JPH07302863A - 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH07302863A JPH07302863A JP6114362A JP11436294A JPH07302863A JP H07302863 A JPH07302863 A JP H07302863A JP 6114362 A JP6114362 A JP 6114362A JP 11436294 A JP11436294 A JP 11436294A JP H07302863 A JPH07302863 A JP H07302863A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップ表面の全域をチップコート樹脂で保護
することができるリードオンチップ構造の樹脂封止半導
体装置を提供する。 【構成】 半導体チップ１１表面の所定位置にはリード
１２の一端が配置されている。半導体チップ１１のボン
ディングパッドとリード１２とはワイヤ１３で接続され
ている。半導体チップ１１表面にはチップコート樹脂１
４が塗布されている。また、半導体チップ１１表面とリ
ード１２との間隔には、チップコート樹脂１４が充填さ
れている。そして、上記の各構成要素は、モールド樹脂
１５で一体に封止されている。この樹脂封止半導体装置
１は、半導体チップ１１とリード１２とはチップコート
樹脂１４で接続されるため、半導体チップ１１表面の全
域はチップコート樹脂１４で覆われる。
することができるリードオンチップ構造の樹脂封止半導
体装置を提供する。 【構成】 半導体チップ１１表面の所定位置にはリード
１２の一端が配置されている。半導体チップ１１のボン
ディングパッドとリード１２とはワイヤ１３で接続され
ている。半導体チップ１１表面にはチップコート樹脂１
４が塗布されている。また、半導体チップ１１表面とリ
ード１２との間隔には、チップコート樹脂１４が充填さ
れている。そして、上記の各構成要素は、モールド樹脂
１５で一体に封止されている。この樹脂封止半導体装置
１は、半導体チップ１１とリード１２とはチップコート
樹脂１４で接続されるため、半導体チップ１１表面の全
域はチップコート樹脂１４で覆われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止半導体装置及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３には、リードオンチップ構造の樹脂
封止半導体装置の構成図を示す。この樹脂封止半導体装
置３は、図４に示す工程で製造される。すなわち、先ず
図４（１）に示すように、リード３１の一端の裏面に接
着テープ３２を接着する。次いで、図４（２）に示すよ
うに、半導体チップ３３表面の所定位置にリード３１を
配置する。そして、例えばここでは図示しないボンディ
ングツールによって、リード３１上から圧力を加えると
ともに熱を加え、接着テープ３２を介して半導体チップ
３３とリード３１とを熱圧着する。次いで、図４（３）
に示すように、半導体チップ３３のボンディングパッド
とリード３１とをワイヤ３４で接続する。その後、図４
（４）に示すように、半導体チップ３３の表面にチップ
コート樹脂３５を滴下し、このチップコート樹脂３５を
加熱して硬化させる。上記のようにして、半導体チップ
３３の表面をチップコート樹脂３５で覆った後、上記半
導体装置装置３０を図３に示したようにモールド樹脂３
６で一体に封止する。これによって、樹脂封止半導体装
置３を製造する。
封止半導体装置の構成図を示す。この樹脂封止半導体装
置３は、図４に示す工程で製造される。すなわち、先ず
図４（１）に示すように、リード３１の一端の裏面に接
着テープ３２を接着する。次いで、図４（２）に示すよ
うに、半導体チップ３３表面の所定位置にリード３１を
配置する。そして、例えばここでは図示しないボンディ
ングツールによって、リード３１上から圧力を加えると
ともに熱を加え、接着テープ３２を介して半導体チップ
３３とリード３１とを熱圧着する。次いで、図４（３）
に示すように、半導体チップ３３のボンディングパッド
とリード３１とをワイヤ３４で接続する。その後、図４
（４）に示すように、半導体チップ３３の表面にチップ
コート樹脂３５を滴下し、このチップコート樹脂３５を
加熱して硬化させる。上記のようにして、半導体チップ
３３の表面をチップコート樹脂３５で覆った後、上記半
導体装置装置３０を図３に示したようにモールド樹脂３
６で一体に封止する。これによって、樹脂封止半導体装
置３を製造する。
【０００３】上記樹脂封止半導体装置３では、半導体チ
ップ３３及びモールド樹脂３６との線膨張係数の違いに
よって装置内に生じる熱応力が、チップコート樹脂３５
によって半導体チップ３３表面で緩和される。また、こ
のチップコート樹脂３３によって、半導体チップ３３表
面に水分が侵入することが防止される。
ップ３３及びモールド樹脂３６との線膨張係数の違いに
よって装置内に生じる熱応力が、チップコート樹脂３５
