JPH0758644B2 - 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体素子の製造方法Info
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- JPH0758644B2 JPH0758644B2 JP61126073A JP12607386A JPH0758644B2 JP H0758644 B2 JPH0758644 B2 JP H0758644B2 JP 61126073 A JP61126073 A JP 61126073A JP 12607386 A JP12607386 A JP 12607386A JP H0758644 B2 JPH0758644 B2 JP H0758644B2
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は酸化亜鉛を主成分とし、それ自身が電圧非直線
性を有する焼結体の側面に、高抵抗層を形成した電圧非
直線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
性を有する焼結体の側面に、高抵抗層を形成した電圧非
直線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
従来の技術 電圧非直線抵抗体素子は一般にバリスタと呼ばれ、電圧
安定化やサージ吸収素子として用いられている。なかで
も、酸化亜鉛を主成分とし、これに少量のBi2O3，Co
2O3，MnO2，Sb2O3，Cr2O3などの金属酸化物を添加した
酸化亜鉛バリスタは、その大きなサージ電流耐量と優れ
た電圧非直線性から、近年ギャップレスアレスタ用の素
子として従来のシリコンカーバイトバリスタにとって代
わり広く利用されている。
安定化やサージ吸収素子として用いられている。なかで
も、酸化亜鉛を主成分とし、これに少量のBi2O3，Co
2O3，MnO2，Sb2O3，Cr2O3などの金属酸化物を添加した
酸化亜鉛バリスタは、その大きなサージ電流耐量と優れ
た電圧非直線性から、近年ギャップレスアレスタ用の素
子として従来のシリコンカーバイトバリスタにとって代
わり広く利用されている。
酸化亜鉛バリスタをアレスタ素子として用いる場合、極
めて重要な特性要素が２つある。第１は、放電耐量特性
である。これはJEC−187−1973に規定されている４×10
μｓの衝撃電流を５分間隔で２回印加し、素子が耐え得
るピーク電流の限界値である。第２に課電寿命特性で、
これは規定の交流電圧を印加した際に、アレスタ素子が
熱暴走に至までの時間である。通常は、周囲温度を100
℃以上、課電率（Ｖ印加電圧×100/V1mA）を90％以上に
設定し、加速試験を行う。近年、高放電耐量、長寿命の
アレスタ素子の開発が市場から強く望まれている。
めて重要な特性要素が２つある。第１は、放電耐量特性
である。これはJEC−187−1973に規定されている４×10
μｓの衝撃電流を５分間隔で２回印加し、素子が耐え得
るピーク電流の限界値である。第２に課電寿命特性で、
これは規定の交流電圧を印加した際に、アレスタ素子が
熱暴走に至までの時間である。通常は、周囲温度を100
℃以上、課電率（Ｖ印加電圧×100/V1mA）を90％以上に
設定し、加速試験を行う。近年、高放電耐量、長寿命の
アレスタ素子の開発が市場から強く望まれている。
従来より、電圧表面直線抵抗素子（以下アレスタ素子）
の製造方法として、特開昭56−69804号公報、特公昭60
−15128号公報などが知られている。前者は、酸化亜鉛
形のアレスタ素子の成形体または仮焼体の側面にSiO2，
Zn7Sb2O12，Bi2O3などの混合物を塗布した後、焼結し側
面に高抵抗層を有するアレスタ素子を製造するものであ
る。後者は、同様の成形体を焼成する際、焼成容器内に
Sb2O3，Bi2O3，SiO2などからなる混合物を配置し、気−
固相反応により、側面に高抵抗層を有するアレスタ素子
を製造するものである。
の製造方法として、特開昭56−69804号公報、特公昭60
−15128号公報などが知られている。前者は、酸化亜鉛
形のアレスタ素子の成形体または仮焼体の側面にSiO2，
Zn7Sb2O12，Bi2O3などの混合物を塗布した後、焼結し側
面に高抵抗層を有するアレスタ素子を製造するものであ
る。後者は、同様の成形体を焼成する際、焼成容器内に
Sb2O3，Bi2O3，SiO2などからなる混合物を配置し、気−
固相反応により、側面に高抵抗層を有するアレスタ素子
を製造するものである。
発明が解決しようとする問題点 このような前者の方法では、側面高抵抗層の構造が不安
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置したSb2O3，Bi2O3などからなる塗布
剤の蒸気と成形体とを反応させるため、側面高抵抗層の
