JPH0738432B2 - 回路パツケージの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、一般に電子パッケージング及びその製法に関
し、具体的には、セラミック基板キャリアと支持回路板
の電気的相互接続、及び上記の電気的相互接続を行なう
方法に関するものである。
し、具体的には、セラミック基板キャリアと支持回路板
の電気的相互接続、及び上記の電気的相互接続を行なう
方法に関するものである。
B.従来の技術 最近の電子パッケージングは、一般に多数のパッケージ
及び相互接続の段を含んでいる。第1段のパッケージ
は、セラミック基板キャリア上の1個または複数のシリ
コン・チップを接続する。第2段のパッケージは、有機
回路板上の1個または複数のこのようなセラミック基板
キャリアを相互接続する。電力分配のために導電性を高
め、高速・低ノイズを得るためにインダクタンスを低く
し、機械的支持のための機械特性を最適化し、疲労特性
を改善するとともに、加工性を向上させるために、従来
からセラミック基板キャリアに剛性の金属ピンを設け、
金とスズの合金等の適当なろう付け材料でそれをセラミ
ックにろう付けしている。このあと、この種の剛性のピ
ンを有するセラミック基板をコネクタに差し込み、また
は有機回路板に設けたメッキした1列のスルー・ホール
にウェーブはんだ付けを行なう。上記の接続方式は、ろ
う付け材料、剛性の金属ピン、ピン・コネクタまたはメ
ッキしたスルー・ホールに伴うコストが高く、かつスル
ー・ホールにより回路板上の配線チャネルの数が限定さ
れるという欠点がある。
及び相互接続の段を含んでいる。第1段のパッケージ
は、セラミック基板キャリア上の1個または複数のシリ
コン・チップを接続する。第2段のパッケージは、有機
回路板上の1個または複数のこのようなセラミック基板
キャリアを相互接続する。電力分配のために導電性を高
め、高速・低ノイズを得るためにインダクタンスを低く
し、機械的支持のための機械特性を最適化し、疲労特性
を改善するとともに、加工性を向上させるために、従来
からセラミック基板キャリアに剛性の金属ピンを設け、
金とスズの合金等の適当なろう付け材料でそれをセラミ
ックにろう付けしている。このあと、この種の剛性のピ
ンを有するセラミック基板をコネクタに差し込み、また
は有機回路板に設けたメッキした1列のスルー・ホール
にウェーブはんだ付けを行なう。上記の接続方式は、ろ
う付け材料、剛性の金属ピン、ピン・コネクタまたはメ
ッキしたスルー・ホールに伴うコストが高く、かつスル
ー・ホールにより回路板上の配線チャネルの数が限定さ
れるという欠点がある。
米国特許第3401126号及び第3429040号明細書は、半導体
チップのキャリアへのフェースダウン・ボンディング、
すなわち第1段のパッケージの相互接続の形成のための
制御コラプス接続について詳細に記載している。上記明
細書には、一般に、チップ・キャリア上の導体上の半導
体チップ接触サイト及びはんだ接合可能サイト上に金属
はんだの可能性パッドを形成することが記載されてい
る。チップ・キャリアのはんだ接合可能サイトは、不溶
性バリアで取り囲まれており、キャリア・サイト及び半
導体デバイス接触サイト上のはんだが共融して混合した
場合に、表面張力によって半導体チップがキャリア上に
浮遊する。
チップのキャリアへのフェースダウン・ボンディング、
すなわち第1段のパッケージの相互接続の形成のための
制御コラプス接続について詳細に記載している。上記明
細書には、一般に、チップ・キャリア上の導体上の半導
体チップ接触サイト及びはんだ接合可能サイト上に金属
はんだの可能性パッドを形成することが記載されてい
る。チップ・キャリアのはんだ接合可能サイトは、不溶
性バリアで取り囲まれており、キャリア・サイト及び半
導体デバイス接触サイト上のはんだが共融して混合した
場合に、表面張力によって半導体チップがキャリア上に
浮遊する。
米国特許第4545610号明細書は、半導体デバイス上の複
数のパッドを、支持基板上の対応する複数のパッドに接
続するために、細長いはんだ端子を形成する、上記特許
第3401126号及び第3429040号の方法の改良を教示してい
る。この方法は、半導体とパッドの領域外の支持基板と
の間に所定の垂直方向の間隔を維持する手段を形成し、
