JPH0732209B2 - 半導体装置用セラミック容器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用セラミック容器に関し、特に中空
部を有し、この中空部に半導体素子を収納した後、蓋部
材で気密封止する構造の半導体装置用セラミック容器に
関するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置用セラミック容器は、第３図
（ａ），（ｂ）に示すように、半導体素子を載置し、半
導体素子の電極を外部に導出するための金属配線層２の
設けられたセラミック基板１上に、中央部が中空で上部
表面に蓋部材を取付ける為の蓋部金属化層５を有するセ
ラミック枠体3aを重ね一体焼成されたセラミック積層体
に、外部回路接続用の導出端子４をろう材を用い取付け
た後、半導体素子の固着ならびに半導体素子の電極と金
属配線層２とを電気的に接続する金属細線の結合を容易
にし、かつ蓋部材の取付けを容易にするために、金属配
線層２、蓋部金属化層５及び導出端子４の各表面には、
Ni及びAuの２層の配線めっき層7,蓋部めっき層８が電気
めっき法等により被覆形成された構造となっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるに、上述した従来の半導体装置用セラミック容器
は、セラミック基板１上の金属配線層２及びこれらと電
気的に接続されている導出端子４には、導出端子４を利
用して電気めっきによりNi及びAuの配線めっき層７を容
易に被覆形成することができるが、セラミック枠体3a上
に設けられた蓋部金属化層５は導出端子４と電気的に絶
縁されている為、電気めっきを行なう際には、金属ワイ
ヤーを用いて導出端子４と結線するか、あるいはめっき
用治具に設けられた針状の導通ピンを蓋部金属化層５に
接触させて電気的導通をとることによりNi及びAuの蓋部
めっき層８を被覆形成する構成となっていた。

このため、電気めっきの際にセラミック枠体3a上の蓋部
金属化層５を電気的に接続すくことが困難で作業性が悪
く、高価になるという欠点に加え、金属ワイヤーあるい
は導通ピンの接触を確実に行なおうとする蓋部金属化層
５との接触部にめっきが被覆されず、また金属ワイヤ
ー、導通ピンとの接触を緩くすると、密着の悪いめっき
層が形成されたり厚さが不均一となり、いづれの場合に
於ても、低融点のろう材を用い蓋部材を気密封止する際
に、ろう材の濡れが悪く気密不良を生じたり、めっき層
が剥離して蓋部材が脱落するという信頼性品質上の欠点
があった。

本発明の目的は、作業性が上り安価となり、気密不良や
蓋部材脱落を防止して信頼性品質の向上をはかることが
できる半導体装置用セラミック容器を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置用セラミック容器は、中央部に半導
体素子を搭載するためのセラミック基板と、このセラミ
ック基板上の中央部から周辺部へかけて形成され前記半
導体素子の電極と接続するための金属配線層、前記セラ
ミック基板上に、中央に前記半導体素子を収納するため
の中空部をもち前記セラミック基板と一体形成されたセ
ラミック枠体と、このセラミック枠体の外側で前記金属
配線層と接続する外部回路接続用の導出端子と、前記セ
ラミック枠体上部表面に形成され蓋部材を取付けるため
の蓋部金属化層と、この蓋部金属化層と接続しかつ前記
金属配線層及び導出端子と絶縁され、前記セラミック枠
体から前記セラミック基板の周辺部にかけて形成され前
記セラミック枠体の外部へ導出された蓋部めっき用金属
化層と、この蓋部めっき用金属化層及び前記導出端子を
電極として前記金属配線層、導出端子及び蓋部金属化層
の各表面に形成されためっき層とを有している。

また、セラミック基板周辺外側に、導出端子及び蓋部め
っき用金属化層と共通接続し金属配線層、前記導出端子
及び蓋部金属化層の各表面にめっき層を形成後前記導出
端子及び蓋部めっき用金属化層と切断されるめっき用リ
ード電極を設けた構成を有している。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を示す平面図及びＡ−Ａ′断面図である。

この実施例は、中央部に半導体素子を搭載するためのセ
ラミック基板１と、このセラミック基板１上の中央部か
ら周辺部へかけて形成され、半導体素子の電極と接続す
るための金属配線層２と、セラミック基板１上に、中央
に半導体素子を収納するための空中部をもちセラミック
基板１と一体焼成されたセラミック枠体３と、このセラ
ミック枠体３の外側で金属配線層２とろう材で接続する
外部回路接続用の導出端子４と、セラミック枠体３の上
部に形成され蓋部材を取付けるための蓋部金属化層５
と、この蓋部金属化層５と接続しかつ金属配線層22及び
導出端子４と絶縁され、セラミック枠体３の側面からセ
ラミック基板１の周辺部にかけて形成され、セラミック
枠体３の外部へ導出された蓋部めっき用金属化層６と、
この蓋部めっき用金属化層６及び導出端子４を電極とし
て電気めっき法により、金属配線層2,導出端子４の各表
面に形成された配線めっき層７及び蓋部金属化層５の表
面に形成された蓋部めっき層８とを備えた構成となって
いる。

従って、蓋部めっき用金属化層６を電極として蓋部金属
化層５に触れることなくこと表面に電気めっきすること
ができ、作業性がよく均一かつ確実にめっき層を形成す
ることができる。この結果、蓋部材の密着がよく、気密
不良を防止することができる。

第２図は本発明の第２の実施例の中間工程における半導
体装置用セラミック容器の平面図である。

この実施例においては、セラミック基板１周辺外側に、
金属配線層２と接続する導出端子４と同一材料で一体形
成され、蓋部めっき用金属化層６と接続するめっき用リ
ード電極９を設け、このめっき用リード電極９を電極と
して、電気めっき法により金属配線層2,導出端子４及び
蓋部金属化層５の各表面にめっき層を形成後、切断線10
の部分で切断する構成となっている。

従って、電気めっき用の電極接続が極めて容易になると
いう利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、セラミック枠体上部表面
に設けられた蓋部金属化層と接続しセラミック枠体の外
部へ導出する蓋部めっき用金属化層を設け、これを電気
めっき用の電極として蓋部金属化層の表面にめっき層を
形成する構成とすることにより、蓋部金属化層に触れず
に確実に電気めっき用の電極と接続することができるの
で、蓋部金属化層の表面全体に密着が良くかつ厚さの均
一なめっき層を作業性良く被覆形成することができ、気
密不良や蓋部材脱落を防止し、安価で信頼性品質に優れ
た半導体装置用セラミック容器を得ることができる効果
がある。

また、導出端子４及び蓋部めっき用金属化層と接続する
めっき用リード電極を設けることにより、更に作業性を
向上させることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を示す平面図及びＡ−Ａ′断面図、第２図は本発明の第
２の実施例の中間工程における半導体装置用セラミック
容器の平面図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の
半導体装置用セラミック容器の一例の平面図及びＡ−
Ａ′断面図である。 １…セラミック基板、２…金属配線層、3,3a…セラミッ
ク枠体、４…導出端子、５…蓋部金属化層、６…蓋部め
っき用金属化層、７…配線めっき層、８…蓋部めっき
層、９…めっき用リード電極、10…切断線。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】中央部に半導体素子を搭載するためのセラ
   ミック基板と、このセラミック基板上の中央部から周辺
   部へかけて形成され前記半導体素子の電極と接続するた
   めの金属配線層、前記セラミック基板上に、中央に前記
   半導体素子を収納するための中空部をもち前記セラミッ
   ク基板と一体形成されたセラミック枠体と、このセラミ
   ック枠体の外側で前記金属配線層と接続する外部回路接
   続用の導出端子と、前記セラミック枠体上部表面に形成
   され蓋部材を取付けるための蓋部金属化層と、この蓋部
   金属化層と接続しかつ前記金属配線層及び導出端子と絶
   縁され、前記セラミック枠体から前記セラミック基板の
   周辺部にかけて形成され前記セラミック枠体の外部へ導
   出された蓋部めっき用金属化層と、この蓋部めっき用金
   属化層及び前記導出端子を電極として前記金属配線層、
   導出端子及び蓋部金属化層の各表面に形成されためっき
   層とを有することを特徴とする半導体装置用セラミック
   容器。
2. 【請求項２】セラミック基板周辺外側に、導出端子及び
   蓋部めっき用金属化層と共通接続し金属配線層、前記導
   出端子及び蓋部金属化層の各表面にめっき層を形成後前
   記導出端子及び蓋部めっき用金属化層と切断されるめっ
   き用リード電極を設けた請求項（１）記載の半導体装置
   用セラミック容器。