JPS62193276A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS62193276A JPS62193276A JP61033777A JP3377786A JPS62193276A JP S62193276 A JPS62193276 A JP S62193276A JP 61033777 A JP61033777 A JP 61033777A JP 3377786 A JP3377786 A JP 3377786A JP S62193276 A JPS62193276 A JP S62193276A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業−にの利用分野］
本発明は光電変換装置に係り、特に光学的信号を電気的
信号に変換する光電変換部と１．懐電気的信号を増幅さ
せるトランジスタ部とを有する光電変換装置に関する。
信号に変換する光電変換部と１．懐電気的信号を増幅さ
せるトランジスタ部とを有する光電変換装置に関する。
［従来技術］
最近、ファクシミリ、イメージリーグ等のいわゆる電ｆ
・１（務機の？Ｙ及にイ〒い、小型、低コストの画像人
力装置の需要が高まり、読み取り解像度が高く、高速度
で読み取り可億で、階調特性の良好な密着型イメージセ
ンサが要求されてきている。
・１（務機の？Ｙ及にイ〒い、小型、低コストの画像人
力装置の需要が高まり、読み取り解像度が高く、高速度
で読み取り可億で、階調特性の良好な密着型イメージセ
ンサが要求されてきている。
従来、密着型イメージセンサは、非晶質シリコン（ａ−
３ｉ）等の半導体層からなる光電変換素子を用いたもの
が使われてきたが、高密度化に伴ない、光電流が減少し
、階調特性が悪くなり、光応答性も著しく改善すること
はできない等の問題点があげられていた。これらの問題
点を解決するものとして、第６図に示すような光電変換
装置がある。この光電変換装置は、絶縁基板ｌ上にソー
ス電極２及びドレイン電極３を設けｊその」−に半導体
層４．絶縁層５．ゲート電極６を積層して形成じたＲ−
ＧＥ！ｈランジスタ部と、さらにその上に形成した゛ト
導体層７．透明電極８及び直列抵抗の接続された電極９
とからなる光電変換部とから構成される。光電変換部に
入力した光学的信号に応じて、ｔ；ｖ膜トランジスタ部
のゲート電位を変化させ、ソース電極とドレイン電極間
に光学的信号を増幅した電気的信号を出力させる。
３ｉ）等の半導体層からなる光電変換素子を用いたもの
が使われてきたが、高密度化に伴ない、光電流が減少し
、階調特性が悪くなり、光応答性も著しく改善すること
はできない等の問題点があげられていた。これらの問題
点を解決するものとして、第６図に示すような光電変換
装置がある。この光電変換装置は、絶縁基板ｌ上にソー
ス電極２及びドレイン電極３を設けｊその」−に半導体
層４．絶縁層５．ゲート電極６を積層して形成じたＲ−
ＧＥ！ｈランジスタ部と、さらにその上に形成した゛ト
導体層７．透明電極８及び直列抵抗の接続された電極９
とからなる光電変換部とから構成される。光電変換部に
入力した光学的信号に応じて、ｔ；ｖ膜トランジスタ部
のゲート電位を変化させ、ソース電極とドレイン電極間
に光学的信号を増幅した電気的信号を出力させる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、」二記光電変換装置は積層構造を取るた
めに、製造工程が複雑で、そのため歩留りが悪く、製造
コストが高くなるという問題点を有していた。
めに、製造工程が複雑で、そのため歩留りが悪く、製造
コストが高くなるという問題点を有していた。
［問題点を解決するための手段１
上記の問題点は、光学的信号を電気的信号に変換する光
電変換部と、該電気的信号を増幅させるトランジスタ部
とを有する光電変換装置において、光電変換部の半導体
層とトランジスタ部の半導体層とを同−半導体層から構
成したことを特徴とする本発明の光電変換装置によって
解決される。
電変換部と、該電気的信号を増幅させるトランジスタ部
とを有する光電変換装置において、光電変換部の半導体
層とトランジスタ部の半導体層とを同−半導体層から構
成したことを特徴とする本発明の光電変換装置によって
解決される。
［作用］
本発明の光゛屯変換装置は、光電変換部の半導体層とト
ランジスタ部の半導体層とを同一半導体層から構成する
。すなわち同一成膜工程で形成された半導体層から、光
電変換部の半導体層とトランジスタ部の半導体層を構成
することにより、積層の数を減らし、製造工程を筒中化
させるものである。
ランジスタ部の半導体層とを同一半導体層から構成する
。すなわち同一成膜工程で形成された半導体層から、光
電変換部の半導体層とトランジスタ部の半導体層を構成
することにより、積層の数を減らし、製造工程を筒中化
させるものである。
［実施例］
