JPH0760624A - 半導体円板のエッジを研磨する方法 - Google Patents
半導体円板のエッジを研磨する方法Info
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- JPH0760624A JPH0760624A JP6189009A JP18900994A JPH0760624A JP H0760624 A JPH0760624 A JP H0760624A JP 6189009 A JP6189009 A JP 6189009A JP 18900994 A JP18900994 A JP 18900994A JP H0760624 A JPH0760624 A JP H0760624A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体円板の研削されたエッジが、場合によ
ってはノッチにおいても、公知の方法の欠点を生じるこ
となしに研磨されることができるような方法を提供す
る。 【構成】半導体円板１のエッジ３を、場合によっては半
導体円板１のノッチ５においても研磨する方法におい
て、ダイヤモンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ
仕上げ工具の作業面として所定の力で半導体円板１のエ
ッジ３に圧着され、かつ半導体円板１及び／又は作業面
４が回転運動を実施する。
ってはノッチにおいても、公知の方法の欠点を生じるこ
となしに研磨されることができるような方法を提供す
る。 【構成】半導体円板１のエッジ３を、場合によっては半
導体円板１のノッチ５においても研磨する方法におい
て、ダイヤモンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ
仕上げ工具の作業面として所定の力で半導体円板１のエ
ッジ３に圧着され、かつ半導体円板１及び／又は作業面
４が回転運動を実施する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結び付けられた研削粒
子で研削することによってエッジを丸くすることに続い
て、半導体円板のエッジを研磨する方法に関する。
子で研削することによってエッジを丸くすることに続い
て、半導体円板のエッジを研磨する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体円板のエッジは、普通の形式で、
円板を分離した後に円筒状に研削される単結晶によって
研削され、この場合、結晶内の欠落及び損傷が除去され
る。このようなエッジを丸くする別の目的は、半導体円
板が規定のエッジ輪郭を備え、かつできるだけ滑らかな
かつ抵抗できるエッジ表面を生じることである。円板エ
ッジの粗面度を減少することによって、小さな衝撃負荷
時にさえ欠落してしまうこと、及び円板を電子的な構成
要素に加工する次の経過において妨害になる粒子がエッ
ジ表面上に沈着することが避けられる。
円板を分離した後に円筒状に研削される単結晶によって
研削され、この場合、結晶内の欠落及び損傷が除去され
る。このようなエッジを丸くする別の目的は、半導体円
板が規定のエッジ輪郭を備え、かつできるだけ滑らかな
かつ抵抗できるエッジ表面を生じることである。円板エ
ッジの粗面度を減少することによって、小さな衝撃負荷
時にさえ欠落してしまうこと、及び円板を電子的な構成
要素に加工する次の経過において妨害になる粒子がエッ
ジ表面上に沈着することが避けられる。
【０００３】普通の形式で使用される機械的な研削工具
の作業面は、その中にはダイヤモンド粒子が固定的に結
び付けられているような剛性的な圧縮可能な担体材料か
ら成っている。円板エッジの所望の輪郭を研削するため
に、作業面の形がこの輪郭の形状に相応していなければ
ならない。アメリカ合衆国特許第４，３４４，２６０号
明細書において、研削によって半導体円板のエッジを丸
くするための方法が開示されている。
の作業面は、その中にはダイヤモンド粒子が固定的に結
び付けられているような剛性的な圧縮可能な担体材料か
ら成っている。円板エッジの所望の輪郭を研削するため
に、作業面の形がこの輪郭の形状に相応していなければ
ならない。アメリカ合衆国特許第４，３４４，２６０号
明細書において、研削によって半導体円板のエッジを丸
くするための方法が開示されている。
【０００４】研削によって円板エッジを丸くした後に、
エッジ表面の規定の最小粗面度が存在している。さら
に、研削が結晶格子の損傷（ダメージ）を数μｍの深さ
まで与えることは避けれない。 普通の形式で、化学的
な腐食剤を用いてエッジを丸くすることに続いて、損傷
された結晶範囲が一緒に取り除かれるだけ多くの材料が
搬出される。しかしながら、エッジの十分な研磨は、腐
食処置によっては達成されない。
エッジ表面の規定の最小粗面度が存在している。さら
に、研削が結晶格子の損傷（ダメージ）を数μｍの深さ
まで与えることは避けれない。 普通の形式で、化学的
な腐食剤を用いてエッジを丸くすることに続いて、損傷
された結晶範囲が一緒に取り除かれるだけ多くの材料が
搬出される。しかしながら、エッジの十分な研磨は、腐
食処置によっては達成されない。
【０００５】それ故に、従来の方法により既に研削さ
れ、かつ場合によっては続いて腐食された半導体円板の
エッジが、化学的−機械的にバニシ仕上げされ、かつこ
の場合、研磨されることは見逃される。この種の処置に
おいて、化学的に作用する腐食剤を負荷しつつバニシ仕
上げ布が中心で回転される半導体円板のエッジに圧着さ
れる。
れ、かつ場合によっては続いて腐食された半導体円板の
エッジが、化学的−機械的にバニシ仕上げされ、かつこ
の場合、研磨されることは見逃される。この種の処置に
おいて、化学的に作用する腐食剤を負荷しつつバニシ仕
上げ布が中心で回転される半導体円板のエッジに圧着さ
れる。
【０００６】円板エッジの化学的−機械的な研磨は、材
料搬出が極めて僅かな割合でしか行われず、それに相応
して半導体円板毎に長い加工時間が必要であるという欠
点を有している。さらに、使用される腐食剤が故意にで
はなく半導体円板の両側面の一方に入り込み、そこで所
望されない表面腐食を生じてしまうという不都合があ
る。
料搬出が極めて僅かな割合でしか行われず、それに相応
して半導体円板毎に長い加工時間が必要であるという欠
点を有している。さらに、使用される腐食剤が故意にで
はなく半導体円板の両側面の一方に入り込み、そこで所
望されない表面腐食を生じてしまうという不都合があ
る。
【０００７】半導体円板のエッジ領域には、しばしば、
半導体円板の位置決めを簡単にし、かつ結晶配列を判ら
せるような刻み目状のマークが研削されている。このよ
うなマークはノッチとして知られている。半導体円板の
ノッチにおけるエッジを研磨するための満足させる解決
策はまだ得られない。
半導体円板の位置決めを簡単にし、かつ結晶配列を判ら
せるような刻み目状のマークが研削されている。このよ
うなマークはノッチとして知られている。半導体円板の
ノッチにおけるエッジを研磨するための満足させる解決
策はまだ得られない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、半導
体円板の研削されたエッジが、場合によってはノッチに
おいても、前述の欠点を生じることなしに研磨されるこ
とができるような方法を提供することにある。
体円板の研削されたエッジが、場合によってはノッチに
おいても、前述の欠点を生じることなしに研磨されるこ
とができるような方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の課題は、ダイヤモ
ンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ仕上げ工具の
作業面として所定の力で半導体円板のエッジに圧着さ
れ、かつ半導体円板及び／又は作業面が回転運動を実施
することを特徴とする、半導体円板のエッジを、場合に
よっては半導体円板のノッチにおいても研磨する方法に
より解決される。
ンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ仕上げ工具の
作業面として所定の力で半導体円板のエッジに圧着さ
れ、かつ半導体円板及び／又は作業面が回転運動を実施
することを特徴とする、半導体円板のエッジを、場合に
よっては半導体円板のノッチにおいても研磨する方法に
より解決される。
【００１０】ダイヤモンドを混入された布は周知であ
る。この布は、０，２５〜３０μｍの種々のダイヤモン
ド粒子を有して提出される。さらに、ダイヤモンドを混
入された布がラップ円板上に接着され、かつ酸化物のセ
ラミック、及び非酸化物のセラミックから成る大きな面
の堅い材料をバニシ仕上げするために硬いスチール又は
非−鉄−金属が使用されることは既に周知である（Ｉｎ
ｄｕｓｔｒｉｅ Ｄｉａｍａｎｔｅｎ Ｒｕｎｄｓｃｈ
ａｕ（産業ダイヤモンド評論）３／９２，１１５−１１
７頁）。
る。この布は、０，２５〜３０μｍの種々のダイヤモン
ド粒子を有して提出される。さらに、ダイヤモンドを混
入された布がラップ円板上に接着され、かつ酸化物のセ
ラミック、及び非酸化物のセラミックから成る大きな面
の堅い材料をバニシ仕上げするために硬いスチール又は
非−鉄−金属が使用されることは既に周知である（Ｉｎ
ｄｕｓｔｒｉｅ Ｄｉａｍａｎｔｅｎ Ｒｕｎｄｓｃｈ
ａｕ（産業ダイヤモンド評論）３／９２，１１５−１１
７頁）。
【００１１】今や、ダイヤモンドを混入された布を使用
して、既に研削された半導体円板エッジを、化学的−機
械的なバニシ仕上げにおけるバニシ仕上げ結果に達する
品質を有して研磨されることができるバニシ仕上げ法が
改良された。さらに、この方法は、半導体円板のノッチ
におけるエッジを研磨するためにも適している。
して、既に研削された半導体円板エッジを、化学的−機
械的なバニシ仕上げにおけるバニシ仕上げ結果に達する
品質を有して研磨されることができるバニシ仕上げ法が
改良された。さらに、この方法は、半導体円板のノッチ
におけるエッジを研磨するためにも適している。
【００１２】
【実施例】本発明をより理解するために、以下に２つの
図面を用いて詳しく説明する。エッジを研磨するため
に、半導体円板（１）が、扁平の円板保持部、所謂チャ
ック（２）に固定される。半導体円板のエッジ（３）
は、チャックの縁を越えて突出しており、従ってエッジ
にバニシ仕上げ工具が自由に接近できる。バニシ仕上げ
工具の作業面（４）は、ダイヤモンドを混入された、有
利には１〜６μｍのダイヤモンド造粒を有する布であ
る。
図面を用いて詳しく説明する。エッジを研磨するため
に、半導体円板（１）が、扁平の円板保持部、所謂チャ
ック（２）に固定される。半導体円板のエッジ（３）
は、チャックの縁を越えて突出しており、従ってエッジ
にバニシ仕上げ工具が自由に接近できる。バニシ仕上げ
工具の作業面（４）は、ダイヤモンドを混入された、有
利には１〜６μｍのダイヤモンド造粒を有する布であ
る。
【００１３】ノッチ（５）における円板エッジを研磨す
るための工具は、有利には、回転軸線（６）を中心にし
て回転しダイヤモンドを混入された布を張られた回転円
板（７）を有している。ダイヤモンドを混入された布
は、この布が、回転円板の全周を、かつ回転円板の側面
の少なくとも一部分を被うように、回転円板上に張られ
て、接着され、あるいは他の方法で固定されている。さ
らに、布は、この布を張られた回転円板の横断面が回転
円板の縁の範囲で少なくともほぼ、半導体円板の、ノッ
チ（５）を形成する切り口の形を有するように形成され
ている。ノッチにおけるエッジを研磨するために、中央
で回転される回転円板の周面が静止する半導体円板のノ
ッチ内に導入され、かつ所定の力によって半導体円板の
エッジに圧着される。この場合、半導体円板の側面と回
転円板の側面とは互いに９０°の角度を成している。圧
着力は、有利には空気力式に、あるいはばねを介して伝
達される。場合によっては、工具がその自重によって半
導体円板のエッジに圧着される場合にも十分である。ノ
ッチにおける半導体円板のエッジがバニシ仕上げ工具の
作業面によって完全に掴まれることを保証するために、
有利には、別の回転軸線（８）が半導体円板の表面に対
して平行に設けられており、かつ回転される回転円板
が、前記回転軸線を中心にして振り子運動で僅かに持ち
上げられかつ降ろされる。
るための工具は、有利には、回転軸線（６）を中心にし
て回転しダイヤモンドを混入された布を張られた回転円
板（７）を有している。ダイヤモンドを混入された布
は、この布が、回転円板の全周を、かつ回転円板の側面
の少なくとも一部分を被うように、回転円板上に張られ
て、接着され、あるいは他の方法で固定されている。さ
らに、布は、この布を張られた回転円板の横断面が回転
円板の縁の範囲で少なくともほぼ、半導体円板の、ノッ
チ（５）を形成する切り口の形を有するように形成され
ている。ノッチにおけるエッジを研磨するために、中央
で回転される回転円板の周面が静止する半導体円板のノ
ッチ内に導入され、かつ所定の力によって半導体円板の
エッジに圧着される。この場合、半導体円板の側面と回
転円板の側面とは互いに９０°の角度を成している。圧
着力は、有利には空気力式に、あるいはばねを介して伝
達される。場合によっては、工具がその自重によって半
導体円板のエッジに圧着される場合にも十分である。ノ
ッチにおける半導体円板のエッジがバニシ仕上げ工具の
作業面によって完全に掴まれることを保証するために、
有利には、別の回転軸線（８）が半導体円板の表面に対
して平行に設けられており、かつ回転される回転円板
が、前記回転軸線を中心にして振り子運動で僅かに持ち
上げられかつ降ろされる。
【００１４】原則的に、ダイヤモンドを混入された布か
ら成る扁平な作業面を有する回転円板は、ノッチの外側
における半導体円板のエッジを研磨するために使用する
こともできる。勿論、回転円板の周面が半導体円板のエ
ッジに圧着される場合に、半導体円板が回転されること
が前提である。 しかし、このために有利には、図面に
示されていてかつ以下に記載される特徴を有するバニシ
仕上げ工具によって研磨される。このバニシ仕上げ工具
は、主に、軸（９）を中心にして回転されるトランペッ
ト状に拡開する平らな端面を有するスピンドル（１０）
から成っている。この端面には、ダイヤモンドを混入さ
れた布が接着され、張られ、あるいは別の方法で固定さ
れる。この端面はバニシ仕上げ工具の作業面（４）を形
成する。エッジを研磨するために、半導体円板はチャッ
ク（２）上に固定され、かつ、中心で、あるいは偏心的
に回転される。軸（９）を中心に回転されるスピンドル
（１０）は、作業面が所定の力で半導体円板のエッジに
圧着されるように半導体円板に接近される。有利には、
必要な圧着力は、空気力式に、ばねによって、あるいは
バニシ仕上げ工具の重力によって生ぜしめられる。この
場合、スピンドルの回転軸線は、半導体円板の回転軸線
に対して垂直に、あるいは半導体円板のエッジの上方又
は下方の湾曲された側面に隣接する仮想の接線面に対し
て垂直に位置する。これら３つの位置は、バニシ仕上げ
工具によって互いに制御されることもできる。しかし、
この位置を占める３つのバニシ仕上げ工具によって同時
に作業されるので、エッジの研磨が一回の作業動作で完
了されるという利点がある。
ら成る扁平な作業面を有する回転円板は、ノッチの外側
における半導体円板のエッジを研磨するために使用する
こともできる。勿論、回転円板の周面が半導体円板のエ
ッジに圧着される場合に、半導体円板が回転されること
が前提である。 しかし、このために有利には、図面に
示されていてかつ以下に記載される特徴を有するバニシ
仕上げ工具によって研磨される。このバニシ仕上げ工具
は、主に、軸（９）を中心にして回転されるトランペッ
ト状に拡開する平らな端面を有するスピンドル（１０）
から成っている。この端面には、ダイヤモンドを混入さ
れた布が接着され、張られ、あるいは別の方法で固定さ
れる。この端面はバニシ仕上げ工具の作業面（４）を形
成する。エッジを研磨するために、半導体円板はチャッ
ク（２）上に固定され、かつ、中心で、あるいは偏心的
に回転される。軸（９）を中心に回転されるスピンドル
（１０）は、作業面が所定の力で半導体円板のエッジに
圧着されるように半導体円板に接近される。有利には、
必要な圧着力は、空気力式に、ばねによって、あるいは
バニシ仕上げ工具の重力によって生ぜしめられる。この
場合、スピンドルの回転軸線は、半導体円板の回転軸線
に対して垂直に、あるいは半導体円板のエッジの上方又
は下方の湾曲された側面に隣接する仮想の接線面に対し
て垂直に位置する。これら３つの位置は、バニシ仕上げ
工具によって互いに制御されることもできる。しかし、
この位置を占める３つのバニシ仕上げ工具によって同時
に作業されるので、エッジの研磨が一回の作業動作で完
了されるという利点がある。
【００１５】エッジの研磨中に半導体円板が中心で回転
されると、バニシ仕上げ工具の作業面の点状の範囲しか
必要とされない。それ故、作業面の運転時間を延長する
ためには半導体円板が偏心的に回転されると有利であ
り、この場合、作業面の研磨に必要な範囲はリング状に
拡大される。
されると、バニシ仕上げ工具の作業面の点状の範囲しか
必要とされない。それ故、作業面の運転時間を延長する
ためには半導体円板が偏心的に回転されると有利であ
り、この場合、作業面の研磨に必要な範囲はリング状に
拡大される。
【００１６】本発明による方法の特別の利点は、ダイヤ
モンドを混入された布の圧縮性によって、湾曲されたエ
ッジ表面全体の研磨が一回の作業動作中に達成されるこ
とができることである。バニシ仕上げ工具の作業面がエ
ッジに圧着されると、ダイヤモンドを混入された布が半
導体円板のエッジに密着される。その結果、バニシ仕上
げ工具は、エッジの研磨中に普通の形式で研削された小
面によって複雑にされたエッジ輪郭に合わせる必要はな
い。さらに、布内で結び付けられたダイヤモンド粒子は
圧力負荷時に十分に可撓性であり、従って、エッジの研
磨は結晶格子の損傷をほとんど惹起しない。エッジを研
磨する際に生じる材料搬出は、バニシ仕上げ工具の作業
面をエッジに圧着する力、切削速度及び加工時間に関連
して簡単な形式で変化される。本発明による方法による
エッジの研磨は、化学的−機械的な研磨法より著しく速
く行われる。本発明による方法は、実例においてテスト
される。
モンドを混入された布の圧縮性によって、湾曲されたエ
ッジ表面全体の研磨が一回の作業動作中に達成されるこ
とができることである。バニシ仕上げ工具の作業面がエ
ッジに圧着されると、ダイヤモンドを混入された布が半
導体円板のエッジに密着される。その結果、バニシ仕上
げ工具は、エッジの研磨中に普通の形式で研削された小
面によって複雑にされたエッジ輪郭に合わせる必要はな
い。さらに、布内で結び付けられたダイヤモンド粒子は
圧力負荷時に十分に可撓性であり、従って、エッジの研
磨は結晶格子の損傷をほとんど惹起しない。エッジを研
磨する際に生じる材料搬出は、バニシ仕上げ工具の作業
面をエッジに圧着する力、切削速度及び加工時間に関連
して簡単な形式で変化される。本発明による方法による
エッジの研磨は、化学的−機械的な研磨法より著しく速
く行われる。本発明による方法は、実例においてテスト
される。
【００１７】実例：２００ｍｍの直径を有するシリコン
円板のエッジは、普通の形式で研削によってエッジを丸
くされる。それに応じて円板エッジの粗面度を示す値Ｒ
ｍａｘは１，５μｍになり、ノッチにおいてほぼ２〜３
μｍになる。本発明による方法によりダイヤモンドを混
入された布によって円板周面を続いて研磨する際に、リ
ング状の摩耗面を維持するために、チャックに半導体円
板を目的に合わせて偏心的に締め付けることによって５
０と８０ｍｍの間で布の作用直径が変化される。布は、
１０Ｎの力によって半導体円板のエッジに圧着される。
バニシ仕上げ工具の周速度は２０ｍ／ｓであり、チャッ
クの回転数は４ｍｉｎ−１である。６μｍ及び１μｍの
ダイヤモンド−粒子を有するダイヤモンドを混入された
布による２×４５ｓの加工時間により、０，８ｎｍの残
留するエッジ粗面度が測定される。ノッチにおけるエッ
ジを研磨するために、３μｍのダイヤモンド粒子を有す
る布が使用される。バニシ仕上げ工具の周速度は１１ｍ
／ｓであり、接近力は１０Ｎである。測定されうる粗面
を除去するために、１５ｓの加工速度で十分である。
円板のエッジは、普通の形式で研削によってエッジを丸
くされる。それに応じて円板エッジの粗面度を示す値Ｒ
ｍａｘは１，５μｍになり、ノッチにおいてほぼ２〜３
μｍになる。本発明による方法によりダイヤモンドを混
入された布によって円板周面を続いて研磨する際に、リ
ング状の摩耗面を維持するために、チャックに半導体円
板を目的に合わせて偏心的に締め付けることによって５
０と８０ｍｍの間で布の作用直径が変化される。布は、
１０Ｎの力によって半導体円板のエッジに圧着される。
バニシ仕上げ工具の周速度は２０ｍ／ｓであり、チャッ
クの回転数は４ｍｉｎ−１である。６μｍ及び１μｍの
ダイヤモンド−粒子を有するダイヤモンドを混入された
布による２×４５ｓの加工時間により、０，８ｎｍの残
留するエッジ粗面度が測定される。ノッチにおけるエッ
ジを研磨するために、３μｍのダイヤモンド粒子を有す
る布が使用される。バニシ仕上げ工具の周速度は１１ｍ
／ｓであり、接近力は１０Ｎである。測定されうる粗面
を除去するために、１５ｓの加工速度で十分である。
【００１８】以下、本発明の好適な実施態様を例示す
る。 １． 半導体円板のエッジを、場合によっては半導体円
板のノッチにおいても研磨する方法において、ダイヤモ
ンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ仕上げ工具の
作業面として所定の力で半導体円板のエッジに圧着さ
れ、かつ半導体円板及び／又は作業面が回転運動を実施
することを特徴とする、半導体円板のエッジを研磨する
方法。
る。 １． 半導体円板のエッジを、場合によっては半導体円
板のノッチにおいても研磨する方法において、ダイヤモ
ンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ仕上げ工具の
作業面として所定の力で半導体円板のエッジに圧着さ
れ、かつ半導体円板及び／又は作業面が回転運動を実施
することを特徴とする、半導体円板のエッジを研磨する
方法。
【００１９】２． 半導体円板が中心で回転することを
特徴とする前記１に記載の方法。
特徴とする前記１に記載の方法。
【００２０】３． 半導体円板が偏心的に回転すること
を特徴とする前記１に記載の方法。
を特徴とする前記１に記載の方法。
【００２１】４． 作業面が、空気力式に、ばね力又は
重力を介して、半導体円板の加工しようとする領域に圧
着されることを特徴とする前記１から３までのいずれか
１に記載の方法。
重力を介して、半導体円板の加工しようとする領域に圧
着されることを特徴とする前記１から３までのいずれか
１に記載の方法。
【００２２】５． 作業面として、１〜６μｍのダイヤ
モンド粒子を有する布が使用されることを特徴とする前
記１から４までのいずれか１に記載の方法。
モンド粒子を有する布が使用されることを特徴とする前
記１から４までのいずれか１に記載の方法。
【００２３】
【発明の効果】以上のとおり、本発明により、半導体円
板の研削されたエッジが、場合によってはノッチにおい
ても、前述の欠点を生じることなしに研磨されることが
できるような方法を提供することができる。
板の研削されたエッジが、場合によってはノッチにおい
ても、前述の欠点を生じることなしに研磨されることが
できるような方法を提供することができる。
【図１】本発明による方法実施中の、工具と半導体円板
の配置を示す概略的側面図である。
の配置を示す概略的側面図である。
【図２】本発明による方法実施中の、工具と半導体円板
の配置を示す平面図である。
の配置を示す平面図である。
１ 半導体円板 ２ チャック ３ エッジ ４ 作業面 ５ ノッチ ６ 回転軸線 ７ 回転円板 ８ 回転軸線 ９ 軸 １０ スピンドル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アントン・フーバー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン、ブル クスタイク 31 (72)発明者 ヨアシム・ユンゲ ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン、ドク トル−ヴォルフガング−グルーバー−シュ トラーセ ７
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体円板のエッジを、場合によっては
半導体円板のノッチにおいても研磨する方法において、
ダイヤモンドを混合される圧縮可能な布が、バニシ仕上
げ工具の作業面として所定の力で半導体円板のエッジに
圧着され、かつ半導体円板及び／又は作業面が回転運動
を実施することを特徴とする半導体円板のエッジを研磨
する方法。
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