JPH0730032A - 封止樹脂層外のタイバーの切断方法 - Google Patents
封止樹脂層外のタイバーの切断方法Info
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- JPH0730032A JPH0730032A JP5172904A JP17290493A JPH0730032A JP H0730032 A JPH0730032 A JP H0730032A JP 5172904 A JP5172904 A JP 5172904A JP 17290493 A JP17290493 A JP 17290493A JP H0730032 A JPH0730032 A JP H0730032A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の封止樹脂層3の厚さ
が小さい場合生ずる外観不良や樹脂封止型半導体装置の
信頼性の低下を防止する点。 【構成】 本発明に係わるタイバ−の切断方法は従来の
シュアカットに代えて金属疲労による切断方式を採用す
る。
が小さい場合生ずる外観不良や樹脂封止型半導体装置の
信頼性の低下を防止する点。 【構成】 本発明に係わるタイバ−の切断方法は従来の
シュアカットに代えて金属疲労による切断方式を採用す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止工程を終えた封
止樹脂層外のタイバ−切断工程の改良に係わる。
止樹脂層外のタイバ−切断工程の改良に係わる。
【0002】
【従来の技術】能動素子または受動素子を造り込んだ半
導体基板の組立方法には、いわゆるタブ方式に加えてリ
−ドフレ−ム即ち導電性板体を利用する方法も依然とし
て多用されており、半導体素子の集積度の増大に対応し
て従来より厚さが薄く形成し、プレス工程でなくエッチ
ング工程により製造するのが一般的である。従ってハン
ドリングや製造工程中での変形を防止するためにアウタ
−リ−ド列に対応する導電性板体部分に空隙部を設置す
る手法が採られている。
導体基板の組立方法には、いわゆるタブ方式に加えてリ
−ドフレ−ム即ち導電性板体を利用する方法も依然とし
て多用されており、半導体素子の集積度の増大に対応し
て従来より厚さが薄く形成し、プレス工程でなくエッチ
ング工程により製造するのが一般的である。従ってハン
ドリングや製造工程中での変形を防止するためにアウタ
−リ−ド列に対応する導電性板体部分に空隙部を設置す
る手法が採られている。
【0003】図1乃至図3には導電性板体1に樹脂封止
型半導体装置2をマウント後行うプリカット工程前後の
上面図を明らかにしたが、その説明前に導電性板体1の
構造について述べる。即ち導電性板体1は、従来と同様
に設けるアイランドに半導体素子を固着後トランスファ
モ−ルド法による樹脂封止工程を行って埋設すると共に
封止樹脂層3外にアウタ−リ−ド4を列状に導出する。
勿論半導体素子とアウタ−リ−ド4は電気的に接続状態
とする。図4におけるaは樹脂封止工程でのゲ−トから
生ずる樹脂カスである。
型半導体装置2をマウント後行うプリカット工程前後の
上面図を明らかにしたが、その説明前に導電性板体1の
構造について述べる。即ち導電性板体1は、従来と同様
に設けるアイランドに半導体素子を固着後トランスファ
モ−ルド法による樹脂封止工程を行って埋設すると共に
封止樹脂層3外にアウタ−リ−ド4を列状に導出する。
勿論半導体素子とアウタ−リ−ド4は電気的に接続状態
とする。図4におけるaは樹脂封止工程でのゲ−トから
生ずる樹脂カスである。
【0004】導電性板体1の形状は型により異なるが本
発明方法において利用するものは、図1に明らかなよう
に相対向して配置する枠5間に樹脂封止型半導体素子2
を配置するアイランド(図示せず)を設置し、前記のよ
うにこれに接続する吊りピン6にタイバ−7を連続しか
つ枠5に接続して一体構造を採っている。
発明方法において利用するものは、図1に明らかなよう
