JPH0745714B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板上に薄膜を形成するための薄膜形成装置
に関し、特に蒸着源又はスパッタ源の出力をフィードバ
ック制御する機構を改良した薄膜形成装置に係わる。

［従来の技術］ 従来、基到上に成膜された薄膜の化学組成を制御する機
能を有する薄膜形成装置としては、真空チャンバ内に設
置された各蒸着源又はスパッタ源からの薄膜形成粒子の
量を検出する検出器と、この検出器での検出値に基づい
て前記各蒸着源又はスパッタ源の出力を制御する手段と
を備えた構造のものが知られている。

［発明が解決しようとする課題］ 上述した薄膜形成装置では、各蒸発源又はスパッタ源か
らの薄膜形成粒子の量を制御指標として基板上に成膜さ
れた薄膜の化学組成を間接的に制御するものである。し
かしながら、基板上に成膜された薄膜の化学組成は薄膜
形成粒子の基板への成膜確率、合金反応や化学反応の影
響によって変化するため、薄膜形成粒子の量を制御指標
としても薄膜の化学組成を高精度で制御できない。

本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、真空チャンバ内に配置した基板上への薄膜の成膜
と同時に、成膜された薄膜の化学組成を直接検出し、こ
れに基づいて各蒸発源又はスパッタ源の出力をフィード
バック制御することにより、目的の化学組成を有する薄
膜を高精度で成膜し得る薄膜形成装置を提供しようとす
るものである。

［課題を解決するための手段］ 本願第１の発明は、真空チャンバ内に少なくとも１台以
上の蒸着源又はスパッタ源を設置し、該チャンバ内に配
置した基板上に所望の薄膜を成膜する薄膜形成装置にお
いて、前記真空チャンバに付設され、前記基板上に成膜
された薄膜に蛍光Ｘ線を励起するためのＸ線を該基板表
面に対して10゜以下の角度で入射させるＸ線源と、この
Ｘ線源からのＸ線を照射された基板表面が励起されて発
する蛍光Ｘ線を検出するための検出器と、この検出器に
よる検出値を予め設定した基準値と比較し、これに基づ
いて前記蒸発源又はスパッタ源のうち少なくとも１台の
蒸発源又はスパッタ源の出力をフィードバック制御する
ための制御手段とを具備したことを特徴とする薄膜形成
装置である。

上記Ｘ線源からのＸ線の基板表面に対する入射角度を10
゜以下に限定した理由は、その入射角度が10゜を越える
と、基板への成膜直後の薄膜表層の化学組成を高感度で
検出できなくなるからである。

本願第２の発明は、前記第１の発明の構成に成膜速度を
検出する検出器と、この検出値を予め設定した基準値と
比較し、これに基づいて蒸着源又はスパッタ源の出力を
フィードバック制御する制御手段の出力制御系を調節す
る手段とを付加した構造の薄膜形成装置である。

本願第３の発明は、前記第１、第２の発明の構成に真空
チャンバに付設され、基板上に成膜された薄膜からの回
折Ｘ線強度を検出する検出器と、この検出器の検出値を
予め設定した基準値と比較し、これに基づいて制御手段
の蛍光Ｘ線の基準値を増減させる手段とを付加した構造
の薄膜形成装置である。

本願第４の発明は、前記第１〜第３の発明で使用される
Ｘ線源を基板上に成膜された薄膜に蛍光Ｘ線を励起する
ためのＸ線を該基板表面に対して入射させる時の角度が
Ｘ線の全反射の臨界角以下となるように配置したことを
特徴とする薄膜形成装置である。

上記本願第１〜第４の発明において、真空チャンバの側
壁上部にベリリウム窓などのＸ線を透過させる窓を設
け、この窓の外側にＸ線源や検出器を配置した構成にし
てもよい。