はんだエクステンダを形成して、基板または接合すべき
デバイス上の各はんだ垂直パッドに固定し、はんだマウ
ンドを基板上のパッドと整合させ、はんだエクステンダ
をその間に介在させ、垂直方向の間隔を維持する手段を
デバイスと基板の間にそれらと接するように配置して、
はんだマウンドを備えた半導体デバイスを支持基板上の
はんだマウント可能パッド上で位置決めし、スペーサを
使用して所定の間隔を維持しながら、得られたアセンブ
リを加熱して、はんだマウンドとはんだエクステンダの
両方を完全に溶融させ、このようにして第1段パッケー
ジ用の複数の砂時計型の細長い接続を形成することによ
り実施する。
数のパッドを、支持基板上の対応する複数のパッドに接
続するために、細長いはんだ端子を形成する、上記特許
第3401126号及び第3429040号の方法の改良を教示してい
る。この方法は、半導体とパッドの領域外の支持基板と
の間に所定の垂直方向の間隔を維持する手段を形成し、
はんだエクステンダを形成して、基板または接合すべき
デバイス上の各はんだ垂直パッドに固定し、はんだマウ
ンドを基板上のパッドと整合させ、はんだエクステンダ
をその間に介在させ、垂直方向の間隔を維持する手段を
デバイスと基板の間にそれらと接するように配置して、
はんだマウンドを備えた半導体デバイスを支持基板上の
はんだマウント可能パッド上で位置決めし、スペーサを
使用して所定の間隔を維持しながら、得られたアセンブ
リを加熱して、はんだマウンドとはんだエクステンダの
両方を完全に溶融させ、このようにして第1段パッケー
ジ用の複数の砂時計型の細長い接続を形成することによ
り実施する。
最近、チップ及びキャリア用の第1段はんだ相互接続技
術をキャリアの第2段の相互接続に拡張して、回路板等
の高次パッケージを支持できるようにするため、かなり
の努力が払われてきた。たとえば、米国特許第4664309
号明細書は、はんだ等の接合形成材料のプリフォームを
入れる所定のパターンの穴を備えた保持部材を有する相
互接続プリフォーム配置装置を教示している。この装置
を電子部品上の平行な導電性素子のパターンと回路板と
の間に置き、導電性素子とプリフォームをボンディング
する。プリフォームは、ボンディング中その所定の形状
を保ち、接続工程後も元の形状を保持する。また、関連
の米国特許第4705205号明細書によれば、接合形成材料
は、充填はんだ組成物あるいは“ウール”、針金、また
は金網入の支持はんだでよく、接合形成材料のはんだ成
分が溶融してもその物理的形状が実質的に保持される。
術をキャリアの第2段の相互接続に拡張して、回路板等
の高次パッケージを支持できるようにするため、かなり
の努力が払われてきた。たとえば、米国特許第4664309
号明細書は、はんだ等の接合形成材料のプリフォームを
入れる所定のパターンの穴を備えた保持部材を有する相
互接続プリフォーム配置装置を教示している。この装置
を電子部品上の平行な導電性素子のパターンと回路板と
の間に置き、導電性素子とプリフォームをボンディング
する。プリフォームは、ボンディング中その所定の形状
を保ち、接続工程後も元の形状を保持する。また、関連
の米国特許第4705205号明細書によれば、接合形成材料
は、充填はんだ組成物あるいは“ウール”、針金、また
は金網入の支持はんだでよく、接合形成材料のはんだ成
分が溶融してもその物理的形状が実質的に保持される。
米国特許第4352449号明細書は、支持基板上にチップ・
キャリアを取り付ける方法を教示している。この方法
は、チップ・キャリアまたは基板のいずれか上の接触パ
ッドにはんだプリフォームを付着させるもので、キャリ
アと基板の接触パッドをはんだプリフォームと接触させ
た後、この最終アセンブリを加熱してはんだプリフォー
ムを完全に溶融させることにより、接続を形成する。
キャリアを取り付ける方法を教示している。この方法
は、チップ・キャリアまたは基板のいずれか上の接触パ
ッドにはんだプリフォームを付着させるもので、キャリ
アと基板の接触パッドをはんだプリフォームと接触させ
た後、この最終アセンブリを加熱してはんだプリフォー
ムを完全に溶融させることにより、接続を形成する。
米国特許第4332341号明細書は、チップ・キャリアを支
持基板にボンディングすることを含む回路パッケージの
