JPH0722711A - 半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法 - Google Patents

半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法

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JPH0722711A JP16551993A JP16551993A JPH0722711A JP H0722711 A JPH0722711 A JP H0722711A JP 16551993 A JP16551993 A JP 16551993A JP 16551993 A JP16551993 A JP 16551993A JP H0722711 A JPH0722711 A JP H0722711A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ装置３を構成する半導体レーザ
チップ５およびホトダイオードチップ４Ａ，４Ｂの表面
に、樹脂を薄くかつ均一にコーティングできる樹脂コー
ティング方法を提供する。 【構成】 キャップ７頂部のレーザー光出射用窓７Ａが
上向きになる状態で半導体レーザ装置３（ステム８）を
回転台１に取り付ける。レーザー光出射用窓７Ａを通し
てキャップ７内のチップ５，４Ａ，４Ｂ上に樹脂６を滴
下した後、回転台１を略鉛直方向の軸の回りに回転させ
る。これにより、上記滴下した樹脂６のうち余った部分
６Ａをキャップ７の内壁に流す。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置の
樹脂コーティング方法に関する。より詳しくは、半導体
レーザ装置を構成する半導体レーザチップおよびホトダ
イオードチップの表面を樹脂でコーティングする方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に示すように、半導体レーザ装置３
としては、ステム８の突起部８Ａに半導体レーザチップ
５と、ホトダイオードチップ４Ａ，４Ｂとを取り付け、
これらをレーザー光出射用窓７Ａを持つキャップ７で覆
ったものが多い。ホトダイオードチップ４Ａは図示しな
い対象物によって反射されたレーザー光を受けるための
もの、ホトダイオードチップ４Ｂは半導体レーザチップ
５の出力をモニタするためのものである。
【０００３】従来は、図示のように、注射針１８でキャ
ップ７内に樹脂６をポッティング（滴下）することによ
り、各チップ５，４Ａ，４Ｂの表面をコーティングして
いる。これにより、半導体レーザ装置の信頼性を高める
ようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂コーティング方法は、キャップ７内に樹脂６を
単にポッティングしているだけであるため、樹脂６が半
導体レーザチップ５やホトダイオードチップ４Ａ，４Ｂ
上に余分に厚く盛られて、樹脂厚が不均一になり、半導
体レーザ装置３の光学的特性が悪影響を受けるという問
題がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、半導体レーザ
チップおよびホトダイオードチップの表面に樹脂を薄く
かつ均一にコーティングできる半導体レーザ装置の樹脂
コーティング方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の半導体レーザ装置の樹脂コーティ
ング方法は、ステム上に半導体レーザチップおよびホト
ダイオードチップが取り付けられ、上記両チップの周囲
が、頂部にレーザー光出射用窓を有するキャップで覆わ
れている半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法であ
って、上記レーザー光出射用窓が上向きになる状態で上
記ステムを所定の回転台に取り付け、上記レーザー光出
射用窓を通して上記キャップ内の両チップ上に樹脂を滴
下した後、上記回転台を略鉛直方向の軸の回りに回転さ
せて、上記滴下した樹脂のうち余った部分を上記キャッ