以ド、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の光電変換装置の第１実施例の構造図で
あり、（ａ）はモ面図、（ｂ）は乎面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。
あり、（ａ）はモ面図、（ｂ）は乎面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。
第１図において、ガラス基板１０上にゲート電極１９、
窒化シリコン（Ｓｉ Ｎｘ：Ｈ）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ２）等の絶縁膜ｌｌが形成され、そのＬに非晶質シリ
コン（ａ−３ｉ）等の半導体層１２、オーミックコンタ
クト層のｎ土層１３が順に形成される。さらにその上に
光電変換部２０の電極１４，１５、薄膜トランジスタ部
２１のソース電極１７．ドレイン電極１８、直列抵抗部
２２の接地電極１６が形成される。光電変換部２０の電
極１５は薄膜トランジスタ部２１のゲート電極１９と接
続され、このゲート電極１９には直列抵抗部２２が接続
される０本実施例においては、光電変換部２０と薄膜ト
ランジスタ８１１２１の絶縁膜１１．半導体層１２．ｎ
土層１３等が同時に形成されるので、製造工程における
工程数を少なくする市ができる。
窒化シリコン（Ｓｉ Ｎｘ：Ｈ）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ２）等の絶縁膜ｌｌが形成され、そのＬに非晶質シリ
コン（ａ−３ｉ）等の半導体層１２、オーミックコンタ
クト層のｎ土層１３が順に形成される。さらにその上に
光電変換部２０の電極１４，１５、薄膜トランジスタ部
２１のソース電極１７．ドレイン電極１８、直列抵抗部
２２の接地電極１６が形成される。光電変換部２０の電
極１５は薄膜トランジスタ部２１のゲート電極１９と接
続され、このゲート電極１９には直列抵抗部２２が接続
される０本実施例においては、光電変換部２０と薄膜ト
ランジスタ８１１２１の絶縁膜１１．半導体層１２．ｎ
土層１３等が同時に形成されるので、製造工程における
工程数を少なくする市ができる。
第２図はと配光電変換装置の等価回路図である。
第２図において、光電変換装置２８は図中破線部であり
、光電変換素子２３は光電変換部２０、薄膜トランジス
タ２４は薄膜トランジスタ部２１、直列抵抗２５は直列
抵抗部２２を示す、光電変換素子２３の一端は薄膜トラ
ンジスタ２４のゲート電極と直列抵抗２５の一端に接続
される。
、光電変換素子２３は光電変換部２０、薄膜トランジス
タ２４は薄膜トランジスタ部２１、直列抵抗２５は直列
抵抗部２２を示す、光電変換素子２３の一端は薄膜トラ
ンジスタ２４のゲート電極と直列抵抗２５の一端に接続
される。
直列抵抗２５の他端は接地されており、光電変換素子２
３の他端及び薄膜トランジスタ２４のソース電極はそれ
ぞれ電圧ＶＧ、ＶＤがかけられる。
３の他端及び薄膜トランジスタ２４のソース電極はそれ
ぞれ電圧ＶＧ、ＶＤがかけられる。
薄膜トランジスタ２４のドレイン電極には電荷を蓄積さ
せるコンデンサ２６及び増幅器２７が接続される。
゛ 次にこの等価回路によって、本発明の光電変換装置の動
作について説明する。
せるコンデンサ２６及び増幅器２７が接続される。
゛ 次にこの等価回路によって、本発明の光電変換装置の動
作について説明する。
光電変換素子２３のコンダクタンスを０１、直列抵抗２
５のコンダクタンスをＧ２ とするとゲート電極の電位
Ｖ、は、 Ｉ Ｖ ｑ ＝ Ｖ ｃ （Ｖ ｃ ＞
Ｏ）Ｇｌ ＋０２ と表される。
５のコンダクタンスをＧ２ とするとゲート電極の電位
Ｖ、は、 Ｉ Ｖ ｑ ＝ Ｖ ｃ （Ｖ ｃ ＞
Ｏ）Ｇｌ ＋０２ と表される。
いま、光電変換素子２３に光が入射した場合、入射前に
比べてコンダクタンスＧｌが大きくなり、そのためにｈ
ＭＩＩＱ＋−ランジスタ２４のゲート電極の電位Ｖ、も
大きくなる。つまり、光電変換素子２３に入射した光学
的信号は電気的信号に変換され、さらに薄膜トランジス
タ２４によって増幅される。この増幅された電気的信号
はコンデンサ２６に？ｌ積され、さらに増幅器２７によ
って増幅される。
比べてコンダクタンスＧｌが大きくなり、そのためにｈ
ＭＩＩＱ＋−ランジスタ２４のゲート電極の電位Ｖ、も
大きくなる。つまり、光電変換素子２３に入射した光学
的信号は電気的信号に変換され、さらに薄膜トランジス
タ２４によって増幅される。この増幅された電気的信号
はコンデンサ２６に？ｌ積され、さらに増幅器２７によ
って増幅される。
第３図は上記第１実施例をラインセンサに用いた例を示
す、なお、第２図に示した等価回路図と同一部分につい
ては、同一符号を付して重複説明を略す。
す、なお、第２図に示した等価回路図と同一部分につい
ては、同一符号を付して重複説明を略す。
第３図において、電荷転送部３１は、光電変換装置２８
１〜２８ｒｌの薄膜トランジスタ２４＋ 〜２４１１の
各トレイン電極と接続されたコンデンサ２６＋ 〜２６