に相対向して配置する枠5間に樹脂封止型半導体素子2
を配置するアイランド(図示せず)を設置し、前記のよ
うにこれに接続する吊りピン6にタイバ−7を連続しか
つ枠5に接続して一体構造を採っている。
【0005】更に半導体素子2に電気的に接続し封止樹
脂層3外に列状に導出するアウタ−リ−ド4に対向する
位置に空隙部8を形成して厚さが薄い導電性板体1の変
形を防止する。そして封止樹脂層3の対称的な位置に形
成するタイバ−7に隣接する導電性板体1部分の中で1
個所だけはタイバ−7に連続する形状とする。更にまた
樹脂封止型半導体素子2をタイバ−7を介して連続状態
とする枠5には、搬送用のパイロット穴9を形成する。
脂層3外に列状に導出するアウタ−リ−ド4に対向する
位置に空隙部8を形成して厚さが薄い導電性板体1の変
形を防止する。そして封止樹脂層3の対称的な位置に形
成するタイバ−7に隣接する導電性板体1部分の中で1
個所だけはタイバ−7に連続する形状とする。更にまた
樹脂封止型半導体素子2をタイバ−7を介して連続状態
とする枠5には、搬送用のパイロット穴9を形成する。
【0006】図4に示すように封止樹脂層3の対称的な
位置即ち吊りピン6の端部とタイバ−7が連続する場所
は、樹脂封止工程時における金型のキャビティ(Cavity)
に流入する溶融樹脂のいわゆるゲ−トとして機能する場
所である。
位置即ち吊りピン6の端部とタイバ−7が連続する場所
は、樹脂封止工程時における金型のキャビティ(Cavity)
に流入する溶融樹脂のいわゆるゲ−トとして機能する場
所である。
【0007】タイバ−7の切断に先立って不必要な導電
性板体1部分のプリカット工程を行うが、図1がこの工
程前、図2及び図3にこの工程後の状態を上面図により
示す。
性板体1部分のプリカット工程を行うが、図1がこの工
程前、図2及び図3にこの工程後の状態を上面図により
示す。
【0008】図2はパイロット穴9をガイドとして行
い、図3はポケットに封止樹脂層3を配置後即ち封止樹
脂層3をガイドとして行った後の状態の上面図である。
この図から明らかなように各アウタ−リ−ド4の端部は
この時点で未だ連続した状態である。
い、図3はポケットに封止樹脂層3を配置後即ち封止樹
脂層3をガイドとして行った後の状態の上面図である。
この図から明らかなように各アウタ−リ−ド4の端部は
この時点で未だ連続した状態である。
【0009】このような形状のタイバ−7を封止樹脂層
3から切断するには金型を使用するのが従来方式であ
る。図5に示すように導電性板体1にマウントした樹脂
封止型半導体装置2の封止樹脂層3を受け台10で支
え、カットポンチ11によりタイバ−7をいわゆるシュ
アカットして導電性板体1を分離する。
3から切断するには金型を使用するのが従来方式であ
る。図5に示すように導電性板体1にマウントした樹脂
封止型半導体装置2の封止樹脂層3を受け台10で支
え、カットポンチ11によりタイバ−7をいわゆるシュ
アカットして導電性板体1を分離する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このような方法により
タイバ−7と封止樹脂層3から分離する際、封止樹脂層
3の厚さが3.6mmの場合(図5参照)その強度によ
り問題が無かった。しかし図6に示すように、厚さが
1.4mm以下の封止樹脂層3を備えた樹脂封止型半導
体装置2をマウントした導電性板体1のタイバ−7を切
断する際には樹脂強度が低下するために封止樹脂層3の
欠けbが発生したり、図7のような封止樹脂層3とアウ
タ−リ−ド4間が界面剥離即ちマイクロギャップcが生
じて、外観不良や信頼性の低下をもたらした。
タイバ−7と封止樹脂層3から分離する際、封止樹脂層
3の厚さが3.6mmの場合(図5参照)その強度によ
り問題が無かった。しかし図6に示すように、厚さが
1.4mm以下の封止樹脂層3を備えた樹脂封止型半導
体装置2をマウントした導電性板体1のタイバ−7を切
断する際には樹脂強度が低下するために封止樹脂層3の