形成方法を教示している。この方法では、固形はんだプ
リフォームを、部品または基板、あるいはその両方の接
触部材に付着し、プリフォームに力を加えながらはんだ
の融点より低い温度に加熱してプリフォームを接着部材
にボンディングし、これによってプリフォームを溶融せ
ずに接続を形成する。
持基板にボンディングすることを含む回路パッケージの
形成方法を教示している。この方法では、固形はんだプ
リフォームを、部品または基板、あるいはその両方の接
触部材に付着し、プリフォームに力を加えながらはんだ
の融点より低い温度に加熱してプリフォームを接着部材
にボンディングし、これによってプリフォームを溶融せ
ずに接続を形成する。
C.発明が解決しようとする課題 本発明の主目的は、セラミック・キャリアと支持回路板
との間に、高密度の電気的相互接続のアレイを形成する
方法を提供することにある。
との間に、高密度の電気的相互接続のアレイを形成する
方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、セラミック・キャリアと支持基板
との間に電気的相互接続を形成する、低コストの方法を
提供することにある。
との間に電気的相互接続を形成する、低コストの方法を
提供することにある。
本発明の全般的目的は、電子パッケージング用の改良さ
れた電気的相互接続を提供することにある。
れた電気的相互接続を提供することにある。
本発明の他の目的は、セラミック・キャリアと支持回路
板との間の熱膨張率の不一致に伴って生じる応力に耐え
る、改良された電気的相互接続を提供することにある。
板との間の熱膨張率の不一致に伴って生じる応力に耐え
る、改良された電気的相互接続を提供することにある。
D.課題を解決するための手段 本発明の回路パッケージの製造方法は、 (イ)一方の面に導電性パッドの第1のアレイを有する
キャリアを設けるステップと、 (ロ)高さと直径との比が2:1のピンを形成する高さ及
び直径をそれぞれ有する複数のピン穴が上記第1のアレ
イに対応したアレイ状に形成されたピン形成用の型板
を、上記ピン穴を上記導電性パッドに整列させるように
上記キャリア上に配置するステップと、 (ハ)上記ピン形成用の型板の上記ピン穴内に所与の融
点の第1のはんだを充填するステップと、 (ニ)上記ピン形成用の型板上の上記第1のはんだを加
熱して該第1のはんだを溶融させて上記導電性パッドに
融着させて、上記高さと直径との比が2:1のピンのアレ
イを上記キャリア上に形成するステップと、 (ホ)上記第1のアレイに対応したアレイ状に設けられ
た導電性パッド、該導電性パッド上にスクリーン印刷さ
れ上記第1のはんだの融点よりも低い融点の第2はんだ
を有する回路板を、該回路板の導電性パッドを上記ピン
の自由端に整列させるように上記キャリアに対面させて
配置するステップと、 (ヘ)上記第2のはんだをリフローさせて上記ピンの自
由端を上記回路板の導電性パッドに接続させるステップ
とを含む。
キャリアを設けるステップと、 (ロ)高さと直径との比が2:1のピンを形成する高さ及
び直径をそれぞれ有する複数のピン穴が上記第1のアレ
イに対応したアレイ状に形成されたピン形成用の型板
を、上記ピン穴を上記導電性パッドに整列させるように
上記キャリア上に配置するステップと、 (ハ)上記ピン形成用の型板の上記ピン穴内に所与の融
点の第1のはんだを充填するステップと、 (ニ)上記ピン形成用の型板上の上記第1のはんだを加
熱して該第1のはんだを溶融させて上記導電性パッドに
融着させて、上記高さと直径との比が2:1のピンのアレ
イを上記キャリア上に形成するステップと、 (ホ)上記第1のアレイに対応したアレイ状に設けられ
た導電性パッド、該導電性パッド上にスクリーン印刷さ
れ上記第1のはんだの融点よりも低い融点の第2はんだ
を有する回路板を、該回路板の導電性パッドを上記ピン
の自由端に整列させるように上記キャリアに対面させて
配置するステップと、 (ヘ)上記第2のはんだをリフローさせて上記ピンの自
由端を上記回路板の導電性パッドに接続させるステップ
とを含む。
上記ステップ(ニ)の後に、上記ピンのそれぞれの高さ
を均一な高さにそろえるステップを含む。
を均一な高さにそろえるステップを含む。
上記キャリアの他方の面に回路構成要素を接続するステ
ップを含む。
ップを含む。
E.実施例 第1図を参照して、本発明の教示による、有機回路板6
に可鍛性はんだ柱接続部5のアレイを形成する小型ピン
4の大きなアレイを備えたセラミック基板キャリア2か
らなる、電子回路パッケージについて説明する。一般
に、有機材料回路板6は、1つまたは複数の大きなアレ
イの小型ピン4を介して、1つまたは複数のセラミック
基板キャリア2に接続される。このキャリア2は、その
上に1つまたは複数の半導体チップ10を有する。本明細
書では、「アレイ」の用語は、エレメントの対称的な行
及び列を意味するが、低密度の非対称的な配列、及び一
般に複数のエレメントをも含むものとする。
に可鍛性はんだ柱接続部5のアレイを形成する小型ピン
4の大きなアレイを備えたセラミック基板キャリア2か
らなる、電子回路パッケージについて説明する。一般
に、有機材料回路板6は、1つまたは複数の大きなアレ
イの小型ピン4を介して、1つまたは複数のセラミック
基板キャリア2に接続される。このキャリア2は、その
上に1つまたは複数の半導体チップ10を有する。本明細
書では、「アレイ」の用語は、エレメントの対称的な行
及び列を意味するが、低密度の非対称的な配列、及び一
般に複数のエレメントをも含むものとする。
セラミック基板キャリア2の片面には、好ましくはモリ
ブデンまたはタングステンと、ニッケル及び金との合金
製の、メタライズされたパッド12の第1のアレイが設け
てある。第2図に示すように、基板キャリア2は、この
面を上にして置かれ、基板キャリア2のその面の上にピ
ン形成用の型板(以下、ピン・モールドという)14が置
かれる。ピン・モールド14は、熱膨張係数の諸特性がセ
ラミック基板の熱膨張係数と一致し、はんだに濡れず、
使用温度に耐える、グラファイトまたは類似の材料製の
ものが好ましく、対応するピン穴16のアレイを備えてい
る。ピン・モールド14は、対応するピン穴16のアレイ
が、第1のアレイのメタライズされたパッド12と整列す
るように、基板キャリア2と位置合せして置く。ピン・
モールド14中のピン穴16のアレイに、鉛90%、スズ10%
の組成の、所定量の鉛/スズはんだ20を充填する。この
はんだは、球形が好ましいが、針金状など許容される他
の形状でもよい。
ブデンまたはタングステンと、ニッケル及び金との合金
製の、メタライズされたパッド12の第1のアレイが設け
てある。第2図に示すように、基板キャリア2は、この
面を上にして置かれ、基板キャリア2のその面の上にピ
ン形成用の型板(以下、ピン・モールドという)14が置
かれる。ピン・モールド14は、熱膨張係数の諸特性がセ
ラミック基板の熱膨張係数と一致し、はんだに濡れず、
使用温度に耐える、グラファイトまたは類似の材料製の
ものが好ましく、対応するピン穴16のアレイを備えてい
る。ピン・モールド14は、対応するピン穴16のアレイ
が、第1のアレイのメタライズされたパッド12と整列す
るように、基板キャリア2と位置合せして置く。ピン・
モールド14中のピン穴16のアレイに、鉛90%、スズ10%
の組成の、所定量の鉛/スズはんだ20を充填する。この
はんだは、球形が好ましいが、針金状など許容される他
の形状でもよい。
基板キャリア2アセンブリ上のピン・モールド14全体
を、炉中を通過させて、約320℃の好ましい温度に1.5〜
3分間加熱し、ピーク温度を330〜355℃にする。ピン・
モールド14中のはんだ20が溶融し、メタライズされたパ
ッド12と融着して、金属結合を形成し、これにより基板
キャリア2のメタライズされたパッド12の第1のアレイ
に接着された、小型ピン4のアレイを形成する。小型ピ
ン4のアレイの形成後、ピン穴16中のはんだ20をリフロ
ーさせると、第3図に示すように、各小型ピン4の自由
端にドーム形状18ができる。アレイ中の小型ピン4の全
体の高さは、はんだ球20の寸法、または使用するはんだ
線の長さまたは直径あるいはその両方、並びにピン・モ
ールド14のピン穴16の直径によって制御できる。これら
のパラメータは、許容範囲内に保つことができる。別法
として、均一な高さとするために、小型ピン4のアレイ
を、周知の方法を用いた切断工具で削ってもよい。たと
えば、小型ピン4のアレイを、適当な型に入れ、均一な
高さに削ってもよい。
を、炉中を通過させて、約320℃の好ましい温度に1.5〜
