JPH0746720B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH0746720B2 JPH0746720B2 JP61033777A JP3377786A JPH0746720B2 JP H0746720 B2 JPH0746720 B2 JP H0746720B2 JP 61033777 A JP61033777 A JP 61033777A JP 3377786 A JP3377786 A JP 3377786A JP H0746720 B2 JPH0746720 B2 JP H0746720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- thin film
- conversion device
- semiconductor layer
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光電変換装置に係り、特に光学的信号を電気的
信号に変換する光電変換部と、該電気的信号を増幅させ
るトランジスタ部とを有する光電変換装置に関する。
信号に変換する光電変換部と、該電気的信号を増幅させ
るトランジスタ部とを有する光電変換装置に関する。
［従来技術］ 最近、ファクシミリ，イメージリーダ等のいわゆる電子
事務機の普及に伴い、小型，低コストの画像入力装置の
需要が高まり、読み取り解像度が高く、高速度で読み取
り可能で、階調特性の良好な密着型イメージセンサが要
求されてきている。
事務機の普及に伴い、小型，低コストの画像入力装置の
需要が高まり、読み取り解像度が高く、高速度で読み取
り可能で、階調特性の良好な密着型イメージセンサが要
求されてきている。
従来、密着型イメージセンサは、非晶質シリコン（ａ−
Si）等の半導体層からなる光電変換素子を用いたものが
使われてきたが、高密度化に伴ない、光電流が減少し、
階調特性が悪くなり、光応答性も著しく改善することは
できない等の問題点があげられていた。これらの問題点
を解決するものとして、第６図に示すような光電変換装
置がある。この光電変換装置は、絶縁基板１上にソース
電極２及びドレイン電極３を設け、その上に半導体層
４、絶縁層５、ゲート電極６を積層して形成した薄膜ト
ランジスタ部と、さらにその上に形成した半導体層７、
透明電極８及び直列抵抗の接続された電極９とからなる
光電変換部とから構成される。光電変換部に入力した光
学的信号に応じて、薄膜トランジスタ部のゲート電位を
変化させ、ソース電極とドレイン電極間に光学的信号を
増幅した電気的信号を出力させる。
Si）等の半導体層からなる光電変換素子を用いたものが
使われてきたが、高密度化に伴ない、光電流が減少し、
階調特性が悪くなり、光応答性も著しく改善することは
できない等の問題点があげられていた。これらの問題点
を解決するものとして、第６図に示すような光電変換装
置がある。この光電変換装置は、絶縁基板１上にソース
電極２及びドレイン電極３を設け、その上に半導体層
４、絶縁層５、ゲート電極６を積層して形成した薄膜ト
ランジスタ部と、さらにその上に形成した半導体層７、
透明電極８及び直列抵抗の接続された電極９とからなる
光電変換部とから構成される。光電変換部に入力した光
学的信号に応じて、薄膜トランジスタ部のゲート電位を
変化させ、ソース電極とドレイン電極間に光学的信号を
増幅した電気的信号を出力させる。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記光電変換装置は積層構造を取るため
に、製造工程が複雑で、そのため歩留りが悪く、製造コ
ストが高くなるという問題点を有していた。
に、製造工程が複雑で、そのため歩留りが悪く、製造コ
ストが高くなるという問題点を有していた。
［問題点を解決するための手段］ 上記の問題点は、光電変換素子、該光電変換素子の１つ
の端子に直列に接続される直列抵抗、該光電変換素子の
前記１つの端子及び該端子と電気的に接続される前記直
列抵抗の１つの端子と電気的に接続されるゲート電極を
有する薄膜トランジスタを有し、前記光電変換素子、前
記直列抵抗及び前記薄膜トランジスタは同一成膜工程で
形成された非晶質薄膜半導体層を有することを特徴とす
る本発明の光電変換装置によって解決される。
の端子に直列に接続される直列抵抗、該光電変換素子の
前記１つの端子及び該端子と電気的に接続される前記直
列抵抗の１つの端子と電気的に接続されるゲート電極を
有する薄膜トランジスタを有し、前記光電変換素子、前
記直列抵抗及び前記薄膜トランジスタは同一成膜工程で
形成された非晶質薄膜半導体層を有することを特徴とす
る本発明の光電変換装置によって解決される。
［作用］ 本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び薄膜トラン
ジスタの半導体層として同一成膜工程で形成された非晶
質薄膜半導体層を用い、更に直列抵抗の構成層として該
非晶質薄膜半導体層を用いることにより、積層の数を減
らし、製造工程を簡単化させるものである。
ジスタの半導体層として同一成膜工程で形成された非晶
質薄膜半導体層を用い、更に直列抵抗の構成層として該
非晶質薄膜半導体層を用いることにより、積層の数を減
らし、製造工程を簡単化させるものである。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の光電変換装置の第１実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。