プの内壁に流すようにしたことを特徴としている。
【０００７】また、請求項２に記載の半導体レーザ装置
の樹脂コーティング方法は、ステム上に半導体レーザチ
ップおよびホトダイオードチップが取り付けられ、上記
両チップの周囲が、頂部にレーザー光出射用窓を有する
キャップで覆われている半導体レーザ装置の樹脂コーテ
ィング方法であって、上記レーザー光出射用窓を通して
上記キャップ内の両チップ上に樹脂を滴下した後、ガス
供給口とガス排出口とを持つエアブロー治具を上記レー
ザー光出射用窓に取り付け、上記ガス供給口から上記キ
ャップ内にガスを流し、このガスを上記ガス排出口から
キャップ外へ排出して、上記滴下した樹脂のうち余った
部分を上記ガスとともにキャップ外へ排出するようにし
たことを特徴としている。
【０００８】また、請求項３に記載の半導体レーザ装置
の樹脂コーティング方法は、ステム上に半導体レーザチ
ップおよびホトダイオードチップが取り付けられ、上記
両チップの周囲が、頂部にレーザー光出射用窓を有する
キャップで覆われている半導体レーザ装置の樹脂コーテ
ィング方法であって、上記レーザー光出射用窓が上向き
になる状態で上記ステムを所定の超音波振動子に取り付
け、上記レーザー光出射用窓を通して上記キャップ内の
両チップ上に樹脂を滴下した後、上記超音波振動子を略
水平方向に振動させて、上記滴下した樹脂のうち余った
部分を上記キャップの内壁に飛散させるようにしたこと
を特徴としている。
【０００９】
【作用】請求項１に記載の半導体レーザ装置の樹脂コー
ティング方法では、半導体レーザ装置（ステム）を取り
付けたけた回転台を略鉛直方向の軸の回りに回転させ
て、滴下した樹脂のうち余った部分をキャップの内壁に
流すようにしているので、上記滴下した樹脂が、半導体
レーザチップおよびホトダイオードチップの表面に薄く
かつ均一に残る。したがって、両チップが薄くかつ均一
にコーティングされる。
【００１０】また、請求項２に記載の半導体レーザ装置
の樹脂コーティング方法では、エアブロー治具のガス供
給口からキャップ内にガスを流し、このガスを上記エア
ブロー治具のガス排出口からキャップ外へ排出して、滴
下した樹脂のうち余った部分を上記ガスとともにキャッ
プ外へ排出するようにしているので、上記滴下した樹脂
が、半導体レーザチップおよびホトダイオードチップの
表面に薄くかつ均一に残る。したがって、両チップが薄
くかつ均一にコーティングされる。
【００１１】また、請求項３に記載の半導体レーザ装置
の樹脂コーティング方法では、半導体レーザ装置（ステ
ム）を取り付けた超音波振動子を略水平方向に振動させ
て、滴下した樹脂のうち余った部分をキャップの内壁に
飛散させるようにしているので、上記滴下した樹脂が、
半導体レーザチップおよびホトダイオードチップの表面
に薄くかつ均一に残る。したがって、両チップが薄くか
つ均一にコーティングされる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の半導体レーザ装置の樹脂コ
ーティング方法を実施例により詳細に説明する。
【００１３】図５に示したのと同一の半導体レーザ装置
３に樹脂６をコーティングするものとする。すなわち、
半導体レーザ装置３は、ステム８の突起部８Ａに半導体
レーザチップ５と、ホトダイオードチップ４Ａ，４Ｂと
を取り付け、これらをレーザー光出射用窓７Ａを持つキ
ャップ７で覆ったものとする。ホトダイオードチップ４
Ａは図示しない対象物によって反射されたレーザー光を
受けるためのもの、ホトダイオードチップ４Ｂは半導体
レーザチップ５の出力をモニタするためのものである。
【００１４】第１の樹脂コーティング方法について説明
する。
【００１５】まず、図１および図２に示すように、半
導体レーザ装置３（ステム８）を、キャップ７頂部のレ
ーザー光出射用窓７Ａが上向きになる状態で回転台１に
取り付ける。
【００１６】次に、図５に示したように、注射針１８
を用いて、レーザー光出射用窓７Ａを通してキャップ７
内の半導体レーザチップ５、ホトダイオードチップ４
Ａ，４Ｂ上に樹脂６をポッティング（滴下）する。
【００１７】この後、図１に示すように、回転台１を
鉛直方向の軸９の回りに回転させる（矢印２で示す方向
に回転させる）。すると、半導体レーザ装置３は外向き
に遠心力Ｇを受ける。この遠心力Ｇによって、図２に示
すように、上記ポッティングした樹脂６のうち余った部
分６Ａが、キャップ７の内壁に流れる。この結果、樹脂
６が、半導体レーザチップ５およびホトダイオードチッ
プ４Ａ，４Ｂの表面に薄くかつ均一に残る。したがっ
て、半導体レーザチップ５およびホトダイオードチップ
４Ａ，４Ｂの表面に、樹脂６を薄くかつ均一にコーティ
ングすることができる。
【００１８】次に、第２のコーティング方法について説
明する。
【００１９】まず、図５に示したように、注射針１８
を用いて、レーザー光出射用窓７Ａを通してキャップ７
内の半導体レーザチップ５、ホトダイオードチップ４
Ａ，４Ｂ上に樹脂６をポッティングする。
【００２０】次に、半導体レーザ装置３のキャップ７
のレーザー光出射用窓７Ａに、エアブロー治具１３を取
り付ける。
【００２１】このエアブロー治具１３は、ステム８の外
周に嵌合する円筒部１３Ｃと、この円筒部１３Ｃの上端
を塞ぐ主部１３Ａを有している。主部１３Ａの中央に
は、上記キャップ７のレーザー光出射用窓７Ａに嵌合す
る突起部１３Ｂが下方に突出して設けられている。この
エアブロー治具１３には、主部１３Ａを鉛直方向に貫通
するガス供給経路１１と、主部１３Ａを鉛直方向から径
方向外向き（Ｌ字状）に貫通するガス排出経路１４とが
設けられている。これらのガス供給経路１１，ガス排出
経路１４は、それぞれ上記突起部１３Ｂの下面にガス供
給口，ガス排出口を形成している。突起部１３Ｂの周り
にはゴム製のシールドリング１５が設けられており、主
部１３Ａとキャップ７との間の気密を保つようになって
いる。
【００２２】次に、上記ガス供給経路１１を通してキ
ャップ７内に、比較的高圧の窒素ガス（または空気）１
２を流し、このガス１２を上記ガス排出経路１４を通し
てキャップ７外へ排出する。これにより、上記ポッティ
ングした樹脂のうち余った部分を吹き飛ばして、上記窒
素ガス１２とともにキャップ７外へ排出する。この結
果、樹脂６が、半導体レーザチップ５およびホトダイオ
ードチップ４Ａ，４Ｂの表面に薄くかつ均一に残る。し
たがって、半導体レーザチップ５およびホトダイオード
チップ４Ａ，４Ｂの表面に、樹脂６を薄くかつ均一にコ
ーティングすることができる。
【００２３】次に、第３のコーティング方法について説
明する。
【００２４】まず、図４に示すように、半導体レーザ
装置３（ステム８）を、キャップ７のレーザー光出射用
窓７Ａが上向きになる状態で、超音波振動子（超音波ホ
ーン）１６に取り付ける。なお、図４は、超音波振動子
１６に取り付けた半導体レーザ装置３を上方から見たと
ころを示している。
【００２５】次に、図５に示したように、注射針１８
を用いて、レーザー光出射用窓７Ａを通してキャップ７
内の半導体レーザチップ５、ホトダイオードチップ４
Ａ，４Ｂ上に樹脂６をポッティングする。
【００２６】この後、図４に示すように、超音波振動
子１６を、矢印１７で示す略水平方向に振動させて、上
記ポッティングした樹脂６のうち余った部分をキャップ
７の内壁に飛散させる。この結果、樹脂６が、半導体レ
ーザチップ５およびホトダイオードチップ４Ａ，４Ｂの
表面に薄くかつ均一に残る。したがって、半導体レーザ
チップ５およびホトダイオードチップ４Ａ，４Ｂの表面
に、樹脂６を薄くかつ均一にコーティングすることがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に記
載の半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法は、半導
体レーザ装置を取り付けたけた回転台を略鉛直方向の軸
の回りに回転させて、滴下した樹脂のうち余った部分を
キャップの内壁に流すようにしているので、半導体レー
ザチップおよびホトダイオードチップの表面に樹脂を薄
くかつ均一にコーティングすることができる。
【００２８】また、請求項２に記載の半導体レーザ装置
の樹脂コーティング方法は、エアブロー治具のガス供給
口からキャップ内にガスを流し、このガスを上記エアブ
ロー治具のガス排出口からキャップ外へ排出して、滴下
した樹脂のうち余った部分を上記ガスとともにキャップ
外へ排出するようにしているので、半導体レーザチップ
およびホトダイオードチップの表面に樹脂を薄くかつ均
一にコーティングすることができる。
【００２９】また、請求項３に記載の半導体レーザ装置
の樹脂コーティング方法では、半導体レーザ装置（ステ
ム）を取り付けた超音波振動子を略水平方向に振動させ
て、滴下した樹脂のうち余った部分をキャップの内壁に
飛散させるようにしているので、半導体レーザチップお
よびホトダイオードチップの表面に樹脂を薄くかつ均一
にコーティングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施例の第１の樹脂コーティン
グ方法を説明する図である。
【図２】 上記第１の樹脂コーティング方法を説明する
図である。
【図３】 この発明の一実施例の第２の樹脂コーティン
グ方法を説明する図である。
【図４】 この発明の一実施例の第３の樹脂コーティン
グ方法を説明する図である。
【図５】 半導体レーザ装置のキャップ内に樹脂をポッ
ティングする状態を示す図である。
【符号の説明】
１ 回転台 ３ 半導体レーザ装置 ４Ａ，４Ｂ ホトダイオードチップ ５ 半導体レーザチップ ６ 樹脂 ７ キャップ ８ ステム １１ ガス供給経路 １３ エアブロー治具 １４ ガス排出経路 １６ 超音波振動子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ステム上に半導体レーザチップおよびホ
    トダイオードチップが取り付けられ、上記両チップの周
    囲が、頂部にレーザー光出射用窓を有するキャップで覆
    われている半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法で
    あって、 上記レーザー光出射用窓が上向きになる状態で上記ステ
    ムを所定の回転台に取り付け、上記レーザー光出射用窓
    を通して上記キャップ内の両チップ上に樹脂を滴下した
    後、上記回転台を略鉛直方向の軸の回りに回転させて、 上記滴下した樹脂のうち余った部分を上記キャップの内
    壁に流すようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置
    の樹脂コーティング方法。
  2. 【請求項２】 ステム上に半導体レーザチップおよびホ
    トダイオードチップが取り付けられ、上記両チップの周
    囲が、頂部にレーザー光出射用窓を有するキャップで覆
    われている半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法で
    あって、 上記レーザー光出射用窓を通して上記キャップ内の両チ
    ップ上に樹脂を滴下した後、ガス供給口とガス排出口と
    を持つエアブロー治具を上記レーザー光出射用窓に取り
    付け、上記ガス供給口から上記キャップ内にガスを流
    し、このガスを上記ガス排出口からキャップ外へ排出し
    て、 上記滴下した樹脂のうち余った部分を上記ガスとともに
    キャップ外へ排出するようにしたことを特徴とする半導
    体レーザ装置の樹脂コーティング方法。
  3. 【請求項３】 ステム上に半導体レーザチップおよびホ
    トダイオードチップが取り付けられ、上記両チップの周
    囲が、頂部にレーザー光出射用窓を有するキャップで覆
    われている半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法で
    あって、 上記レーザー光出射用窓が上向きになる状態で上記ステ
    ムを所定の超音波振動子に取り付け、上記レーザー光出
    射用窓を通して上記キャップ内の両チップ上に樹脂を滴
    下した後、上記超音波振動子を略水平方向に振動させ
    て、 上記滴下した樹脂のうち余った部分を上記キャップの内
    壁に飛散させるようにしたことを特徴とする半導体レー
    ザ装置の樹脂コーティング方法。
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