［作用］ 本願第１の発明によれば、基板上に成膜された薄膜にＸ
線を照射して蛍光Ｘ線を励起させるＸ線源と、励起され
た蛍光Ｘ線を検出する検出器により基板上に、成膜され
た薄膜の化学組成をその成膜過程において直接かつ同時
に検出できる。この際、Ｘ線源はそれから放出されるＸ
線が基板表面に対して10゜以下の角度で入射させるよう
に真空チャンバに付設してあるため、該基板表面に成膜
された薄膜の化学組成に相関する蛍光Ｘ線をより多く放
出でき、検出器による薄膜の化学組成に相関する特性Ｘ
線の検出感度を著しく向上できる。そして、かかる検出
値を制御手段により予め設定した基準値と比較し、これ
に基づいて真空チャンバ内に設置した蒸発源又はスパッ
タ源の出力をフィードバック制御することによって、目
的の化学組成を有する薄膜を高精度で基板上に成膜でき
る。

また、Ｘ線源はそれから放出されるＸ線が基板表面に対
して10゜以下の角度で入射させるように真空チャンバに
付設してあるため、該Ｘ線源をチャンバ内に配置した場
合、Ｘ線源が蒸発源又はスパッタ源からの薄膜形成粒子
により汚染されたり、薄膜形成粒子を遮断して基板上の
薄膜の蒸着を阻害するのを防止できる。

本願第２の発明によれば、前記第１の発明の構成に成膜
速度を検出する検出器と、この検出値を予め設定した基
準値と比較し、これに基づいて蒸着源又はスパッタ源の
出力をフィードバック制御する制御手段の出力制御系を
調節する手段とを付加することによって、基板上に薄膜
を一定の速度で成膜でき、ひいては目的の化学組成を有
すると共に結晶性や形状等が揃った膜質の良好な薄膜を
形成できる。

本願第３の発明によれば、前記第１、第２の発明の構成
に真空チャンバに付設され、基板上に成膜された薄膜か
らの回折Ｘ線強度を検出する検出器と、この検出器の検
出値（例えば２つの検出器から得られる回折Ｘ線強度比
や検出した回折Ｘ線の最大値となるピーク位置などの検
出値）を予め設定した基準値と比較し、これに基づいて
制御手段の蛍光Ｘ線の基準値を増減させる手段とを付加
することによって、基板上に成膜される薄膜がそれらの
組成比率の僅かな変動によって結晶構造の変化（例えば
非晶質から結晶質への変化や格子定数の変動）が起きた
場合、前記制御手段における蛍光Ｘ線の基準値を増減で
きるため、目的とする化学組成に高精度で制御できる他
に、所定の結晶構造をもつ薄膜を成膜できる。即ち、基
板上に成膜される薄膜がそれらの組成比率の僅かな変動
によって前記結晶構造が変化した場合、その修正を最終
段の制御手段の出力制御系の調節によって行なうことが
考えられる。しかしながら、かかる制御方式では制御手
段の制御出力系に化学組成の制御情報、成膜速度の制御
情報及び結晶構造等の制御情報の３つの情報が入力され
ることになるため、制御にコンフリクト（矛盾）が生じ
て制御が実質的に不可能となる。このようなことから、
既述の如く制御手段における蛍光Ｘ線の基準値を増減で
きる手段を付加することによって、目的とする化学組成
に高精度で制御できる他に、所定の非晶質構造の薄膜、
所定の格子定数をもつ薄膜や所定の結晶面をもつ薄膜を
成膜できる。

本願第４の発明によれば、前記第１〜第３の発明で使用
されるＸ線源を基板上に成膜された薄膜に蛍光Ｘ線を励
起するためのＸ線を該基板表面に対して入射させる時の
角度がＸ線の全反射の臨界角以下となるように配置する
ことによって、基板上に成膜された薄膜に入射するＸ線
が全反射するため、薄膜の表面から内部にＸ線が入り込
まず、薄膜を構成する原子の蛍光Ｘ線の検出感度を向上
できる。