゜、コンデンサ２６１〜２６ｎに蓄積された電荷を転送
するトランジスタ２９１〜２９ｎ、トランジスタ２９１
〜２９ｎを順次動作させるだめのシフトレジスタ３０１
〜３０ｎ、増幅用のアンプ２７からなる９通常、電荷転
送部３１は駆動用ＩＣとして一体化される。
１〜２８ｒｌの薄膜トランジスタ２４＋ 〜２４１１の
各トレイン電極と接続されたコンデンサ２６＋ 〜２６
゜、コンデンサ２６１〜２６ｎに蓄積された電荷を転送
するトランジスタ２９１〜２９ｎ、トランジスタ２９１
〜２９ｎを順次動作させるだめのシフトレジスタ３０１
〜３０ｎ、増幅用のアンプ２７からなる９通常、電荷転
送部３１は駆動用ＩＣとして一体化される。
次に１：、足温１実施例の光電変換装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
両面研摩済みのガラス基板（コーニング社製１７０５９
）１０に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にス
パッタ法でＣｒを０．０５−ｍ厚に堆積し、ポジ型フォ
トレジスト（ＯＦＰＲ−８００東京応化工業製）を用い
て所ｑ！の形状にフォト１／シストパターンを形成した
後、硝酸第２セリウムアンモニウム及び過塩素酸の混合
水溶液を用いて薄膜トランジスタのゲート電極１９を形
成した。次いでフォトレジスト！Ａ＃後、容早−結合型
のグロー放電゛分解装置内にガラス基板１０をセントし
、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒｃｙ）排気真空下で２００°Ｃ
に維持した。次に該装置を内に、水素希釈１０％ＳｉＨ
４ガス（小松電子製）を１０１００５ｅ、９９．９９９
％のＮ Ｈ：ｌ ガスを５０ｓｃｃｍの流星で流入せし
め、ガス圧を０゜４Ｔｏｒｒに設定した後、１３．５６
ＭＨｚの高周波電源を用いＲＦ （Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ）放電パワー５０Ｗで１時間グロー放電を
行い、３０００人のＳｉＮｘ：Ｈ層の絶縁膜１１を形成
した。ポジ型フォトレジストを用いて所望のパターンを
形成し、フォトレジストをマスクにしてＲＩＥ（反応性
イオンエツチング）法により、ＣＦ４ガス２０ｓｃｃｍ
、ガス圧０゜１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーｔｏｏｗ−ｃ’ド
ライエツチングを行い、フォトレジストの２１＃後１０
％ＳｉＳｉＨ４４０ｓｅ、ガス圧０．ＩＴｏｒｒでＲＦ
放電パワー５０Ｗで３時間グロー放電を行い、ａ−Ｓｉ
’ｉの半導体層１２（膜厚５０００人）を形成した後、
１０％Ｓｉ Ｈ４４０ｓｃｃｍ。
）１０に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にス
パッタ法でＣｒを０．０５−ｍ厚に堆積し、ポジ型フォ
トレジスト（ＯＦＰＲ−８００東京応化工業製）を用い
て所ｑ！の形状にフォト１／シストパターンを形成した
後、硝酸第２セリウムアンモニウム及び過塩素酸の混合
水溶液を用いて薄膜トランジスタのゲート電極１９を形
成した。次いでフォトレジスト！Ａ＃後、容早−結合型
のグロー放電゛分解装置内にガラス基板１０をセントし
、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒｃｙ）排気真空下で２００°Ｃ
に維持した。次に該装置を内に、水素希釈１０％ＳｉＨ
４ガス（小松電子製）を１０１００５ｅ、９９．９９９
％のＮ Ｈ：ｌ ガスを５０ｓｃｃｍの流星で流入せし
め、ガス圧を０゜４Ｔｏｒｒに設定した後、１３．５６
ＭＨｚの高周波電源を用いＲＦ （Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ）放電パワー５０Ｗで１時間グロー放電を
行い、３０００人のＳｉＮｘ：Ｈ層の絶縁膜１１を形成
した。ポジ型フォトレジストを用いて所望のパターンを
形成し、フォトレジストをマスクにしてＲＩＥ（反応性
イオンエツチング）法により、ＣＦ４ガス２０ｓｃｃｍ
、ガス圧０゜１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーｔｏｏｗ−ｃ’ド
ライエツチングを行い、フォトレジストの２１＃後１０
％ＳｉＳｉＨ４４０ｓｅ、ガス圧０．ＩＴｏｒｒでＲＦ
放電パワー５０Ｗで３時間グロー放電を行い、ａ−Ｓｉ
’ｉの半導体層１２（膜厚５０００人）を形成した後、
１０％Ｓｉ Ｈ４４０ｓｃｃｍ。
水素希釈１００ｐ１００ｐｐガス２００ｓｅｃｍ７ガス
圧０ 、２Ｔｏ ｒ ｒでＲＦ放電パワー２００Ｗで１
時間グロー放電を行い、ｎ土層のす一ミックコンタクト
層のｎ＋層（膜厚１０００人）１３を形成した。次にポ
ジ型フォトレジスＩ・を用いて所望の形状にフォトレジ
ストパターンを形成し、フォトレジストをマスクにＬ４
