JPH0760935B2 - フレキシブルプリント基板の製造法 - Google Patents
フレキシブルプリント基板の製造法Info
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- JPH0760935B2 JPH0760935B2 JP63071821A JP7182188A JPH0760935B2 JP H0760935 B2 JPH0760935 B2 JP H0760935B2 JP 63071821 A JP63071821 A JP 63071821A JP 7182188 A JP7182188 A JP 7182188A JP H0760935 B2 JPH0760935 B2 JP H0760935B2
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- JP
- Japan
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- flexible printed
- circuit board
- printed circuit
- polyimide
- resin
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- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、フレキシブルプリント基板の製造法に係り、
詳しくはポリイミド系樹脂を導体上に直接塗工してフレ
キシブルプリント基板を製造する方法に関する。
詳しくはポリイミド系樹脂を導体上に直接塗工してフレ
キシブルプリント基板を製造する方法に関する。
［従来の技術］ 従来、フレキシブルプリント基板は、エポキシ樹脂やウ
レタン樹脂等の接着剤を用いてポリイミドフィルムを導
体上に貼り合せることにより製造されている。
レタン樹脂等の接着剤を用いてポリイミドフィルムを導
体上に貼り合せることにより製造されている。
ポリイミドフィルムそれ自体は優れた耐熱性を有する
が、接着剤の耐熱性が劣り、ハンダで高温に加熱した際
にふくれや剥がれを生じたり、あるいは、回路の難燃性
を低下させるという問題があった。
が、接着剤の耐熱性が劣り、ハンダで高温に加熱した際
にふくれや剥がれを生じたり、あるいは、回路の難燃性
を低下させるという問題があった。
また、高温に加熱する際に寸法が変化したり、回路に加
工する際に使用される種々の薬品により接着剤がおかさ
れてその接着力が低下するというような問題もあった。
工する際に使用される種々の薬品により接着剤がおかさ
れてその接着力が低下するというような問題もあった。
一方、ポリイミド系前駆体樹脂溶液を導体上に直接塗布
してフレキシブルプリント基板を製造する方法として
は、塗布して硬化させた後に導体と樹脂の熱膨張係数の
差により生じるカールを矯正する方法（特開昭56−23,7
91号公報等）や、低熱膨張樹脂を塗布してカールを防止
する方法（特開昭60−243,120号公報等）が提案されて
いるが、いずれの方法も充分ではなかった。
してフレキシブルプリント基板を製造する方法として
は、塗布して硬化させた後に導体と樹脂の熱膨張係数の
差により生じるカールを矯正する方法（特開昭56−23,7
91号公報等）や、低熱膨張樹脂を塗布してカールを防止
する方法（特開昭60−243,120号公報等）が提案されて
いるが、いずれの方法も充分ではなかった。
［発明が解決しようとする課題］ そこで、本発明者はこのような問題を解決するために鋭
意研究を行い、硬化反応を進める前に一定量以上の溶剤
をある範囲の温度で乾燥することにより、カールのない
フレキシブルプリント基板を製造し得ることを見出し、
本発明に到達した。
意研究を行い、硬化反応を進める前に一定量以上の溶剤
をある範囲の温度で乾燥することにより、カールのない
フレキシブルプリント基板を製造し得ることを見出し、
本発明に到達した。
従って、本発明の目的は、ポリイミド系前駆体樹脂溶液
を導体上に直接塗工する際に、カールがなくて作業性に
優れており、連続的に製造することができる工業的に優
れてフレキシブルプリント基板の製造法を提供すること
にある。
を導体上に直接塗工する際に、カールがなくて作業性に
優れており、連続的に製造することができる工業的に優
れてフレキシブルプリント基板の製造法を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明は、ポリイミド系前駆体樹脂溶液を導
体上に直接塗布した後、乾燥し硬化させてフレキシブル
プリント基板を製造するに際し、乾燥温度110℃以上、1
40℃未満の条件で溶媒量が樹脂100重量部に対し50重量
部以下になるまで乾燥させた後、硬化させるフレキシブ
ルプリント基板の製造法である。
体上に直接塗布した後、乾燥し硬化させてフレキシブル
プリント基板を製造するに際し、乾燥温度110℃以上、1
40℃未満の条件で溶媒量が樹脂100重量部に対し50重量
部以下になるまで乾燥させた後、硬化させるフレキシブ
ルプリント基板の製造法である。
本発明において、ポリイミド系前駆体樹脂としては、ポ
リイミド前駆体樹脂、ポリアミドイミド前駆体樹脂、ポ
リイミドエステル前駆体樹脂等を挙げることができ、そ
の分子中に閉環したイミド環を実質的に含まないもので
あり、好ましくは下記一般式（１） （但し、式中R1〜R8は水素、ハロゲン、低級アルコキシ
基、低級アルキル基のいずれかであり、そのうちの少な
くとも１つは低級アルコキシ基である）で示される構成
単位を有するポリアミドイミド前駆体樹脂であり、又
は、一般式（２） で示される構成単位を有するポリイミド前駆体樹脂であ
る。
リイミド前駆体樹脂、ポリアミドイミド前駆体樹脂、ポ
リイミドエステル前駆体樹脂等を挙げることができ、そ
の分子中に閉環したイミド環を実質的に含まないもので
あり、好ましくは下記一般式（１） （但し、式中R1〜R8は水素、ハロゲン、低級アルコキシ
基、低級アルキル基のいずれかであり、そのうちの少な
くとも１つは低級アルコキシ基である）で示される構成
単位を有するポリアミドイミド前駆体樹脂であり、又
は、一般式（２） で示される構成単位を有するポリイミド前駆体樹脂であ
る。
一般式（１）のポリアミド樹脂前駆体は、無水ピロメリ
ット酸と下記一般式（３） （但し、式中R1〜R8は上記の場合と同じである）で示さ
れるジアミノベンズアニリド誘導体とを反応させて得ら
れる。
ット酸と下記一般式（３） （但し、式中R1〜R8は上記の場合と同じである）で示さ
れるジアミノベンズアニリド誘導体とを反応させて得ら
れる。
ジアミノベンズアニリド誘導体としては、置換基として
少なくとも１個の低級アルコキシ基を有する必要があ
る。ここでいう低級とは炭素数10以下のことであり、炭
素数が10を越えると耐熱性が低下し好ましくない。低級
アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基又はエト
キシ基であり、吸水性の改善という観点から、より好ま
しくはアルコキシ基がアミド結合のオルト位に存在する
ことである。さらに好ましくは、安価であるという点か
ら、式 で示される２′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズア
ニリドである。
少なくとも１個の低級アルコキシ基を有する必要があ
る。ここでいう低級とは炭素数10以下のことであり、炭
素数が10を越えると耐熱性が低下し好ましくない。低級
アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基又はエト
キシ基であり、吸水性の改善という観点から、より好ま
しくはアルコキシ基がアミド結合のオルト位に存在する
ことである。さらに好ましくは、安価であるという点か
ら、式 で示される２′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズア
ニリドである。
一般式（２）のポリアミド前駆体樹脂は、ビフェニルテ
トラカルボン酸無水物とパラフェニレンジアミンとを反
応させて得られる。
トラカルボン酸無水物とパラフェニレンジアミンとを反
応させて得られる。
このようなポリイミド系前駆体樹脂の合成反応は、一般
的にはＮ−メチルピロリドン（NMP）、ジメチルホルム
アミド（DMF）、ジメチルアセトアミド（DMAc）のアミ
ド系溶媒、ジメチルスルフォキサイド（DMSO）、硫酸ジ
メチル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、フ
ェノール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、ダイグライム等の溶
媒中で、反応温度０〜200℃、好ましくは０〜100℃の範
囲で行われる。これらの溶媒中に上記一般式に反応する
ジアミン化合物及び酸無水物化合物をほぼ等モル混合す
ることにより、前記ポリイミド系樹脂の前駆体溶液が得
られる。
的にはＮ−メチルピロリドン（NMP）、ジメチルホルム
アミド（DMF）、ジメチルアセトアミド（DMAc）のアミ
ド系溶媒、ジメチルスルフォキサイド（DMSO）、硫酸ジ
メチル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、フ
ェノール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、ダイグライム等の溶
媒中で、反応温度０〜200℃、好ましくは０〜100℃の範
囲で行われる。これらの溶媒中に上記一般式に反応する
ジアミン化合物及び酸無水物化合物をほぼ等モル混合す
ることにより、前記ポリイミド系樹脂の前駆体溶液が得
られる。
本発明においては、上記一般式（１）あるいは一般式
（２）の構造単位を少なくとも30モル％以上、好ましく
は50モル％以上含むことが必要である。30モル％未満で
あると樹脂の熱膨張係数が大きくなり、フレキシブルプ
リント基板が大きくカールし、実用化が困難になる。
（２）の構造単位を少なくとも30モル％以上、好ましく
は50モル％以上含むことが必要である。30モル％未満で
あると樹脂の熱膨張係数が大きくなり、フレキシブルプ
リント基板が大きくカールし、実用化が困難になる。
さらに、本発明において、その他の成分を併用使用する
ことにより、線膨張係数等の物性を調整することができ
る。
ことにより、線膨張係数等の物性を調整することができ
る。
その他の成分については、種々のジアミン、テトラカル
ボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の誘導
体を用いてコポリマリゼーションし、又は、別途合成し
て得られたポリイミド又はその先駆体及びポリアミドイ
ミド等をブレンドすることができる。
ボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の誘導
体を用いてコポリマリゼーションし、又は、別途合成し
て得られたポリイミド又はその先駆体及びポリアミドイ
ミド等をブレンドすることができる。
具体的に例を挙げると、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−
フェニレンジアミン、3,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、2,2′−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン、1,2−ビス（ア
ニリノ）エタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミ
ノベンズアニリド、ジアミノベンゾエート、ジアミノジ
フェニルスルフィド、2,2′−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）プロパン、2,2−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、1,5−ジアミノナフタレン、ジア
ミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオライド、1,4
−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビ
ス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノアン
トラキノン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシフェ
ニル）ジフェニルスルホン、1,3−ビス（アニリノ）ヘ
キサフルオロプロパン、1,4−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、1,5−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、1,7−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロ
ヘプタン、下記一般式 又は （但し、式中R10及びR12は２価の有機基を示し、R9及び
R11は１価の有機基を示し、ｐ及びｑは１より大きい整
数を示す）で表されるジアミノシロキサン、2,2−ビス
［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
［４−（２−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）−3,5−ジメチルフェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−3,5−
ジトリフルオロメチルフェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（４−アミノ−２−
トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、4,4′−
ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ビフェニル、4,4′−ビス（４−アミノ−２−トリ
フルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、4,
4′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、2,2−ビス［４−（４−
アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、ベンジジン、3,3′,5,
5′−テトラメチルベンジジン、オクタフルオロベンジ
ジン、3,3′−ジメトキシベンジジン、ｏ−トリジン、
ｍ−トリジン、2,2′,5,5′,6,6′−ヘキサフルオロト
リジン、4,4″−ジアミノターフェニル、4,4−ジアミ
ノクォーターフェニル等のジアミン類、及びこれらのジ
アミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシア
ナート類がある。
フェニレンジアミン、3,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、2,2′−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン、1,2−ビス（ア
ニリノ）エタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミ
ノベンズアニリド、ジアミノベンゾエート、ジアミノジ
フェニルスルフィド、2,2′−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）プロパン、2,2−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、1,5−ジアミノナフタレン、ジア
ミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオライド、1,4
−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビ
ス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノアン
トラキノン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシフェ
ニル）ジフェニルスルホン、1,3−ビス（アニリノ）ヘ
キサフルオロプロパン、1,4−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、1,5−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、1,7−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロ
ヘプタン、下記一般式 又は （但し、式中R10及びR12は２価の有機基を示し、R9及び
R11は１価の有機基を示し、ｐ及びｑは１より大きい整
数を示す）で表されるジアミノシロキサン、2,2−ビス
［４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
［４−（２−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）−3,5−ジメチルフェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−3,5−
ジトリフルオロメチルフェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（４−アミノ−２−
トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、4,4′−
ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ビフェニル、4,4′−ビス（４−アミノ−２−トリ
フルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、4,
4′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、2,2−ビス［４−（４−
アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、ベンジジン、3,3′,5,
5′−テトラメチルベンジジン、オクタフルオロベンジ
ジン、3,3′−ジメトキシベンジジン、ｏ−トリジン、
ｍ−トリジン、2,2′,5,5′,6,6′−ヘキサフルオロト
リジン、4,4″−ジアミノターフェニル、4,4−ジアミ
ノクォーターフェニル等のジアミン類、及びこれらのジ
アミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシア
ナート類がある。
また、テトラカルボン酸並びにその誘導体としては次の
ようなものが挙げられる。なお、ここではテトラカルボ
ン酸として例示するが、これらのエステル化物、酸無水
物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ピロメリット
酸、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3′,
4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、2,3,
3′,4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、2,3,
3,′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,3,6,7
−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,7−ナフタレン
テトラカルボン酸、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボ
ン酸、3,3′,4,4′−ジフェニルメタンテトラカルボン
酸、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレ
ン、2,2−ビス［４−（3,4−ジカルボキシフェノキシ）
フェニル］プロパン、2,2−ビス［４−（3,4−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、
ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸等があり、また、トリメリット酸及びその誘導体も
挙げることができる。
ようなものが挙げられる。なお、ここではテトラカルボ
ン酸として例示するが、これらのエステル化物、酸無水
物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ピロメリット
酸、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3′,
4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、2,3,
3′,4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、2,3,
3,′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,3,6,7
−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,7−ナフタレン
テトラカルボン酸、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボ
ン酸、3,3′,4,4′−ジフェニルメタンテトラカルボン
酸、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレ
ン、2,2−ビス［４−（3,4−ジカルボキシフェノキシ）
フェニル］プロパン、2,2−ビス［４−（3,4−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、
ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸等があり、また、トリメリット酸及びその誘導体も
挙げることができる。
また、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造
やラダー構造を導入することもできる。
やラダー構造を導入することもできる。
例えば、次のような方法がある。
下記一般式で表される化合物で変性することによっ
て、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を
導入する。
て、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を
導入する。
〔但し、式中R13は２＋ｚ価（ｚは１又は２である）の
芳香族有機基を示し、Ｂは−NH2基、−CONH2基又は−SO
2NH2基から選択された置換基であってアミノ基に対しオ
ルト位である〕 重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカ
ルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体
で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化
合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロ
フタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。
芳香族有機基を示し、Ｂは−NH2基、−CONH2基又は−SO
2NH2基から選択された置換基であってアミノ基に対しオ
ルト位である〕 重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカ
ルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体
で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化
合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロ
フタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。
フェノール性水酸基あるいはカルボン酸を有する芳
香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
本発明のポリイミド系樹脂は、このような前記各成分を
用いて変性することにより、その線膨脹係数を調整する
ことができる。すなわち、一般式（１）又は（２）の構
造のみからなるポリイミド系樹脂ま、面内に１×10
-5（1/K）以下の線膨脹係数を有する絶縁体を形成可能
であるが、これを前記各成分を使用して変性することに
より、線膨脹係数を任意に大きくすることができる。
用いて変性することにより、その線膨脹係数を調整する
ことができる。すなわち、一般式（１）又は（２）の構
造のみからなるポリイミド系樹脂ま、面内に１×10
-5（1/K）以下の線膨脹係数を有する絶縁体を形成可能
であるが、これを前記各成分を使用して変性することに
より、線膨脹係数を任意に大きくすることができる。
また、接着性、耐折曲げ性等の諸物性をさらに向上させ
る目的で変性することも可能である。
る目的で変性することも可能である。
本発明では、このようなポリイミド系前駆体樹脂溶液を
直接導体上に塗布するわけであるが、塗布方法としては
任意の方法が可能であり、例えばバーコード方式、グラ
ビアコート方式、ロールコート方式、ダイコート方式等
が挙げられる。樹脂溶液に泡が巻き込まれないことから
ダイコート方式が好ましい。
直接導体上に塗布するわけであるが、塗布方法としては
任意の方法が可能であり、例えばバーコード方式、グラ
ビアコート方式、ロールコート方式、ダイコート方式等
が挙げられる。樹脂溶液に泡が巻き込まれないことから
ダイコート方式が好ましい。
乾燥工程では、乾燥温度110℃以上、140℃未満、好まし
くは120〜140℃の条件で行う必要がある。乾燥温度が15
0℃を越えると低熱膨張化が困難であり、120℃未満の乾
燥温度では蒸発速度が遅く、実用化が困難である。乾燥
は多段の温度で行ってもよい。
くは120〜140℃の条件で行う必要がある。乾燥温度が15
0℃を越えると低熱膨張化が困難であり、120℃未満の乾
燥温度では蒸発速度が遅く、実用化が困難である。乾燥
は多段の温度で行ってもよい。
この乾燥工程では、溶媒量がポリイミド系前駆体樹脂10
0重量部に対して50重量部以下、好ましくは30重量部以
下になるまで乾燥する必要がある。50重量部を越える溶
媒が存在する状態で硬化させると低熱膨張化が困難であ
る。
0重量部に対して50重量部以下、好ましくは30重量部以
下になるまで乾燥する必要がある。50重量部を越える溶
媒が存在する状態で硬化させると低熱膨張化が困難であ
る。
ここでいう硬化とは、イミド化反応を強制的に進めて樹
脂の硬化を促す工程をいう。このイミド化反応は、通常
150℃を越える温度、特に160℃を越える温度で速やかに
進行する。
脂の硬化を促す工程をいう。このイミド化反応は、通常
150℃を越える温度、特に160℃を越える温度で速やかに
進行する。
このように一定量以上の溶媒を蒸発させた後、150℃を
越える温度で硬化を行うわけであるが、イミド化反応を
充分行うために最高硬化温度は250℃以上、好ましくは3
00℃以上である。この硬化工程において、温度を急激に
上昇させると樹脂の発泡が起る虞があるので、多段階熱
処理若しくは連続昇温熱処理を行うのが好ましい。
越える温度で硬化を行うわけであるが、イミド化反応を
充分行うために最高硬化温度は250℃以上、好ましくは3
00℃以上である。この硬化工程において、温度を急激に
上昇させると樹脂の発泡が起る虞があるので、多段階熱
処理若しくは連続昇温熱処理を行うのが好ましい。
このような乾燥工程、硬化工程は任意のプロセスを採用
することができるが、これらの処理工程中においては樹
脂層の収縮による応力に負けずに基板を平坦に維持する
必要があり、連続熱処理を行う場合においてエッジの持
ち上がりを防止するために、上下のノズルからの風圧で
基板を波状にして保持するエアーサポート方式が好まし
い。加熱雰囲気としては空気や、窒素、炭素ガス、アル
ゴン等の不活性ガス等のいずれも選択可能である。
することができるが、これらの処理工程中においては樹
脂層の収縮による応力に負けずに基板を平坦に維持する
必要があり、連続熱処理を行う場合においてエッジの持
ち上がりを防止するために、上下のノズルからの風圧で
基板を波状にして保持するエアーサポート方式が好まし
い。加熱雰囲気としては空気や、窒素、炭素ガス、アル
ゴン等の不活性ガス等のいずれも選択可能である。
本発明によるフレキシブルプリント基板に用いられる導
体としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、
ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はその
合金等が挙げられる。好ましくは銅である。また、導体
は、その接着力の向上を目的として、サイディング、ニ
ッケルメッキ、銅−亜鉛合金メッキ、あるいは、アルミ
ニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカ
ップリング剤、好接着性樹脂によるアンカーコーティン
グ等の化学的、機械的な表面処理が施されてもよい。
体としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、
ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はその
合金等が挙げられる。好ましくは銅である。また、導体
は、その接着力の向上を目的として、サイディング、ニ
ッケルメッキ、銅−亜鉛合金メッキ、あるいは、アルミ
ニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカ
ップリング剤、好接着性樹脂によるアンカーコーティン
グ等の化学的、機械的な表面処理が施されてもよい。
［実施例］ 以下、実施例及び比較例に基いて、本発明を具体的に説
明するが、本発明がこれに限定されないことは勿論であ
る。
明するが、本発明がこれに限定されないことは勿論であ
る。
熱膨張係数は、銅箔上にポリイミド系前駆体樹脂溶液を
塗布し、乾燥し、次いで最高熱処理温度350℃でイミド
化反応を充分終了させた試料を用い、銅を塩化第二鉄溶
液でエッチングし、得られたフィルムをサーマルメカニ
カルアナライザー（TMA）により、250℃に昇温後10℃/m
inで冷却して240℃から100℃までの平均の線膨張率を算
出して求めた。
塗布し、乾燥し、次いで最高熱処理温度350℃でイミド
化反応を充分終了させた試料を用い、銅を塩化第二鉄溶
液でエッチングし、得られたフィルムをサーマルメカニ
カルアナライザー（TMA）により、250℃に昇温後10℃/m
inで冷却して240℃から100℃までの平均の線膨張率を算
出して求めた。
塗工は、耐熱粘着テープを用いて20cm角のSUS製枠に厚
さ35μｍの市販の電解銅箔（日本鉱業（株）製JTC）を
貼りつけ、アプリケーターを用いて固形分量15重量％の
樹脂溶液を銅箔の粗面上に塗工した。
さ35μｍの市販の電解銅箔（日本鉱業（株）製JTC）を
貼りつけ、アプリケーターを用いて固形分量15重量％の
樹脂溶液を銅箔の粗面上に塗工した。
乾燥後の溶媒残存量は、以下の式により求めた。
｛（Ｃ−Ａ）÷0.15（Ｂ−Ａ）−１｝×100 （但し、Ａは塗工前の枠と銅箔の重さであり、Ｂは塗工
後の枠と銅箔の重さであり、また、Ｃは乾燥後の枠と銅
箔の重さである。） また、各実施例及び比較例における略号は以下の通りで
ある。
後の枠と銅箔の重さであり、また、Ｃは乾燥後の枠と銅
箔の重さである。） また、各実施例及び比較例における略号は以下の通りで
ある。
PMDA:ピロメリット酸二無水物 BPDA:3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物 DDE:4,4′−ジアミノジフェニルエーテル PPD:パラフェニレンジアミン MABA:2′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズアニリド DMAc:ジメチルアセトアミド 合成例１ 温度計、攪拌機及び窒素取込口を備えた内容積35lの反
応槽に毎分１の窒素を流しながら、MABA944.0g、DDE6
01.1g及びDMAc17Kgを仕込み、撹拌下に溶解させ、反応
系をジャケットの冷水で15℃以下に冷却しながらPMDA14
54.9gを徐々に加えて反応させたところ、発熱しながら
重合反応が進行し、Ｂ型粘度計で12万cpsの粘稠なポリ
アミドイミド前駆体樹脂溶液（固形分濃度15重量％）が
得られた。
物 DDE:4,4′−ジアミノジフェニルエーテル PPD:パラフェニレンジアミン MABA:2′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズアニリド DMAc:ジメチルアセトアミド 合成例１ 温度計、攪拌機及び窒素取込口を備えた内容積35lの反
応槽に毎分１の窒素を流しながら、MABA944.0g、DDE6
01.1g及びDMAc17Kgを仕込み、撹拌下に溶解させ、反応
系をジャケットの冷水で15℃以下に冷却しながらPMDA14
54.9gを徐々に加えて反応させたところ、発熱しながら
重合反応が進行し、Ｂ型粘度計で12万cpsの粘稠なポリ
アミドイミド前駆体樹脂溶液（固形分濃度15重量％）が
得られた。
合成例２ DDE146.1g、PPD709.1g及びBPDA2144.8gをDMAc17Kg中で
上記合成例１と同様にして反応させ、Ｂ型粘度計で10万
cpsのポリイミド前駆体樹脂溶液（固形分濃度15％）を
得た。
上記合成例１と同様にして反応させ、Ｂ型粘度計で10万
cpsのポリイミド前駆体樹脂溶液（固形分濃度15％）を
得た。
実施例１ 電解銅箔の粗面上に合成例１の樹脂溶液を、最終の樹脂
層の厚みが25μｍとなるように、コーティングし、循環
式熱風オーブン中で130℃で10分間乾燥した。このとき
の溶媒残存率は22重量％であった。これをさらに165℃
で２分、200℃で２分、250℃で２分、300℃で２分、及
び、350℃で２分順次熱処理して硬化させた。
層の厚みが25μｍとなるように、コーティングし、循環
式熱風オーブン中で130℃で10分間乾燥した。このとき
の溶媒残存率は22重量％であった。これをさらに165℃
で２分、200℃で２分、250℃で２分、300℃で２分、及
び、350℃で２分順次熱処理して硬化させた。
得られたフレキシブルプリント基板は、カールがなくて
平らであり、エッッチング後のフィルムの熱膨張係数は
８×10-6（1/K）であった。
平らであり、エッッチング後のフィルムの熱膨張係数は
８×10-6（1/K）であった。
比較例１ 乾燥条件を155℃で10分間とした以外は上記実施例１と
同様にしてフレキシブルプリント基板を作製した。得ら
れたフレキシブルプリント基板は、樹脂層を内側に曲率
半径30mmで大きくカールした。フィルムの熱膨張係数は
18×10-6（1/K）であった。
同様にしてフレキシブルプリント基板を作製した。得ら
れたフレキシブルプリント基板は、樹脂層を内側に曲率
半径30mmで大きくカールした。フィルムの熱膨張係数は
18×10-6（1/K）であった。
実施例２〜10及び比較例２及び３ 合成例１で得られたポリイミド系前駆体樹脂溶液を使用
し、第１表に示す乾燥条件で第１表に示す溶媒残存率ま
で乾燥し、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント
基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板に
ついて、実施例１と同様に、そのカールの状態及び熱膨
張係数を調べた。結果を第１表に示す。
し、第１表に示す乾燥条件で第１表に示す溶媒残存率ま
で乾燥し、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント
基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板に
ついて、実施例１と同様に、そのカールの状態及び熱膨
張係数を調べた。結果を第１表に示す。
実施例11〜18及び比較例４〜６ 合成例２で得られたポリイミド系前駆体樹脂溶液を使用
し、第１表に示す乾燥条件で第１表に示す溶媒残存率ま
で乾燥し、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント
基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板に
ついて、実施例１と同様に、そのカールの状態及び熱膨
張係数を調べた。結果を第１表に示す。
し、第１表に示す乾燥条件で第１表に示す溶媒残存率ま
で乾燥し、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント
基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板に
ついて、実施例１と同様に、そのカールの状態及び熱膨
張係数を調べた。結果を第１表に示す。
実施例19及び20 合成例１又は２で得られたポリイミド系前駆体樹脂溶液
を使用し、幅540mmの電解銅箔上にダイ方式で最終樹脂
層の厚みが25μｍとなるように連続的に塗工し、続いて
長さ6mのエアーサポート方式のドライヤーを使用し、ラ
インスピード0.6mの速度で送りながら連続的に乾燥し
た。
を使用し、幅540mmの電解銅箔上にダイ方式で最終樹脂
層の厚みが25μｍとなるように連続的に塗工し、続いて
長さ6mのエアーサポート方式のドライヤーを使用し、ラ
インスピード0.6mの速度で送りながら連続的に乾燥し
た。
この乾燥工程中、銅箔エッジの持ち上がりがなくて円滑
に走行した。さらに、同じドライヤーを165℃から350℃
まで昇温させ、実施例１と同じ処理条件で順次熱処理し
て硬化を行なった。得られたフレキシブルプリント基板
はカールがなくてほぼ平らなものであった。
に走行した。さらに、同じドライヤーを165℃から350℃
まで昇温させ、実施例１と同じ処理条件で順次熱処理し
て硬化を行なった。得られたフレキシブルプリント基板
はカールがなくてほぼ平らなものであった。
［発明の効果］ 本発明方法によれば、カールのない作業性に優れたフレ
キシブルプリント基板を容易に製造することができる。
キシブルプリント基板を容易に製造することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】分子中に閉環したイミド環を実質的に含ま
ないポリイミド系前駆体樹脂溶液を導体上に直接塗布し
た後、乾燥し硬化させてフレキシブルプリント基板を製
造するに際し、乾燥温度110℃以上、140℃未満の条件で
溶媒量が樹脂100重量部に対し50重量部以下になるまで
乾燥させた後、硬化させることを特徴とするフレキシブ
ルプリント基板の製造法。 - 【請求項２】乾燥温度120〜140℃の条件で溶媒量が樹脂
100重量部に対し30重量部以下になるまで乾燥させる請
求項１記載のフレキシブルプリント基板の製造法。 - 【請求項３】ポリイミド系前駆体樹脂が下記一般式
（１） （但し、式中R1〜R8は水素、ハロゲン、低級アルコキシ
基、低級アルキル基のいずれかであり、そのうちの少な
くとも１つは低級アルコキシ基である）で示される構成
単位を有するポリアミドイミド前駆体樹脂である請求項
１記載のフレキシブルプリント基板の製造法。 - 【請求項４】ポリイミド系前駆体樹脂が下記一般式
（２） で示される構成単位を有するポリイミド前駆体樹脂であ
る請求項１記載のフレキシブルプリント基板の製造法。 - 【請求項５】溶媒がアミド系溶媒である請求項１〜５の
いずれかに記載のフレキシブルプリント基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071821A JPH0760935B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071821A JPH0760935B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245587A JPH01245587A (ja) | 1989-09-29 |
| JPH0760935B2 true JPH0760935B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=13471602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63071821A Expired - Lifetime JPH0760935B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760935B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5166292A (en) * | 1991-10-29 | 1992-11-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing a polyimide film with a preselected value for CTE |
| JP2006269558A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル積層基板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129862A (ja) * | 1973-04-20 | 1974-12-12 | ||
| JPS58190092A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製造法 |
| JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63071821A patent/JPH0760935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01245587A (ja) | 1989-09-29 |
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