また、本発明の第１〜第４の発明においてＸ線は透過力
が比較的大きいのでチャンバ内の薄膜形成圧力に規制さ
れることなく薄膜形成を実施できる。また、真空チャン
バの側壁にＸ線を透過する窓を設けた構成によれば該窓
の外側、つまり大気中にＸ線源や検出器を配置できるの
で、薄膜への入射位置や角度などの調整操作を容易に行
なうことができる。

［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。但し、実施例２〜４で参照する第２図〜第４図にお
いては、第１図と同様な部材は同符号を付して説明を省
略する。

実施例１ 第１図は、本発明の実施例１における薄膜形成装置を示
す概略図であり、図中の１は真空チャンバである。この
真空チャンバ１の底部には、該チャンバ１内の所定の真
空度に保持するための真空ポンプと連通する排気管（い
ずれも図示せず）が設けられている。前記真空チャンバ
１の底部付近には、例えば２台の蒸発源2a、2bが配設さ
れている。これら蒸発源2a、2bは、ルツボ3a、3bと、こ
のルツボ3a、3b内に収納した所定の金属に電子ビームを
照射して蒸発を行なうためのEBガン4a、4bとから構成さ
れている。前記真空チャンバ１内の上部付近には、基板
を保持するための基板ホルダ５が配設されている。前記
真空チャンバ１の上部側壁には、前記基板上には成膜さ
れた薄膜にＸ線（例えば白色Ｘ線）を照射して蛍光Ｘ線
を励起させるためのＸ線源６が設けられている。このＸ
線源６は、放出されるＸ線の基板表面に対する角度がＸ
線の基板表面への入射において全反射する臨界角となる
ように配置されている。また、前記真空チャンバ１の上
部側壁には前記Ｘ線の照射により励起された蛍光Ｘ線を
検出するための固体素子からなる蛍光検出器７が設けら
れている。この検出器７は、前記基板表面に対して蛍光
Ｘ線が全反射する臨界角の傾きをもつように角度設定さ
れている。

前記検出器７は、第１増幅器８に接続されている。この
第１増幅器８は、予め所定の蛍光Ｘ線のみを検出するよ
うに設定された波高分析器9a、9bに接続されている。こ
れら波高分析器9a、9bは、第１比較器10a、10bに夫々接
続されている。これら比較器10a、10bには、計数率設定
器11a、11bが夫々接続され、各設定器11a、11bから前記
比較器10a、10bに予め所定の化学組成に対応するように
設定された計数率基準値の信号が出力される。前記各第
１比較器10a、10bは、第２増幅器12a、12bに夫々接続さ
れ、かつこれら増幅器12a、12bは出力制御系としての蒸
発源出力制御器13a、13bに夫々接続されている。これら
蒸発源出力制御器13a、13bは、前記真空チャンバ１内の
各蒸発源2a、2bのEBガン4a、4bに接続され、各制御器13
a、13bから各EBガン4a、4bにフィードバック制御信号が
出力されるようになっている。こうした第１増幅器８、
波高分析器9a、9b、第１比較器10a、10b、計数率設定器
11a、12b、第２増幅器12a、12b及び蒸発源出力制御器13
a、13bにより前記各蒸発源2a、2bのEBガン4a、4bの出力
をフィードバック制御するための制御手段が構成されて
いる。なお、前記各蒸発源出力制御器13a、13bには該制
御器13a、13bにより前記EBガン4a、4bの出力をフィード
バック制御する際の絶対出力を手動で調節するための蒸
発源出力調節器14が接続されている。

次に、本実施例１の薄膜形成装置による薄膜形成につい
て説明する。

まず、基板ホルダ５に所定の基板15を保持させ、蒸発源
2a、2bのルツボ3a、3b内に成膜すべき薄膜の組成成分と
しての２種の金属16a、16bを収納した後、真空ポンプを
作動してチャンバ１内のガスを排気管（図示せず）を通
してチャンバ１内を所定の真空度に保持する。つづい
て、各蒸発源出力制御器13a、13bからの信号により各EB
ガン4a、4bを作動して電子ビームを各ルツボ3a、3b内の
金属16a、16bに照射して溶融、蒸発させ、それらの蒸発
ビーム（薄膜形成粒子）により基板15表面に薄膜を成膜
する。