厚みが充分とれず、放電耐量が低いばかりでなく、同一
焼成容器中で焼成可能な素子数が限られ、量産性に欠け
るという欠点を有していた。
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置したSb2O3，Bi2O3などからなる塗布
剤の蒸気と成形体とを反応させるため、側面高抵抗層の
厚みが充分とれず、放電耐量が低いばかりでなく、同一
焼成容器中で焼成可能な素子数が限られ、量産性に欠け
るという欠点を有していた。
本発明は、このような問題点を解決するもので、アレス
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性，課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性，課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明は、酸化亜鉛を主成
分とする成形体を700〜1150℃で仮焼し、次に前記成形
体の側面に、SiO2を主成分とし、Zn7Sb2O12を0.1〜30モ
ル％含む第１の側面剤を塗布した後、前記第１の側面剤
の上部に、SiO2を主成分とし、副成分としてBi2O3を０
〜30モル％含む第２の側面剤を塗布し、その後、焼結さ
せて、焼結体側面に、第１層（下層）がZn2SiO4を主成
分としてZn7Sb2O12を副成分とする側面高抵抗層を、第
２層（上層）がZn2SiO4からなる高抵抗層を形成するも
のである。
分とする成形体を700〜1150℃で仮焼し、次に前記成形
体の側面に、SiO2を主成分とし、Zn7Sb2O12を0.1〜30モ
ル％含む第１の側面剤を塗布した後、前記第１の側面剤
の上部に、SiO2を主成分とし、副成分としてBi2O3を０
〜30モル％含む第２の側面剤を塗布し、その後、焼結さ
せて、焼結体側面に、第１層（下層）がZn2SiO4を主成
分としてZn7Sb2O12を副成分とする側面高抵抗層を、第
２層（上層）がZn2SiO4からなる高抵抗層を形成するも
のである。
作用 この構成により、酸化亜鉛バリスタ素子の側面に、安定
した２層構造の高抵抗層が形成される。下層はZn2SiO4
にZn7Sb2O12が含まれる結晶層で、酸化亜鉛バリスタ素
子−高抵抗層間の密着性を向上させ、放電耐量特性を向
上させることができる。上層は、Zn2SiO4からなり、酸
化亜鉛バリスタ素子内部から、Bi2O3の飛散を抑制し、
課電寿命性も大幅に向上させることができる。
した２層構造の高抵抗層が形成される。下層はZn2SiO4
にZn7Sb2O12が含まれる結晶層で、酸化亜鉛バリスタ素
子−高抵抗層間の密着性を向上させ、放電耐量特性を向
上させることができる。上層は、Zn2SiO4からなり、酸
化亜鉛バリスタ素子内部から、Bi2O3の飛散を抑制し、
課電寿命性も大幅に向上させることができる。
実施例 以下、本発明の製造方法およびそれによって得られた電
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づいて詳細に説
明する。
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づいて詳細に説
明する。
まず、ZnOの粉末に、合計量に対しBi2O30.5モル％，Co2
O30.5モル％，MnO20.5モル％，Sb2O31.0モル％，Cr2O
30.5モル％,NiO0.5モル％を加え、充分に粉砕，混合し
た後、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径40mm,
厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。このようにして得ら
れた成形体を900℃,2時間焼成し冷却して仮焼体を得
た。
O30.5モル％，MnO20.5モル％，Sb2O31.0モル％，Cr2O
30.5モル％,NiO0.5モル％を加え、充分に粉砕，混合し
た後、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径40mm,
厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。このようにして得ら
れた成形体を900℃,2時間焼成し冷却して仮焼体を得
た。
一方、側面高抵抗層用のペーストは、Zn7Sb2O12，Bi
2O3，SiO2を適当な割合で混合した原料粉と、エチルセ
ルロース25ωｔ％，ブチルカルビトール75ωｔ％からな
るバインダーとを、重量比で１対３の割合で配合し均一
になるように混練して作成した。本発明では、この側面
高抵抗層用のペーストはSiO2，Zn7Sb2O12からなる下層
用と、SiO2を主成分とする上層用の２種類がある。
2O3，SiO2を適当な割合で混合した原料粉と、エチルセ
ルロース25ωｔ％，ブチルカルビトール75ωｔ％からな
るバインダーとを、重量比で１対３の割合で配合し均一
になるように混練して作成した。本発明では、この側面
高抵抗層用のペーストはSiO2，Zn7Sb2O12からなる下層
用と、SiO2を主成分とする上層用の２種類がある。
前述の仮焼体側面に下層用のペーストを塗布し、乾燥さ
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後空気
中において1200℃で焼結させた。このようにして得られ
た焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶射電極を
形成した。
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後空気
中において1200℃で焼結させた。このようにして得られ
た焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶射電極を
形成した。
第１図は上述したようにして得た電圧非直線抵抗体素子
の断面図であり、１はZnOを主成分とする焼結体、２はZ
n7Sb2O12，Zn2SiO4相の混在する側面高抵抗層第１層
（下層）、３はZn2SiO4を主成分とする側面高抵抗層２
層（上層）、４はアルミニウム溶射により形成された電
極である。なお、側面高抵抗層2,3の成分はＸ線回折に
より確認された。また、Ｘ線マイクロアナライザーによ
る分析から第１層（下層）２にはMn,Co,Crなどが固溶し
第２層（上層）３には主としてCoが固溶していることが
確認された。
の断面図であり、１はZnOを主成分とする焼結体、２はZ
n7Sb2O12，Zn2SiO4相の混在する側面高抵抗層第１層
（下層）、３はZn2SiO4を主成分とする側面高抵抗層２
層（上層）、４はアルミニウム溶射により形成された電
極である。なお、側面高抵抗層2,3の成分はＸ線回折に
より確認された。また、Ｘ線マイクロアナライザーによ
る分析から第１層（下層）２にはMn,Co,Crなどが固溶し
第２層（上層）３には主としてCoが固溶していることが
確認された。
下記の第１表は、側面高抵抗層第１層および第２層用の
側面剤の組成表である。第１層用側面剤はSiO2，Zn7Sb2
O12からなり、第２層用側面剤はSiO2，Bi2O3からなる。
側面剤の組成表である。第１層用側面剤はSiO2，Zn7Sb2
O12からなり、第２層用側面剤はSiO2，Bi2O3からなる。
この側面剤を仮焼体に第１層用側面剤，第２層用側面剤
の順に塗布し焼結させた後Alメタリコン電極を付けV1mA
/mm,V1mA／V10μA,外観などを調べた。この結果を第２
表に示すと共に第１層，第２層用の側面剤の組合せを種
々変えた場合について示している。比較のため従来例１
としてBi2O3、Zn7Sb2O12，SiO2をそれぞれ10モル％,10
モル％,80モル％含む側面剤を含む側面剤を仮焼体に塗
布した場合、従来例２としてBi2O3，Sb2O3をそれぞれ10
モル％,90モル％含む塗布剤を焼成容器内に配置し、気
−固相反応により側面高抵抗層を形成した場合のデータ
を追記した。ここで、V1mA/mmは第２層用側面剤中のBi2
O3濃度が増加するにつれて低下傾向を示し、逆にV1mA／
V10μＡは向上する傾向がある。
の順に塗布し焼結させた後Alメタリコン電極を付けV1mA
/mm,V1mA／V10μA,外観などを調べた。この結果を第２
表に示すと共に第１層，第２層用の側面剤の組合せを種
々変えた場合について示している。比較のため従来例１
としてBi2O3、Zn7Sb2O12，SiO2をそれぞれ10モル％,10
モル％,80モル％含む側面剤を含む側面剤を仮焼体に塗
布した場合、従来例２としてBi2O3，Sb2O3をそれぞれ10
モル％,90モル％含む塗布剤を焼成容器内に配置し、気
−固相反応により側面高抵抗層を形成した場合のデータ
を追記した。ここで、V1mA/mmは第２層用側面剤中のBi2
O3濃度が増加するにつれて低下傾向を示し、逆にV1mA／
V10μＡは向上する傾向がある。
しかし、第２層側面剤中のBi2O3濃度が30モル％を超え
ると側面剤の流れが発生し、V1mA／V10μＡは逆にわず
かに上昇する。また、第１層側面剤中のZn7Sb2O12濃度
が増すにつれV1mA／V10μＡは向上している。
ると側面剤の流れが発生し、V1mA／V10μＡは逆にわず
かに上昇する。また、第１層側面剤中のZn7Sb2O12濃度
が増すにつれV1mA／V10μＡは向上している。
第２図〜第７図に本発明および参考例の製造方法による
電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性，課電寿命特性の
結果を示す。図中の横軸は第２層側面剤中のBi2O3の濃
度である。ここで、放電耐量試験はJEC−187−1973に規
定された４×10μｓの衝撃電流を同一方向に５分間隔で
２回印加し、外観異常等をチェックした。また、試験は
10KA毎のステップアップ方式で行い、図中には黒丸印で
示した。そして、２回の衝撃電流に耐えなかった試料に
関しては印加電流から5KAを減じて示した。さらに、課
電寿命試験は周囲温度130℃，課電率95％（60HzAC）の
条件で行い、濡れ電流が10mAに達した時点で熱暴走と判
定し、それに要した時間を図中に白丸印で示した。第３
表に従来例１および２の放電耐量特性，課電寿命特性を
示した。ここで、Bi2O3，Zn7Sb2O12，SiO2系側面剤塗布
方式（従来例１）では、放電耐量50KA1回，課電寿命29
時間，Bi2O3，Sb2O3気−固相反応系（従来例２）では、
放電耐量50KA2回，課電寿命31時間の性能を有してい
た。
電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性，課電寿命特性の
結果を示す。図中の横軸は第２層側面剤中のBi2O3の濃
度である。ここで、放電耐量試験はJEC−187−1973に規
定された４×10μｓの衝撃電流を同一方向に５分間隔で
２回印加し、外観異常等をチェックした。また、試験は
10KA毎のステップアップ方式で行い、図中には黒丸印で
示した。そして、２回の衝撃電流に耐えなかった試料に
関しては印加電流から5KAを減じて示した。さらに、課
電寿命試験は周囲温度130℃，課電率95％（60HzAC）の
条件で行い、濡れ電流が10mAに達した時点で熱暴走と判
定し、それに要した時間を図中に白丸印で示した。第３
表に従来例１および２の放電耐量特性，課電寿命特性を
示した。ここで、Bi2O3，Zn7Sb2O12，SiO2系側面剤塗布
方式（従来例１）では、放電耐量50KA1回，課電寿命29
時間，Bi2O3，Sb2O3気−固相反応系（従来例２）では、
放電耐量50KA2回，課電寿命31時間の性能を有してい
た。
第２図から第７図を比較すると、第１層側面剤中のZn7S
b2O12濃度が0.1モル％より低い領域および30モル％より
高い領域で放電耐量特性，課電寿命特性とも低レベルに
あるが、0.1〜3.0モル％の領域では両特性とも優れてい
ることがわかる。また、第２層側面剤中のBi2O3濃度が
増加するに従い課電寿命特性は向上し、20モル％でピー
クに達し、30モル％を超えた場合には再び低下する。こ
れは側面高抵抗層の一部が焼結反応の過程で、Bi2O3が
過多であることにより流れ落ち、逆にアレスタ素子から
のBi2O3が飛散し易くなるためと考えられる。一方、放
電耐量特性はBi2O3濃度が20〜30モル％までは一定で、
その後急激に低下する。これはBi2O3濃度が高いため側
面高抵抗層の一部が流れ落ちたり、上層の形成されるZn
2SiO4相の粒界にBi2O3が残存するためと考えられる。そ
して、第１層側面剤に前記側面剤A5、第２層側面剤に前
記側面剤B3を用いた場合、放電耐特性は90KA、課電寿命
特性は314時間の性能を有し、従来例と比較し著しい高
特性が得られることがわかる。
b2O12濃度が0.1モル％より低い領域および30モル％より
高い領域で放電耐量特性，課電寿命特性とも低レベルに
あるが、0.1〜3.0モル％の領域では両特性とも優れてい
ることがわかる。また、第２層側面剤中のBi2O3濃度が
増加するに従い課電寿命特性は向上し、20モル％でピー
クに達し、30モル％を超えた場合には再び低下する。こ
れは側面高抵抗層の一部が焼結反応の過程で、Bi2O3が
過多であることにより流れ落ち、逆にアレスタ素子から
のBi2O3が飛散し易くなるためと考えられる。一方、放
電耐量特性はBi2O3濃度が20〜30モル％までは一定で、
その後急激に低下する。これはBi2O3濃度が高いため側
面高抵抗層の一部が流れ落ちたり、上層の形成されるZn
2SiO4相の粒界にBi2O3が残存するためと考えられる。そ
して、第１層側面剤に前記側面剤A5、第２層側面剤に前
記側面剤B3を用いた場合、放電耐特性は90KA、課電寿命
特性は314時間の性能を有し、従来例と比較し著しい高
特性が得られることがわかる。
以上のように、本発明の製造方法による電圧非直線抵抗
体素子が、放電耐特性，課電寿命特性ともに高性能を示
す理由は、以下のように推定される。すなわち、従来の
Bi2O3，Zn7Sb2O12（Sb2O3からなる３成分単層側面剤を
用いた場合、その生成物は単にZn7Sb2O12とZn2SiO4の混
在系であるのに対し、２層塗布方式の側面剤を用いた場
合、第１層（下層）にZn7Sb2O12，Zn2SiO4相が生成し、
第２層（上層）にZn2SiO4相が生成して構造が極めて安
定となる。このようにして生成した下層の特にZn7Sb2O
12相は高抵抗でバリスタ素子との密着性が高く放電耐量
の向上に寄与し、上層のZn2SiO4相はバリスタ素子から
のBi2O3飛散を軽減し課電寿命特性の向上が寄与してい
ると考えられる。
体素子が、放電耐特性，課電寿命特性ともに高性能を示
す理由は、以下のように推定される。すなわち、従来の
Bi2O3，Zn7Sb2O12（Sb2O3からなる３成分単層側面剤を
用いた場合、その生成物は単にZn7Sb2O12とZn2SiO4の混
在系であるのに対し、２層塗布方式の側面剤を用いた場
合、第１層（下層）にZn7Sb2O12，Zn2SiO4相が生成し、
第２層（上層）にZn2SiO4相が生成して構造が極めて安
定となる。このようにして生成した下層の特にZn7Sb2O
12相は高抵抗でバリスタ素子との密着性が高く放電耐量
の向上に寄与し、上層のZn2SiO4相はバリスタ素子から
のBi2O3飛散を軽減し課電寿命特性の向上が寄与してい
ると考えられる。
本実施例においては側面高抵抗層用の２種類の側面剤を
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第１
層，第２層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、ま
た第１層用側面剤を成形体に、第２層用側面剤を仮焼体
に塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。
また、本発明においては側面高抵抗層用の材料としてSi
O2，Zn7Sb2O12、Bi2O3を用いたが、これらにアレスタ素
子の粒界層の構成要素である成分、すなわちBi2O3，Co2
O3，Cr2O3，MnO2,NiO,MgOなどを添加しても本発明の効
果に変わりはないものである。
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第１
層，第２層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、ま
た第１層用側面剤を成形体に、第２層用側面剤を仮焼体
に塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。
また、本発明においては側面高抵抗層用の材料としてSi
O2，Zn7Sb2O12、Bi2O3を用いたが、これらにアレスタ素
子の粒界層の構成要素である成分、すなわちBi2O3，Co2
O3，Cr2O3，MnO2,NiO,MgOなどを添加しても本発明の効
果に変わりはないものである。
発明の効果 以上のように本発明は、酸化亜鉛バリスタ素子の成形体
または仮焼体の側面に、Zn2SiO4を主成分としZn7Sb2O12
を0.1〜30モル％含む第１の側面剤を塗布し、次に、そ
の上から、SiO2を主成分とし、副成分としてBi2O3を０
〜30モル％含む第２の側面剤を塗布し、その後、焼結さ
れて電圧直線抵抗体素子を得るものである。この構成に
より、酸化亜鉛バリスタ素子の側面に、安定した２層構
造の高抵抗層が形成され、アレスタとして、極めて重要
な特性である放電耐量特性、課電寿命特性のいずれも非
常に高性能を示す。ここで、下層はZn7Sb2O12を含む結
晶層で、酸化亜鉛バリスタ素子−高抵抗層間の密着性を
高め、放電耐量特性を向上させていると思われる。ま
た、上層は、Zn2SiO4の結晶層からなり、酸化亜鉛バリ
スタ素子内部からBi2O3の飛散を抑圧し、課電寿命特性
を大幅に向上させていると思われる。さらに、下層のZn
7Sb2O12の結晶層部分にはポアが多い、上層Zn2SiO4がそ
ん欠陥部分を補うことにより放電耐量特性を向上させて
いるものと考えられる。
または仮焼体の側面に、Zn2SiO4を主成分としZn7Sb2O12
を0.1〜30モル％含む第１の側面剤を塗布し、次に、そ
の上から、SiO2を主成分とし、副成分としてBi2O3を０
〜30モル％含む第２の側面剤を塗布し、その後、焼結さ
れて電圧直線抵抗体素子を得るものである。この構成に
より、酸化亜鉛バリスタ素子の側面に、安定した２層構
造の高抵抗層が形成され、アレスタとして、極めて重要
な特性である放電耐量特性、課電寿命特性のいずれも非
常に高性能を示す。ここで、下層はZn7Sb2O12を含む結
晶層で、酸化亜鉛バリスタ素子−高抵抗層間の密着性を
高め、放電耐量特性を向上させていると思われる。ま
た、上層は、Zn2SiO4の結晶層からなり、酸化亜鉛バリ
スタ素子内部からBi2O3の飛散を抑圧し、課電寿命特性
を大幅に向上させていると思われる。さらに、下層のZn
7Sb2O12の結晶層部分にはポアが多い、上層Zn2SiO4がそ
ん欠陥部分を補うことにより放電耐量特性を向上させて
いるものと考えられる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の製造方法による電圧非直線抵抗体素子
の断面図、第２図〜第７図は本発明および参考例の製造
方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性および
課電寿命特性を示す図である。 １……酸化亜鉛バリスタ素子、２……側面高抵抗層第１
層（下層）、３……側面高抵抗層第２層（上層）、４…
…電極。
の断面図、第２図〜第７図は本発明および参考例の製造
方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性および
課電寿命特性を示す図である。 １……酸化亜鉛バリスタ素子、２……側面高抵抗層第１
層（下層）、３……側面高抵抗層第２層（上層）、４…
…電極。
Claims (3)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とする成形体を700〜115
0℃で仮焼し、次に、前記仮焼体の側面にSiO2を主成分
としZn7Sb2O12を0.1〜30モル％含む第１の側面剤を塗布
した後、前記第１の側面剤上部にSiO2を主成分としBi2O
3を０〜30モル％含む第２の側面剤を塗布した後、焼結
し、焼結体側面に第１層（下層）がZn2SiO4を主成分と
しZn7Sb2O12を副成分とする側面高抵抗層からなり、第
２層（上層）がZn2SiO4からなる側面高抵抗層を形成す
る電圧非直線抵抗体素子の製造方法。 - 【請求項２】酸化亜鉛を主成分とする成形体の側面に、
SiO2を主成分としZn7Sb2O12を0.1〜30モル％含む第１の
側面剤を塗布し、次に、前記第１の側面剤の上部にSiO2
を主成分としBi2O3を０〜30モル％含む第２の側面剤を
塗布し、その後、焼結し、焼結体側面に第１層（下層）
がZn2SiO4を主成分としZn7Sb2O12を副成分とする側面高
抵抗層からなり、第２層（上層）がZn2SiO4からなる側
面高抵抗層を形成する電圧非直線抵抗体素子の製造方
法。 - 【請求項３】酸化亜鉛を主成分とする成形体の側面に、
SiO2を主成分としZn7Sb2O12を0.1〜30モル％含む第１の
側面剤を塗布し、次に、前記成形体を700〜1150℃で仮
焼した後、前記仮焼体の前記第１の側面剤の上部に、Si
O2を主成分としBi2O3を０〜30モル％含む第２の側面剤
を塗布し、その後、焼結し、焼結体側面に第１層（下
層）がZn2SiO4を主成分としZn7Sb2O12を副成分とする側
面高抵抗層からなり、第２層（上層）がZn2SiO4からな
る側面高抵抗層を形成する電圧非直線抵抗体素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126073A JPH0758644B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126073A JPH0758644B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282408A JPS62282408A (ja) | 1987-12-08 |
| JPH0758644B2 true JPH0758644B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=14925945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126073A Expired - Lifetime JPH0758644B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758644B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310678B2 (ja) * | 1972-12-29 | 1978-04-15 | ||
| JPS51134860A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Voltage nonnlinear resistor element and method of making same |
| JPS5234393A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production method of resistance element with voltage non-linearity |
| JPS58194303A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形バリスタ |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126073A patent/JPH0758644B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62282408A (ja) | 1987-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |