JPH073874B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH073874B2 JPH073874B2 JP62181157A JP18115787A JPH073874B2 JP H073874 B2 JPH073874 B2 JP H073874B2 JP 62181157 A JP62181157 A JP 62181157A JP 18115787 A JP18115787 A JP 18115787A JP H073874 B2 JPH073874 B2 JP H073874B2
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- photoelectric conversion
- semiconductor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、表面に光電変換素子（例えば、赤外線検出
用の光電変換素子）が形成された半導体素子と、この半
導体素子を収納する収納容器とを備えた半導体装置に関
するものである。
用の光電変換素子）が形成された半導体素子と、この半
導体素子を収納する収納容器とを備えた半導体装置に関
するものである。
［従来の技術］ 近年、赤外検出用の半導体素子の発展には目ざましいも
のがあり、特に３〜５μｍ帯の波長域を観測するシリコ
ン・ショットキ・バリア型検出器においては、モノリシ
ック型で512×512画素の二次元検出器が開発されてお
り、良好な画像が得られている。
のがあり、特に３〜５μｍ帯の波長域を観測するシリコ
ン・ショットキ・バリア型検出器においては、モノリシ
ック型で512×512画素の二次元検出器が開発されてお
り、良好な画像が得られている。
このシリコン・ショットキ・バリア型赤外検出器は、光
電変換素子がパターニング形成されている面（以下「表
面」と称する）と反対側のシリコン基板面（以下、裏面
と称する）において、裏面側から入射された赤外光を受
ける表面に形成された光電変換素子のショットキ・バリ
アで光電変換されることが多い。
電変換素子がパターニング形成されている面（以下「表
面」と称する）と反対側のシリコン基板面（以下、裏面
と称する）において、裏面側から入射された赤外光を受
ける表面に形成された光電変換素子のショットキ・バリ
アで光電変換されることが多い。
第３図はこの赤外検出を行う半導体素子の概略断面図で
ある。
ある。
図において、半導体素子１の表面８において光電変換部
となるショットキ・バリア10を含む光電変換素子が形成
され、赤外光11は裏面９側から入射されることが示され
ている。
となるショットキ・バリア10を含む光電変換素子が形成
され、赤外光11は裏面９側から入射されることが示され
ている。
このように構成された半導体素子を光（赤外）検出用の
半導体装置である赤外検出装置とすべく容器に収納され
る。
半導体装置である赤外検出装置とすべく容器に収納され
る。
第４図は従来の赤外検出装置等の半導体装置の平面図で
あり、第５図は第４図のＶ−Ｖ断面図である。
あり、第５図は第４図のＶ−Ｖ断面図である。
両図を参照して、収納容器は、表面側から赤外光が入射
される窓４が形成されるとともに、この窓４周辺の裏面
に、第３図に示した半導体素子である赤外検出素子１の
裏面の周辺部が固定（ダイボンド）された上面部及びこ
の上面部の周辺から上面部の裏面側へ設けられた側面部
とを含む容器本体２と、この容器本体２の側面部の端部
に固定され、赤外検出素子１の表面に形成された光電変
換素子を保護する蓋体３とを有しているものである。
される窓４が形成されるとともに、この窓４周辺の裏面
に、第３図に示した半導体素子である赤外検出素子１の
裏面の周辺部が固定（ダイボンド）された上面部及びこ
の上面部の周辺から上面部の裏面側へ設けられた側面部
とを含む容器本体２と、この容器本体２の側面部の端部
に固定され、赤外検出素子１の表面に形成された光電変
換素子を保護する蓋体３とを有しているものである。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の半導体装置では、半導体素子の裏面
が収納容器の窓に露出するように設置されるので、表面
に形成される光電変換素子からなる検出部のアライメン
トが容易でないという問題点があった。
が収納容器の窓に露出するように設置されるので、表面
に形成される光電変換素子からなる検出部のアライメン
トが容易でないという問題点があった。
すなわち、たとえば入射面側に分光フィルタ等を形成し
ようとした場合、収納容器の窓側から半導体素子の検出
部のパターンが見えないため容器蓋を取付ける前に窓側
から裏面が見えるような特殊な装置を使用する必要があ
った。
ようとした場合、収納容器の窓側から半導体素子の検出
部のパターンが見えないため容器蓋を取付ける前に窓側
から裏面が見えるような特殊な装置を使用する必要があ
った。
また、冷却器に半導体装置である赤外検出装置を取付け
る場合においても、検出部は同様に裏面から見えないた
めダイボンドする前に裏面に表面と対応したマークを設
けておく必要が生じ、これは赤外検出装置の製作を複雑
にしていた。
る場合においても、検出部は同様に裏面から見えないた
めダイボンドする前に裏面に表面と対応したマークを設
けておく必要が生じ、これは赤外検出装置の製作を複雑
にしていた。
さらに、赤外検出装置が二次元検出装置のように検出部
の面積が広く半導体素子全面に拡がっている場合におい
ては上記マークは光学的影響の出ないものにする等の配
慮が必要とされた。
の面積が広く半導体素子全面に拡がっている場合におい
ては上記マークは光学的影響の出ないものにする等の配
慮が必要とされた。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、半導体素子を収納容器内に設置した後であって
も、収納容器の表面側、つまり、半導体装置の裏面側か
ら容易に光電変換素子からなる検出部のアライメントが
可能となる半導体装置を得ることを目的とする。
ので、半導体素子を収納容器内に設置した後であって
も、収納容器の表面側、つまり、半導体装置の裏面側か
ら容易に光電変換素子からなる検出部のアライメントが
可能となる半導体装置を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、裏面側から光が入射さ
れ、この入射された光を光電変換する光電変換素子が表
面に形成された半導体素子、表面側から上記光が入射さ
れる窓が形成されるとともに、この窓周辺の裏面に半導
体素子の裏面の周辺部が固定され、かつ、窓の周辺に表
面側から半導体素子の端部を確認できる位置決め開口が
形成された上面部及びこの上面部の周辺から上面部の上
面側へ設けられた側面部とを含む容器本体と、この容器
本体の側面部の端部に固定される蓋体とを有した収納容
器を設けたものである。
れ、この入射された光を光電変換する光電変換素子が表
面に形成された半導体素子、表面側から上記光が入射さ
れる窓が形成されるとともに、この窓周辺の裏面に半導
体素子の裏面の周辺部が固定され、かつ、窓の周辺に表
面側から半導体素子の端部を確認できる位置決め開口が
形成された上面部及びこの上面部の周辺から上面部の上
面側へ設けられた側面部とを含む容器本体と、この容器
本体の側面部の端部に固定される蓋体とを有した収納容
器を設けたものである。
［作用］ この発明においては、収納容器における半導体素子の裏
面が固定される容器本体の裏面部に形成された位置決め
開口によって、半導体素子の表面に形成された光電変換
素子と半導体素子の端部との位置関係が、容器本体の窓
が形成された上面部の表面側から容易に確認なさしめ
る。
面が固定される容器本体の裏面部に形成された位置決め
開口によって、半導体素子の表面に形成された光電変換
素子と半導体素子の端部との位置関係が、容器本体の窓
が形成された上面部の表面側から容易に確認なさしめ
る。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示すものであり、第２図
は第１図のII−II断面図である。
は第１図のII−II断面図である。
両図を参照して、収納容器は、表面側から赤外光が入射
される窓４が形成されるとともに、この窓４周辺の裏面
に、第３図に示した半導体素子である赤外検出素子１の
裏面の周辺部が固定（ダイボンド）された上面部及びこ
の上面部の周辺から上面部の裏面側へ設けられた側面部
とを含む容器本体２と、この容器本体２の側面部の端部
に固定され、赤外検出素子１の表面に形成された光電変
換素子を保護する蓋体３とを有しているものである。以
上の構成までは従来例と同様である。
される窓４が形成されるとともに、この窓４周辺の裏面
に、第３図に示した半導体素子である赤外検出素子１の
裏面の周辺部が固定（ダイボンド）された上面部及びこ
の上面部の周辺から上面部の裏面側へ設けられた側面部
とを含む容器本体２と、この容器本体２の側面部の端部
に固定され、赤外検出素子１の表面に形成された光電変
換素子を保護する蓋体３とを有しているものである。以
上の構成までは従来例と同様である。
この発明においては、半導体素子１の裏面の周辺部を容
器本体２の上面部裏面の窓４の周辺にダイボンドした時
に、半導体素子１の端部６に対応する窓４の周辺位置
に、容器本体２の上面部の表面側から半導体素子１の端
部６を確認できる小穴からなる位置決め開口５が形成さ
れ、収納容器の容器本体２の上面部の表面側から半導体
素子１の端部６が検出できるように構成されている。
器本体２の上面部裏面の窓４の周辺にダイボンドした時
に、半導体素子１の端部６に対応する窓４の周辺位置
に、容器本体２の上面部の表面側から半導体素子１の端
部６を確認できる小穴からなる位置決め開口５が形成さ
れ、収納容器の容器本体２の上面部の表面側から半導体
素子１の端部６が検出できるように構成されている。
次に、裏面から見えない半導体素子１の表面のパターン
の基準点７をもとに、具体的なアライメントについて説
明する。
の基準点７をもとに、具体的なアライメントについて説
明する。
半導体ウェハをスクライブして個々の半導体素子とした
状態で、パターンの基準点７と端部６との距離を測定す
る。また、スクライブ時の誤差は50μｍ以内であること
と、その切断はウェハ面に対してほぼ垂直に行われるこ