上述した成膜過程において、Ｘ線源６を単色Ｘ線源と
し、白色Ｘ線を薄膜表面にＸ線が全反射する臨界角度で
入射させる。この時、基板15表面に成膜された薄膜の再
表層にＸ線が効率よく照射され、該最表層の化学組成に
相関する蛍光Ｘ線が励起、放出される。こうして放出さ
れた蛍光Ｘ線は、チャンバ１に設けられた蛍光Ｘ線検出
器７で検出される。検出器７での検出後に第１増幅器８
で増幅され、２つの波高分析器9a、9bにより前記薄膜の
組成成分であるルツボ3a、3b内の金属16a、16bの蛍光Ｘ
線のみを分析し、それらの計数率を第１比較器10a、10b
に出力する。これら比較器10a、10bにおいて、前記波高
分析器9a、9bからの計数率信号をと計数率設定器11a、1
1bからの予め設定された計数率基準値とを比較し、これ
らの偏差出力を第２増幅器12a、12bで増幅した後、その
出力信号に基づいて蒸発源出力制御器13a、13bにより蒸
発源2a、2bのEBガン4a、4bの出力をフィードバック制御
する。従って、成膜過程における制御手段による一連の
フィードバック制御によって、ルツボ3a、3b内に収納し
た２種の金属が目的とする組成比率で精度よく合金化さ
れた合金薄膜を基板15表面に成膜できる。なお、かかる
成膜過程での速度は蒸発源出力調節器14から調節信号を
蒸発源出力制御器13a、13bに出力し、これに基づいて蒸
発源2a、2bのEBガン4a、4bの出力をフィードバック制御
することによって行なった。

実施例２ 第２図は、本実施例２の薄膜形成装置を示す概略図であ
る。図中の17は、真空チャンバ１の上部に配設された例
えば水晶膜厚計からなる成膜速度検出器である。この検
出器17は、第３増幅器18に接続され、かつ該増幅器18は
第２比較器19に接続さえている。この比較器19には、成
膜速度設定器20が接続され、該設定器20から前記比較器
19に予め設定した成膜速度基準値の信号を出力される。
前記第２比較器19は、第４増幅器21に接続され、かつ該
増幅器21は出力制御系としての蒸発源出力制御器13a、1
3bに夫々接続されている。

このような構成の本実施例２によれば、前述した実施例
１での成膜過程において、蒸発源2a、2bのルツボ3a、3b
からの蒸発ビーム（薄膜形成粒子）が成膜速度検出器17
下面に成膜され、成膜速度を検出し、第３増幅器18で増
幅後、第２比較器19に出力される。この比較器19におい
て、前記増幅器18からの信号と成膜速度設定器20からの
予め設定された成膜速度基準値とを比較し、これらの偏
差出力を第４増幅器21で増幅した後、その出力信号に基
づいて蒸発源出力制御器13a、13bにより蒸発源2a、2bの
EBガン4a、4bの最大出力を同一比率でフィードバック制
御する。従って、成膜過程における前述した実施例１で
の制御手段における第２増幅器12a、12bで増幅後の出力
信号、及び第４の増幅器21で増幅後の出力信号基づいて
蒸発源出力制御器13a、13bにより蒸発源2a、2bのEBガン
4a、4bの出力をフィードバック制御することによって、
ルツボ3a、3b内に収納した２種の金属を目的とする組成
比率で精度よく合金化された合金薄膜を基板15表面に成
膜できると共に、その成膜精度を一定化でき、膜質や純
度が良好な合金薄膜を形成できる。

