JPH076503Y2 - 過熱保護回路 - Google Patents
過熱保護回路Info
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- JPH076503Y2 JPH076503Y2 JP651690U JP651690U JPH076503Y2 JP H076503 Y2 JPH076503 Y2 JP H076503Y2 JP 651690 U JP651690 U JP 651690U JP 651690 U JP651690 U JP 651690U JP H076503 Y2 JPH076503 Y2 JP H076503Y2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 52
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は発熱から保護することが必要な装置に於いて、
過熱保護の動作に関し、特に過熱保護が働く発熱温度付
近での装置の不安定動作を無くす為、ヒステリシスを持
たせることにより、装置の動作を安定なものとする過熱
保護回路に関するものである。
過熱保護の動作に関し、特に過熱保護が働く発熱温度付
近での装置の不安定動作を無くす為、ヒステリシスを持
たせることにより、装置の動作を安定なものとする過熱
保護回路に関するものである。
従来の技術 従来、この種の過熱保護回路は、第３図および第４図に
示す様に、装置に発生する熱を検知する熱検知回路1c,1
dと、熱検知が働いたことにより保護動作を行う保護回
路2c,2dとで構成されており、装置に発生した熱が、回
路構成で決められた検知温度に達した時、熱検知回路1
c,1dが検知出力を出力し、これによって装置の温度を下
げる様保護回路2c,2dが動作する。すなわち、熱検知回
路1c,1dは、トランジスタQ4,Q5、ツェナダイオードDZ、
抵抗R3〜R5で構成され、各構成素子の温度係数を考慮し
て、トランジスタQ4が、通常は非動作状態で、熱検知時
に動作状態となるように設計されている。第３図の保護
回路2cは、トランジスタQ2,Q3で構成され、熱検知回路1
cの熱検知によりトランジスタQ4が動作状態になると、
トランジスタQ2,Q3のエミッタベース間にバイアス電圧
が与えられて動作状態になることによって、保護動作を
行う。また、第４図の保護回路2dは、トランジスタQ2,Q
3と、各トランジスタQ2,Q3のコレクタとグランド間に接
続された抵抗R6,R7と、前記トランジスタQ2,Q3のコレク
タにベースが接続され、エミッタがグランドに接続され
たトランジスタQ6,Q7で構成されている。この保護回路2
dは、前述のようにして、熱検知回路1dが熱検知して、
トランジスタQ4が動作状態になり、応じて保護回路2dの
トランジスタQ2,Q3が動作状態になると、トランジスタQ
6,Q7のベースエミッタ間にバイアスが与えられて動作状
態になる。
示す様に、装置に発生する熱を検知する熱検知回路1c,1
dと、熱検知が働いたことにより保護動作を行う保護回
路2c,2dとで構成されており、装置に発生した熱が、回
路構成で決められた検知温度に達した時、熱検知回路1
c,1dが検知出力を出力し、これによって装置の温度を下
げる様保護回路2c,2dが動作する。すなわち、熱検知回
路1c,1dは、トランジスタQ4,Q5、ツェナダイオードDZ、
抵抗R3〜R5で構成され、各構成素子の温度係数を考慮し
て、トランジスタQ4が、通常は非動作状態で、熱検知時
に動作状態となるように設計されている。第３図の保護
回路2cは、トランジスタQ2,Q3で構成され、熱検知回路1
cの熱検知によりトランジスタQ4が動作状態になると、
トランジスタQ2,Q3のエミッタベース間にバイアス電圧
が与えられて動作状態になることによって、保護動作を
行う。また、第４図の保護回路2dは、トランジスタQ2,Q
3と、各トランジスタQ2,Q3のコレクタとグランド間に接
続された抵抗R6,R7と、前記トランジスタQ2,Q3のコレク
タにベースが接続され、エミッタがグランドに接続され
たトランジスタQ6,Q7で構成されている。この保護回路2
dは、前述のようにして、熱検知回路1dが熱検知して、
トランジスタQ4が動作状態になり、応じて保護回路2dの
トランジスタQ2,Q3が動作状態になると、トランジスタQ