ＲＩＥ （反応性イオンエツチング）法により、ＣＦａ
ガス２０ｓｅｃｍ、ガス圧０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦ放電パ
ワー１００Ｗでドライエツチングを行い、ゲート電極１
９ Ｕ二の不用なｎ土層、半導体層、絶縁１模を除去し
た。ついで、スパッタ法によってＡＩを０．５用ｍ厚に
堆積し、ポジ型フォト［メジストを用いて所望の形状に
フォトレジストパターンを形成した後、リン酸（８５％
水溶液）、硝酸（６０％水溶液）、酢酸及び水を１６：
ｌ：２：１の体積比で混合した液でエツチングしパター
ンを形成した。
圧０ 、２Ｔｏ ｒ ｒでＲＦ放電パワー２００Ｗで１
時間グロー放電を行い、ｎ土層のす一ミックコンタクト
層のｎ＋層（膜厚１０００人）１３を形成した。次にポ
ジ型フォトレジスＩ・を用いて所望の形状にフォトレジ
ストパターンを形成し、フォトレジストをマスクにＬ４
ＲＩＥ （反応性イオンエツチング）法により、ＣＦａ
ガス２０ｓｅｃｍ、ガス圧０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦ放電パ
ワー１００Ｗでドライエツチングを行い、ゲート電極１
９ Ｕ二の不用なｎ土層、半導体層、絶縁１模を除去し
た。ついで、スパッタ法によってＡＩを０．５用ｍ厚に
堆積し、ポジ型フォト［メジストを用いて所望の形状に
フォトレジストパターンを形成した後、リン酸（８５％
水溶液）、硝酸（６０％水溶液）、酢酸及び水を１６：
ｌ：２：１の体積比で混合した液でエツチングしパター
ンを形成した。
次に、２オドレジスト剥離後、先程と同様の方法でＲＩ
Ｅυ：により、不用のｎ土層をトライエツチングして除
去し、第１図に示されるような光電変換装置が得られた
。
Ｅυ：により、不用のｎ土層をトライエツチングして除
去し、第１図に示されるような光電変換装置が得られた
。
第４図は本発明の光電変換装置の第２実施例の構造図で
あり、（ａ）はｙ面図、（ｂ）は上面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。なお、第１図に示した第１実施例と
同一部分については同一符号・を付しｉｌｌ：複説明を
略す。
あり、（ａ）はｙ面図、（ｂ）は上面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。なお、第１図に示した第１実施例と
同一部分については同一符号・を付しｉｌｌ：複説明を
略す。
第４図において、ガラス基板１０上にＩＴＯ。
５ｎ０２′ｖの透明電極よりなるゲート電極１９が形成
され、そのゲート電８ｉ１９上にｎ十層１３及び絶縁膜
１１が形成され、そのＪ二に半導体層１２、ｎ十層１３
が順に形成される。本実施例においては光電変換部２０
の電極の一方はソース電Ｊ４ｉ１８と共有されるので光
電変換部２０の占有面積を減らすことができる。
され、そのゲート電８ｉ１９上にｎ十層１３及び絶縁膜
１１が形成され、そのＪ二に半導体層１２、ｎ十層１３
が順に形成される。本実施例においては光電変換部２０
の電極の一方はソース電Ｊ４ｉ１８と共有されるので光
電変換部２０の占有面積を減らすことができる。
第５図は上記光電変換装置の等価回路図である。なお、
第２図に示した等価回路図と同一部分については回−符
号を付し重複説明を略す。
第２図に示した等価回路図と同一部分については回−符
号を付し重複説明を略す。
第５図に示すように、本実施例においては、光電変換装
置３２の光電変換部ｒ−２３の一方の電極とにル＋ｙ＞
トランジスタ２４のソース電極は共通の電圧ＶＤがか
けられる。
置３２の光電変換部ｒ−２３の一方の電極とにル＋ｙ＞
トランジスタ２４のソース電極は共通の電圧ＶＤがか
けられる。
」二記の本発明の光電変換装置の第２実施例の動作は第
１実施例と同様であり、次式で表される。
１実施例と同様であり、次式で表される。
Ｉ
Ｖ ｑ ＝ Ｖ ｏ （Ｖ ｏ ＞ ０
）Ｇ１ ＋Ｇ２ なお、詳細な説明については省略する。
）Ｇ１ ＋Ｇ２ なお、詳細な説明については省略する。
次に上記第２実施例の光電変換装置の製造方法について
説明する。
説明する。
両面研摩済みのガラス基板（コーニング社製暮７０５９
）１０に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にス
パッタ法でＩＴＯを０．ｌｕＬｍ厚に堆積し、ポジ型フ
ォトレジスト（シプレー社製）を用いて所９１の形状に
フォトレジストパターンを形成した後、塩酸、塩化第２
鉄の混合水溶液を用いて薄膜トランジスタのゲート電極
１９を形成した。次にオーミックコンタクト層のｎ子音
１３を形成後、ポジ型フォトレジストを用いて光電変換
部のフォトレジストパターンを作成後、ドライエツチン
グによりパターン形成をした。フォトレジスト２ＩＩ＃
後、Ｓｉ ＮＸ：Ｈの絶縁膜１１を形成し、ｎ子音１３
と同様にパターンを形成した。続いてａ−５ｉの゛ト導
体層１２．ｎ十層１３を実施例１と同様に積層し、ポジ