実施例３ 第３図は、本実施例３の薄膜形成装置を示す概略図であ
る。図中の６′は単色Ｘ線を放出するＸ線源であり、こ
のＸ線源６′は前記実施例１のＸ線源６と同様、放出し
たＸ線の基板表面に対する角度がＸ線の基板表面への入
射において全反射する臨界角となるように配置されてい
る。また、図中の22は真空チャンバ１の側壁に設けられ
たＸ線取出し窓であり、該窓22は例えばＸ線透過性の高
いベリリウムで形成されている。この窓22の外側には、
該窓22を透過した回折Ｘ線強度を検出するための２つの
回折Ｘ線検出器23a、23bが配設されている。これら検出
器23a、23bは、第５増幅器24a、24bに夫々接続され、か
つこれら増幅器24a、24bは割り算器25に接続されてい
る。この割り算器25は、前記各増幅器24a、24bからの回
折Ｘ線強度信号の比率を求め、その比率に基づいて制御
信号を前記計数設定器11a、11bに夫々出力するものであ
る。

このような構成の本実施例３によれば、前述した実施例
１で説明した成膜過程において、Ｘ線源６′から単色Ｘ
線を薄膜表面にＸ線が全反射する臨界角度で入射させる
と、基板15表面に成膜された薄膜の最表層の化学組成に
相関する蛍光Ｘ線が励起、放出されると共に、回折Ｘ線
が放出される。回折Ｘ線は、チャンバ１の側壁に設けた
Ｘ線取出し窓22を透過して回折Ｘ線検出器23a、23bに検
出され、回折Ｘ線強度に対応する信号として第５増幅器
24a、24bで増幅後、割り算器25に出力される。この割り
算器25において、２つの増幅された回折Ｘ線強度信号の
比率が求められ、これに基づいて計数率設定器11a、11b
の計数率基準値が補正される。例えば、基板15表面に非
晶質の合金薄膜を成膜しようとする場合、該薄膜表面へ
の単色Ｘ線の照射において回折は起こらず非晶質特有の
ハローパターンが出現するため、前記割り算器25で求め
られた回折Ｘ線強度の比率は１に近い値となる。一方、
結晶化が進んだ場合、回折Ｘ線23a、23bを単色Ｘ線の照
射により回折が起こる方向に対応する位置と回折が起こ
らない方向に対応する位置に配置しておけば、前記割り
算器25で求められた回折Ｘ線強度の比率は１より大きい
値又は小さい値となる。そこで、割り算器25において予
め定めた偏差範囲を越えて前記比率が１からずれた場合
には、該割り算器25から計数率設定器11a、11bの計数率
基準値を薄膜が非晶質構造となるように増減させる。こ
のような計数率設定器11a、11bから補正された計数率基
準値を第１比較器10a、10bに出力すると共に、前述した
実施例１で説明した波高分析器9a、9bからの計数率信号
を同比較器10a、10bに出力し、各比較器10a、10bにおい
て、それらの計数率信号と補正された計数率基準値とを
比較し、これらの偏差出力を第２増幅器12a、12bで増幅
した後、その出力信号に基づいて蒸発源出力制御器13
a、13bにより蒸発源2a、2bのEBガン4a、4bの出力をフィ
ードバック制御する。従って、計数率設定器11a、11bの
計数率基準値が割り算器25により補正される構成をなす
制御手段による一連のフィードバック制御によって、ル
ツボ3a、3b内に収納した２種の金属が目的とする組成比
率で精度よく合金化され、かつ所定の結晶構造（例えば
非晶質構造）を有する合金薄膜を基板15表面に成膜する
ことができる。

実施例４ 第４図は、本実施例４の薄膜形成装置を示す概略図であ
る。図中の６′は単色Ｘ線を放出するＸ線源であり、こ
のＸ線源６′は前記実施例１のＸ線源６と同様、放出し
たＸ線の基板表面に対する角度がＸ線の基板表面への入
射において全反射する臨界角となるように配置されてい
る。また、図中の22は真空チャンバ１の上部側壁に設け
られたベリリウム窓である。この窓22の外側には、該窓
22を透過した回折Ｘ線強度を検出するための位置敏感型
Ｘ線検出器26が配設されている。この検出器26は、薄膜
のある結晶面に対応するＸ線回折角とその周辺のＸ線回
折強度を一度に測定できるように配置されている。前記
検出器26は、第６増幅器27に接続され、かつ該増幅器27
はピーク位置検出器28に接続されている。この検出器28
は第３の比較器29に接続されている。この比較器29に
は、ピーク位置設定器30が接続され、該設定器30から該
比較器29に予め所定の格子定数をもつ結晶の結晶面に対
応するするように設定したピーク位置基準値の信号が出
力される。前記第３の比較器29は、計数設定器11a、11b
に夫々接続されている。

このような構成の本実施例４によれば、前述した実施例
１で説明した成膜過程において、Ｘ線源６′から単色Ｘ
線を薄膜表面にＸ線が全反射する臨界角度で入射させる
と、基板15表面に成膜された薄膜の最表層の化学組成に
相関する蛍光Ｘ線が励起、放出されると共に、薄膜の結
晶面に対応する回折Ｘ線が放出される。回折Ｘ線は、チ
ャンバ１の上部側壁に設けたベリリウム窓22を透過して
位置敏感型Ｘ線検出器26で検出され、Ｘ線回折角とその
周辺のＸ線回折強度に対応する信号として第６の増幅器
27で増幅後、ピーク位置検出器28に出力される。このピ
ーク位置検出器28において、回折角に対応した回折ピー
ク位置が検出され、この検出信号は第３の比較器29に出
力される。この比較器29において、前記検出器28からの
回折ピーク位置とピーク位置設定器30からの予め設定さ
れたピーク位置基準値とを比較し、これに基づいて計数
設定器11a、11bの計数率基準値が補正される。例えば、
基板15表面に多結晶の合金薄膜を成膜しようとする場
合、該合金薄膜は僅かな組成変化に応じて結晶格子定数
が変化する。そこで、第３の比較器29において検出器28
からの回折ピーク位置とピーク位置設定器30からの予め
設定された格子定数をもつ結晶の結晶面に対応する回折
ピークの起こる位置（ピーク位置基準値）とを比較し、
これに基づいて計数率設定器11a、11bの計数率基準値を
薄膜が所定の格子定数をもつ多結晶構造となるように増
減させる。このような計数率設定器11a、11bから補正さ
れた計数率基準値を第１比較器10a、10bに出力すると共
に、前述した実施例１で説明した波高分析器9a、9bから
の計数率信号を同比較器10a、10bに出力し、各比較器10
a、10bにおいて、それらの計数率信号と補正された計数
率基準値とを比較し、これらの偏差出力を第２増幅器12
a、12bで増幅した後、その出力信号に基づいて蒸発源出
力制御器13a、13bにより蒸発源2a、2bのEBガン4a、4bの
出力をフィードバック制御する。従って、計数率設定器
11a、11bの計数率基準値が第３の比較器29により補正さ
れる構成をなす制御手段による一連のフィードバック制
御によって、ルツボ3a、3b内に収納した２種の金属が目
的とする組成比率で精度よく合金化され、かつ所定の格
子定数をもつ多結晶合金薄膜を基板15表面に成膜するこ
とができる。

なお、上記各実施例１〜４では真空チャンバ内に２台の
蒸発源を配設した構成としたが、これに限定されず、１
台又は３台以上配設してもよい。また、蒸発源の代わり
にスパッタ源を真空チャンバ内に少なくとも１台以上配
置する構成にしてもよい。特に、１台の蒸発源又はスパ
ッタ源を真空チャンバ内に配設した構造の薄膜形成装置
において、真空チャンバ内に反応性ガスを供給して金属
との化合物薄膜を基板上に成膜する最、蒸発源又はスパ
ッタ源の出力を制御手段でフィードバック制御すること
により目的とする化学組成に精度よく制御された化合物
薄膜を基板上に成膜できる。

［発明の効果］ 以上詳述した如く、本願第１の発明によれば真空チャン
バ内に配置した基板上に目的の化学組成を有する薄膜を
高精度で成膜し得る薄膜形成装置を提供できる。また、
本願第２の発明によれば、真空チャンバ内に配置した基
板上に目的の化学組成を有する薄膜を高精度で成膜でき
ると共に、その成膜速度を一定化でき、膜質や純度が良
好な薄膜を形成し得る薄膜形成装置を提供できる。更
に、本願第３の発明によれば真空チャンバ内に配置した
基板上に目的の化学組成を有し、かつ所定の結晶構造
（例えば結晶性や格子定数）をもつ薄膜を高精度で成膜
したり、更にその成膜速度を一定化でき、膜質や純度が
良好な薄膜を形成し得る薄膜形成装置を提供できる。更
に、本願第４の発明によれば薄膜を構成する原子の蛍光
Ｘ線の検出感度を向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１の薄膜形成装置を示す概略
図、第２図は本発明の実施例２の薄膜形成装置を示す概
略図、第３図は本発明の実施例３の薄膜形成装置を示す
概略図、第４図は本発明の実施例４の薄膜形成装置を示
す概略図である。 １……真空チャンバ、2a、2b……蒸発源、６、６′……
Ｘ線源、７……蛍光Ｘ線検出器、10a、10b、19、29……
比較器、11a、11b……計数率設定器、13a、13b……蒸発
源出力制御器、15……基板、17……成膜速度検出器、20
……成膜速度設定器、22……Ｘ線取出し窓、23a、23b…
…回折Ｘ線検出器、25……割り算器、26……位置敏感型
Ｘ線検出器、28……ピーク位置検出器、30……ピーク位
置設定器。

フロントページの続き (72)発明者 徳重 裕之 東京都港区西新橋１―７―２ 虎ノ門高木 ビル２階 株式会社ライムズ内 (72)発明者 森 泰一 東京都港区西新橋１―７―２ 虎ノ門高木 ビル２階 株式会社ライムズ内 (72)発明者 宮川 亜夫 東京都港区西新橋１―７―２ 虎ノ門高木 ビル２階 株式会社ライムズ内 (56)参考文献 特開 平１−208465（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空チャンバ内に少なくとも１台以上の蒸
   着源又はスパッタ源を設置し、該チャンバ内に配置した
   基板上に所望の薄膜を成膜する薄膜形成装置において、
   前記真空チャンバに付設され、前記基板上に成膜された
   薄膜に蛍光Ｘ線を励起するためのＸ線を該基板表面に対
   して10゜以下の角度で入射させるＸ線源と、このＸ線源
   からのＸ線を照射された基板表面が励起されて発する蛍
   光Ｘ線を検出するための検出器と、この検出器による検
   出値を予め設定した基準値と比較し、これに基づいて前
   記蒸発源又はスパッタ源のうち少なくとも１台の蒸発源
   又はスパッタ源の出力をフィードバック制御するための
   制御手段とを具備したことを特徴とする薄膜形成装置。
2. 【請求項２】成膜速度を検出する検出器と、この検出値
   を予め設定した基準値と比較し、これに基づいて蒸着源
   又はスパッタ源の出力をフィードバック制御する制御手
   段の出力制御系を調節する手段とを具備したことを特徴
   とする請求項１記載の薄膜形成装置。
3. 【請求項３】真空チャンバに付設され、基板上に成膜さ
   れた薄膜からの回折Ｘ線強度を検出する検出器と、この
   検出器の検出値を予め設定した基準値と比較し、これに
   基づいて制御手段の蛍光Ｘ線の基準値を増減させる手段
   とを具備したことを特徴とする請求項１又は２記載の薄
   膜形成装置。
4. 【請求項４】Ｘ線源は、基板上に成膜された薄膜に蛍光
   Ｘ線を励起するためのＸ線を該基板表面に対して入射さ
   せる時の角度がＸ線の全反射の臨界角以下となるように
   配置されることを特徴とする請求項１乃至３いずれか記
   載の薄膜形成装置。