JPH0740104B2 - 非線形抵抗素子の製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子の製造方法Info
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- JPH0740104B2 JPH0740104B2 JP60210617A JP21061785A JPH0740104B2 JP H0740104 B2 JPH0740104 B2 JP H0740104B2 JP 60210617 A JP60210617 A JP 60210617A JP 21061785 A JP21061785 A JP 21061785A JP H0740104 B2 JPH0740104 B2 JP H0740104B2
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，液晶と組み合わせて画像表示装置を構成する
非線形抵抗素子の製造方法に関する。
非線形抵抗素子の製造方法に関する。
（発明の概要） 本発明は，非線形抵抗素子の製造方法において，非線形
抵抗膜と行または列電極である金属膜をほぼ同一形状に
形成することにより，マスク数を低減し，製造方法が容
易で信頼性を高くしたものである。
抵抗膜と行または列電極である金属膜をほぼ同一形状に
形成することにより，マスク数を低減し，製造方法が容
易で信頼性を高くしたものである。
（従来技術） 第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）は，従来の非線形抵抗素子の
製造方法を示す断面図を示す。第５図（ａ）は，ガラ
ス，石英等の透明絶縁基板１上に,ITO等の透明導電膜か
ら成る画素電極２を１回目のフオトエツチングにて形成
された断面図を示す。次に第５図（ｂ）に示すように，
非線形抵抗膜３を積層後２回目のフオトエツチングにて
形成する。次に第５図（ｃ）に示すように，行または列
電極となるCr,AI等の金属膜４をスパツタ等で積層して,
3回目のフオトエツチングにて形成している。
製造方法を示す断面図を示す。第５図（ａ）は，ガラ
ス，石英等の透明絶縁基板１上に,ITO等の透明導電膜か
ら成る画素電極２を１回目のフオトエツチングにて形成
された断面図を示す。次に第５図（ｂ）に示すように，
非線形抵抗膜３を積層後２回目のフオトエツチングにて
形成する。次に第５図（ｃ）に示すように，行または列
電極となるCr,AI等の金属膜４をスパツタ等で積層して,
3回目のフオトエツチングにて形成している。
（発明が解決しようとする問題点） 上述したように，非線形抵抗素子を作るのに３回のマス
ク工程を必要としていることと，プロセス工数が多いと
プロセス欠陥が多く発生し歩留りが悪くなる欠点があ
る。
ク工程を必要としていることと，プロセス工数が多いと
プロセス欠陥が多く発生し歩留りが悪くなる欠点があ
る。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点をすみやかに解決するためになされ
たものであり非線形抵抗膜と行または列電極となる金属
膜を連続して積層し，同一のマスク工程にて金属膜と非
線形抵抗膜をほぼ同一形状に選択除去することよりな
る。
たものであり非線形抵抗膜と行または列電極となる金属
膜を連続して積層し，同一のマスク工程にて金属膜と非
線形抵抗膜をほぼ同一形状に選択除去することよりな
る。
（作用） 上記のように，行または列電極である金属膜と非線形抵
抗膜をほぼ同一形状に選択形成することによつて，マス
ク工程を１回少なくでき，かつ特にフオト工程での欠陥
が少なくなりプロセス歩留りが向上し製造コストの低減
と信頼性の高い非線形抵抗素子ができる。
抗膜をほぼ同一形状に選択形成することによつて，マス
ク工程を１回少なくでき，かつ特にフオト工程での欠陥
が少なくなりプロセス歩留りが向上し製造コストの低減
と信頼性の高い非線形抵抗素子ができる。
（実施例） 第１図（ａ）〜（ｅ）は，本発明による非線形抵抗素子
の製造工程順を示す断面図である。ガラス，石英等の透
明絶縁基板１の上に,ITO（インジウム・スズ酸化物）な
どの透明導電膜である画素電極２を１回目のホトマスク
によつて選択的に形成する工程（第１図（ａ）），非線
形抵抗膜３とCr,AI,Au/Cr等の金属膜４を連続して積層
する工程（第１図（ｂ））,2回目のホトマスクによつて
レジスト５をマスクにして金属膜４を選択的に形成する
工程（第１図（ｃ），上記金属膜４と上記レジスト５を
マスクにして非線形抵抗膜３を選択的に形成する工程
（第１図（ｄ））からできている。第１図（ｅ）は，工
程終了後の断面構造図を示し,2回のマスク工程で非線形
抵抗素子ができる。
の製造工程順を示す断面図である。ガラス，石英等の透
明絶縁基板１の上に,ITO（インジウム・スズ酸化物）な
どの透明導電膜である画素電極２を１回目のホトマスク
によつて選択的に形成する工程（第１図（ａ）），非線
形抵抗膜３とCr,AI,Au/Cr等の金属膜４を連続して積層
する工程（第１図（ｂ））,2回目のホトマスクによつて
レジスト５をマスクにして金属膜４を選択的に形成する
工程（第１図（ｃ），上記金属膜４と上記レジスト５を
マスクにして非線形抵抗膜３を選択的に形成する工程
（第１図（ｄ））からできている。第１図（ｅ）は，工
程終了後の断面構造図を示し,2回のマスク工程で非線形
抵抗素子ができる。
第２図（ａ）〜（ｅ）は，本発明による非線形抵抗素子
の製造工程順を示す断面図の他の例を示す。第２図
（ｃ）の工程までは，第１図（ａ）〜（ｃ）の例と全く
同じであるので詳細を省略する。第２図（ｄ）は，レジ
スト５をマスクにして金属膜４を選択的に形成した後，
例えばクリーンオーブにおいて,160℃−30分間熱処理し
て，レジスト５の端部が金属膜４の端部より外側まで拡
がつて断面図を示す。第２図（ｅ）は，レジスト５をマ
スクにして非線形抵抗素子３を選択的に形成した断面図
を示す。最後にレジスト５を剥離すると第２図（ｆ）に
示すように金属膜４が若干（例えば２μｍ）非線形抵抗
膜３よりも小さく形成され，液晶表示装置等に使用した
時，非線形抵抗膜３の端部を通じて，画素電極と行また
は列電極の金属膜間に電流が流れにくくなるのでより好
ましい。
の製造工程順を示す断面図の他の例を示す。第２図
（ｃ）の工程までは，第１図（ａ）〜（ｃ）の例と全く
同じであるので詳細を省略する。第２図（ｄ）は，レジ
スト５をマスクにして金属膜４を選択的に形成した後，
例えばクリーンオーブにおいて,160℃−30分間熱処理し
て，レジスト５の端部が金属膜４の端部より外側まで拡
がつて断面図を示す。第２図（ｅ）は，レジスト５をマ
スクにして非線形抵抗素子３を選択的に形成した断面図
を示す。最後にレジスト５を剥離すると第２図（ｆ）に
示すように金属膜４が若干（例えば２μｍ）非線形抵抗
膜３よりも小さく形成され，液晶表示装置等に使用した
時，非線形抵抗膜３の端部を通じて，画素電極と行また
は列電極の金属膜間に電流が流れにくくなるのでより好
ましい。
第３図（ａ）〜（ｆ）は，本発明による非線形抵抗素子
の製造工程順を示す断面図の他の例を示す。第３図
（ｄ）の工程までは，第１図（ａ）〜（ｄ）までと全く
同じであるので説明詳略する。第３図（ｅ）は，金属膜
4,非線形抵抗膜３を連続してエツチングした後，金属膜
４が非線形抵抗膜３よりも小さいパターンになるよう
に，再度金属膜４をオーバーエツチしてある。レジスト
５を剥離すると第３図（ｆ）のように金属膜４が非線形
抵抗膜３よりも若干（例えば約２μｍ）小さく形成さ
れ，第２図の例に示したのと同じ効果が得られ好まし
い。
の製造工程順を示す断面図の他の例を示す。第３図
（ｄ）の工程までは，第１図（ａ）〜（ｄ）までと全く
同じであるので説明詳略する。第３図（ｅ）は，金属膜
4,非線形抵抗膜３を連続してエツチングした後，金属膜
４が非線形抵抗膜３よりも小さいパターンになるよう
に，再度金属膜４をオーバーエツチしてある。レジスト
５を剥離すると第３図（ｆ）のように金属膜４が非線形
抵抗膜３よりも若干（例えば約２μｍ）小さく形成さ
れ，第２図の例に示したのと同じ効果が得られ好まし
い。
なお，非線形抵抗膜3,プラズマCVD装置等で作成され，
化学量論比よりもシリコン含有量の多いシリコン酸化
膜，シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜であり，
例えば酸素とシリコンの原子組成比O/Siが，およそ0.1
〜1.5の範囲，窒素とシリコンの原子組成比N/Siが，お
よそ0.1〜1.0の範囲の膜を使用する。
化学量論比よりもシリコン含有量の多いシリコン酸化
膜，シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜であり，
例えば酸素とシリコンの原子組成比O/Siが，およそ0.1
〜1.5の範囲，窒素とシリコンの原子組成比N/Siが，お
よそ0.1〜1.0の範囲の膜を使用する。
第４図は，本発明による非線形抵抗素子の１画素の斜視
図の例を示す。ガラス等の透明絶縁基板１上に,ITO等の
透明導電膜である画素電極2,非線形抵抗膜3,行または列
電極である金属膜４から成つている。液晶表示装置を製
作するには，その後液晶の配向処理を施して，行または
列電極配線のあるもう１枚のガラス基板と貼り合わせた
後，液晶を封入しなければならないが，本発明ではその
詳細については省略する。
図の例を示す。ガラス等の透明絶縁基板１上に,ITO等の
透明導電膜である画素電極2,非線形抵抗膜3,行または列
電極である金属膜４から成つている。液晶表示装置を製
作するには，その後液晶の配向処理を施して，行または
列電極配線のあるもう１枚のガラス基板と貼り合わせた
後，液晶を封入しなければならないが，本発明ではその
詳細については省略する。
（発明の効果） 上述の説明から明らかなように，本発明の非線形抵抗素
子の製造方法では，行または列電極となる金属膜と非線
形抵抗素子を同一マスクで選択形成するため，従来の非
線形抵抗素子の製造方法に比べてマスク工程が１回少な
くでき，製造コストの低減，高歩留り化が達成できる。
子の製造方法では，行または列電極となる金属膜と非線
形抵抗素子を同一マスクで選択形成するため，従来の非
線形抵抗素子の製造方法に比べてマスク工程が１回少な
くでき，製造コストの低減，高歩留り化が達成できる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による非線形抵抗素子の
製造工程順を示す断面図，第２図（ａ）〜（ｆ）は本発
明の他の実施例の製造工程順を示す断面図，第３図
（ａ）〜（ｆ）は本発明のさらに他の実施例の製造工程
順を示す断面図，第４図は本発明の非線形抵抗素子の傾
斜図，第５図（ａ）〜（ｃ）は従来の非線形抵抗素子の
製造工程の断面図である。 １……基板,2……画素電極,3……非線形抵抗膜,4……金
属膜,5……レジスト
製造工程順を示す断面図，第２図（ａ）〜（ｆ）は本発
明の他の実施例の製造工程順を示す断面図，第３図
（ａ）〜（ｆ）は本発明のさらに他の実施例の製造工程
順を示す断面図，第４図は本発明の非線形抵抗素子の傾
斜図，第５図（ａ）〜（ｃ）は従来の非線形抵抗素子の
製造工程の断面図である。 １……基板,2……画素電極,3……非線形抵抗膜,4……金
属膜,5……レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 49/02
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）少なくとも絶縁基板上に透明電極か
らなる画素電極を選択的に形成する第１工程、 （ｂ）化学量論比よりもシリコン含有量の多いシリコン
酸化膜、シリコン窒素膜またはシリコン酸化窒化膜から
なる非線形抵抗膜と金属膜を連続して積層する第２工
程、 （ｃ）レジストを形成し、上記金属膜をフォトエッチン
グにより選択的に除去する第３工程、 （ｄ）上記レジスタの端部を上記金属膜の端部よりも外
側まで変形させた後に、上記非線形抵抗膜を選択的に除
去して、上記金属膜とほぼ同一形状に形成する第４工
程、より成ることを特徴とする非線形抵抗素子の製造方
法。 - 【請求項２】（ａ）少なくとも絶縁基板上に透明電極か
らなる画素電極を選択的に形成する第１工程、 （ｂ）化学量論比よりもシリコン含有量の多いシリコン
酸化膜、シリコン窒素膜またはシリコン酸化窒化膜から
なる非線形抵抗膜と金属膜を連続して積層する第２工
程、 （ｃ）レジストを形成し、上記金属膜をフォトエッチン
グにより選択的に除去する第３工程、 （ｄ）上記非線形抵抗膜を選択的に除去した後に、上記
金属膜をエッチングして上記非線形抵抗膜とほぼ同一形
状にする第４工程、より成ることを特徴とする非線形抵
抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210617A JPH0740104B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210617A JPH0740104B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269659A JPS6269659A (ja) | 1987-03-30 |
| JPH0740104B2 true JPH0740104B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=16592289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210617A Expired - Fee Related JPH0740104B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740104B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161197A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体表示装置 |
| JPH0617956A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Akio Oba | ソレノイドバルブ |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210617A patent/JPH0740104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6269659A (ja) | 1987-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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