6,Q7のベースエミッタ間にバイアスが与えられて動作状
態になる。
考案が解決しようとする課題 ところで、上記の従来の過熱保護回路は、装置に発生す
る熱を検知する熱検知回路1c,1dと、熱検知が働いたこ
とにより、保護動作を開始する保護回路2c,2dのみの構
成になっているので、装置がその動作により自己発熱し
たり、又周囲環境により、温度上昇し、回路構成によっ
て決められた検知温度に達した時、熱検知回路1c,1dに
よる検知により、保護回路2c,2dを動作させ、その結果
装置温度が下がるが、装置温度が下がることにより、熱
検知回路1c,1d及び保護回路2c,2dは、その動作を停止
し、その為、再び装置温度が上昇し、熱検知回路1c,1
d、保護回路2c,2dが再度動作するという様に、装置の回
路構成で設定された検知温度付近で装置本体の正常動作
と過熱保護動作をくり返し行うという不安定な構成とな
っている為、この装置に接続されている外部機器を誤動
作させたり、損傷させたりするという欠点があった。
る熱を検知する熱検知回路1c,1dと、熱検知が働いたこ
とにより、保護動作を開始する保護回路2c,2dのみの構
成になっているので、装置がその動作により自己発熱し
たり、又周囲環境により、温度上昇し、回路構成によっ
て決められた検知温度に達した時、熱検知回路1c,1dに
よる検知により、保護回路2c,2dを動作させ、その結果
装置温度が下がるが、装置温度が下がることにより、熱
検知回路1c,1d及び保護回路2c,2dは、その動作を停止
し、その為、再び装置温度が上昇し、熱検知回路1c,1
d、保護回路2c,2dが再度動作するという様に、装置の回
路構成で設定された検知温度付近で装置本体の正常動作
と過熱保護動作をくり返し行うという不安定な構成とな
っている為、この装置に接続されている外部機器を誤動
作させたり、損傷させたりするという欠点があった。
課題を解決するための手段 この考案の過熱保護回路は、装置に発生する熱を検知す
る熱検知回路と、熱検知回路が働いたことにより保護動
作を行う保護回路と、保護回路動作にヒステリシスを持
たせるヒステリシス回路で構成されている。
る熱検知回路と、熱検知回路が働いたことにより保護動
作を行う保護回路と、保護回路動作にヒステリシスを持
たせるヒステリシス回路で構成されている。
作用 上記の構成によると、装置がその動作により自己発熱し
たり、又周囲環境により温度上昇しその装置の回路構成
により設定されている検知温度に達した時、熱検知回路
による検知により、保護回路が動作し、過熱検知状態が
持続することにより、装置の温度を下げ、装置を過熱か
ら防止する。更に一度、保護回路が動作することによ
り、ヒステリシス回路も動作を開始し、装置で設定され
た検知温度を更に低い温度に再設定する為、装置は過熱
保護動作をし続け、ヒステリシス回路が解除されるまで
続く。この為、装置の本来設定された検知温度付近で、
装置本来の正常動作と過熱保護動作をくり返し行うこと
なく、正常動作に復帰する時は、装置で設定された検知
温度よりも更に低い温度から復帰する為、装置の正常動
作を保つことが出来、装置に接続されている外部機器に
対しても、誤動作や損傷を与えること無く、安定に作動
出来る。
たり、又周囲環境により温度上昇しその装置の回路構成
により設定されている検知温度に達した時、熱検知回路
による検知により、保護回路が動作し、過熱検知状態が
持続することにより、装置の温度を下げ、装置を過熱か
ら防止する。更に一度、保護回路が動作することによ
り、ヒステリシス回路も動作を開始し、装置で設定され
た検知温度を更に低い温度に再設定する為、装置は過熱
保護動作をし続け、ヒステリシス回路が解除されるまで
続く。この為、装置の本来設定された検知温度付近で、
装置本来の正常動作と過熱保護動作をくり返し行うこと
なく、正常動作に復帰する時は、装置で設定された検知
温度よりも更に低い温度から復帰する為、装置の正常動
作を保つことが出来、装置に接続されている外部機器に
対しても、誤動作や損傷を与えること無く、安定に作動
出来る。
実施例 以下、この考案について、図面を参照して説明する。
第１図は、この考案の一実施例であるヒステリシス回路
を有する過熱保護回路図である。1aは過熱保護回路の中
の過熱検知回路,2aは保護回路であり、3aはヒステリシ
ス回路である。すなわち、熱検知回路1aは、第３図，第
４図の熱検知回路1c,1dにおける第５トランジスタQ5の
エミッタと第３抵抗R3との間に第２抵抗R2を介在してい
る点が相違する。また、保護回路2aは第４図の保護回路
2dと同一であり、その説明を省略する。さらに、ヒステ
リシス回路3aは第１トランジスタQ1と第８トランジスタ
Q8と、第８抵抗R8とで構成され、第１トランジスタQ1と
第８抵抗R8がVCCとグランド間に直列に接続されてお
り、第８トランジスタQ8のコレクタエミッタは熱検知回
路1aの第２抵抗R2に並列接続され、ベースは第１トラン
ジスタQ1のコレクタに接続されている。第１抵抗R1は、
ヒステリシス回路3aの中の第１トランジスタQ1，保護回
路2aの中の第２トランジスタQ2，第３トランジスタQ3の
リークを防止する為の抵抗である。
を有する過熱保護回路図である。1aは過熱保護回路の中
の過熱検知回路,2aは保護回路であり、3aはヒステリシ
ス回路である。すなわち、熱検知回路1aは、第３図，第
４図の熱検知回路1c,1dにおける第５トランジスタQ5の
エミッタと第３抵抗R3との間に第２抵抗R2を介在してい
る点が相違する。また、保護回路2aは第４図の保護回路
2dと同一であり、その説明を省略する。さらに、ヒステ
リシス回路3aは第１トランジスタQ1と第８トランジスタ
Q8と、第８抵抗R8とで構成され、第１トランジスタQ1と
第８抵抗R8がVCCとグランド間に直列に接続されてお
り、第８トランジスタQ8のコレクタエミッタは熱検知回
路1aの第２抵抗R2に並列接続され、ベースは第１トラン
ジスタQ1のコレクタに接続されている。第１抵抗R1は、
ヒステリシス回路3aの中の第１トランジスタQ1，保護回
路2aの中の第２トランジスタQ2，第３トランジスタQ3の
リークを防止する為の抵抗である。
次に、上記過熱保護回路の動作について説明する。熱検
知回路1aは、過熱検知用第４トランジスタQ4を常温T0時
不動作状態に設定しておく。この時、第４トランジスタ
Q4のベース電位(VBE4OFF)は、ツェナーダイオードD
Zと，第５トランジスタQ5と，第２抵抗R2，第３抵抗
R3，第４抵抗R4で決まり、次式で表される。
知回路1aは、過熱検知用第４トランジスタQ4を常温T0時
不動作状態に設定しておく。この時、第４トランジスタ
Q4のベース電位(VBE4OFF)は、ツェナーダイオードD
Zと，第５トランジスタQ5と，第２抵抗R2，第３抵抗
R3，第４抵抗R4で決まり、次式で表される。
ここで、VBE5は第５トランジスタQ5のベースエミッタ間
の常温T0時の電位，VZはツェナダイオードDZのツェナ電
圧である。第４トランジスタQ4，第５トランジスタQ5，
ツェナダイオードDZ，第２抵抗R2，第３抵抗R3，第４抵
抗R4は装置の発熱に対し、通常敏感な所に配置されてお
り、一般的にトランジスタのベースエミッタ間の電位は
２mv／℃程度の負の温度係数ａを有しており、ツェナダ
イオードは３mv／℃程度の正の温度係数ｂがある。又抵
抗はその種類により300PPM/℃〜3000PPM/℃程度の正又
は負の温度係数ｃがあり、過熱検知回路1aは、これらの
特性を利用することにより構成されている。
の常温T0時の電位，VZはツェナダイオードDZのツェナ電
圧である。第４トランジスタQ4，第５トランジスタQ5，
ツェナダイオードDZ，第２抵抗R2，第３抵抗R3，第４抵
抗R4は装置の発熱に対し、通常敏感な所に配置されてお
り、一般的にトランジスタのベースエミッタ間の電位は
２mv／℃程度の負の温度係数ａを有しており、ツェナダ
イオードは３mv／℃程度の正の温度係数ｂがある。又抵
抗はその種類により300PPM/℃〜3000PPM/℃程度の正又
は負の温度係数ｃがあり、過熱検知回路1aは、これらの
特性を利用することにより構成されている。
装置の温度が上昇し、熱検知用第４トランジスタQ4が動
作する時のベース電位VBE4ONは、 VBE4ON=VBE4OFF-a(T-T0) …となる。
作する時のベース電位VBE4ONは、 VBE4ON=VBE4OFF-a(T-T0) …となる。
ここで、(T-T0)は装置の温度上昇分である。又式より
装置の温度が上昇した時、 VBE4ON={VZ+b(T-T0)-VBE5+a(T-T0)}×(R4+ΔR4)/(R2+Δ
R2)+(R3+ΔR3)+(R4+ΔR4) … となる。ここで、ΔＲは抵抗の温度変化分であり、ΔＲ
＝Ｒ・ｃ(T-T0)で表される。式は温度に対し下降直線
になり、式を温度に対し上昇直線にすることにより、
式と式はある温度で交叉し、この温度が熱検知回路
1aが動作を開始する温度である。ここで、第５抵抗R5は
熱検知回路1aのバイアス抵抗である。
装置の温度が上昇した時、 VBE4ON={VZ+b(T-T0)-VBE5+a(T-T0)}×(R4+ΔR4)/(R2+Δ
R2)+(R3+ΔR3)+(R4+ΔR4) … となる。ここで、ΔＲは抵抗の温度変化分であり、ΔＲ
＝Ｒ・ｃ(T-T0)で表される。式は温度に対し下降直線
になり、式を温度に対し上昇直線にすることにより、
式と式はある温度で交叉し、この温度が熱検知回路
1aが動作を開始する温度である。ここで、第５抵抗R5は
熱検知回路1aのバイアス抵抗である。
次に、熱検知回路1aが動作したことにより、ヒステリシ
ス回路3aの第１のトランジスタQ1、および保護回路2aの
第２トランジスタQ2、第３トランジスタQ3が動作状態に
なり、保護回路2aの第２トランジスタQ2、第３トランジ
スタQ3の動作により第６トランジスタQ6及び第７トラン
ジスタQ7が動作状態となり、第６トランジスタQ6、第７
トランジスタQ7のコレクタで装置の熱源となっている回
路又は素子を遮断し、装置の発熱部をカットオフさせる
ことにより、装置全体の温度を下げる様に働く。ここ
で、第６抵抗R6，第７抵抗R7は第６トランジスタQ6，第
７トランジスタQ7のベースバイアス抵抗である。
ス回路3aの第１のトランジスタQ1、および保護回路2aの
第２トランジスタQ2、第３トランジスタQ3が動作状態に
なり、保護回路2aの第２トランジスタQ2、第３トランジ
スタQ3の動作により第６トランジスタQ6及び第７トラン
ジスタQ7が動作状態となり、第６トランジスタQ6、第７
トランジスタQ7のコレクタで装置の熱源となっている回
路又は素子を遮断し、装置の発熱部をカットオフさせる
ことにより、装置全体の温度を下げる様に働く。ここ
で、第６抵抗R6，第７抵抗R7は第６トランジスタQ6，第
７トランジスタQ7のベースバイアス抵抗である。
保護回路2aは、熱検知用第４トランジスタQ4が動作して
いる間、動作しているが、この時ヒステリシス回路3aの
第８トランジスタQ8も第１トランジスタQ1のドライブを
受けて動作し、第２抵抗R2を短絡する。この為、保護回
路2aの動作により装置の温度が低下しても、熱検知用第
４トランジスタQ4のカットオフ電圧は、式式では
決定されず、次の式により決定される。
いる間、動作しているが、この時ヒステリシス回路3aの
第８トランジスタQ8も第１トランジスタQ1のドライブを
受けて動作し、第２抵抗R2を短絡する。この為、保護回
路2aの動作により装置の温度が低下しても、熱検知用第
４トランジスタQ4のカットオフ電圧は、式式では
決定されず、次の式により決定される。
ＶBE4OFF＝ＶBE4ON＋ａ（Ｔ−Ｔ０）＝｛ＶＺ＋ｂ（Ｔ
−Ｔ０）−ＶBE5＋ａ（Ｔ−Ｔ０）｝×（Ｒ４＋Δ
Ｒ４）／（Ｒ３＋ΔＲ３）＋（Ｒ４＋ΔＲ４）＋γSCQ8
≒｛（ＶＺ＋ｂ（Ｔ−Ｔ０）−ＶBE5＋ａ（Ｔ−
Ｔ０）｝ ×（Ｒ４＋ΔＲ４）／（Ｒ３＋ΔＲ３）＋（Ｒ４＋ΔＲ
４） … となる。式と式を比較すると、(R2+ΔR2)の項が式
には無いため、式のVBEOFFは式のVBEONに対し高
い電位となっていることがわかる。熱検知回路1aが解除
される時は、熱検知用第４トランジスタQ4のベース電位
は、２mv／℃程度の負の温度特性を持っていることか
ら、上がる方向になっている為、式で表される過熱保
護回路が動作を開始した熱検知用第４トランジスタQ4の
ベース電位よりも式で表されるベース電位が大きい分
だけ復帰が遅くなる。即ち、熱検知回路1aが動作した温
度よりも、更に低い温度で復帰することになり、温度検
知に対し、ヒステリシスを持つことになる。
−Ｔ０）−ＶBE5＋ａ（Ｔ−Ｔ０）｝×（Ｒ４＋Δ
Ｒ４）／（Ｒ３＋ΔＲ３）＋（Ｒ４＋ΔＲ４）＋γSCQ8
≒｛（ＶＺ＋ｂ（Ｔ−Ｔ０）−ＶBE5＋ａ（Ｔ−
Ｔ０）｝ ×（Ｒ４＋ΔＲ４）／（Ｒ３＋ΔＲ３）＋（Ｒ４＋ΔＲ
４） … となる。式と式を比較すると、(R2+ΔR2)の項が式
には無いため、式のVBEOFFは式のVBEONに対し高
い電位となっていることがわかる。熱検知回路1aが解除
される時は、熱検知用第４トランジスタQ4のベース電位
は、２mv／℃程度の負の温度特性を持っていることか
ら、上がる方向になっている為、式で表される過熱保
護回路が動作を開始した熱検知用第４トランジスタQ4の
ベース電位よりも式で表されるベース電位が大きい分
だけ復帰が遅くなる。即ち、熱検知回路1aが動作した温
度よりも、更に低い温度で復帰することになり、温度検
知に対し、ヒステリシスを持つことになる。
この様な回路構成をすることにより、例えば１チップの
ICで製造されたオーディオパワーアンプでは、熱検知回
路1aが動作する付近の温度でIC動作がオン−オフをくり
返すことがなくなり、即ち、音が出たり切れたりすると
いう耳ざわりな状況が解消され、その他の種々の装置に
於いても、接続してある外部機器に対し、ダメージを与
えない様に出来る。
ICで製造されたオーディオパワーアンプでは、熱検知回
路1aが動作する付近の温度でIC動作がオン−オフをくり
返すことがなくなり、即ち、音が出たり切れたりすると
いう耳ざわりな状況が解消され、その他の種々の装置に
於いても、接続してある外部機器に対し、ダメージを与
えない様に出来る。
第２図は、この考案の第２実施例の回路図である。
この実施例は、前記第１の実施例の過熱検知回路1aの第
２抵抗R2を省略するとともにツェナダイオードDZにダイ
オードDIを直列接続して熱検知回路1bを構成している。
また、保護回路2bは第３図の保護回路2cと同一である。
さらに、ヒステリシス回路3bは、第１図の第１トランジ
スタQ1のコレクタにそのベースを接続した第９トランジ
スタQ9と、この第９トランジスタQ9のコレクタにそのベ
ースを接続した第10トランジスタQ10と、VCC−グランド
間に直列接続した第９抵抗R9および第10抵抗R10で構成
され、前記第９トランジスタQ9のエミッタはグランドに
接続され、コレクタは第９抵抗R9と第10抵抗R10の接続
点に接続され、さらに、第10トランジスタR10のコレク
タエミッタは過熱検知回路1bのダイオードDIに並列接続
されている点を除いて第１の実施例と同一である為、同
一部分に同一参照符号を付して、その説明を省略する。
２抵抗R2を省略するとともにツェナダイオードDZにダイ
オードDIを直列接続して熱検知回路1bを構成している。
また、保護回路2bは第３図の保護回路2cと同一である。
さらに、ヒステリシス回路3bは、第１図の第１トランジ
スタQ1のコレクタにそのベースを接続した第９トランジ
スタQ9と、この第９トランジスタQ9のコレクタにそのベ
ースを接続した第10トランジスタQ10と、VCC−グランド
間に直列接続した第９抵抗R9および第10抵抗R10で構成
され、前記第９トランジスタQ9のエミッタはグランドに
接続され、コレクタは第９抵抗R9と第10抵抗R10の接続
点に接続され、さらに、第10トランジスタR10のコレク
タエミッタは過熱検知回路1bのダイオードDIに並列接続
されている点を除いて第１の実施例と同一である為、同
一部分に同一参照符号を付して、その説明を省略する。
この実施例では、ヒステリシス回路3bの第10トランジス
タQ10は通常、動作状態にあり、熱検知回路1bが動作す
ることにより非動作状態となる。即ち、熱検知回路1bが
動作して第４トランジスタQ4が動作することにより、前
記同様に、第１トランジスタQ1のベース電位が低下する
結果、第１トランジスタQ1が動作し、応じて第９トラン
ジスタQ9のベース電位が上昇して動作する。その結果、
第９トランジスタQ9のコレクタ電位、即ち、第10トラン
ジスタQ10のベース電位が低下して、第10トランジスタQ
10が非動作状態になり、ダイオードDIがツェナダイオー
ドDZに直列に介挿されて、第５トランジスタQ5のベース
電位が上昇して、熱検知回路1bの検知温度にヒステリシ
スを持たせる。その為、装置が復帰する時の温度が、前
記第１の実施例と同様に低い温度に設定され、前述した
効果がある。
タQ10は通常、動作状態にあり、熱検知回路1bが動作す
ることにより非動作状態となる。即ち、熱検知回路1bが
動作して第４トランジスタQ4が動作することにより、前
記同様に、第１トランジスタQ1のベース電位が低下する
結果、第１トランジスタQ1が動作し、応じて第９トラン
ジスタQ9のベース電位が上昇して動作する。その結果、
第９トランジスタQ9のコレクタ電位、即ち、第10トラン
ジスタQ10のベース電位が低下して、第10トランジスタQ
10が非動作状態になり、ダイオードDIがツェナダイオー
ドDZに直列に介挿されて、第５トランジスタQ5のベース
電位が上昇して、熱検知回路1bの検知温度にヒステリシ
スを持たせる。その為、装置が復帰する時の温度が、前
記第１の実施例と同様に低い温度に設定され、前述した
効果がある。
考案の効果 以上説明したように、この考案は過熱保護回路にヒステ
リシスを持たせたことにより、過熱保護回路が動作する
温度に対し、過熱保護が動作状態から復帰する温度を低
く設定することが出来、過熱保護回路を内蔵した装置を
温度に対し、安定に動作させることが出来、それ故、装
置に接続している外部機器に対し、誤動作，損傷等のダ
メージを与えない様に出来る効果がある。
リシスを持たせたことにより、過熱保護回路が動作する
温度に対し、過熱保護が動作状態から復帰する温度を低
く設定することが出来、過熱保護回路を内蔵した装置を
温度に対し、安定に動作させることが出来、それ故、装
置に接続している外部機器に対し、誤動作，損傷等のダ
メージを与えない様に出来る効果がある。
第１図，第２図は本考案に係る過熱保護回路の異なる実
施例を示す回路図、第３図，第４図は従来の過熱保護回
路の異なる具体例を示す回路図である。 Q1〜Q10……第１〜第10トランジスタ、R1〜R10……第１
〜第10抵抗、DZ……ツェナダイオード、DI……ダイオー
ド、1a〜1d……熱検知回路、2a〜2d……保護回路、3a〜
3d……ヒステリシス回路。
施例を示す回路図、第３図，第４図は従来の過熱保護回
路の異なる具体例を示す回路図である。 Q1〜Q10……第１〜第10トランジスタ、R1〜R10……第１
〜第10抵抗、DZ……ツェナダイオード、DI……ダイオー
ド、1a〜1d……熱検知回路、2a〜2d……保護回路、3a〜
3d……ヒステリシス回路。
Claims (1)
- 【請求項１】発熱を検知する熱検知回路と、熱検知が働
いたことにより、保護動作を開始する保護回路と、保護
回路動作にヒステリシスを持たせるヒステリシス回路と
を有することを特徴とした過熱保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP651690U JPH076503Y2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 過熱保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP651690U JPH076503Y2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 過熱保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397632U JPH0397632U (ja) | 1991-10-08 |
| JPH076503Y2 true JPH076503Y2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=31510192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP651690U Expired - Lifetime JPH076503Y2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 過熱保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076503Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023282258A1 (ja) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | 株式会社マキタ | 鉄筋結束ロボット |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP651690U patent/JPH076503Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0397632U (ja) | 1991-10-08 |
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