型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−８００東京応化工業製）
を用いて、フォトレジストパターンを形成した後、フォ
トレジストパターンをマスクにして実施例１と同様にド
ライエツチングを行い、ゲート電極１９上の不用の絶縁
膜、半導体層、ｎ子音を除去した。フォトレジスト剥離
後、電子ビーム蒸若法により、ＡＩＱｏ、５７１ｍ堆積
し、続いて第１実施例と同様な方法で、所望の電極パタ
ーンを形成し、ドライエツチングにより不用のｎ子音を
除去し、第４図に示されるような光電変換装置が得られ
た。
）１０に中性洗剤を用いて通常の洗浄を施した。次にス
パッタ法でＩＴＯを０．ｌｕＬｍ厚に堆積し、ポジ型フ
ォトレジスト（シプレー社製）を用いて所９１の形状に
フォトレジストパターンを形成した後、塩酸、塩化第２
鉄の混合水溶液を用いて薄膜トランジスタのゲート電極
１９を形成した。次にオーミックコンタクト層のｎ子音
１３を形成後、ポジ型フォトレジストを用いて光電変換
部のフォトレジストパターンを作成後、ドライエツチン
グによりパターン形成をした。フォトレジスト２ＩＩ＃
後、Ｓｉ ＮＸ：Ｈの絶縁膜１１を形成し、ｎ子音１３
と同様にパターンを形成した。続いてａ−５ｉの゛ト導
体層１２．ｎ十層１３を実施例１と同様に積層し、ポジ
型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−８００東京応化工業製）
を用いて、フォトレジストパターンを形成した後、フォ
トレジストパターンをマスクにして実施例１と同様にド
ライエツチングを行い、ゲート電極１９上の不用の絶縁
膜、半導体層、ｎ子音を除去した。フォトレジスト剥離
後、電子ビーム蒸若法により、ＡＩＱｏ、５７１ｍ堆積
し、続いて第１実施例と同様な方法で、所望の電極パタ
ーンを形成し、ドライエツチングにより不用のｎ子音を
除去し、第４図に示されるような光電変換装置が得られ
た。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明の光電変換装置によ
れば、同一成膜工程で光電変換部とトランジスタ部を同
時に作成するために、製造工程数を減らすことができ、
歩留りを向上させ、製造コストも安価にすることができ
る。
れば、同一成膜工程で光電変換部とトランジスタ部を同
時に作成するために、製造工程数を減らすことができ、
歩留りを向上させ、製造コストも安価にすることができ
る。
第１図は本発明の光電変換装置の第１実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。 第２図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第３図は上記第１実施例をラインセンサに用いた例を示
す。 第４図は本発明の光電変換装置の第２実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。 第５図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第６図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 １０・会−・・ガラス基板 １１・・・・・絶縁膜 １２拳φ・・・寥導体層 １３・・ｅ・・ｎ子音 １４、ｉｓ・・・・電極 １６・−・会・接地電極 １７・・拳・・ソース電極 １８・・・・・ドレイン電極 １９・・・―・ゲート電極 ２０・・・・・光電変換部 ２１１１・・・會薄膜トランジスタ部 ２２・・・・・直列抵抗部 代理人 弁理士 山 下 穣 ｆ 第１ 図 （ａ） （ｂ） 第２図 第３図 第４図 （ｂ）
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。 第２図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第３図は上記第１実施例をラインセンサに用いた例を示
す。 第４図は本発明の光電変換装置の第２実施例の構造図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図（ａ）のＡ−Ａ
’縦断面図である。 第５図は上記光電変換装置の等価回路図である。 第６図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 １０・会−・・ガラス基板 １１・・・・・絶縁膜 １２拳φ・・・寥導体層 １３・・ｅ・・ｎ子音 １４、ｉｓ・・・・電極 １６・−・会・接地電極 １７・・拳・・ソース電極 １８・・・・・ドレイン電極 １９・・・―・ゲート電極 ２０・・・・・光電変換部 ２１１１・・・會薄膜トランジスタ部 ２２・・・・・直列抵抗部 代理人 弁理士 山 下 穣 ｆ 第１ 図 （ａ） （ｂ） 第２図 第３図 第４図 （ｂ）
Claims (1)
