JPS58103132A - スピンナ−装置 - Google Patents
スピンナ−装置Info
- Publication number
- JPS58103132A JPS58103132A JP56201473A JP20147381A JPS58103132A JP S58103132 A JPS58103132 A JP S58103132A JP 56201473 A JP56201473 A JP 56201473A JP 20147381 A JP20147381 A JP 20147381A JP S58103132 A JPS58103132 A JP S58103132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- thin film
- mounting base
- application solution
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば集１１回路素子のＩｉ造において半導
体ウニへ−或いは転写用のマスク材上に感光性の薄膜を
形成するため、又は他の用途に用いられるスピンナー装
置に関するものである。
体ウニへ−或いは転写用のマスク材上に感光性の薄膜を
形成するため、又は他の用途に用いられるスピンナー装
置に関するものである。
一般に半導錦濶回１１葉鞄製造においては、半導体ウェ
ハー上に所望のパターンを有する、窒化ケイ素、ポリシ
リコン−１酸化ケイ素等の絶縁層、またはアルミニウム
等の金調層を形成することが必要であるが、そのために
は、通常ウェハー上にそ（８） れら絶縁層又は金一層を形成し更に感光性樹脂液を塗布
して均一な厚さの薄膜を形成し、所望パターンに応じた
パターンを有する転写マスクを通して光照射を行って前
記薄膜を前記パターンに従って光重合又は光分解せしめ
る工程が必要である。
ハー上に所望のパターンを有する、窒化ケイ素、ポリシ
リコン−１酸化ケイ素等の絶縁層、またはアルミニウム
等の金調層を形成することが必要であるが、そのために
は、通常ウェハー上にそ（８） れら絶縁層又は金一層を形成し更に感光性樹脂液を塗布
して均一な厚さの薄膜を形成し、所望パターンに応じた
パターンを有する転写マスクを通して光照射を行って前
記薄膜を前記パターンに従って光重合又は光分解せしめ
る工程が必要である。
又ここに用いられる転写マスクとしては、通常ガラス板
上にクロム、酸化クロム、酸化鉄等の金属若しくは金−
酸化物を塗布して成るハードマスク、或いはガラス板上
に微粒子乳削を塗布して成るエマルジーンマスクが用い
られているが、このマスクの形成においても、同様にマ
スク材上に感光性樹脂液を塗布して均一な厚さの薄膜を
形成する必要がある。
上にクロム、酸化クロム、酸化鉄等の金属若しくは金−
酸化物を塗布して成るハードマスク、或いはガラス板上
に微粒子乳削を塗布して成るエマルジーンマスクが用い
られているが、このマスクの形成においても、同様にマ
スク材上に感光性樹脂液を塗布して均一な厚さの薄膜を
形成する必要がある。
然るに基板上に感光性の薄膜を形成する方法としては、
感光性樹脂液に基板を浸漬する方法、或いはスプレ一方
式による方法等が知られているが、半導体集積回路素子
の製造に用いられるマスク材上に、或いは半導体ウェハ
ー上に感光性の＊＊を形成する場合には、光照射を受け
ることによりこの薄膜に線幅が１〜４μｍの微細なパタ
ーンを高（８） い精度をもって形成しな社ればならないため、薄膜の厚
さを１ｏｏｏ〜Ｉ Ｉｓ、 ０００λの範囲の大きさと
し、且つ精度を土器００人に抑えることが必要である。
感光性樹脂液に基板を浸漬する方法、或いはスプレ一方
式による方法等が知られているが、半導体集積回路素子
の製造に用いられるマスク材上に、或いは半導体ウェハ
ー上に感光性の＊＊を形成する場合には、光照射を受け
ることによりこの薄膜に線幅が１〜４μｍの微細なパタ
ーンを高（８） い精度をもって形成しな社ればならないため、薄膜の厚
さを１ｏｏｏ〜Ｉ Ｉｓ、 ０００λの範囲の大きさと
し、且つ精度を土器００人に抑えることが必要である。
このような事情から、上記の薄膜を形成する場合には、
マスク材或いは半導体ウェハー等を塗布基板としてこの
基板上に感光性樹脂より成る塗布液を滴下し、当該基板
なｓ ００−５．００ Ｏｒ、ｐ、ｍ。
マスク材或いは半導体ウェハー等を塗布基板としてこの
基板上に感光性樹脂より成る塗布液を滴下し、当該基板
なｓ ００−５．００ Ｏｒ、ｐ、ｍ。
の回転数で回転せしめて塗布液を遠心力により薄膜状に
展延させるスピンナ一方式が利用されている。
展延させるスピンナ一方式が利用されている。
ところでスピンナ一方式は、基板を高速で回転させるた
め、余剰の塗布液が大きな遠心力により飛散してチャン
バーの内壁に衝突するのみならず、この内壁面で噴−状
になってはね返って基板に再び付着するようになり、こ
の結果形成された薄膜は、その膜厚が局部的に大きくな
ってしまうので均一なものとならない。従って従来のス
ピンナー装置は、飛散した塗布液の再付着を防止するた
めに、＠えば第１図に示すようにチャンバー２内に（４
） 回転自在に設けられた基板取付台ｌの周りに、当該取付
台ｌの回転軸を中心として描いた円の直径に＃Ｌｌで取
付台ｌの回転方向と同じ方向に４５±１０度傾斜された
ルーペ一式羽根体８ｏより成るはね返り防止用の枠体８
を設けると共に、前記チャンバー３に、上記の円の接線
方向に延びる吸引排気口金を形成するようにして構成さ
れる。しかしながらこのような構成の装置においては、
基板１゜から飛散した塗布液は、その大部分が枠体８の
外側に放出されて排気口重により排田されることとなる
が、取付台１及び基板ｌＯの高ｌ！！回転に伴って枠体
８の内傭において風の流れが乱され、この乱流により基
板ｌＯから飛散した塗布液の一部は枠体８外に放出され
ずに枠体８に衝賛し、はね返って基［１０に再付着する
こととなり結局厚さの均一性の高い薄膜を得ることがで
きない。またチャンバーの内壁と基板との距離を大きく
することも考えられるが、塗布液のはね返りを確実に防
止するにはチャンバーとして相当大きなものを用いたけ
ればならず、従って作業性が悪くなるし、更に薄膜の厚
さを１０００〜４０００λ程度の可成り小さいものとす
る場合には、基板の回転数が４０００〜８０００ ｒ、
ｐ、ｍ、と高いものとされるため、可成り大きなチャン
バーを用いても塗布液のはね返りによる基板への付着を
十分に防止することはできない。
め、余剰の塗布液が大きな遠心力により飛散してチャン
バーの内壁に衝突するのみならず、この内壁面で噴−状
になってはね返って基板に再び付着するようになり、こ
の結果形成された薄膜は、その膜厚が局部的に大きくな
ってしまうので均一なものとならない。従って従来のス
ピンナー装置は、飛散した塗布液の再付着を防止するた
めに、＠えば第１図に示すようにチャンバー２内に（４
） 回転自在に設けられた基板取付台ｌの周りに、当該取付
台ｌの回転軸を中心として描いた円の直径に＃Ｌｌで取
付台ｌの回転方向と同じ方向に４５±１０度傾斜された
ルーペ一式羽根体８ｏより成るはね返り防止用の枠体８
を設けると共に、前記チャンバー３に、上記の円の接線
方向に延びる吸引排気口金を形成するようにして構成さ
れる。しかしながらこのような構成の装置においては、
基板１゜から飛散した塗布液は、その大部分が枠体８の
外側に放出されて排気口重により排田されることとなる
が、取付台１及び基板ｌＯの高ｌ！！回転に伴って枠体
８の内傭において風の流れが乱され、この乱流により基
板ｌＯから飛散した塗布液の一部は枠体８外に放出され
ずに枠体８に衝賛し、はね返って基［１０に再付着する
こととなり結局厚さの均一性の高い薄膜を得ることがで
きない。またチャンバーの内壁と基板との距離を大きく
することも考えられるが、塗布液のはね返りを確実に防
止するにはチャンバーとして相当大きなものを用いたけ
ればならず、従って作業性が悪くなるし、更に薄膜の厚
さを１０００〜４０００λ程度の可成り小さいものとす
る場合には、基板の回転数が４０００〜８０００ ｒ、
ｐ、ｍ、と高いものとされるため、可成り大きなチャン
バーを用いても塗布液のはね返りによる基板への付着を
十分に防止することはできない。
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり
、塗布液のはね返りによる基板への付着を防止して基板
の表面に厚さの均一性の高い薄膜を形成することのでき
るスピンナー装置を提供することを目的とする。
、塗布液のはね返りによる基板への付着を防止して基板
の表面に厚さの均一性の高い薄膜を形成することのでき
るスピンナー装置を提供することを目的とする。
本発明の特鍛とするところは、チャンバーと、このチャ
ンバー内に回転自在に設けられ、その表面に塗布液が塗
布される基板を取付ける取付台と、前記チャンバーに、
これの全周に亘って形成した、または周方向に沿って噂
聞隔に形成した吸引排気口とを具えて成る点にある。
ンバー内に回転自在に設けられ、その表面に塗布液が塗
布される基板を取付ける取付台と、前記チャンバーに、
これの全周に亘って形成した、または周方向に沿って噂
聞隔に形成した吸引排気口とを具えて成る点にある。
以下図面によって本発明の実施例について説明する。
第３図及び第８図の実施例においては、上面に開口６１
を有する比較的底の浅い容器５内に、回転自在に基板取
付台ｌを設け、その上面及び下面の中央が円形状に切欠
されると共に、その外嫌に、その周方向に沿って等間隔
に形成した、排気ファン（図示せず）等の排気手段に接
続される、図示の例では４Ｉｌの吸引排気口４（４ムｔ
４ Ｂ ｔ ４Ｏ−４Ｄ）を具えた、前記容器５と共
にチャンバー３を構成する排気用カバー６を、前記容器
５の開口５１ｆｐ−緩入してスピンナー装置を構成する
。
を有する比較的底の浅い容器５内に、回転自在に基板取
付台ｌを設け、その上面及び下面の中央が円形状に切欠
されると共に、その外嫌に、その周方向に沿って等間隔
に形成した、排気ファン（図示せず）等の排気手段に接
続される、図示の例では４Ｉｌの吸引排気口４（４ムｔ
４ Ｂ ｔ ４Ｏ−４Ｄ）を具えた、前記容器５と共
にチャンバー３を構成する排気用カバー６を、前記容器
５の開口５１ｆｐ−緩入してスピンナー装置を構成する
。
このような構成の実施例においては、基板取付台１上に
基板１０を取付けると共に、当該基板１０の表面に薄膜
形成物質より成る塗布液の滴を置き。
基板１０を取付けると共に、当該基板１０の表面に薄膜
形成物質より成る塗布液の滴を置き。
取付台ｌを高速で回転せしめ、これによって塗布液が遠
心力により基板１Ｇの表面に展延せしめられて薄膜状と
される。一方排気フアン等の排気手段を作動せしめるこ
とにより、チャンバー２内の空気が吸引排気口金から吸
引されることとなり、この風と共に、遠心力により飛散
した塗布液が吸引排気口金より排気されることとなる。
心力により基板１Ｇの表面に展延せしめられて薄膜状と
される。一方排気フアン等の排気手段を作動せしめるこ
とにより、チャンバー２内の空気が吸引排気口金から吸
引されることとなり、この風と共に、遠心力により飛散
した塗布液が吸引排気口金より排気されることとなる。
而して上述の実施例においては、チャンバー３（テ
） の周方向に沿って等間隔に置数（４１１）の吸引排叛口
重を形成した＊威であるため、チャンバー８内の空気は
、取付台ｌの回転軸に対して対称に４方向に排気される
ようになって対称な流れを形成するようになり、従って
基板１０及びその取付台１が高速で回転してもその周囲
には乱流を生ずることがない。従って基＆ｌＯより飛散
した塗布液の一部がチャンバ−３の内壁に衝突して噴霧
状となったとしても、それが基＃ｉ１０に引き寄せられ
ることなく円滑にチャンバー３の外に排出されることと
なり、この結果基板ｌＯの表面に厚さの均一性の高い薄
膜を形成することができる。
） の周方向に沿って等間隔に置数（４１１）の吸引排叛口
重を形成した＊威であるため、チャンバー８内の空気は
、取付台ｌの回転軸に対して対称に４方向に排気される
ようになって対称な流れを形成するようになり、従って
基板１０及びその取付台１が高速で回転してもその周囲
には乱流を生ずることがない。従って基＆ｌＯより飛散
した塗布液の一部がチャンバ−３の内壁に衝突して噴霧
状となったとしても、それが基＃ｉ１０に引き寄せられ
ることなく円滑にチャンバー３の外に排出されることと
なり、この結果基板ｌＯの表面に厚さの均一性の高い薄
膜を形成することができる。
第４図及び第６図は本発明の他の実施例を示し、この実
施例においては、上面に開ロア１を有する、比較的底の
深いチャンバー３を構成する容器フの中央部に、回転自
在に基板取付台１を設けると共に、このチャンバー３内
に、前記取付台１を取り囲むよう円錐状の補助カバー７
３を配設し、前記チャンバー８に、周方向に沿って等間
隔に４ケ所に吸引排気口重（鳴ムＩ ４Ｂ 、 ４０
、４Ｄ ）を設けてスピンナー装置を構成する。このよ
うな構成のスピンナー装置において、補助カバー７２は
風の整流作用を果すが、基本的に既述の実施例と同様の
作用効果を有する。
施例においては、上面に開ロア１を有する、比較的底の
深いチャンバー３を構成する容器フの中央部に、回転自
在に基板取付台１を設けると共に、このチャンバー３内
に、前記取付台１を取り囲むよう円錐状の補助カバー７
３を配設し、前記チャンバー８に、周方向に沿って等間
隔に４ケ所に吸引排気口重（鳴ムＩ ４Ｂ 、 ４０
、４Ｄ ）を設けてスピンナー装置を構成する。このよ
うな構成のスピンナー装置において、補助カバー７２は
風の整流作用を果すが、基本的に既述の実施例と同様の
作用効果を有する。
［ｈの実施例においては、チャンバー８の周方向に沿っ
て岬間誠に４個の吸引排気口４を形成しているが本発明
においては、等間隔に２１Ｉ若しくは８個、または６個
以上の吸引排気口４を形成してもよいし、或いは前記チ
ャンバー２の全周に亘る吸引排気口重を形成してもよい
。
て岬間誠に４個の吸引排気口４を形成しているが本発明
においては、等間隔に２１Ｉ若しくは８個、または６個
以上の吸引排気口４を形成してもよいし、或いは前記チ
ャンバー２の全周に亘る吸引排気口重を形成してもよい
。
具体例１
第Ｓ図及び第８図に示した構成の装置を用い、冬吸引排
気口重より排気ファンによって４０００１／分の排気速
度で排気すると共に、ガラス板上にクロム層を形成して
成る、５インチ四方の基板１０の表面に感光性樹脂液Ｓ
ＣＣを置いて当該基板１ｏｔｓｏｏｏ〜）ｏ ｏ ｏ
ｒ、ｐ、ｍ、 ノ回転数で回転させ、チャンバー２内
を投光機で観察したところ、チャンバー８の内壁、で衝
突して噴霧状となった樹脂液は、基板１０にはね返るこ
となく吸引排（９） 気口４より排気されることが観察された。そして基板１
０の表面に形成された感光性の薄膜は、膜厚が局部的に
大きくなることなく均一性の高いものであった。
気口重より排気ファンによって４０００１／分の排気速
度で排気すると共に、ガラス板上にクロム層を形成して
成る、５インチ四方の基板１０の表面に感光性樹脂液Ｓ
ＣＣを置いて当該基板１ｏｔｓｏｏｏ〜）ｏ ｏ ｏ
ｒ、ｐ、ｍ、 ノ回転数で回転させ、チャンバー２内
を投光機で観察したところ、チャンバー８の内壁、で衝
突して噴霧状となった樹脂液は、基板１０にはね返るこ
となく吸引排（９） 気口４より排気されることが観察された。そして基板１
０の表面に形成された感光性の薄膜は、膜厚が局部的に
大きくなることなく均一性の高いものであった。
具体例２
第４図及び＃！５図に示した構成の装置を用し１、基４
ｋＩＯの回転数を１０００−フｏ ｏ ｏ ｒ、ｐ、ｍ
。
ｋＩＯの回転数を１０００−フｏ ｏ ｏ ｒ、ｐ、ｍ
。
とした他は具体例１と同様の条件で薄膜を形成したとこ
ろ、具体例１と同様に厚さの均一性の高い薄膜を得るこ
とができたＯ 以上のように本発明によれば、塗布液のはね返りによる
基板への付着を確実に防止することができ、厚さの均一
性の高い薄−簾を形成することができる。
ろ、具体例１と同様に厚さの均一性の高い薄膜を得るこ
とができたＯ 以上のように本発明によれば、塗布液のはね返りによる
基板への付着を確実に防止することができ、厚さの均一
性の高い薄−簾を形成することができる。
第１図は従来におけるスピンナー装置の説明用断面図、
第３図及び＃１１８図はそれぞれ本発明の一実施例にお
ける縦断正面図及び平向図、第４図及び第５図はそれぞ
れ本発明の他の実施例の縦断正面図及び平面図である。 （ｌＯ） ｌ・・・基板取付台 ２・・・チャンバー８・・
・枠体 番・・・吸引排気口す、マ・・・
容器 ６・・・排気用カバー１０−・・基板 ３０１ 乍２胆
第３図及び＃１１８図はそれぞれ本発明の一実施例にお
ける縦断正面図及び平向図、第４図及び第５図はそれぞ
れ本発明の他の実施例の縦断正面図及び平面図である。 （ｌＯ） ｌ・・・基板取付台 ２・・・チャンバー８・・
・枠体 番・・・吸引排気口す、マ・・・
容器 ６・・・排気用カバー１０−・・基板 ３０１ 乍２胆
Claims (1)
- １）チャンバーと、このチャンバー内に回転自在に設け
られた、その表向に塗布液が塗布される基板を取付ける
取付台と、前記チャンバーに、これの全周に亘って形成
した、または周方向に沿って略間隔に形成した吸引排気
口とを具えて成ることを特徴とするスピンナー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201473A JPS58103132A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | スピンナ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201473A JPS58103132A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | スピンナ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103132A true JPS58103132A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16441658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201473A Pending JPS58103132A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | スピンナ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103132A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121839A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | スピン塗布装置 |
| WO1987006725A3 (fr) * | 1986-04-22 | 1987-12-17 | Thomson Csf | Procede et appareil d'etalement de resine par centrifugation |
| EP0633615A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin coating method for a semiconductor laser chip and photodiode chips |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036534A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-05 | ||
| JPS537467B2 (ja) * | 1976-04-19 | 1978-03-17 | ||
| JPS549919A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-25 | Hitachi Ltd | Photoresist coating device |
| JPS5431280A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Photo resist coating device |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56201473A patent/JPS58103132A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036534A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-05 | ||
| JPS537467B2 (ja) * | 1976-04-19 | 1978-03-17 | ||
| JPS549919A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-25 | Hitachi Ltd | Photoresist coating device |
| JPS5431280A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Photo resist coating device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121839A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | スピン塗布装置 |
| WO1987006725A3 (fr) * | 1986-04-22 | 1987-12-17 | Thomson Csf | Procede et appareil d'etalement de resine par centrifugation |
| EP0633615A1 (en) * | 1993-07-05 | 1995-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin coating method for a semiconductor laser chip and photodiode chips |
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