欠けbが発生したり、図7のような封止樹脂層3とアウ
タ−リ−ド4間が界面剥離即ちマイクロギャップcが生
じて、外観不良や信頼性の低下をもたらした。
【0011】本発明はこのような事情により成されたも
ので、樹脂封止型半導体装置の封止樹脂層3の厚さが小
さい場合生ずる外観不良や樹脂封止型半導体装置の信頼
性の低下を防止する。
ので、樹脂封止型半導体装置の封止樹脂層3の厚さが小
さい場合生ずる外観不良や樹脂封止型半導体装置の信頼
性の低下を防止する。
【0012】
【課題を解決するための手段】導電性板体の対称的な位
置に枠を形成する工程と,樹脂封止型半導体装置を配置
するアイランドを前記導電性板体に形成する工程と,こ
のアイランドを囲む前記導電性板体の対称的な位置に吊
りピンを形成する工程と,この吊りピンに前記アイラン
ドを固定する工程と,この吊りピンを含む封止樹脂層の
対称的な位置に前記吊りピンに連続するタイバ−部分を
露出しかつ枠に連続する工程と,前記封止樹脂層外に導
出する半導体素子のアウタ−リ−ド列に対応して前記導
電性板体部分に空隙部を設置する工程と,前記露出する
吊りピンに連続するタイバ−部分に応力集中に付与する
工程とに本発明に係わるタイバ−の切断方法の特徴があ
る。
置に枠を形成する工程と,樹脂封止型半導体装置を配置
するアイランドを前記導電性板体に形成する工程と,こ
のアイランドを囲む前記導電性板体の対称的な位置に吊
りピンを形成する工程と,この吊りピンに前記アイラン
ドを固定する工程と,この吊りピンを含む封止樹脂層の
対称的な位置に前記吊りピンに連続するタイバ−部分を
露出しかつ枠に連続する工程と,前記封止樹脂層外に導
出する半導体素子のアウタ−リ−ド列に対応して前記導
電性板体部分に空隙部を設置する工程と,前記露出する
吊りピンに連続するタイバ−部分に応力集中に付与する
工程とに本発明に係わるタイバ−の切断方法の特徴があ
る。
【0013】
【作用】本発明に係わるタイバ−の切断方法は従来のシ
ュアカットに代えて金属疲労による切断方式を採用す
る。
ュアカットに代えて金属疲労による切断方式を採用す
る。
【0014】
【実施例】本発明に係わる実施例を図8乃至図14を参
照して説明するが、本発明のタイバ−の切断方法におい
ては導電性板体1に形成するタイバ−7に応力集中によ
る金属疲労破壊をもたらすために、垂直方向の運動また
は回転運動を封止樹脂層3とタイバ−7の一方に行う。
照して説明するが、本発明のタイバ−の切断方法におい
ては導電性板体1に形成するタイバ−7に応力集中によ
る金属疲労破壊をもたらすために、垂直方向の運動また
は回転運動を封止樹脂層3とタイバ−7の一方に行う。
【0015】即ち1方法では図8及び図11に明らかな
ようにタイバ−7を特定のストロ−クにより垂直方向に
振って生ずる応力集中で金属疲労破壊を起して切断する
が、これを従来技術欄で説明したプリカット工程後に行
って確実なものにする。従って本発明方法でも図1乃至
図4に明らかにした形状に成形した導電性板体1に樹脂
封止型半導体装置2をマウント後トラスファモ−ルド法
による公知の樹脂封止工程後に応力集中による金属疲労
破壊を起して切断する。
ようにタイバ−7を特定のストロ−クにより垂直方向に
振って生ずる応力集中で金属疲労破壊を起して切断する
が、これを従来技術欄で説明したプリカット工程後に行
って確実なものにする。従って本発明方法でも図1乃至
図4に明らかにした形状に成形した導電性板体1に樹脂
封止型半導体装置2をマウント後トラスファモ−ルド法
による公知の樹脂封止工程後に応力集中による金属疲労
破壊を起して切断する。
【0016】このような工程は図8及び図11に示す切
断装置12を利用する。即ち封止樹脂層クランプ部1
3、タイバ−チャック部14、ボ−ルネジ15、モ−タ
16及びエヤ−シリンダ−17で構成する切断装置12
であり、封止樹脂クランプ部13とタイバ−チャック部
14はモ−タ16に接続するエヤ−シリンダ−17を介
して垂直方向に移動可能である。切断装置12を稼働す
るに先立って樹脂封止型半導体装置の封止樹脂層3を封
止樹脂層クランプ部13に固定し、タイバ−チャック部
14にタイバ−7を固定する。
断装置12を利用する。即ち封止樹脂層クランプ部1
3、タイバ−チャック部14、ボ−ルネジ15、モ−タ
16及びエヤ−シリンダ−17で構成する切断装置12
であり、封止樹脂クランプ部13とタイバ−チャック部
14はモ−タ16に接続するエヤ−シリンダ−17を介
して垂直方向に移動可能である。切断装置12を稼働す
るに先立って樹脂封止型半導体装置の封止樹脂層3を封
止樹脂層クランプ部13に固定し、タイバ−チャック部
14にタイバ−7を固定する。
【0017】このような切断装置12により処理される
樹脂封止型半導体装置2ならびにこれをマウントする導
電性板体1の特性について説明する。封止樹脂層3の強
度はバ−コ−ル硬度86、導電性板体1の材質は42Al
loy 、導電性板体1の厚さは0.15mmと0.125
mmが対象となる。導電性板体1の形状はTQFP20
8−2828(東芝部品名称)更にプリカット処理後の
タイバ−7の残り代は樹脂端から12mm(クランプ部
は10mm)とする。残り代は図3に明らかにするよう
に一辺のタイバ−7dの両端eとfから45°の方向の
距離gで表される値である。
樹脂封止型半導体装置2ならびにこれをマウントする導
電性板体1の特性について説明する。封止樹脂層3の強
度はバ−コ−ル硬度86、導電性板体1の材質は42Al
loy 、導電性板体1の厚さは0.15mmと0.125
mmが対象となる。導電性板体1の形状はTQFP20
8−2828(東芝部品名称)更にプリカット処理後の
タイバ−7の残り代は樹脂端から12mm(クランプ部
は10mm)とする。残り代は図3に明らかにするよう
に一辺のタイバ−7dの両端eとfから45°の方向の
距離gで表される値である。
【0018】図8ならびに図11に示す切断装置12に
あってはタイバ−チャック部14は対称的な把持部18
を設け、その先端をほぼ円形即ちR3程度に成形する。
あってはタイバ−チャック部14は対称的な把持部18
を設け、その先端をほぼ円形即ちR3程度に成形する。
【0019】実際の切断は図8及び図11に示すように
タイバ−チャック部14を垂直方向に移動する方式によ
り封止樹脂層3からタイバ−7を分離する方式に加え
て、その逆の封止樹脂クランプ部13を垂直方向に移動
する方式も可能である。更に垂直方向の移動ばかりでな
く、封止樹脂層クランプ部13ならびにタイバ−チャッ
ク部14の一方に回転または捩じれ運動を与えることに
より前方式と同様な応力集中による金属疲労破壊を確実
に発生して両者を分離できる。図8は振れ角とストロ−
クも明らかにした。図10には前記切断工程を明らかに
した。
タイバ−チャック部14を垂直方向に移動する方式によ
り封止樹脂層3からタイバ−7を分離する方式に加え
て、その逆の封止樹脂クランプ部13を垂直方向に移動
する方式も可能である。更に垂直方向の移動ばかりでな
く、封止樹脂層クランプ部13ならびにタイバ−チャッ
ク部14の一方に回転または捩じれ運動を与えることに
より前方式と同様な応力集中による金属疲労破壊を確実
に発生して両者を分離できる。図8は振れ角とストロ−
クも明らかにした。図10には前記切断工程を明らかに
した。
【0020】図12と図13には縦軸に回数を、横軸に
振れ角(°)を採って実験結果をグラフ化したものであ
り、図12は相関係数r=−0.9023、反比例回帰
Y=a/X+bで表し、a=2926.7110、b=
−37.9372であり、図13は相関係数r=−0.
7670、反比例回帰Y=a/X+bで表し、a=61
7.3586、b=−9.1316であり、図14に実
験結果をまとめた。
振れ角(°)を採って実験結果をグラフ化したものであ
り、図12は相関係数r=−0.9023、反比例回帰
Y=a/X+bで表し、a=2926.7110、b=
−37.9372であり、図13は相関係数r=−0.