によって半導体チップ３３表面で緩和される。また、こ
のチップコート樹脂３３によって、半導体チップ３３表
面に水分が侵入することが防止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記樹脂封止
半導体装置及びその製造方法には、以下の様な課題があ
った。すなわち、上記構成の樹脂封止半導体装置では、
半導体チップの表面がチップコート樹脂と接着テープと
で覆われる。通常、接着テープは、チップコート樹脂と
は異なる材質で形成されている。このため、半導体チッ
プ表面の全域をチップコート樹脂で保護することができ
ない。例えば、上記接着テープとしては、熱可塑性のポ
リイミド系樹脂やポリイミドアミド樹脂系樹脂が多用さ
れている。これらの樹脂は、線膨張係数及びヤング率の
値から半導体チップとモールド樹脂との線膨張係数の違
いによって生じる熱応力を緩和することができない。こ
のため、例えば半田リフローの際に、樹脂封止半導体装
置が高温に加熱されると、モールド樹脂の熱膨張によっ
て生じる熱応力が、接着テープ下の半導体チップ表面に
伝わる。そして、この熱応力によって半導体チップ表面
のパッシベーションにクラックが発生したり、パッシベ
ーションの下層のアルミニウム配線がスライドして断線
に至る。
半導体装置及びその製造方法には、以下の様な課題があ
った。すなわち、上記構成の樹脂封止半導体装置では、
半導体チップの表面がチップコート樹脂と接着テープと
で覆われる。通常、接着テープは、チップコート樹脂と
は異なる材質で形成されている。このため、半導体チッ
プ表面の全域をチップコート樹脂で保護することができ
ない。例えば、上記接着テープとしては、熱可塑性のポ
リイミド系樹脂やポリイミドアミド樹脂系樹脂が多用さ
れている。これらの樹脂は、線膨張係数及びヤング率の
値から半導体チップとモールド樹脂との線膨張係数の違
いによって生じる熱応力を緩和することができない。こ
のため、例えば半田リフローの際に、樹脂封止半導体装
置が高温に加熱されると、モールド樹脂の熱膨張によっ
て生じる熱応力が、接着テープ下の半導体チップ表面に
伝わる。そして、この熱応力によって半導体チップ表面
のパッシベーションにクラックが発生したり、パッシベ
ーションの下層のアルミニウム配線がスライドして断線
に至る。
【０００５】また、上記接着テープとして用いられてい
る樹脂は吸湿性が高いため、モールド樹脂に水分が吸湿
された場合には、この水分が接着テープを介して半導体
チップ表面に達する。そして、この水分によって、半導
体チップ表面にリーク電流が発生する。これによって樹
脂封止半導体装置が誤動作する。このため、装置の電気
的な信頼性を確保することができない。
る樹脂は吸湿性が高いため、モールド樹脂に水分が吸湿
された場合には、この水分が接着テープを介して半導体
チップ表面に達する。そして、この水分によって、半導
体チップ表面にリーク電流が発生する。これによって樹
脂封止半導体装置が誤動作する。このため、装置の電気
的な信頼性を確保することができない。
【０００６】一方、上記製造方法では、リードと半導体
チップとを接着テープを介して熱圧着する。このため、
上記熱圧着の工程では半導体チップ表面に応力が加わ
る。したがって、半導体チップにダメージを加えること
なく樹脂封止半導体装置を製造することができない。
チップとを接着テープを介して熱圧着する。このため、
上記熱圧着の工程では半導体チップ表面に応力が加わ
る。したがって、半導体チップにダメージを加えること
なく樹脂封止半導体装置を製造することができない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明の樹脂封止半導体装置は以下のように構成さ
れている。半導体チップ表面の所定位置にはリードの一
端が配置されている。上記半導体チップのボンディング
パッドと上記リードとはワイヤで接続されている。この
半導体チップ表面にはチップコート樹脂が塗布されてい
る。また、半導体チップの表面とリードとの間隔には、
このチップコート樹脂が充填されている。そして、上記
の各構成要素は、モールド樹脂で一体に封止されてい
る。上記チップコート樹脂としては、シリコーン系また
はポリイミド系の熱硬化性樹脂を用いる。
めの本発明の樹脂封止半導体装置は以下のように構成さ
れている。半導体チップ表面の所定位置にはリードの一
端が配置されている。上記半導体チップのボンディング
パッドと上記リードとはワイヤで接続されている。この
半導体チップ表面にはチップコート樹脂が塗布されてい
る。また、半導体チップの表面とリードとの間隔には、
このチップコート樹脂が充填されている。そして、上記
の各構成要素は、モールド樹脂で一体に封止されてい
る。上記チップコート樹脂としては、シリコーン系また
はポリイミド系の熱硬化性樹脂を用いる。
【０００８】また、上記の樹脂封止半導体装置は以下の
方法で製造する。第１の工程では、上記半導体チップの
表面に対して所定の間隔を保ってリードを配置する。そ
して、第２の工程では、上記半導体チップのボンディン
グパッドと上記リードとをワイヤで接続する。第３の工
程では、上記半導体チップの表面にチップコート樹脂を
滴下することによって、この半導体チップの表面にチッ
プコート樹脂を塗布しさらに半導体チップとリードとの
間隔に当該チップコート樹脂を充填する。そして、この
チップコート樹脂を加熱して硬化させる。第４の工程で
は、上記各構成要素をモールド樹脂で一体に封止する。
上記第３の工程でのチップコート樹脂の滴下は、上記半
導体チップと上記リードとの間隔に当該チップコート樹
脂が充填されかつ少なくとも上記チップコート樹脂が半
導体チップの表面に塗布された後に滴下を停止する。
方法で製造する。第１の工程では、上記半導体チップの
表面に対して所定の間隔を保ってリードを配置する。そ
して、第２の工程では、上記半導体チップのボンディン
グパッドと上記リードとをワイヤで接続する。第３の工
程では、上記半導体チップの表面にチップコート樹脂を
滴下することによって、この半導体チップの表面にチッ
プコート樹脂を塗布しさらに半導体チップとリードとの
間隔に当該チップコート樹脂を充填する。そして、この
チップコート樹脂を加熱して硬化させる。第４の工程で
は、上記各構成要素をモールド樹脂で一体に封止する。
上記第３の工程でのチップコート樹脂の滴下は、上記半
導体チップと上記リードとの間隔に当該チップコート樹
脂が充填されかつ少なくとも上記チップコート樹脂が半
導体チップの表面に塗布された後に滴下を停止する。
【０００９】
【作用】本発明の樹脂封止半導体装置では、半導体チッ
プとリードとの間にチップコート樹脂が充填されてお
り、上記半導体チップとリードとはこのチップコート樹
脂によって接着される。このため、半導体チップの表面
がチップコート樹脂で一体に覆われる。チップコート樹
脂は、半導体チップの線膨張係数とモールド樹脂との線
膨張係数との違いによって半導体チップの表面に生じる
熱応力を緩和すると共に吸湿性の低いものである。した
がって、上記チップコート樹脂によって半導体チップ表
面の全域で上記熱応力が緩和される。また、モールド樹
脂に吸湿された水分はチップコートを介して半導体チッ
プ表面に達しにくい。
プとリードとの間にチップコート樹脂が充填されてお
り、上記半導体チップとリードとはこのチップコート樹
脂によって接着される。このため、半導体チップの表面
がチップコート樹脂で一体に覆われる。チップコート樹
脂は、半導体チップの線膨張係数とモールド樹脂との線
膨張係数との違いによって半導体チップの表面に生じる
熱応力を緩和すると共に吸湿性の低いものである。した
がって、上記チップコート樹脂によって半導体チップ表
面の全域で上記熱応力が緩和される。また、モールド樹
脂に吸湿された水分はチップコートを介して半導体チッ
プ表面に達しにくい。
【００１０】そして、本発明の樹脂封止半導体装置の製
造方法では、半導体チップの表面に滴下したチップコー
ト樹脂を硬化させることで、チップコート樹脂で半導体
チップとリードとが接着される。したがって、半導体チ
ップに応力を加えることなく半導体チップとリードとが
接着される。
造方法では、半導体チップの表面に滴下したチップコー
ト樹脂を硬化させることで、チップコート樹脂で半導体
チップとリードとが接着される。したがって、半導体チ
ップに応力を加えることなく半導体チップとリードとが
接着される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１に示
すように、樹脂封止半導体装置１は以下のように構成さ
れている。すなわち、半導体チップ１１表面の所定位置
には、半導体チップ１１の表面に対して所定の重なりを
保ちながら少なくとも１本以上のリード１２が配置され
ている。半導体チップ１１のボンディングパッドとリー
ド１２とはワイヤ１３で接続されている。そして、少な
くともワイヤ１３が接合されている部分を除いた半導体
チップ１１の表面には、チップコート樹脂１４が塗布さ
れている。さらに、このチップコート樹脂１４は、半導
体チップ１１とリード１２との間に充填されている。さ
らに、半導体チップ１１，リード１２のインナーリード
１２ａ部分，ワイヤ１３及びチップコート樹脂１４は、
モールド樹脂１５で一体に封止されている。
すように、樹脂封止半導体装置１は以下のように構成さ
れている。すなわち、半導体チップ１１表面の所定位置
には、半導体チップ１１の表面に対して所定の重なりを
保ちながら少なくとも１本以上のリード１２が配置され
ている。半導体チップ１１のボンディングパッドとリー
ド１２とはワイヤ１３で接続されている。そして、少な
くともワイヤ１３が接合されている部分を除いた半導体
チップ１１の表面には、チップコート樹脂１４が塗布さ
れている。さらに、このチップコート樹脂１４は、半導
体チップ１１とリード１２との間に充填されている。さ
らに、半導体チップ１１，リード１２のインナーリード
１２ａ部分，ワイヤ１３及びチップコート樹脂１４は、
モールド樹脂１５で一体に封止されている。
【００１２】上記半導体チップ１１は、例えば素子が形
成されたシリコン基板の上層にアルミニウムのような導
電性材料からなる配線及びボンディングパッドが形成さ
れているものである。そして、ボンディングパッド部分
を除いた表面層には、例えばシリコン窒化膜からなるパ
ッシベーション膜が形成された構造になっている。
成されたシリコン基板の上層にアルミニウムのような導
電性材料からなる配線及びボンディングパッドが形成さ
れているものである。そして、ボンディングパッド部分
を除いた表面層には、例えばシリコン窒化膜からなるパ
ッシベーション膜が形成された構造になっている。
【００１３】上記リード１２は、例えば鉄−ニッケル合
金や銅等からなる金属リボンを成形したものである。さ
らに、半導体チップ１１とリード１２との重なり具合
は、半導体チップ１１表面に露出しているボンディング
パッド（図示せず）上方にリード１２が重ならない位置
にする。
金や銅等からなる金属リボンを成形したものである。さ
らに、半導体チップ１１とリード１２との重なり具合
は、半導体チップ１１表面に露出しているボンディング
パッド（図示せず）上方にリード１２が重ならない位置
にする。
【００１４】上記ワイヤ１３は、例えばＡｕまたはＡｕ
とＳｉとの合金からなるものである。一本のワイヤ１３
の一端は、上記ボンディングパッドに接合されている。
そして、このワイヤ１３の他端は、リード１２に接合さ
れている。また、各リード１２と半導体チップ１１表面
に形成されている各ボンディングパッドとは、それぞれ
の別々のワイヤ１３によって接合されている。
とＳｉとの合金からなるものである。一本のワイヤ１３
の一端は、上記ボンディングパッドに接合されている。
そして、このワイヤ１３の他端は、リード１２に接合さ
れている。また、各リード１２と半導体チップ１１表面
に形成されている各ボンディングパッドとは、それぞれ
の別々のワイヤ１３によって接合されている。
【００１５】上記チップコート樹脂１４は、半導体チッ
プ１１表面を保護するためのものである。このチップコ
ート樹脂１４としては、樹脂封止半導体装置１内に生じ
る熱応力を半導体チップ１１の表面で緩和し、かつ吸湿
性の充分に低いものを用いる。このような樹脂として、
例えば、シリコーン系またはポリイミド系樹の熱硬化性
樹脂がある。例えば、半導体チップ１１がシリコンの単
結晶からなる場合には、半導体チップ１１の線膨張係数
は２．８×１０-6／Ｋである。また、通常用いられてい
るモールド樹脂１５は、線膨張係数が１．５×１０-5／
Ｋ程度である。これに対してシリコーン系樹脂は、線膨
張係数が３×１０-4／Ｋ，ヤング率が１ｋｇ／ｍｍ2程
度である。また、ポリイミド系の樹脂は線膨張係数が
０．３５×１０-4，ヤング率が２００〜５００ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度である。このため、これらのシリコン系樹脂ま
たはポリイミド系樹脂を半導体チップ１１表面に塗布す
ることによって、半導体チップ１１とモールド樹脂１５
との線膨張係数の違いによって半導体チップ１１とモー
ルド樹脂１５との間に生じる熱応力が、半導体チップ１
１表面で緩和される。上記のシリコーン系またはポリイ
ミド系の熱硬化性樹脂は、例えば充填剤を添加すること
によって、線膨張係数及びヤング率を所定の値に調節し
て用いる。
プ１１表面を保護するためのものである。このチップコ
ート樹脂１４としては、樹脂封止半導体装置１内に生じ
る熱応力を半導体チップ１１の表面で緩和し、かつ吸湿
性の充分に低いものを用いる。このような樹脂として、
例えば、シリコーン系またはポリイミド系樹の熱硬化性
樹脂がある。例えば、半導体チップ１１がシリコンの単
結晶からなる場合には、半導体チップ１１の線膨張係数
は２．８×１０-6／Ｋである。また、通常用いられてい
るモールド樹脂１５は、線膨張係数が１．５×１０-5／
Ｋ程度である。これに対してシリコーン系樹脂は、線膨
張係数が３×１０-4／Ｋ，ヤング率が１ｋｇ／ｍｍ2程
度である。また、ポリイミド系の樹脂は線膨張係数が
０．３５×１０-4，ヤング率が２００〜５００ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度である。このため、これらのシリコン系樹脂ま
たはポリイミド系樹脂を半導体チップ１１表面に塗布す
ることによって、半導体チップ１１とモールド樹脂１５
との線膨張係数の違いによって半導体チップ１１とモー
ルド樹脂１５との間に生じる熱応力が、半導体チップ１
１表面で緩和される。上記のシリコーン系またはポリイ
ミド系の熱硬化性樹脂は、例えば充填剤を添加すること
によって、線膨張係数及びヤング率を所定の値に調節し
て用いる。
【００１６】上記モールド樹脂１５は、例えばエポキシ
樹脂と硬化剤と酸化シリコンからなる充填剤とを主成分
として含有した樹脂である。
樹脂と硬化剤と酸化シリコンからなる充填剤とを主成分
として含有した樹脂である。
【００１７】上記構成の樹脂封止半導体装置１では、半
導体チップ１１とリード１２とがその間隔に充填された
チップコート樹脂１４によって接着される。このため、
半導体チップ１１の表面は、チップコート樹脂１４で一
体に覆われる。このチップコート樹脂１４としてはシリ
コーン系またはポリイミド系の樹脂を用いている。した
がって、半導体チップ１１の表面全域では、半導体チッ
プ１１の線膨張係数とモールド樹脂１５との線膨張係数
との違いによって半導体チップ１１の表面に生じる熱応
力が、チップコート樹脂１４によって緩和される。さら
に、上記シリコーン系またはポリイミド系の樹脂は吸湿
性が低いものである。このため、モールド樹脂１５に吸
湿された水分がこのチップコート樹脂１４によって半導
体チップ１１の表面に達することが防止される。したが
って、樹脂封止半導体装置１内の水分によって半導体チ
ップ１１表面でリーク電流が発生することを防止でき
る。
導体チップ１１とリード１２とがその間隔に充填された
チップコート樹脂１４によって接着される。このため、
半導体チップ１１の表面は、チップコート樹脂１４で一
体に覆われる。このチップコート樹脂１４としてはシリ
コーン系またはポリイミド系の樹脂を用いている。した
がって、半導体チップ１１の表面全域では、半導体チッ
プ１１の線膨張係数とモールド樹脂１５との線膨張係数
との違いによって半導体チップ１１の表面に生じる熱応
力が、チップコート樹脂１４によって緩和される。さら
に、上記シリコーン系またはポリイミド系の樹脂は吸湿
性が低いものである。このため、モールド樹脂１５に吸
湿された水分がこのチップコート樹脂１４によって半導
体チップ１１の表面に達することが防止される。したが
って、樹脂封止半導体装置１内の水分によって半導体チ
ップ１１表面でリーク電流が発生することを防止でき
る。
【００１８】尚、チップコート樹脂１４は、上記実施例
で説明した部分に限って塗布されるものではない。例え
ば、上記部分に加えて、半導体チップ１１の側面や裏
面、ワイヤ１３で接合されている部分を除くリード１２
の上面及び側面に塗布されるものでも良い。
で説明した部分に限って塗布されるものではない。例え
ば、上記部分に加えて、半導体チップ１１の側面や裏
面、ワイヤ１３で接合されている部分を除くリード１２
の上面及び側面に塗布されるものでも良い。
【００１９】次に、上記樹脂封止半導体装置１の製造方
法の実施例を図２に基づいて説明する。先ず、第１の工
程では、図２（１）に示すように、半導体チップ１１の
表面に対して所定の重なりを維持し、かつ半導体チップ
１１と所定の間隔ｗを保つ状態にリード１２を配置す
る。
法の実施例を図２に基づいて説明する。先ず、第１の工
程では、図２（１）に示すように、半導体チップ１１の
表面に対して所定の重なりを維持し、かつ半導体チップ
１１と所定の間隔ｗを保つ状態にリード１２を配置す
る。
【００２０】半導体チップ１１に対して上記のような状
態でリード１２を配置するためには、例えば、第１の治
具２１と第２の治具２２とを用いる。第１の治具２１の
一例を示す。この第１の治具２１は、鉄または鉄を含む
化合物からなるものである。そして、少なくとも上面を
開口した箱形状であり、その内部に半導体チップ１１を
収納できるように形成されている。また、第１の治具２
１の内部の深さｈは、半導体チップ１１の高さＨに半導
体チップ１１とリード１２との間隔ｗを加えた値とす
る。また、第１の治具２１の側壁は、その上面にリード
１２を載置できるように形成されている。次に第２の治
具２２の一例を示す。この第２の治具２２は、ＯＮ−Ｏ
ＦＦ自在の電磁石からなり、第１の治具２１の上面の開
口と同様の開口が設けられたフレーム形状のものであ
る。
態でリード１２を配置するためには、例えば、第１の治
具２１と第２の治具２２とを用いる。第１の治具２１の
一例を示す。この第１の治具２１は、鉄または鉄を含む
化合物からなるものである。そして、少なくとも上面を
開口した箱形状であり、その内部に半導体チップ１１を
収納できるように形成されている。また、第１の治具２
１の内部の深さｈは、半導体チップ１１の高さＨに半導
体チップ１１とリード１２との間隔ｗを加えた値とす
る。また、第１の治具２１の側壁は、その上面にリード
１２を載置できるように形成されている。次に第２の治
具２２の一例を示す。この第２の治具２２は、ＯＮ−Ｏ
ＦＦ自在の電磁石からなり、第１の治具２１の上面の開
口と同様の開口が設けられたフレーム形状のものであ
る。
【００２１】上記第１及び第２の治具２１，２２を用い
た半導体チップ１１及びリード１２の配置は、以下のよ
うにする。先ず、半導体チップ１１を第１の治具２１内
に収納する。次いで、半導体チップ１１の表面に対して
所定の重なりを保つようにリード１２の位置決めを行
う。そして、リード１２を第１の治具２１の側壁の上面
に載置する。そして、第２の治具２２の開口と第１の治
具２１の開口とを一致させた状態で、第１の治具２１上
にリード１２を介して第２の治具２２を載置する。その
後、第２の治具２２の電磁石をＯＮにする。これによっ
て、半導体チップ１１の表面に対して、設定した状態で
リード１２が配置される。
た半導体チップ１１及びリード１２の配置は、以下のよ
うにする。先ず、半導体チップ１１を第１の治具２１内
に収納する。次いで、半導体チップ１１の表面に対して
所定の重なりを保つようにリード１２の位置決めを行
う。そして、リード１２を第１の治具２１の側壁の上面
に載置する。そして、第２の治具２２の開口と第１の治
具２１の開口とを一致させた状態で、第１の治具２１上
にリード１２を介して第２の治具２２を載置する。その
後、第２の治具２２の電磁石をＯＮにする。これによっ
て、半導体チップ１１の表面に対して、設定した状態で
リード１２が配置される。
【００２２】次に、第２の工程では、図２（２）に示す
ように、半導体チップ１１のボンディングパッドとリー
ド１２とをワイヤ１３で接続する。
ように、半導体チップ１１のボンディングパッドとリー
ド１２とをワイヤ１３で接続する。
【００２３】その後、第３の工程では、図２（３）に示
すように、半導体チップ１１の表面上に、ノズル２３の
先端から液体状にしたチップコート樹脂１４を滴下す
る。この際、半導体チップ１１とリード１２との間隔ｗ
に対応させて、この間隔ｗが狭い場合にはチップコート
樹脂１４をより低粘度にする。これによって、半導体チ
ップ１１の表面で液体状のチップコート樹脂１４が充分
に広がり、さらに半導体チップ１１とリード１２との間
隔にチップコート樹脂１４が充分に充填されるようにす
る。そして、少なくとも半導体チップ１１の表面全域が
充分にチップコート樹脂１４で覆われ、かつ半導体チッ
プ１１とリード１２との間に充分にチップコート樹脂１
４が充填された後、チップコート樹脂１４の滴下を停止
する。
すように、半導体チップ１１の表面上に、ノズル２３の
先端から液体状にしたチップコート樹脂１４を滴下す
る。この際、半導体チップ１１とリード１２との間隔ｗ
に対応させて、この間隔ｗが狭い場合にはチップコート
樹脂１４をより低粘度にする。これによって、半導体チ
ップ１１の表面で液体状のチップコート樹脂１４が充分
に広がり、さらに半導体チップ１１とリード１２との間
隔にチップコート樹脂１４が充分に充填されるようにす
る。そして、少なくとも半導体チップ１１の表面全域が
充分にチップコート樹脂１４で覆われ、かつ半導体チッ
プ１１とリード１２との間に充分にチップコート樹脂１
４が充填された後、チップコート樹脂１４の滴下を停止
する。
【００２４】上記のようにチップコート樹脂１４を半導
体チップ１１の表面に滴下した後、このチップコート樹
脂１４を加熱する。これによって、チップコート樹脂１
４を硬化させる。加熱条件の一例を示す。チップコート
樹脂１４としてシリコーン系樹脂を用いた場合には、１
５０℃で１時間程加熱する。また、チップコート樹脂１
４としてポリイミド系樹脂を用いた場合には、３００℃
で１時間程加熱する。
体チップ１１の表面に滴下した後、このチップコート樹
脂１４を加熱する。これによって、チップコート樹脂１
４を硬化させる。加熱条件の一例を示す。チップコート
樹脂１４としてシリコーン系樹脂を用いた場合には、１
５０℃で１時間程加熱する。また、チップコート樹脂１
４としてポリイミド系樹脂を用いた場合には、３００℃
で１時間程加熱する。
【００２５】上記のようにしてチップコート樹脂１４を
硬化させた後、第２の治具２２の電磁石をＯＦＦにして
この第２の治具２２をリード１２上から取り外す。その
後、第１の治具２１から半導体チップ１１を抜き取る。
尚、第２の治具２２の取り外しは、チップコート樹脂１
４を半導体チップ１１上に滴下する前でも良い。
硬化させた後、第２の治具２２の電磁石をＯＦＦにして
この第２の治具２２をリード１２上から取り外す。その
後、第１の治具２１から半導体チップ１１を抜き取る。
尚、第２の治具２２の取り外しは、チップコート樹脂１
４を半導体チップ１１上に滴下する前でも良い。
【００２６】次に、図２（４）に示すように、第４の工
程では、半導体チップ１１とリード１２のインナーリー
ド１２ａ部分とワイヤ１３とチップコート樹脂１４とを
モールド樹脂１５で一体に封止する。これによって半導
体装置１が形成される。
程では、半導体チップ１１とリード１２のインナーリー
ド１２ａ部分とワイヤ１３とチップコート樹脂１４とを
モールド樹脂１５で一体に封止する。これによって半導
体装置１が形成される。
【００２７】上記の樹脂封止半導体装置の製造方法で
は、半導体チップ１１の表面にチップコート樹脂１４を
滴下し、このチップコート樹脂１４を硬化させることで
半導体チップ１１とリード１２とが接着される。したが
って、半導体チップ１１に応力を加えることなく半導体
チップ１１とリード１２とが接着される。
は、半導体チップ１１の表面にチップコート樹脂１４を
滴下し、このチップコート樹脂１４を硬化させることで
半導体チップ１１とリード１２とが接着される。したが
って、半導体チップ１１に応力を加えることなく半導体
チップ１１とリード１２とが接着される。
【００２８】また、半導体チップ１１の表面にチップコ
ート樹脂１４を塗布する工程と、半導体チップ１１とリ
ード１２とを接着する工程とを同一の工程で行うことが
できる。このため、上記の工程を別々に行うこ必要がな
く工程数が削減される。そして、同一材料及び同一工程
によって、半導体チップとリードとの接着及び半導体チ
ップ表面の保護とを行うため、製造コストを低減化する
ことが可能になる。さらに、この製造方法では、予め半
導体チップとリードとの間隔ｗを設定し、この間隔ｗに
チップコート樹脂１４を充填するようにしている。この
ため、従来の接着テープの厚さに制約されることなく樹
脂封止半導体装置１の厚みを設定することが可能にな
る。したがって、上記間隔ｗをより狭くすることによっ
て樹脂封止半導体装置１の薄型化を図ることができる。
加えて、上記製造工程でチップコート樹脂として用いて
いる熱硬化性樹脂は、熱硬化の際にも内部にボイドを発
生させることがない。このため、モールド樹脂内に吸湿
された水分がボイド内に溜まることが防止される。
ート樹脂１４を塗布する工程と、半導体チップ１１とリ
ード１２とを接着する工程とを同一の工程で行うことが
できる。このため、上記の工程を別々に行うこ必要がな
く工程数が削減される。そして、同一材料及び同一工程
によって、半導体チップとリードとの接着及び半導体チ
ップ表面の保護とを行うため、製造コストを低減化する
ことが可能になる。さらに、この製造方法では、予め半
導体チップとリードとの間隔ｗを設定し、この間隔ｗに
チップコート樹脂１４を充填するようにしている。この
ため、従来の接着テープの厚さに制約されることなく樹
脂封止半導体装置１の厚みを設定することが可能にな
る。したがって、上記間隔ｗをより狭くすることによっ
て樹脂封止半導体装置１の薄型化を図ることができる。
加えて、上記製造工程でチップコート樹脂として用いて
いる熱硬化性樹脂は、熱硬化の際にも内部にボイドを発
生させることがない。このため、モールド樹脂内に吸湿
された水分がボイド内に溜まることが防止される。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
半導体装置によれば、半導体チップとリードとの間にチ
ップコート樹脂を充填することによって、半導体チップ
表面の全域をチップコート樹脂で保護することが可能に
なる。このため、上記チップコート樹脂によって樹脂封
止半導体装置内に生じる熱応力を半導体チップ表面の全
域で緩和することができる。したがって、上記熱応力に
よるパッシベーション膜クラックや、アルミニウム配線
のスライドを防止し、リフロー耐性の向上を図ることが
できる。また、上記チップコート樹脂によってモールド
樹脂に吸湿された水分が半導体チップの表面に伝わるこ
とを防止できる。したがって、上記水分による半導体チ
ップ表面でのリーク電流の発生を防止して樹脂封止半導
体装置の電気的な信頼性を確保することが可能になる。
また、本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体チップに滴下したチップコート樹脂によって
半導体チップとリードとを接着するので、半導体チップ
に応力が加えることなく半導体チップとリードとを接着
することができる。したがって、半導体チップ表面の素
子にダメージを加えることなく樹脂封止半導体装置を製
造することが可能になる。
半導体装置によれば、半導体チップとリードとの間にチ
ップコート樹脂を充填することによって、半導体チップ
表面の全域をチップコート樹脂で保護することが可能に
なる。このため、上記チップコート樹脂によって樹脂封
止半導体装置内に生じる熱応力を半導体チップ表面の全
域で緩和することができる。したがって、上記熱応力に
よるパッシベーション膜クラックや、アルミニウム配線
のスライドを防止し、リフロー耐性の向上を図ることが
できる。また、上記チップコート樹脂によってモールド
樹脂に吸湿された水分が半導体チップの表面に伝わるこ
とを防止できる。したがって、上記水分による半導体チ
ップ表面でのリーク電流の発生を防止して樹脂封止半導
体装置の電気的な信頼性を確保することが可能になる。
また、本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体チップに滴下したチップコート樹脂によって
半導体チップとリードとを接着するので、半導体チップ
に応力が加えることなく半導体チップとリードとを接着
することができる。したがって、半導体チップ表面の素
子にダメージを加えることなく樹脂封止半導体装置を製
造することが可能になる。
【図１】実施例を説明する構成図である。
【図２】実施例を説明する工程図である。
【図３】従来例を説明する構成図である。
【図４】従来例を説明する工程図である。
１ 樹脂封止半導体装置 １１ 半導体チップ １２ リード １３ ワイヤ １４ チップコート樹脂 １５ モールド樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップと、前記半導体チップの所
定位置に配置されるリードと、前記半導体チップのボン
ディングパッドと前記リードとを接続するワイヤと、前
記半導体チップの表面に塗布されるチップコート樹脂
と、前記チップと前記リードの一部分と前記ワイヤと前
記チップコート樹脂とを一体に封止するモールド樹脂と
からなる樹脂封止半導体装置において、 前記リードは、その一端が前記半導体チップ表面に配置
され、 前記半導体チップと前記リードとの間には前記チップコ
ート樹脂が充填されていることを特徴とする樹脂封止半
導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法であって、 半導体チップの表面に対して所定の間隔を保ってリード
を配置する第１の工程と、 前記半導体チップのボンディングパッドと前記リードと
をワイヤで接続する第２の工程と、 前記半導体チップの表面にチップコート樹脂を滴下する
ことによって、当該半導体チップの表面に当該チップコ
ート樹脂を塗布して当該半導体チップと前記リードとの
間隔に当該チップコート樹脂を充填し、その後当該チッ
プコート樹脂を加熱して硬化させる第３の工程と、 前記半導体チップと前記リードの一部分と前記ワイヤと
前記チップコート樹脂とをモールド樹脂で一体に封止す
る第４の工程とからなることを特徴とする樹脂封止半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法において、 前記第３の工程でのチップコート樹脂の滴下は、前記半
導体チップと前記リードとの間隔に当該チップコート樹
脂が充填されかつ少なくとも当該半導体チップの表面に
当該チップコート樹脂が塗布された後に滴下を停止する
ことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114362A JPH07302863A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114362A JPH07302863A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302863A true JPH07302863A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14635829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6114362A Pending JPH07302863A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302863A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270611A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| WO1999001771A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-14 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Capteur avec puce d'analyse a membrane |
| US12512378B2 (en) | 2020-09-07 | 2025-12-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module and semiconductor module manufacturing method |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6114362A patent/JPH07302863A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270611A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| WO1999001771A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-14 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Capteur avec puce d'analyse a membrane |
| US6201285B1 (en) | 1997-07-04 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Sensor with diaphragm sensor chip |
| US12512378B2 (en) | 2020-09-07 | 2025-12-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module and semiconductor module manufacturing method |
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