- 光学的信号を電気的信号に変換する光電変換部と、該電
気的信号を増幅させるトランジスタ部とを有する光電変
換装置において、光電変換部の半導体層とトランジスタ
部の半導体層とを同一半導体層から構成したことを特徴
とする光電変換装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033777A JPH0746720B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光電変換装置 |
| EP87300566A EP0232083B1 (en) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | Photoelectric conversion device |
| DE3751242T DE3751242T2 (de) | 1986-01-24 | 1987-01-22 | Photoelektrischer Wandler. |
| US07/412,586 US4931661A (en) | 1986-01-24 | 1989-09-25 | Photoelectric conversion device having a common semiconductor layer for a portion of the photoelectric conversion element and a portion of the transfer transistor section |
| US07/907,287 US5306648A (en) | 1986-01-24 | 1992-07-01 | Method of making photoelectric conversion device |
| US07/912,651 US5338690A (en) | 1986-01-24 | 1992-07-09 | Photoelectronic conversion device |
| US08/128,108 US5627088A (en) | 1986-01-24 | 1993-09-29 | Method of making a device having a TFT and a capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033777A JPH0746720B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193276A true JPS62193276A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0746720B2 JPH0746720B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=12395880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033777A Expired - Lifetime JPH0746720B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-02-20 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746720B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867075A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Fujitsu Ltd | 複合半導体装置 |
| JPS61187363A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Fujitsu Ltd | 光集積回路装置 |
| JPS62159477A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033777A patent/JPH0746720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867075A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Fujitsu Ltd | 複合半導体装置 |
| JPS61187363A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Fujitsu Ltd | 光集積回路装置 |
| JPS62159477A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746720B2 (ja) | 1995-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |