JPH07248619A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH07248619A JPH07248619A JP4227194A JP4227194A JPH07248619A JP H07248619 A JPH07248619 A JP H07248619A JP 4227194 A JP4227194 A JP 4227194A JP 4227194 A JP4227194 A JP 4227194A JP H07248619 A JPH07248619 A JP H07248619A
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- Japan
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- photoresist composition
- positive photoresist
- solution
- naphthoquinonediazide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】従来のレジスト特性を低下させることなく、時
間経過に伴う異物の発生のない保存安定性に優れたポジ
型フォトレジスト組成物を得ること。 【構成】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノンジ
アジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
において、酸性化合物をフォトレジスト組成物に対して
０．０１〜１重量％含有するポジ型フォトレジスト。
間経過に伴う異物の発生のない保存安定性に優れたポジ
型フォトレジスト組成物を得ること。 【構成】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノンジ
アジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
において、酸性化合物をフォトレジスト組成物に対して
０．０１〜１重量％含有するポジ型フォトレジスト。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポジ型フォトレジストに
関し、いわゆる半導体の製造工程、ＴＦＴを含む液晶表
示装置の製造工程および各種エッチングパーツなどの製
造工程において高感度かつ溶液として用いる場合、時間
経過に伴う異物の発生のない保存安定性の優れたポジ型
フォトレジスト組成物に関するものである。
関し、いわゆる半導体の製造工程、ＴＦＴを含む液晶表
示装置の製造工程および各種エッチングパーツなどの製
造工程において高感度かつ溶液として用いる場合、時間
経過に伴う異物の発生のない保存安定性の優れたポジ型
フォトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積化度の向上にともなって、微細化が
進み、超ＬＳＩの時代となり、サブミクロンオーダーの
設計の時代になっている。それに伴いフォトリソグラフ
ィ技術に対する要求も年々厳しくなっている。このフォ
トリソグラフィの技術において、従来レジストとして環
化ゴムにビスアジド系架橋剤を添加したネガ型フォトレ
ジストが用いられてきた。しかし、このタイプは溶剤現
像である為、膨潤の問題があり３．０μｍ以上の解像度
を得ることが出来なかった。さらにサブミクロンからハ
ーフミクロンの時代を迎え材料的には転換期にさしかか
り、等倍のコンタクト露光技術から、ステッパーと呼ば
れる縮小投影露光装置が出現してきた。しかし、ステッ
パーを用いた場合露光には長時間要し、スループットが
低下するという問題があった。
進み、超ＬＳＩの時代となり、サブミクロンオーダーの
設計の時代になっている。それに伴いフォトリソグラフ
ィ技術に対する要求も年々厳しくなっている。このフォ
トリソグラフィの技術において、従来レジストとして環
化ゴムにビスアジド系架橋剤を添加したネガ型フォトレ
ジストが用いられてきた。しかし、このタイプは溶剤現
像である為、膨潤の問題があり３．０μｍ以上の解像度
を得ることが出来なかった。さらにサブミクロンからハ
ーフミクロンの時代を迎え材料的には転換期にさしかか
り、等倍のコンタクト露光技術から、ステッパーと呼ば
れる縮小投影露光装置が出現してきた。しかし、ステッ
パーを用いた場合露光には長時間要し、スループットが
低下するという問題があった。
【０００３】最近、感度向上の為に感光剤に２，３，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの水酸基に
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸または
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸をエス
テル化したものを用いるという提案がなされている（特
公昭６２−２８４５７号公報）。ただし、２，３，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸または１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸をエステル化したも
のは溶剤への溶解性に乏しく、ある程度溶解させると溶
液に異物が発生しやすくなり、あまり高感度のものが得
られなかった。よって、溶解性向上のために２，３，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの４つの水
酸基に１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
または１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
を１００％完全にエステル化しないものを用いるという
提案もなされている（特開昭６１−１８５７４１号公
報）。
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの水酸基に
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸または
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸をエス
テル化したものを用いるという提案がなされている（特
公昭６２−２８４５７号公報）。ただし、２，３，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸または１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸をエステル化したも
のは溶剤への溶解性に乏しく、ある程度溶解させると溶
液に異物が発生しやすくなり、あまり高感度のものが得
られなかった。よって、溶解性向上のために２，３，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの４つの水
酸基に１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
または１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
を１００％完全にエステル化しないものを用いるという
提案もなされている（特開昭６１−１８５７４１号公
報）。
【０００４】しかしながら、これらの２，３，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンの４つの水酸基を１
００％完全にエステル化しないものも、前記した従来の
ポジ型フォトレジスト組成物がもつ欠点を十分に克服し
うるものではなく、高感度かつ溶液として用いる場合、
時間の経過に伴う異物の発生のない組成物は見い出され
ていないのが現状であった。
−テトラヒドロキシベンゾフェノンの４つの水酸基を１
００％完全にエステル化しないものも、前記した従来の
ポジ型フォトレジスト組成物がもつ欠点を十分に克服し
うるものではなく、高感度かつ溶液として用いる場合、
時間の経過に伴う異物の発生のない組成物は見い出され
ていないのが現状であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点を解決するためになされたものであり、その課題
とするところは、特に半導体の製造工程、ＴＦＴを含む
液晶表示装置の製造工程および各種エッチングパーツな
どの製造工程において、高感度かつ溶液として用いる場
合、時間の経過に伴う異物の発生のない保存安定性の優
れたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあ
る。
問題点を解決するためになされたものであり、その課題
とするところは、特に半導体の製造工程、ＴＦＴを含む
液晶表示装置の製造工程および各種エッチングパーツな
どの製造工程において、高感度かつ溶液として用いる場
合、時間の経過に伴う異物の発生のない保存安定性の優
れたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するため、アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノン
ジアジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成
物において、酸性化合物を含有させることを特徴とする
ポジ型フォトレジスト組成物を提供するものであり、前
記酸性化合物がｐ−トルエンスルホン酸、酢酸、しゅう
酸、リン酸等の有機酸、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸で
あることを特徴とする。また、前記酸性化合物の含有量
がフォトレジスト組成物に対して０．０５〜１重量％で
あることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物を提
供する。
するため、アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノン
ジアジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成
物において、酸性化合物を含有させることを特徴とする
ポジ型フォトレジスト組成物を提供するものであり、前
記酸性化合物がｐ−トルエンスルホン酸、酢酸、しゅう
酸、リン酸等の有機酸、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸で
あることを特徴とする。また、前記酸性化合物の含有量
がフォトレジスト組成物に対して０．０５〜１重量％で
あることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物を提
供する。
【０００７】本発明は、前記酸性化合物を１，２−ナフ
トキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂に添加
させることにより、従来のポジ型フォトレジストの諸特
性を低下させることなく、高感度かつ溶液として用いる
場合、簡単に時間の経過に伴う異物の発生のない保存安
定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を得ることが
できる。
トキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂に添加
させることにより、従来のポジ型フォトレジストの諸特
性を低下させることなく、高感度かつ溶液として用いる
場合、簡単に時間の経過に伴う異物の発生のない保存安
定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を得ることが
できる。
【０００８】本発明にかかる、酸性化合物の含有量とし
ては、フォトレジスト組成物に対して０．０５〜１重量
％、好ましくは０．０７５〜０．１５重量％含有された
ものを用いる。含有量がこれ以上であるとレジストの諸
特性は低下し、含有量がこれ以下であると効果が現れな
い。
ては、フォトレジスト組成物に対して０．０５〜１重量
％、好ましくは０．０７５〜０．１５重量％含有された
ものを用いる。含有量がこれ以上であるとレジストの諸
特性は低下し、含有量がこれ以下であると効果が現れな
い。
【０００９】アルカリ可溶性樹脂としては、フェノール
またはクレゾールなどとホルムアルデヒド類とから製造
されるノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアルキルエーテルなどを挙げることができる。
またはクレゾールなどとホルムアルデヒド類とから製造
されるノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアルキルエーテルなどを挙げることができる。
【００１０】１，２−ナフトキノンジアジド系感光剤と
しては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸のエス
テル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエス
テル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
のエステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸のエステル、２，２’，３，４，４’−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸のエステル、２，２’，３，４，
４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルなどを挙
げることが出来る。
しては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸のエス
テル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエス
テル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
のエステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸のエステル、２，２’，３，４，４’−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸のエステル、２，２’，３，４，
４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルなどを挙
げることが出来る。
【００１１】溶剤の例としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどの
ケトン系溶剤、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶剤、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙
げることが出来る。これらは単独で用いてもよいし、ま
た２種類以上混合して用いてもよい。
ルケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどの
ケトン系溶剤、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶剤、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙
げることが出来る。これらは単独で用いてもよいし、ま
た２種類以上混合して用いてもよい。
【００１２】本発明の酸性化合物の使用方法について
は、まず基板上に本発明のポジ型フォトレジスト組成物
を前記したような適当な溶剤に溶かし、これをスピンナ
ーなどで塗布し、プリベークを行い、超高圧水銀灯など
を用いてマスクパターンを介して露光する。次にこれを
アルカリ性水溶液に浸漬することでマスクパターンに忠
実な画像を得ることが出来る。
は、まず基板上に本発明のポジ型フォトレジスト組成物
を前記したような適当な溶剤に溶かし、これをスピンナ
ーなどで塗布し、プリベークを行い、超高圧水銀灯など
を用いてマスクパターンを介して露光する。次にこれを
アルカリ性水溶液に浸漬することでマスクパターンに忠
実な画像を得ることが出来る。
【００１３】
【作用】レジストの状態で中性であるポジ型フォトレジ
ストは、アルカリ可溶性樹脂とアルカリ不溶性感光剤か
ら成る。レジストは露光されるとアルカリに可溶になる
が、未露光であると溶液中がアルカリサイドになると異
物である感光剤が析出してくる。よって中性より若干酸
性サイドにすることで異物が析出しにくい状態にする。
よって、本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、保存
安定性が極めてよい。よってこれらの組成物を溶液とし
て用いると、時間の経過に伴う異物の発生はほとんどみ
られない。また、本出願人の特願平５−２９１８５２号
明細書に記載の感光物を使用したものに比べて感度は低
下することなく、酸性化合物を添加することで保存性を
安定させることができる。
ストは、アルカリ可溶性樹脂とアルカリ不溶性感光剤か
ら成る。レジストは露光されるとアルカリに可溶になる
が、未露光であると溶液中がアルカリサイドになると異
物である感光剤が析出してくる。よって中性より若干酸
性サイドにすることで異物が析出しにくい状態にする。
よって、本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、保存
安定性が極めてよい。よってこれらの組成物を溶液とし
て用いると、時間の経過に伴う異物の発生はほとんどみ
られない。また、本出願人の特願平５−２９１８５２号
明細書に記載の感光物を使用したものに比べて感度は低
下することなく、酸性化合物を添加することで保存性を
安定させることができる。
【００１４】
＜実施例１＞２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸のエステル化物４．８４ｇを、メチルセロソルブ
アセテート３９ｇに完全に溶解させ、溶液１とした。ま
た、クレゾールノボラック樹脂（重量平均分子量２５０
００、ポリスチレン換算）１７．１６ｇをメチルセロソ
ルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶液２とした。溶液
１に溶液２とｐ−トルエンスルホン酸０．１ｇを６５〜
７５℃、１５ｍｉｎで完全に溶解させ、この溶液を０．
２μｍのフィルターでろ過し、フォトレジストを調製し
た。
ゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸のエステル化物４．８４ｇを、メチルセロソルブ
アセテート３９ｇに完全に溶解させ、溶液１とした。ま
た、クレゾールノボラック樹脂（重量平均分子量２５０
００、ポリスチレン換算）１７．１６ｇをメチルセロソ
ルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶液２とした。溶液
１に溶液２とｐ−トルエンスルホン酸０．１ｇを６５〜
７５℃、１５ｍｉｎで完全に溶解させ、この溶液を０．
２μｍのフィルターでろ過し、フォトレジストを調製し
た。
【００１５】このフォトレジストをクロム基板に膜厚が
８５００Åになるようにスピンコートし、９０℃、５０
分でプリベークを行った。超高圧水銀灯露光装置（キャ
ノン（株）製：「ＰＬＡ−５００ＦＡ」）を用いて１．
８ｍＪ／ｃｍ2 〜４２．８ｍＪ／ｃｍ2 まで露光量を振
って露光した。その後、水酸化ナトリウム４重量部およ
び炭酸ナトリウム５重量部を水１０００重量部に溶解さ
せた溶液で４０秒間現像し、よく水洗いした。
８５００Åになるようにスピンコートし、９０℃、５０
分でプリベークを行った。超高圧水銀灯露光装置（キャ
ノン（株）製：「ＰＬＡ−５００ＦＡ」）を用いて１．
８ｍＪ／ｃｍ2 〜４２．８ｍＪ／ｃｍ2 まで露光量を振
って露光した。その後、水酸化ナトリウム４重量部およ
び炭酸ナトリウム５重量部を水１０００重量部に溶解さ
せた溶液で４０秒間現像し、よく水洗いした。
【００１６】次にポストベークし、感度と未露光部の残
膜率を測定した。結果を表１に示す。また、温度２０℃
における保存安定性の結果については表２に示した。
膜率を測定した。結果を表１に示す。また、温度２０℃
における保存安定性の結果については表２に示した。
【００１７】＜比較例１＞２，３，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸のエステル化物４．８４ｇを、メチ
ルセロソルブアセテート３９ｇに完全に溶解させ、溶液
１とした。また、クレゾールノボラック樹脂（重量平均
分子量２５０００、ポリスチレン換算）１７．１６ｇを
メチルセロソルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶液２
とした。溶液１に溶液２と１％水酸化ナトリウム溶液
０．１ｇを６５〜７５℃、１５ｍｉｎで完全に溶解さ
せ、この溶液を０．２μｍのフィルターでろ過し、フォ
トレジストを調製した。
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸のエステル化物４．８４ｇを、メチ
ルセロソルブアセテート３９ｇに完全に溶解させ、溶液
１とした。また、クレゾールノボラック樹脂（重量平均
分子量２５０００、ポリスチレン換算）１７．１６ｇを
メチルセロソルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶液２
とした。溶液１に溶液２と１％水酸化ナトリウム溶液
０．１ｇを６５〜７５℃、１５ｍｉｎで完全に溶解さ
せ、この溶液を０．２μｍのフィルターでろ過し、フォ
トレジストを調製した。
【００１８】このフォトレジストを実施例１と同様な方
法でレジストパターンを得た。結果を表１に示した。ま
た、このレジストについても温度２０℃における保存安
定性テストを行い、結果を表２に示した。
法でレジストパターンを得た。結果を表１に示した。ま
た、このレジストについても温度２０℃における保存安
定性テストを行い、結果を表２に示した。
【００１９】＜比較例２＞２，３，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸のエステル化物４．８４ｇを、メチ
ルセロソルブアセテート３９ｇに完全に溶解させ、溶液
１とした。また、クレゾールノボラック樹脂（重量平均
分子量２５０００、ポリスチレン換算）１７．１６ｇを
メチルセロソルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶液２
とした。溶液１に溶液２と水０．１ｇを６５〜７５℃、
１５ｍｉｎで完全に溶解させ、この溶液を０．２μｍの
フィルターでろ過し、フォトレジストを調製した。
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸のエステル化物４．８４ｇを、メチ
ルセロソルブアセテート３９ｇに完全に溶解させ、溶液
１とした。また、クレゾールノボラック樹脂（重量平均
分子量２５０００、ポリスチレン換算）１７．１６ｇを
メチルセロソルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶液２
とした。溶液１に溶液２と水０．１ｇを６５〜７５℃、
１５ｍｉｎで完全に溶解させ、この溶液を０．２μｍの
フィルターでろ過し、フォトレジストを調製した。
【００２０】このフォトレジストを実施例１と同様な方
法でレジストパターンを得た。結果を表１に示した。ま
た、このレジストについても温度２０℃における保存安
定性テストを行い、結果を表２に示した。
法でレジストパターンを得た。結果を表１に示した。ま
た、このレジストについても温度２０℃における保存安
定性テストを行い、結果を表２に示した。
【００２１】＜比較例３＞感光剤に平均して３個の水酸
基がエステル化されている２，３，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸の部分エステル化物４．８４ｇを、
メチルセロソルブアセテート３９ｇに完全に溶解させ、
溶液１とした。また、クレゾールノボラック樹脂（重量
平均分子量２５０００、ポリスチレン換算）１７．１６
ｇをメチルセロソルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶
液２とした。溶液１に溶液２を６５〜７５℃、１５ｍｉ
ｎで完全に溶解させ、この溶液を０．２μｍのフィルタ
ーでろ過し、フォトレジストを調製した。
基がエステル化されている２，３，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸の部分エステル化物４．８４ｇを、
メチルセロソルブアセテート３９ｇに完全に溶解させ、
溶液１とした。また、クレゾールノボラック樹脂（重量
平均分子量２５０００、ポリスチレン換算）１７．１６
ｇをメチルセロソルブアセテート３９ｇに溶解させ、溶
液２とした。溶液１に溶液２を６５〜７５℃、１５ｍｉ
ｎで完全に溶解させ、この溶液を０．２μｍのフィルタ
ーでろ過し、フォトレジストを調製した。
【００２２】このフォトレジストを実施例１と同様な方
法でレジストパターンを得た。結果を表１に示した。ま
た、このレジストについても温度２０℃における保存安
定性テストを行い、結果を表２に示した。
法でレジストパターンを得た。結果を表１に示した。ま
た、このレジストについても温度２０℃における保存安
定性テストを行い、結果を表２に示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】以上に示したように、本発明のポジ型フ
ォトレジスト組成物は、高感度のポジ型フォトレジスト
に比べてレジスト特性が劣ることなく、かつ少量の酸性
化合物を含有することにより簡単に異物の発生を抑える
ことができる。実施例において、１ヶ月以上経過して
も、レジスト特性およびフォトレジスト組成物中に異物
の発生はほとんどみられなかった。
ォトレジスト組成物は、高感度のポジ型フォトレジスト
に比べてレジスト特性が劣ることなく、かつ少量の酸性
化合物を含有することにより簡単に異物の発生を抑える
ことができる。実施例において、１ヶ月以上経過して
も、レジスト特性およびフォトレジスト組成物中に異物
の発生はほとんどみられなかった。
Claims (3)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノ
ンジアジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組
成物において、酸性化合物を含有することを特徴とする
ポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項２】前記酸性化合物が、ｐ−トルエンスルホン
酸、酢酸、しゅう酸、リン酸、塩酸、硝酸、硫酸のいず
れかであることを特徴とする請求項１記載のポジ型フォ
トレジスト組成物。 - 【請求項３】前記酸性化合物の含有量がフォトレジスト
組成物に対して０．０５〜１重量％であることを特徴と
する請求項１、２記載のポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4227194A JPH07248619A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4227194A JPH07248619A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07248619A true JPH07248619A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12631382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4227194A Pending JPH07248619A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07248619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004705A1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-18 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Alkali development type photocurable composition and pattern of burned matter obtained from the same |
| US7060410B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-06-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Novolak resin solution, positive photoresist composition and preparation method thereof |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP4227194A patent/JPH07248619A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004705A1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-18 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Alkali development type photocurable composition and pattern of burned matter obtained from the same |
| US6793850B2 (en) | 1999-07-12 | 2004-09-21 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Alkali development type photocurable composition and calcined pattern obtained by use of the same |
| US7060410B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-06-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Novolak resin solution, positive photoresist composition and preparation method thereof |
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