JPH0766095B2 - 光半導体モジユ−ル - Google Patents

光半導体モジユ−ル

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JPH0766095B2
JPH0766095B2 JP60192764A JP19276485A JPH0766095B2 JP H0766095 B2 JPH0766095 B2 JP H0766095B2 JP 60192764 A JP60192764 A JP 60192764A JP 19276485 A JP19276485 A JP 19276485A JP H0766095 B2 JPH0766095 B2 JP H0766095B2
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JP
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lens
optical
light
incident
optical isolator
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裕樹 奥島
省一 三浦
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4207Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
    • G02B6/4208Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体レーザと光フアイバとを結合せしめる光学系を第
1,第2,第3の各レンズ及び光アイソレータで構成する光
モジュールの構成を小形化するため、半導体レーザから
の出射光を略平行光に変換する如き第1レンズに接近し
て、第1レンズよりの入射光を出射面でわずかに集光す
る如き第2レンズが配置され、かかる第2レンズと、入
射光を出射面近くで集光する如き第3レンズとの間に、
光アイソレータが配置され、第2,第3レンズの間隔は、
光アイソレータ長より大で、かつ第2レンズより光アイ
ソレータを介して第3レンズに入射する光が出射面で集
光され、出射面に近接して配置される光フアイバの端面
に入射するように決める。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光アイソレータを内蔵した光半導体モジュー
ルに係り、特に光アイソレータを含む光学系の配置変え
を行ない、小形化を図った光半導体モジュールに関す
る。
近年、光フアイバは光通信装置,光学測定器等に多く活
用され、光フアイバを接続する光コネクタ等の光部品の
開発が盛んに行なわれているが、他方光フアイバと光半
導体素子とを結合した光半導体モジュールの開発も盛ん
である。
ところで光アイソレータを内蔵した光半導体モジュール
は、半導体レーザに近接して配置され、かつ半導体レー
ザよりの出射光を略平行光に変換する如き第1レンズ
と、第1レンズよりの入射光をわずかに集光する如き第
2レンズとの間に光アイソレータを配置した構成の光半
導体モジュールは大形となるので、小形の光半導体モジ
ュールの開発が強く要望されている。
〔従来の技術〕
第2図は、従来の光半導体モジュールを説明する側断面
図である。
図において、金属例えばステンレス鋼等からなり、半導
体レーザ1を収納する位置に第1レンズの嵌入孔81を設
けたフランジ状の筐体8に、半導体レーザ1を収納固着
し、第1レンズの嵌入孔81に第1レンズ2を嵌入固着す
る。
この場合第1レンズは半導体レーザからの出射光を略平
行光に変換するものである。そして金属例えばステンレ
ス鋼等からなり、光アイソレータの挿入孔91を穿設した
筐体9内に、磁石7内に収容されたYIG(イットリュウ
ム・アイアン・ガーネット)32の両側に設けた偏向プリ
ズム31,33からなる光アイソレータ3を収納する。
さらに金属例えばステンレス鋼等からなり、一端に第2
レンズの嵌入孔101を設けたフランジ状の筐体10の、第
2レンズの嵌入孔101に焦点距離の比較的長い第2のレ
ンズ4を嵌着する。
この場合第2レンズは光アイソレータを介する第1レン
ズより入射光を出射面でわずかに集光するもので、図示
の如き集束型ロッドレンズとなっている。そして金属例
えばステンレス鋼等からなり、一端に第3レンズの嵌入
孔111と他端に光フアイバの貫通孔112を形成し、この光
フアイバの貫通孔112に光フアイバ6を挿入し、第3レ
ンズの嵌入孔111に第3レンズ5を嵌着したフェルール1
1を筐体10の他端部に嵌入する。
この場合第3レンズは図示の如く集束型ロッドレンズで
あり、入射面に入射した光を出射面近くで集光する作用
を有す。そして光アイソレータ3を収納した筐体9の開
口部側に筐体10を当接し、この筐体9の他の端部に筐体
8の第1レンズ2を嵌着した側を当接し、この状態で、
光軸合わせを行なって一体的にレーザ溶接等で接着す
る。
このように構成された光半導体モジュールにおいて、半
導体レーザ1から出射した順方向光12(実線で示す)は
第1レンズ2と光アイソレータ3を通過したのち、第2
レンズ4及び第3レンズ5で集束され、光フアイバ6に
入射する。
ところが、レーザ半導体チップ1から出射された順方向
光12(実線で示す)は全部入射されるのではなく、一部
逆方向の光13(点線で示す)となって第3レンズ5と第
2レンズ4及び光アイソレータ3を通り、その偏向プリ
ズム31で分散される。
そしてかかる構造では、図示の如く第1レンズと第2レ
ンズとの間に光アイソレータを配置しているが、それは
第1レンズは半導体レーザよりの出射光を略平行光に変
換する機能であるので、この第1レンズと第2レンズと
の間隔は光結合効率にあまり影響を及ぼすことのない比
較的自由な間隔であるため、かかる第1レンズと第2レ
ンズとの間に光アイソレータを配置しているのである。
しかしながら光アイソレータ3を第1レンズ2と第2レ
ンズ4の間に配置するかかる構造では、第1レンズ2と
第2レンズ4との間にaなる間隔が必要であり、第2レ
ンズ4と第3レンズ5との間隔もbが必要である。
それは第2レンズは比較的焦点距離が長く、入射面に入
射した光を出射面で僅かに集光する機能を有しているか
らである。それは第2レンズの焦点距離が短いと第3レ
ンズの光軸に第2レンズの光軸を一致させる場合、第2
レンズのわずかの角度ずれによって光軸が大きく変化す
るので調整が困難であるのに対し、焦点距離が長いと第
2レンズの角度ずれに対する光軸間の変化が小となるの
で光軸一致の調整が容易となり、第3レンズの出射光を
効率良く光フアイバに入射させることが出来るからであ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来の光半導体モジュールにあっては、光アイソレ
ータ3を第1レンズ2と第2レンズ4の間に配置してい
るため、無駄な空間を要し大形になるので、装置の小形
化を妨げるという問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は本発明により、半導体レーザ(1)と光フ
アイバ(6)とを結合せしめる光学系を構成するため、
半導体レーザからの出射光を略平行光に変換する如き第
1レンズに接近して、第1レンズよりの入射光を出射面
でわずかに集光する如き第2レンズが配置され、かかる
第2レンズと、入射光を出射面近くで集光する如き第3
レンズとの間に、光アイソレータが配置され、第2,第3
レンズの間隔は、光アイソレータ長より大で、かつ第2
レンズより光アイソレータを介して第3レンズに入射す
る光が出射面で集光され、出射面に近接して配置される
光フアイバの端面に入射するように決められることを特
徴とする光半導体モジュールによって解決される。
〔作用〕
即ち本発明では、第1レンズは半導体レーザからの出射
光を略平行光に変換するものであるため、第1レンズと
第2レンズとの間隔は光結合効率に大きな影響を与える
ものではないことと、第2レンズはその光軸を第3レン
ズの光軸に一致させるための調整を容易にするため焦点
距離は比較的大きい必要があるため、第2レンズと第3
レンズとの間は所定の間隔が必要であるということに注
目した。そして第3レンズは第2レンズからの入射光を
出射面で略集束して光フアイバに効率的に入射せしめる
ためには、第2レンズの軸の調整は極めて重要なことで
ある。
かかる点を追求した結果、本発明では第1レンズに対し
第2レンズを接近して配置することによって、第2図の
従来構造における第1レンズと第2レンズとの間隔
(a)を短くし(c)とした。
また上述の如く第2レンズと第3レンズとの間には適当
な間隔が必要であることから、この間に光路自体には影
響を与えることのない光アイソレータを配置している。
即ち第2レンズと第3レンズとの間の必要とする間隔内
に光アイソレータを挿入したことになる。
即ち第1レンズからの入射光を出射面でわずかに集光す
る如き焦点距離の比較的大きい第2レンズは、第3レン
ズに光を効果的に入射させるための調整が容易である位
置に配置され、しかもその間隔内に光アイソレータを配
置し、また第2レンズを第1レンズに近接配置すること
で、半導体レーザから光フアイバまでの光路における第
1,第2レンズ、光アイソレータ及び第3レンズが極めて
効果的に配置されることになる。
〔実施例〕
第1図は、本発明の一実施例を説明する側断面図で、第
2図と同等の部分については同一符号を付している。
図において、金属例えばステンレス鋼等からなり、半導
体レーザ1を収納する位置に第1レンズの嵌入孔81を設
けたフランジ状の筐体8に、半導体レーザ1を収納固着
し、第1レンズの嵌入孔81に第1レンズ2を嵌入固着す
る。
そして金属例えばステンレス鋼等からなり、フランジ状
の第2レンズの保持部材15の、第2レンズの嵌入孔151
に第1レンズよりの入射光を出射面でわずかに集光する
如き焦点距離の比較的大である第2レンズ4を嵌着す
る。
そして金属例えばステンレス鋼等からなり、光アイソレ
ータの挿入孔91を穿設した筐体9内に、磁石7内に収容
されたYIG(イットリュウム・アイアン・ガーネット)3
2の両側に設けた偏向プリズム31,32からなる光アイソレ
ータ3を収納する。
金属例えばステンレス鋼等からなり、一端に第3レンズ
の嵌入孔111と他端に光フアイバの貫通孔112が形成さ
れ、光フアイバの貫通孔112に光フアイバ6が挿入さ
れ、第3レンズの嵌入孔111に第2レンズよりの入射光
を出射面近くで集光する如き第3レンズ5が嵌着された
フェルール11は、同様に金属製の筐体10に嵌着され、そ
の筐体10には、光アイソレータ3を収納した筐体9の開
口部側を当接し、この筐体9の他の端部に第2レンズの
保持部材15を介して、筐体8の第1レンズ2を嵌着した
側を当接する。そしてこの状態で、光軸合わせを行なっ
て一体的にレーザ溶接等で接着する。
このように構成された光半導体モジュールにおいて、半
導体レーザ1から出射した順方向光12(実線で示す)は
第1レンズ2と第2レンズ4及び光アイソレータ3を通
過したのち、第3レンズ5で集束されて、光フアイバ6
に入射する。
ところで、半導体レーザ1から出射された順方向光12
(実線で示す)は全部が入射されることはなく、一部が
逆方向光13(点線を示す)となって第3レンズ5及び光
アイソレータ3を通り、偏向プリズム31で分散される。
しかしながら従来の構造と異なって、第2レンズと第3
レンズ間の必要な間隔内に光アイソレータを配置するこ
とで、この間隔が有効に使用され、第1,第2レンズ間隔
は光結合効率にあまり影響を及ぼすものではないので、
第2レンズを第1レンズに接近して配置することでこの
間隔Cを小さくすることが出来て、光デバイスの小形化
が実現されたことになる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によれば光半導
体モジュールの小形化が実現でき、高密度実装が可能と
なり装置の小形化に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明する側断面図、 第2図は、従来の光半導体モジュールを説明する側断面
図である。 図において、1は半導体レーザ、2は第1レンズ、3は
光アイソレータ、4は第2レンズ、5は第3レンズ、6
は光フアイバ、7は磁石、8,9,10は筐体、11はフェルー
ル、12は順方向光、13は逆方向光、14はレーザ電極端
子、15は第2レンズの保持部材、31,33は偏向プリズ
ム、32はYIG、81は第1レンズの嵌入孔、91は光アイソ
レータの挿入孔、101,151は第2レンズの嵌入孔、111は
第3レンズの嵌入孔、112は光フアイバ貫通孔、をそれ
ぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザ(1)と光フアイバ(6)と
    を結合せしめる光学系を構成するため、半導体レーザか
    らの出射光を略平行光に変換する如き第1レンズに接近
    して、第1レンズよりの入射光を出射面でわずかに集光
    する如き第2レンズが配置され、かかる第2レンズと、
    入射光を出射面近くで集光する如き第3レンズとの間
    に、光アイソレータが配置され、第2,第3レンズの間隔
    は、光アイソレータ長より大で、かつ第2レンズより光
    アイソレータを介して第3レンズに入射する光が出射面
    で集光され、出射面に近接して配置される光フアイバの
    端面に入射するように決められることを特徴とする光半
    導体モジュール。
JP60192764A 1985-08-30 1985-08-30 光半導体モジユ−ル Expired - Lifetime JPH0766095B2 (ja)

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DE68919327T2 (de) * 1988-03-02 1995-04-27 Fujitsu Ltd Halbleiterlasermodul und methode zu seiner justierung.
JPH0724323B2 (ja) * 1989-09-05 1995-03-15 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP7117138B2 (ja) * 2018-04-23 2022-08-12 スタンレー電気株式会社 レーザモジュール

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