3分間加熱し、ピーク温度を330〜355℃にする。ピン・
モールド14中のはんだ20が溶融し、メタライズされたパ
ッド12と融着して、金属結合を形成し、これにより基板
キャリア2のメタライズされたパッド12の第1のアレイ
に接着された、小型ピン4のアレイを形成する。小型ピ
ン4のアレイの形成後、ピン穴16中のはんだ20をリフロ
ーさせると、第3図に示すように、各小型ピン4の自由
端にドーム形状18ができる。アレイ中の小型ピン4の全
体の高さは、はんだ球20の寸法、または使用するはんだ
線の長さまたは直径あるいはその両方、並びにピン・モ
ールド14のピン穴16の直径によって制御できる。これら
のパラメータは、許容範囲内に保つことができる。別法
として、均一な高さとするために、小型ピン4のアレイ
を、周知の方法を用いた切断工具で削ってもよい。たと
えば、小型ピン4のアレイを、適当な型に入れ、均一な
高さに削ってもよい。
本発明の教示による小型ピン4のアレイは、高さと直径
の比が約2:1で、ピンの直径は、通常約1mmの入出力パッ
ド12の直径から0.4mmの直径にまでテーパをつけてもよ
い。たとえば、通常中心間距離が1.3mmのピン・アレイ
4では、高さ約1.5mmのピンを使用し、中心間距離が2.5
mmのピン・アレイ4では、高さ約2.5ないし3mmのピンを
使用する。このように、ピンの高さと直径の比が比較的
大きい可鍛性ピン・アレイ4は、基板キャリア2と有機
回路板6の熱膨張係数の不一致によって生じる応力をよ
りよく吸収することができる。
の比が約2:1で、ピンの直径は、通常約1mmの入出力パッ
ド12の直径から0.4mmの直径にまでテーパをつけてもよ
い。たとえば、通常中心間距離が1.3mmのピン・アレイ
4では、高さ約1.5mmのピンを使用し、中心間距離が2.5
mmのピン・アレイ4では、高さ約2.5ないし3mmのピンを
使用する。このように、ピンの高さと直径の比が比較的
大きい可鍛性ピン・アレイ4は、基板キャリア2と有機
回路板6の熱膨張係数の不一致によって生じる応力をよ
りよく吸収することができる。
従って、ピン・モールド14のピン穴16は、高さと直径の
比が約2:1のピン4を形成する高さ及び直径を有する。
比が約2:1のピン4を形成する高さ及び直径を有する。
チップ10を、ピン・モールド14中のピン4のアレイと接
合し、または手直しし、あるいはその両方を行なう。チ
ップ10は、好ましくは鉛97%、スズ3%の組成の低スズ
はんだにより、好ましくは330ないし355℃の温度範囲の
熱サイクルで接合する。その間に、ピン・モールド14の
ピン穴16内でピン4のアレイが溶融し、変形する。
合し、または手直しし、あるいはその両方を行なう。チ
ップ10は、好ましくは鉛97%、スズ3%の組成の低スズ
はんだにより、好ましくは330ないし355℃の温度範囲の
熱サイクルで接合する。その間に、ピン・モールド14の
ピン穴16内でピン4のアレイが溶融し、変形する。
次に、片面に小型ピン4のアレイを、反対側にチップ10
を取り付けた基板キャリア2を、有機回路板6上に置
く。回路板6には、好ましくは鉛37%、スズ63%の組成
の共融鉛/スズはんだペースト24をスクリーン印刷し
た、第2の対応するメタライズしたパッドのアレイ22
(第1図)が設けてある。基板キャリア2を、ピン4の
アレイが、回路板6上の第2の対応するメタライズした
パッドのアレイ22と実質的に整合するように、回路板6
と位置合せして置く。この接合工程の間に、ある程度の
自己整合が行なわれるが、これについては次に説明す
る。回路板6への接合は、基板キャリア2、ピン4のア
レイ、及び回路板6のアセンブリを、温度約220℃の気
相炉等の炉中を約1.5ないし2分間通過させることによ
って行なう。この低熱サイクルの間に、共融はんだ24が
溶融し、メタライズされたパッド22と、ピン4のアレイ
の自由端との間に金属結合を形成する。ピン4が溶融し
ないのでピン4のアレイはその形状を保ち、その結果、
機械的、電気的特性が良好な可鍛性はんだ柱接続部5の
アレイが形成される。本発明による製造方法は、大量生
産に適している。はんだ柱接続部の形成に低コストの合
金しか必要でないため、得られる相互接続は、従来のピ
ン・アレイ相互接続に比べて低コストである。
を取り付けた基板キャリア2を、有機回路板6上に置