とから、直径１〜2mm程度の位置決め開口５が所定位置
に設けられていれば、半導体素子１のダイボンド時にそ
の端部６を位置決め開口５から露出するように位置合わ
せすることは容易である。
状態で、パターンの基準点７と端部６との距離を測定す
る。また、スクライブ時の誤差は50μｍ以内であること
と、その切断はウェハ面に対してほぼ垂直に行われるこ
とから、直径１〜2mm程度の位置決め開口５が所定位置
に設けられていれば、半導体素子１のダイボンド時にそ
の端部６を位置決め開口５から露出するように位置合わ
せすることは容易である。
したがって、ダイボンド終了後は赤外入射面側より位置
決め開口を通して半導体素子１の端部６の位置を確認す
ることができるので、この端部６と基準点７と事前測定
による位置関係から半導体素子１に対するアライメント
が可能となる。アライメントとしては、例えば３分光フ
ィルタを半導体素子の光電変換素子からなる検出部に選
択的に設置したり、冷却器と光電変換素子からなる検出
部との相対位置を調整したりすることが挙げられる。
決め開口を通して半導体素子１の端部６の位置を確認す
ることができるので、この端部６と基準点７と事前測定
による位置関係から半導体素子１に対するアライメント
が可能となる。アライメントとしては、例えば３分光フ
ィルタを半導体素子の光電変換素子からなる検出部に選
択的に設置したり、冷却器と光電変換素子からなる検出
部との相対位置を調整したりすることが挙げられる。
位置測定としては、非接触型の寸法測定器で±１μｍの
測定精度が保証されているので、半導体素子１の端部を
介しての測定であっても、基準点７と収納容器上または
収納容器外の点の位置との位置関係を±２μｍ以下で求
められるという高精度のアライメントが可能になる。
測定精度が保証されているので、半導体素子１の端部を
介しての測定であっても、基準点７と収納容器上または
収納容器外の点の位置との位置関係を±２μｍ以下で求
められるという高精度のアライメントが可能になる。
なお、上記実施例では小穴からなる位置決め開口５は窓
４と独立したものとしているが、この位置決め開口５を
上記実施例の小穴に替えて窓４と一体に接続された切込
み型のようなものであっても同様の効果を奏することは
言うまでもない。
４と独立したものとしているが、この位置決め開口５を
上記実施例の小穴に替えて窓４と一体に接続された切込
み型のようなものであっても同様の効果を奏することは
言うまでもない。
［発明の効果］ この発明は以上説明した通り、容器本体の光が入射され
る窓が形成され、かつ窓周辺の裏面に半導体素子の裏面
の周辺部が固定される上面部の窓の周辺に表面側から半
導体素子の端部を確認できる位置決め開口を設けたの
で、収納容器の容器本体の上面部の表面側から半導体素
子の端部を検出でき、特別な基準点の検出装置等は不要
となり、容易にかつ精度良く半導体素子のアライメント
が可能になる効果がある。
る窓が形成され、かつ窓周辺の裏面に半導体素子の裏面
の周辺部が固定される上面部の窓の周辺に表面側から半
導体素子の端部を確認できる位置決め開口を設けたの
で、収納容器の容器本体の上面部の表面側から半導体素
子の端部を検出でき、特別な基準点の検出装置等は不要
となり、容易にかつ精度良く半導体素子のアライメント
が可能になる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図は第
１図のII−II断面図、第３図は赤外検出素子である光電
変換素子を有した半導体素子の概略断面図、第４図は従
来の半導体装置の平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ断面
図である。 図において、１は半導体素子、４は窓、５は位置決め開
口、６は端部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
１図のII−II断面図、第３図は赤外検出素子である光電
変換素子を有した半導体素子の概略断面図、第４図は従
来の半導体装置の平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ断面
図である。 図において、１は半導体素子、４は窓、５は位置決め開
口、６は端部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】裏面側から光が入射され、この入射された
光を光電変換する光電変換素子が表面に形成された半導
体素子、 表面側から上記光が入射される窓が形成されるととも
に、この窓周辺の裏面に前記半導体素子の裏面の周辺部
が固定され、かつ、前記窓の周辺に表面側から前記半導
体素子の端部を確認できる位置決め開口が形成された上
面部及びこの上面部の周辺から前記上面部の裏面側へ設
けられた側面部とを含む容器本体と、この容器本体の側
面部の端部に固定される蓋体とを有した収納容器を備え
た半導体装置。 - 【請求項２】前記位置決め開口は、前記窓と連通して形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181157A JPH073874B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 半導体装置 |
| EP88302803A EP0300590B1 (en) | 1987-07-22 | 1988-03-29 | Semiconductor device package structure |
| DE3885363T DE3885363T2 (de) | 1987-07-22 | 1988-03-29 | Packungsstruktur für Halbleiteranordnung. |
| US07/175,276 US4924297A (en) | 1987-07-22 | 1988-03-30 | Semiconductor device package structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181157A JPH073874B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6425578A JPS6425578A (en) | 1989-01-27 |
| JPH073874B2 true JPH073874B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16095884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181157A Expired - Lifetime JPH073874B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4924297A (ja) |
| EP (1) | EP0300590B1 (ja) |
| JP (1) | JPH073874B2 (ja) |
| DE (1) | DE3885363T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960700530A (ko) * | 1993-01-29 | 1996-01-20 | 사이몬 크리스토퍼 로버츠 | 광학기구 패키징 방법 및 패키지(optical device packaging) |
| JP3247544B2 (ja) * | 1994-05-19 | 2002-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US5821532A (en) * | 1997-06-16 | 1998-10-13 | Eastman Kodak Company | Imager package substrate |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4871765U (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-08 | ||
| JPS5422115B2 (ja) * | 1972-05-19 | 1979-08-04 | ||
| JPS62195Y2 (ja) * | 1980-04-08 | 1987-01-07 | ||
| JPS56157048A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6038868B2 (ja) * | 1981-11-06 | 1985-09-03 | 富士通株式会社 | 半導体パツケ−ジ |
| JPS58103275A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6243154A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-07-22 JP JP62181157A patent/JPH073874B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-29 EP EP88302803A patent/EP0300590B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-29 DE DE3885363T patent/DE3885363T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-30 US US07/175,276 patent/US4924297A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3885363D1 (de) | 1993-12-09 |
| EP0300590B1 (en) | 1993-11-03 |
| DE3885363T2 (de) | 1994-06-01 |
| JPS6425578A (en) | 1989-01-27 |
| EP0300590A3 (en) | 1990-07-11 |
| US4924297A (en) | 1990-05-08 |
| EP0300590A2 (en) | 1989-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |