディウム等のシクロヘキ
サンジオン系の除草剤等が挙げられる。又、これらの組
み合わせた物に植物油及び油濃縮物を添加することも出
来る。
剤、殺ダニ剤、除草剤、植物成長調整剤等と混合して使
用することも出来る。特に、除草剤と混合使用すること
により、使用薬量を減少させることが可能である。又、
省力化をもたらすのみならず、混合薬剤の相乗作用によ
り一層高い効果も期待できる。その場合、複数の公知除
草剤との組合せも可能である。本発明除草剤と混合使用
するにふさわしい薬剤としては、ベンチオカーブ、モリ
ネート、ジメピペレート等のカーバメイト系除草剤、チ
オカーバメイト系除草剤、ブタクロール、プレチラクロ
ール、メフェナセット等の酸アミド系除草剤、クロメト
キシニル、ビフェノックス等のジフェニルエーテル系除
草剤、アトラジン、シアナジン等のトリアジン系除草
剤、クロルスルフロン、スルホメチュロン−メチル等の
スルホニルウレア系除草剤、MCP、MCPB等のフェ
ノキシアルカンカルボン酸系除草剤、ジクロホップ−メ
チル等のフェノキシフェノキシプロピオン酸系除草剤、
フルアジホップブチル等のピリジルオキシフェノキシプ
ロピオン酸系除草剤、ベンゾイルプロップエチル、フラ
ンプロップエチル等のベンゾイルアミノプロピオン酸系
除草剤、イマザキン等のイミダゾリノン系除草剤、その
他として、ピペロホス、ダイムロン、ベンタゾン、ダイ
フェンゾコート、ナプロアニリド、HW−52(4−エ
トキシメトキシベンズ−2,3−ジクロルアニライ
ド)、トリアゾフェナミド、キンクロラック、更に、セ
トキシジム、アロキシジム−ソディウム等のシクロヘキ
サンジオン系の除草剤等が挙げられる。又、これらの組
み合わせた物に植物油及び油濃縮物を添加することも出
来る。
【0053】
【実施例】−除草剤 次に、本発明除草剤に関する製造例を若干示すが、有効
成分化合物、添加物及び添加割合は、本実施例にのみ限
定されることなく、広い範囲で変更可能である。
成分化合物、添加物及び添加割合は、本実施例にのみ限
定されることなく、広い範囲で変更可能である。
【0054】実施例4 水和物 本発明化合物 20部 ホワイトカーボン 20部 ケイソウ土 52部 アルキル硫酸ソーダ 8部 以上を均一に混合、微細に粉砕して、有効成分20%の
水和剤を得た。
水和剤を得た。
【0055】実施例5 乳剤 本発明化合物 20部 キシレン 55部 ジメチルホルムアミド 15部 ポリオキシエチレンフェニルエーテル 10部 以上を混合、溶解して有効成分20%の乳剤を得た。
【0056】実施例6 粒剤 本発明化合物 5部 タルク 40部 クレー 38部 ベントナイト 10部 アルキル硫酸ソーダ 7部 以上を均一に混合して微細に粉砕後、直径0.5〜1.
0mmの粒状に造粒して有効成分5%の粒剤を得た。
0mmの粒状に造粒して有効成分5%の粒剤を得た。
【0057】
【発明の効果】次に本発明除草剤の効果に関する試験例
を示す。 試験例1 茎葉散布処理 200cm2 のポットに土壌を充填し、表層にメヒシ
バ、アキノエノコログサイチビ、イヌビユ、カヤツリグ
サの各種子を播き、軽く覆土後温室内で生育させた。各
雑草が5〜10cmの草丈に生育した時点で各供試化合
物の乳剤を水で希釈して調整した1000ppmの薬液
を100リットル/10aの割合(10a当り100g
相当)で小型噴霧器にて雑草の茎葉部に散布した。3週
間後に雑草の除草効果を下記の調査基準に従って調査
し、その結果を以下の第2表に示した。
を示す。 試験例1 茎葉散布処理 200cm2 のポットに土壌を充填し、表層にメヒシ
バ、アキノエノコログサイチビ、イヌビユ、カヤツリグ
サの各種子を播き、軽く覆土後温室内で生育させた。各
雑草が5〜10cmの草丈に生育した時点で各供試化合
物の乳剤を水で希釈して調整した1000ppmの薬液
を100リットル/10aの割合(10a当り100g
相当)で小型噴霧器にて雑草の茎葉部に散布した。3週
間後に雑草の除草効果を下記の調査基準に従って調査
し、その結果を以下の第2表に示した。
【0058】調査基準 殺 草 率 殺草指数 0% 0 20〜29% 2 40〜49% 4 60〜69% 6 80〜89% 8 100% 10 又、1、3、5、7、9の数値は、各々0と2、2と
4、4と6、6と8、8と10の中間の値を示す。
4、4と6、6と8、8と10の中間の値を示す。
【0059】
【数1】
【0060】
【表2】
フロントページの続き (72)発明者 冨田 和之 神奈川県小田原市高田字柳町345 日本曹 達株式会社小田原研究所内 (72)発明者 高橋 明裕 神奈川県小田原市高田字柳町345 日本曹 達株式会社小田原研究所内 (72)発明者 川名 貴 神奈川県小田原市高田字柳町345 日本曹 達株式会社小田原研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 一般式〔I〕 【化1】 (式中、R1 は、置換されてもよいフェニル、置換され
てもよいピリジン、置換されてもよいアラルキルを表
し、R2 、R3 は、それぞれ独立して水素、ハロゲン、
C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4アルキ
ル、C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルチオ、C1
〜4アルキルスルフィニル、C1〜4アルキルスルホニ
ル、C1〜4アルコキシカルボニル、カルボキシルを表
し、nは、0または1である。またR2 とR3 が一緒に
なってC2〜4のアルキレン鎖を表してもよい。R
4 は、水素、C1〜4アルキルを表す。Aは、C1〜4
の置換されてもよいアルキレン鎖を表し、置換基として
は、C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシC1〜4ア
ルキル、C1〜4アルコキシ、C1〜4アルキルチオ、
C1〜4アルキルスルフィニル、C1〜4アルキルスル
ホニル、ハロゲン、オキソ、チオキソである。)で表さ
れる置換縮合ピペリジンジオン誘導体またはその塩。 - 【請求項2】 一般式〔II〕 【化2】 (式中、R2 、R3 、R4 、Aおよびnは、前記と同じ
意味を表す。)で表される置換縮合ピペリジンジオン誘
導体。 - 【請求項3】 一般式〔III 〕 【化3】 (式中、R2 、R3 、R4 、Aおよびnは、前記と同じ
意味を表し、R12はC1〜4アルキルを表す。)で表さ
れる置換縮合ピペリジンジオン誘導体。 - 【請求項4】 一般式〔I〕 【化4】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 、Aおよびnは、前記
と同じ意味を表す。)で表される化合物もしくはその塩
の1種または2種以上を有効成分として含有することを
特徴とする除草剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014884A JPH07206863A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 置換縮合ピペリジンジオン誘導体および除草剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014884A JPH07206863A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 置換縮合ピペリジンジオン誘導体および除草剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07206863A true JPH07206863A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=11873448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6014884A Pending JPH07206863A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 置換縮合ピペリジンジオン誘導体および除草剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07206863A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000050397A1 (en) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Nippon Soda Co., Ltd. | Substituted piperidinedione derivatives and herbicide |
| WO2002057265A1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Sankyo Company, Limited | Compounds substituted with bicyclic amino groups |
| WO2025207968A1 (en) * | 2024-03-27 | 2025-10-02 | Faeth Therapeutics, Inc. | Hpd inhibitor compositions and methods of use |
-
1994
- 1994-01-13 JP JP6014884A patent/JPH07206863A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000050397A1 (en) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Nippon Soda Co., Ltd. | Substituted piperidinedione derivatives and herbicide |
| JP4597379B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2010-12-15 | 日本曹達株式会社 | 置換ピペリジンジオン誘導体および除草剤 |
| WO2002057265A1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Sankyo Company, Limited | Compounds substituted with bicyclic amino groups |
| US7091352B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-08-15 | Sankyo Company, Limited | Compounds substituted with bicyclic amino groups |
| WO2025207968A1 (en) * | 2024-03-27 | 2025-10-02 | Faeth Therapeutics, Inc. | Hpd inhibitor compositions and methods of use |
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