く。回路板6には、好ましくは鉛37%、スズ63%の組成
の共融鉛/スズはんだペースト24をスクリーン印刷し
た、第2の対応するメタライズしたパッドのアレイ22
(第1図)が設けてある。基板キャリア2を、ピン4の
アレイが、回路板6上の第2の対応するメタライズした
パッドのアレイ22と実質的に整合するように、回路板6
と位置合せして置く。この接合工程の間に、ある程度の
自己整合が行なわれるが、これについては次に説明す
る。回路板6への接合は、基板キャリア2、ピン4のア
レイ、及び回路板6のアセンブリを、温度約220℃の気
相炉等の炉中を約1.5ないし2分間通過させることによ
って行なう。この低熱サイクルの間に、共融はんだ24が
溶融し、メタライズされたパッド22と、ピン4のアレイ
の自由端との間に金属結合を形成する。ピン4が溶融し
ないのでピン4のアレイはその形状を保ち、その結果、
機械的、電気的特性が良好な可鍛性はんだ柱接続部5の
アレイが形成される。本発明による製造方法は、大量生
産に適している。はんだ柱接続部の形成に低コストの合
金しか必要でないため、得られる相互接続は、従来のピ
ン・アレイ相互接続に比べて低コストである。
本発明の好ましい実施例を、鉛/スズ合金を使用するも
のとして説明したが、他の材料、たとえば、スズ/ビス
マス、スズ/アンチモン等の合金を含めて、他の第IVa
族と第Va族の合金も可能である。
のとして説明したが、他の材料、たとえば、スズ/ビス
マス、スズ/アンチモン等の合金を含めて、他の第IVa
族と第Va族の合金も可能である。
好ましい実施例では、鉛90重量%、スズ10重量%の鉛/
スズはんだ20、及び鉛37%、スズ63%の共融鉛/スズペ
ースト24を使用しているが、本発明は特定の組成だけに
限定されないことを理解されたい。はんだ20について
は、97〜85%の鉛と3〜15%のスズからなる組成、はん
だペースト24については、30〜45%の鉛と70〜55%のス
ズからなる組成も、はんだペースト24の融点がはんだ20
の融点よりかなり低い限り、使用できる。
スズはんだ20、及び鉛37%、スズ63%の共融鉛/スズペ
ースト24を使用しているが、本発明は特定の組成だけに
限定されないことを理解されたい。はんだ20について
は、97〜85%の鉛と3〜15%のスズからなる組成、はん
だペースト24については、30〜45%の鉛と70〜55%のス
ズからなる組成も、はんだペースト24の融点がはんだ20
の融点よりかなり低い限り、使用できる。
F.発明の効果 以上述べたように、本発明の教示によれば、従来達成不
可能であった高密度の電気的相互接続体を有する電子パ
ッケージングが提供される。
可能であった高密度の電気的相互接続体を有する電子パ
ッケージングが提供される。
第1図は、本発明によるセラミック・チップ・キャリア
のメタライズされたパッドと有機回路板の単一ピンによ
る相互接続を示す断面図である。 第2図及び第3図は、本発明によるはんだ柱接続部のア
レイを製作する方法の各段階における、ピン・モールド
を有するセラミック・キャリアの断面図である。 2……セラミック基板キャリア、4……小型ピン、5…
…可鍛性はんだ柱接続部、6……有機材料回路板、10…
…半導体チップ、14……ピン・モールド、16……ピン
穴、20……はんだ。
のメタライズされたパッドと有機回路板の単一ピンによ
る相互接続を示す断面図である。 第2図及び第3図は、本発明によるはんだ柱接続部のア
レイを製作する方法の各段階における、ピン・モールド
を有するセラミック・キャリアの断面図である。 2……セラミック基板キャリア、4……小型ピン、5…
…可鍛性はんだ柱接続部、6……有機材料回路板、10…
…半導体チップ、14……ピン・モールド、16……ピン
穴、20……はんだ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バート・ハリソン・ニユーマン アメリカ合衆国ニユーヨーク州カーメル、 ペツクスリツプ・ロード、アールデイ・ナ ンバー10番地 (72)発明者 エドワード・ルイス・ヤンコウスキー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ハイド・パ ーク、ホルト・ロード24番地 (56)参考文献 特開 昭61−46365(JP,A) 特開 昭61−296729(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】(イ)一方の面に導電性パッドの第1のア
レイを有するキャリアを設けるステップと、 (ロ)高さと直径との比が2:1のピンを形成する高さ及
び直径をそれぞれ有する複数のピン穴が上記第1のアレ
イに対応したアレイ状に形成されたピン形成用の型板
を、上記ピン穴を上記導電性パッドに整列させるように
上記キャリア上に配置するステップと、 (ハ)上記ピン形成用の型板の上記ピン穴内に所与の融
点の第1のはんだを充填するステップと、 (ニ)上記ピン形成用の型板内の上記第1のはんだを加
熱して該第1のはんだを溶融させて上記導電性パッドに
融着させて、上記高さと直径との比が2:1のピンのアレ
イを上記キャリア上に形成するステップと、 (ホ)上記第1のアレイに対応したアレイ状に設けられ
た導電性パッド、該導電性パッド上にスクリーン印刷さ
れ上記第1のはんだの融点よりも低い融点の第2はんだ
を有する回路板を、該回路板の導電性パッドを上記ピン
の自由端に整列させるように上記キャリアに対面させて
配置するステップと、 (ヘ)上記第2のはんだをリフローさせて上記ピンの自
由端を上記回路板の導電性パッドに接続させるステップ
とを含む、回路パッケージの製造方法。 - 【請求項2】上記ステップ(ニ)の後に、上記ピンのそ
れぞれの高さを均一な高さにそろえるステップを含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1(1)項記載の回路
パッケージの製造方法。 - 【請求項3】上記キャリアの他方の面に回路構成要素を
接続するステップを含むことを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載の回路パッケージの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/347,305 US4914814A (en) | 1989-05-04 | 1989-05-04 | Process of fabricating a circuit package |
| US347305 | 1989-05-04 |
Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8139979A Division JPH09129807A (ja) | 1989-05-04 | 1996-06-03 | 回路パッケージの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306655A JPH02306655A (ja) | 1990-12-20 |
| JPH0738432B2 true JPH0738432B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
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Family Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2115377A Expired - Fee Related JPH0738432B2 (ja) | 1989-05-04 | 1990-05-02 | 回路パツケージの製造方法 |
| JP8139979A Pending JPH09129807A (ja) | 1989-05-04 | 1996-06-03 | 回路パッケージの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8139979A Pending JPH09129807A (ja) | 1989-05-04 | 1996-06-03 | 回路パッケージの製造方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0396484B1 (ja) |
| JP (2) | JPH0738432B2 (ja) |
| DE (1) | DE69022104T2 (ja) |
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