第１図において、ガラス基板10上にゲート電極19、窒化
シリコン（Si Nx:H），酸化シリコン（SiO2）等の絶縁
膜11が形成され、その上に非晶質シリコン（ａ−Si）等
の半導体層12、オーミックコンタクト層のn+層13が順に
形成される。さらにその上に光電変換部20の電極14,1
5、薄膜トランジスタ部21のソース電極17,ドレイン電極
18、直列抵抗部22の接地電極16が形成される。光電変換
部20の電極15は薄膜トランジスタ部21のゲート電極19と
接続され、このゲート電極19には直列抵抗部22が接続さ
れる。本実施例においては、光電変換部20と薄膜トラン
ジスタ部21の絶縁膜11,半導体層12,n+層13等が同時に形
成され、また直列抵抗部22の半導体層12,n+層13も光電
変換部20と薄膜トランジスタ部21の半導体層12,n+13と
同時に形成されるので、製造工程における工程数を少な
くする事ができる。
シリコン（Si Nx:H），酸化シリコン（SiO2）等の絶縁
膜11が形成され、その上に非晶質シリコン（ａ−Si）等
の半導体層12、オーミックコンタクト層のn+層13が順に
形成される。さらにその上に光電変換部20の電極14,1
5、薄膜トランジスタ部21のソース電極17,ドレイン電極
18、直列抵抗部22の接地電極16が形成される。光電変換
部20の電極15は薄膜トランジスタ部21のゲート電極19と
接続され、このゲート電極19には直列抵抗部22が接続さ
れる。本実施例においては、光電変換部20と薄膜トラン
ジスタ部21の絶縁膜11,半導体層12,n+層13等が同時に形
成され、また直列抵抗部22の半導体層12,n+層13も光電
変換部20と薄膜トランジスタ部21の半導体層12,n+13と
同時に形成されるので、製造工程における工程数を少な
くする事ができる。
第２図は上記光電変換装置の等価回路図である。
第２図において、光電変換装置28は図中破線部であり、
光電変換素子23は光電変換部20、薄膜トランジスタ24は
薄膜トランジスタ部21、直列抵抗25は直列抵抗部22を示
す。光電変換素子23の一端は薄膜トランジスタ24のゲー
ト電極と直列抵抗25の一端に接続される。直列抵抗25の
他端は接地されており、光電変換素子23の他端及び薄膜
トランジスタ24のソース電極はそれぞれ電圧VG，VDがか
けられる。薄膜トランジスタ24のドレイン電極には電荷
を蓄積させるコンデンサ26及び増幅器27が接続される。
光電変換素子23は光電変換部20、薄膜トランジスタ24は
薄膜トランジスタ部21、直列抵抗25は直列抵抗部22を示
す。光電変換素子23の一端は薄膜トランジスタ24のゲー
ト電極と直列抵抗25の一端に接続される。直列抵抗25の
他端は接地されており、光電変換素子23の他端及び薄膜
トランジスタ24のソース電極はそれぞれ電圧VG，VDがか
けられる。薄膜トランジスタ24のドレイン電極には電荷
を蓄積させるコンデンサ26及び増幅器27が接続される。
次にこの等価回路によって、本発明の光電変換装置の動
作について説明する。
作について説明する。
光電変換素子23のコンダクタンスをG1、直列抵抗25のコ
ンダクタンスをG2とするとゲート電極の電位Vgは、 と表される。
ンダクタンスをG2とするとゲート電極の電位Vgは、 と表される。
いま、光電変換素子23に光が入射した場合、入射前に比
べてコンダクタンスG1が大きくなり、そのために薄膜ト
ランジスタ24のゲート電極の電位Vgも大きくなる。つま
り、光電変換素子23に入射した光学的信号は電気的信号
に変換され、さらに薄膜トランジスタ24によって増幅さ
れる。この増幅された電気的信号はコンデンサ26に蓄積
され、さらに増幅器27によって増幅される。
べてコンダクタンスG1が大きくなり、そのために薄膜ト
ランジスタ24のゲート電極の電位Vgも大きくなる。つま
り、光電変換素子23に入射した光学的信号は電気的信号
に変換され、さらに薄膜トランジスタ24によって増幅さ
れる。この増幅された電気的信号はコンデンサ26に蓄積
され、さらに増幅器27によって増幅される。
第３図は上記第１実施例をラインセンサに用いた例を示
す。なお、第２図に示した等価回路図と同一部分につい
ては、同一符号を付して重複説明を略す。
す。なお、第２図に示した等価回路図と同一部分につい
ては、同一符号を付して重複説明を略す。
第３図において、電荷転送部31は、光電変換装置28l〜2
8nの薄膜トランジスタ24l〜24nの各ドレイン電極と接続
されたコンデンサ26l〜26n、コンデンサ26l〜26nに蓄積
された電荷を転送するトランジスタ29l〜29n、トランジ
スタ29l〜29nを順次動作させるためのシフトレジスタ30
l〜30n、増幅用のアンプ27からなる。通常、電荷転送部
31は駆動用ICとして一体化される。
8nの薄膜トランジスタ24l〜24nの各ドレイン電極と接続
されたコンデンサ26l〜26n、コンデンサ26l〜26nに蓄積
された電荷を転送するトランジスタ29l〜29n、トランジ
スタ29l〜29nを順次動作させるためのシフトレジスタ30
l〜30n、増幅用のアンプ27からなる。通常、電荷転送部
31は駆動用ICとして一体化される。
次に上記第１実施例の光電変換装置の製造方法について
説明する。
説明する。
両面研摩済みのガラス基板（コーニング社製♯7059）10
に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にスパッタ
法でCrを0.05μｍ厚に堆積し、ポジ型フォトレジスト
（OFPR−800東京応化工業製）を用いて所望の形状にフ
ォトレジストパターンを形成した後、硝酸第２セリウム
アンモニウム及び過塩素酸の混合水溶液を用いて薄膜ト
ランジスタのゲート電極19を形成した。次いでフォトレ
ジスト剥離後、容量結合型のグロー放電分解装置内にガ
ラス基板10をセットし、１×10-6Torrの排気真空下で20
0℃に維持した。次に該装置内に、水素希釈10％SiH4ガ
ス（小松電子製）を100sccm、99.999％のNH3ガスを50sc
cmの流量で流入せしめ、ガス圧を0.4Torrに設定した
後、13.56MHzの高周波電源を用いRF（Radio−Frequenc
y）放電パワー50Wで１時間グロー放電を行い、3000Åの
SiNx:H層の絶縁膜11を形成した。ポジ型フォトレジスト
を用いて所望のパターンを形成し、フォトレジストをマ
スクにしてRIE（反応性イオンエッチング）法により、C
F4ガス20sccm,ガス圧0.1Torr,RFパワー100Wでドライエ
ッチングを行い、フォトレジストの剥離後10％SiH440sc
cm,ガス圧0.1TorrでRF放電パワー50Wで３時間グロー放
電を行い、ａ−Si等の半導体層12（膜厚5000Å）を形成
した後、10％SiH440sccm,水素希釈100ppmPH3ガス200scc
m,ガス圧0.2TorrでRF放電パワー200Wで１時間グロー放
電を行い、n+層のオーミックコンタクト層のn+層（膜厚
1000Å）13を形成した。次にポジ型フォトレジストを用
いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成し、フ
ォトレジストをマスクにしてRIE（反応性イオンエッチ
ング）法により、CF4ガス20sccm,ガス圧0.1Torr,RF放電
パワー100Wでドライエッチングを行い、ゲート電極19上
の不用なn+層，半導体層，絶縁膜を除去した。ついで、
スパッタ法によってAlを0.5μｍ厚に堆積し、ポジ型フ
ォトレジストを用いて所望の形状にフォトレジストパタ
ーンを形成した後、リン酸（85％水溶液），硝酸（60％
水溶液），酢酸及び水を16:1:2:1の体積比で混合した液
でエッチングしパターンを形成した。
に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にスパッタ
法でCrを0.05μｍ厚に堆積し、ポジ型フォトレジスト
（OFPR−800東京応化工業製）を用いて所望の形状にフ
ォトレジストパターンを形成した後、硝酸第２セリウム
アンモニウム及び過塩素酸の混合水溶液を用いて薄膜ト
ランジスタのゲート電極19を形成した。次いでフォトレ
ジスト剥離後、容量結合型のグロー放電分解装置内にガ
ラス基板10をセットし、１×10-6Torrの排気真空下で20
0℃に維持した。次に該装置内に、水素希釈10％SiH4ガ
ス（小松電子製）を100sccm、99.999％のNH3ガスを50sc
cmの流量で流入せしめ、ガス圧を0.4Torrに設定した
後、13.56MHzの高周波電源を用いRF（Radio−Frequenc
y）放電パワー50Wで１時間グロー放電を行い、3000Åの
SiNx:H層の絶縁膜11を形成した。ポジ型フォトレジスト
を用いて所望のパターンを形成し、フォトレジストをマ
スクにしてRIE（反応性イオンエッチング）法により、C
F4ガス20sccm,ガス圧0.1Torr,RFパワー100Wでドライエ
ッチングを行い、フォトレジストの剥離後10％SiH440sc
cm,ガス圧0.1TorrでRF放電パワー50Wで３時間グロー放
電を行い、ａ−Si等の半導体層12（膜厚5000Å）を形成
した後、10％SiH440sccm,水素希釈100ppmPH3ガス200scc
m,ガス圧0.2TorrでRF放電パワー200Wで１時間グロー放
電を行い、n+層のオーミックコンタクト層のn+層（膜厚
1000Å）13を形成した。次にポジ型フォトレジストを用
いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成し、フ
ォトレジストをマスクにしてRIE（反応性イオンエッチ
ング）法により、CF4ガス20sccm,ガス圧0.1Torr,RF放電
パワー100Wでドライエッチングを行い、ゲート電極19上
の不用なn+層，半導体層，絶縁膜を除去した。ついで、
スパッタ法によってAlを0.5μｍ厚に堆積し、ポジ型フ
ォトレジストを用いて所望の形状にフォトレジストパタ
ーンを形成した後、リン酸（85％水溶液），硝酸（60％
水溶液），酢酸及び水を16:1:2:1の体積比で混合した液
でエッチングしパターンを形成した。
次に、フォトレジスト剥離後、先程と同様の方法でRIE
法により、不用のn+層をドライエッチングして除去し、
第１図に示されるような光電変換装置が得られた。
法により、不用のn+層をドライエッチングして除去し、
第１図に示されるような光電変換装置が得られた。
第４図は本発明の光電変換装置の第２実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。なお、第１図に示した第１実施例
と同一部分については同一符号を付し重複説明を略す。