7670、反比例回帰Y=a/X+bで表し、a=61
7.3586、b=−9.1316であり、図14に実
験結果をまとめた。
【0021】図9は前記実験のパラメ−タを明らかにし
ており1回目と2回目のストロ−クを示し、図10には
応力集中による金属疲労破壊前に行うプリカット工程前
状態を示した。
ており1回目と2回目のストロ−クを示し、図10には
応力集中による金属疲労破壊前に行うプリカット工程前
状態を示した。
【0022】
【発明の効果】図14中タイプ2はタイバ−7の切断箇
所に薄肉化処理として厚さ50μm程度をハ−フエッチ
ング処理したものである。
所に薄肉化処理として厚さ50μm程度をハ−フエッチ
ング処理したものである。
【0023】このような実験結果から移動距離即ち振れ
角が大きくなるとストロ−ク回数が少なくなる傾向にあ
り、ハ−フエッチングを行ったタイプ2ではタイプ1に
対して約1/10の振れ角により切断可能になった。ま
た封止樹脂層3の欠けも全ての条件で発生しない。
角が大きくなるとストロ−ク回数が少なくなる傾向にあ
り、ハ−フエッチングを行ったタイプ2ではタイプ1に
対して約1/10の振れ角により切断可能になった。ま
た封止樹脂層3の欠けも全ての条件で発生しない。
【0024】また導電性板体1の制約から封止樹脂クラ
ンプ部13とタイバ−チャック部14の距離が採れず振
れ角が小さくならざるを得ない場合は、モ−タ15を高
速回転型モ−タの採用により支障なかった。
ンプ部13とタイバ−チャック部14の距離が採れず振
れ角が小さくならざるを得ない場合は、モ−タ15を高
速回転型モ−タの採用により支障なかった。
【図1】プリカット前の導電性板体の上面図である。
【図2】導電性板体の枠に形成するパイロット穴をガイ
ドとしてプリカット後の導電性板体の上面図である。
ドとしてプリカット後の導電性板体の上面図である。
【図3】封止樹脂層をガイドとしてプリカット後の導電
性板体の上面図である。
性板体の上面図である。
【図4】タイバ−と吊りピンの関係を明らかにする上面
図である。
図である。
【図5】樹脂封止型半導体装置2をマウントした導電性
板体のタイバ−を切断する従来方式を示す図である。
板体のタイバ−を切断する従来方式を示す図である。
【図6】図5の樹脂封止型半導体装置2と違う機種をマ
ウントした導電性板体のタイバ−を従来方式で切断する
図である。
ウントした導電性板体のタイバ−を従来方式で切断する
図である。
【図7】導電性板体のタイバ−を従来方式で切断する際
に生ずるマイクロギャップを示す図である。
に生ずるマイクロギャップを示す図である。
【図8】図8は本発明方法を行うのに利用する装置の概
略を示す図である。
略を示す図である。
【図9】図8の装置によるストロ−クの軌跡を示す図で
ある。
ある。
【図10】本発明方法前のプリカット状態を明らかにす
る図である。
る図である。
【図11】本発明方法を行うのに利用する装置の概略を
拡大したずである。
拡大したずである。
【図12】縦軸に回数を、横軸に振れ角(°)を採って
実験結果をグラフ化した図である。
実験結果をグラフ化した図である。
【図13】タイバ−の切断部分に薄肉化処理を行って実
験した結果を縦軸に回数を、横軸に振れ角(°)を採っ
てグラフ化した図である。
験した結果を縦軸に回数を、横軸に振れ角(°)を採っ
てグラフ化した図である。
【図14】図12及び図13の実験結果をまとめた図で
ある。
ある。
1:導電性板体、 2:樹脂封止型半導体装置、 3:封止樹脂層、 4:アウタ−リ−ド、 5:枠、 6:吊りピン、 7:タイバ−、 8:空隙部、 9:パイロット穴、 10:受け台、 11:カットポンチ、 12:切断装置、 13:封止樹脂層クランプ部、 14:タイバ−チャック部、 15:ボ−ルねじ、 16:モ−タ、 17:エヤシリンダ−。
Claims (1)
- 【請求項1】 導電性板体の対称的な位置に枠を形成す
る工程と,樹脂封止型半導体装置を配置するアイランド
を前記導電性板体に形成する工程と,このアイランドを
囲む前記導電性板体の対称的な位置に吊りピンを形成す
る工程と,この吊りピンに前記アイランドを固定する工
程と,この吊りピンを含む封止樹脂層の対称的な位置に
前記吊りピンに連続するタイバ−部分を露出しかつ枠に
連続する工程と,前記封止樹脂層外に導出する半導体素
子のアウタ−リ−ド列に対応して前記導電性板体部分に
空隙部を設置する工程と,前記露出する吊りピンに連続
するタイバ−部分に応力集中を付与する工程とから成る
ことを特徴とする封止樹脂層外のタイバ−の切断方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172904A JPH0730032A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 封止樹脂層外のタイバーの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172904A JPH0730032A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 封止樹脂層外のタイバーの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730032A true JPH0730032A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15950502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5172904A Withdrawn JPH0730032A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 封止樹脂層外のタイバーの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091076A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5172904A patent/JPH0730032A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091076A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
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