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。なお、第１図に示した第１実施例
と同一部分については同一符号を付し重複説明を略す。
第４図において、ガラス基板10上にITO,SnO2等の透明電
極よりなるゲート電極19が形成され、そのゲート電極19
上にn+層13及び絶縁膜11が形成され、その上に半導体層
12、n+層13が順に形成される。本実施例においては光電
変換部20の電極の一方はソース電極18と共有されるので
光電変換部20の占有面積を減らすことができる。
極よりなるゲート電極19が形成され、そのゲート電極19
上にn+層13及び絶縁膜11が形成され、その上に半導体層
12、n+層13が順に形成される。本実施例においては光電
変換部20の電極の一方はソース電極18と共有されるので
光電変換部20の占有面積を減らすことができる。
第５図は上記光電変換装置の等価回路図である。なお、
第２図に示した等価回路図と同一部分については同一符
号を付し重複説明を略す。
第２図に示した等価回路図と同一部分については同一符
号を付し重複説明を略す。
第５図に示すように、本実施例においては、光電変換装
置32の光電変換素子23の一方の電極と薄膜トランジスタ
24のソース電極は共通の電圧VDがかけられる。
置32の光電変換素子23の一方の電極と薄膜トランジスタ
24のソース電極は共通の電圧VDがかけられる。
上記の本発明の光電変換装置の第２実施例の動作は第１
実施例と同様であり、次式で表される。
実施例と同様であり、次式で表される。
なお、詳細な説明については省略する。
次に上記第２実施例の光電変換装置の製造方法について
説明する。
説明する。
両面研摩済みのガラス基板（コーニング社製♯7059）10
に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にスパッタ
法でITOを0.1μｍ厚に堆積し、ポジ型フォトレジスト
（シプレー社製）を用いて所望の形状にフォトレジスト
パターンを形成した後、塩酸，塩化第２鉄の混合水溶液
を用いて薄膜トランジスタのゲート電極19を形成した。
次にオーミックコンタクト層のn+層13を形成後、ポジ型
フォトレジストを用いて光電変換部のフォトレジストパ
ターンを作成後、ドライエッチングによりパターンを形
成をした。フォトレジスト剥離後、SiNx:Hの絶縁膜11を
形成し、n+層13と同様にパターンを形成した。続いてａ
−Siの半導体層12,n+層13を実施例１と同様に積層し、
ポジ型フォトレジスト（OFPR−800東京応化工業製）を
用いて、フォトレジストパターンを形成した後、フォト
レジストパターンをマスクにして実施例１と同様にドラ
イエッチングを行い、ゲート電極19上の不用の絶縁膜，
半導体層，n+層を除去した。フォトレジスト剥離後、電
子ビーム蒸着法により、Alを0.5μｍ堆積し、続いて第
１実施例と同様な方法で、所望の電極パターンを形成
し、ドライエッチングにより不用のn+層を除去し、第４
図に示されるような光電変換装置が得られた。
に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にスパッタ
法でITOを0.1μｍ厚に堆積し、ポジ型フォトレジスト
（シプレー社製）を用いて所望の形状にフォトレジスト
パターンを形成した後、塩酸，塩化第２鉄の混合水溶液
を用いて薄膜トランジスタのゲート電極19を形成した。
次にオーミックコンタクト層のn+層13を形成後、ポジ型
フォトレジストを用いて光電変換部のフォトレジストパ
ターンを作成後、ドライエッチングによりパターンを形
成をした。フォトレジスト剥離後、SiNx:Hの絶縁膜11を
形成し、n+層13と同様にパターンを形成した。続いてａ
−Siの半導体層12,n+層13を実施例１と同様に積層し、
ポジ型フォトレジスト（OFPR−800東京応化工業製）を
用いて、フォトレジストパターンを形成した後、フォト
レジストパターンをマスクにして実施例１と同様にドラ
イエッチングを行い、ゲート電極19上の不用の絶縁膜，
半導体層，n+層を除去した。フォトレジスト剥離後、電
子ビーム蒸着法により、Alを0.5μｍ堆積し、続いて第
１実施例と同様な方法で、所望の電極パターンを形成
し、ドライエッチングにより不用のn+層を除去し、第４
図に示されるような光電変換装置が得られた。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明の光電変換装置によ
れば、光電変換素子及び薄膜トランジスタの半導体層と
して同一成膜工程で形成された非晶質薄膜半導体層を用
い、更に直列抵抗の構成層として該非晶質薄膜半導体層
を用いることにより、製造工程数を減らすことができ、
歩留りを向上させ、製造コストも安価にすることができ
る。
れば、光電変換素子及び薄膜トランジスタの半導体層と
して同一成膜工程で形成された非晶質薄膜半導体層を用
い、更に直列抵抗の構成層として該非晶質薄膜半導体層
を用いることにより、製造工程数を減らすことができ、
歩留りを向上させ、製造コストも安価にすることができ
る。
第１図は本発明の光電変換装置の第１実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。 第２図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第３図は上記第１実施例をラインセンサに用いた例を示
す。 第４図は本発明の光電変換装置の第２実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。 第５図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第６図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 10……ガラス基板 11……絶縁膜 12……半導体層 13……n+層 14,15……電極 16……接地電極 17……ソース電極 18……ドレイン電極 19……ゲート電極 20……光電変換部 21……薄膜トランジスタ部 22……直列抵抗部
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。 第２図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第３図は上記第１実施例をラインセンサに用いた例を示
す。 第４図は本発明の光電変換装置の第２実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図，（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−
Ａ′縦断面図である。 第５図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第６図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 10……ガラス基板 11……絶縁膜 12……半導体層 13……n+層 14,15……電極 16……接地電極 17……ソース電極 18……ドレイン電極 19……ゲート電極 20……光電変換部 21……薄膜トランジスタ部 22……直列抵抗部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑中 勝則 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 深谷 正樹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−67075（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−187363（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−159477（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】光電変換素子、該光電変換素子の１つの端
子に直列に接続される直列抵抗、該光電変換素子の前記
１つの端子及び該端子と電気的に接続される前記直列抵
抗の１つの端子と電気的に接続されるゲート電極を有す
る薄膜トランジスタを有し、 前記光電変換素子、前記直列抵抗及び前記薄膜トランジ
スタは同一成膜工程で形成された非晶質薄膜半導体層を
有することを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】前記非晶質薄膜半導体層は非晶質シリコン
である特許請求の範囲第１項に記載の光電変換装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033777A JPH0746720B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光電変換装置 |
| DE3751242T DE3751242T2 (de) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | Photoelektrischer Wandler. |
| EP87300566A EP0232083B1 (en) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | Photoelectric conversion device |
| US07/412,586 US4931661A (en) | 1986-01-24 | 1989-09-25 | Photoelectric conversion device having a common semiconductor layer for a portion of the photoelectric conversion element and a portion of the transfer transistor section |
| US07/907,287 US5306648A (en) | 1986-01-24 | 1992-07-01 | Method of making photoelectric conversion device |
| US07/912,651 US5338690A (en) | 1986-01-24 | 1992-07-09 | Photoelectronic conversion device |
| US08/128,108 US5627088A (en) | 1986-01-24 | 1993-09-29 | Method of making a device having a TFT and a capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033777A JPH0746720B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193276A JPS62193276A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0746720B2 true JPH0746720B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=12395880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033777A Expired - Lifetime JPH0746720B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-02-20 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746720B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867075A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Fujitsu Ltd | 複合半導体装置 |
| JPS61187363A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Fujitsu Ltd | 光集積回路装置 |
| JPS62159477A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033777A patent/JPH0746720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62193276A (ja) | 1987-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4931661A (en) | Photoelectric conversion device having a common semiconductor layer for a portion of the photoelectric conversion element and a portion of the transfer transistor section | |
| US5338690A (en) | Photoelectronic conversion device | |
| US4763010A (en) | Long size image sensor having improved consistency among individual photosensors | |
| JPH05243547A (ja) | 薄膜光センサ | |
| JPH0862628A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP2898509B2 (ja) | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 | |
| JPH0541512A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPS62193276A (ja) | 光電変換装置 | |
| US5188974A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0732245B2 (ja) | フオトセンサの製造方法 | |
| JP2828181B2 (ja) | 容量素子 | |
| JPH0715980B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPH07118527B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPH0732244B2 (ja) | フオトセンサ | |
| JP2899052B2 (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH0621425A (ja) | 原稿読み取り装置 | |
| JP2663568B2 (ja) | マトリックス型赤外線固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH04215474A (ja) | 半導体素子における配線の製造方法 | |
| JPH04359569A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPS6139571A (ja) | 画像読取装置 | |
| JP2984310B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPS6129170A (ja) | フオトセンサ及びその製造法 | |
| JPH0394467A (ja) | 電子回路装置 | |
| JP3247119B2 (ja) | イメージセンサー | |
| JPH04215475A (ja) | イメ−ジセンサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |