JPH0766923B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0766923B2 JPH0766923B2 JP61194481A JP19448186A JPH0766923B2 JP H0766923 B2 JPH0766923 B2 JP H0766923B2 JP 61194481 A JP61194481 A JP 61194481A JP 19448186 A JP19448186 A JP 19448186A JP H0766923 B2 JPH0766923 B2 JP H0766923B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- collector
- diode
- base
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コレクタ領域とベース領域間にダイオードを
内蔵した半導体装置に関するものである。
内蔵した半導体装置に関するものである。
従来の技術 第２図はコレクタ・ベース間に逆方向ダイオード内蔵の
NPNトランジスタの等価回路図である。第３図はコレク
タ領域とベース領域との間にダイオードを形成した従来
のトランジスタの断面図の一例である。図中、１はコレ
クタ領域、３はベース領域、４はエミッタ領域、５はコ
レクタ電極、６はベース電極、７はエミッタ電極、８は
絶縁膜、９は高濃度コレクタ領域、10はダイオード領域
である。第３図に示した構成では、ダイオードは、ダイ
オード領域10の間隔と高濃度コレクタ領域９の濃度とに
よって、その特性が決定される。また、第４図には、コ
レクタ領域１の表面にコレクタ領域と同一導電型の高濃
度イオン注入領域11を形成して、同領域とベース領域３
との間にダイオードを形成した従来のトランジスタの断
面図の一例である。第４図に示す構造では、イオン注入
法でコレクタ領域と同一導電型で濃度が濃い領域を形成
し、この濃度によりダイオード特性を決定するものであ
る。
NPNトランジスタの等価回路図である。第３図はコレク
タ領域とベース領域との間にダイオードを形成した従来
のトランジスタの断面図の一例である。図中、１はコレ
クタ領域、３はベース領域、４はエミッタ領域、５はコ
レクタ電極、６はベース電極、７はエミッタ電極、８は
絶縁膜、９は高濃度コレクタ領域、10はダイオード領域
である。第３図に示した構成では、ダイオードは、ダイ
オード領域10の間隔と高濃度コレクタ領域９の濃度とに
よって、その特性が決定される。また、第４図には、コ
レクタ領域１の表面にコレクタ領域と同一導電型の高濃
度イオン注入領域11を形成して、同領域とベース領域３
との間にダイオードを形成した従来のトランジスタの断
面図の一例である。第４図に示す構造では、イオン注入
法でコレクタ領域と同一導電型で濃度が濃い領域を形成
し、この濃度によりダイオード特性を決定するものであ
る。
発明が解決しようとする問題点 第３図に示した従来例では、形成されたダイオードは、
高耐圧化が可能であるが、ベース領域およびエミッタ領
域の拡散工程およびマスク寸法精度の影響により、ダイ
オード領域の間隔が変化し、このため、耐圧の絶対値が
変動する問題があった。また第４図に示した従来例で
は、イオン注入法で形成した領域の濃度を下げると、耐
圧にばらつきが生じ、したがって、不純物濃度が高い低
耐圧のダイオードしか形成できなかった。
高耐圧化が可能であるが、ベース領域およびエミッタ領
域の拡散工程およびマスク寸法精度の影響により、ダイ
オード領域の間隔が変化し、このため、耐圧の絶対値が
変動する問題があった。また第４図に示した従来例で
は、イオン注入法で形成した領域の濃度を下げると、耐
圧にばらつきが生じ、したがって、不純物濃度が高い低
耐圧のダイオードしか形成できなかった。
本発明の目的は、従来の問題点を解消して、かつダイオ
ードの電流容量を増大させる半導体装置を提供するもの
である。
ードの電流容量を増大させる半導体装置を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段 本発明の半導体装置は、半導体基板の一導電型のコレク
タ領域上に、同コレクタ領域と同一導電型で前記コレク
タ領域より高濃度のエピタキシャル領域を有し、前記コ
レクタ領域とは反対導電型のベース領域が前記エピタキ
シャル領域を貫通するように形成され、前記ベース領域
内に、コレクタ領域と同一導電型のエミッタ領域が形成
されたものである。
タ領域上に、同コレクタ領域と同一導電型で前記コレク
タ領域より高濃度のエピタキシャル領域を有し、前記コ
レクタ領域とは反対導電型のベース領域が前記エピタキ
シャル領域を貫通するように形成され、前記ベース領域
内に、コレクタ領域と同一導電型のエミッタ領域が形成
されたものである。
作用 上記構成により、ベース領域とエピタキシャル領域との
間にダイオードが形成される。エピタキシャル領域の不
純物濃度を選定することにより、簡単にダイオード特性
が制御でき、また、エピタキシャル領域は広範囲に均一
なジャンクションができるために、電流容量も増大す
る。
間にダイオードが形成される。エピタキシャル領域の不
純物濃度を選定することにより、簡単にダイオード特性
が制御でき、また、エピタキシャル領域は広範囲に均一
なジャンクションができるために、電流容量も増大す
る。
実施例 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図は、本発明の半導体装置の断面図である。この構
造は、シリコン基板のコレクタ領域１上にエピタキシャ
ル領域２を形成し、その中にベース領域３をエピタキシ
ャル領域２を貫通するように形成し、ベース領域３内
に、エミッタ領域４を形成し、コレクタ領域１にコレク
タ電極５を形成し、ベース領域３、エミッタ領域４に
も、それぞれ、ベース電極６、エミッタ電極７を形成す
る工程を経て形成される。なお８は絶縁膜である。
造は、シリコン基板のコレクタ領域１上にエピタキシャ
ル領域２を形成し、その中にベース領域３をエピタキシ
ャル領域２を貫通するように形成し、ベース領域３内
に、エミッタ領域４を形成し、コレクタ領域１にコレク
タ電極５を形成し、ベース領域３、エミッタ領域４に
も、それぞれ、ベース電極６、エミッタ電極７を形成す
る工程を経て形成される。なお８は絶縁膜である。
このようにして、形成されたトランジスタのコレクタ領
域１とベース領域３の間のダイオードはエピタキシャル
領域１の不純物濃度によりその特性が制御できる。
域１とベース領域３の間のダイオードはエピタキシャル
領域１の不純物濃度によりその特性が制御できる。
以上に述べたように、本実施例によれば、ダイオード形
成のために、エピタキシャル領域の形成は必要である
が、そのダイオード特性はエピタキシャル領域の制御し
やすい不純物濃度により容易に決定される。また、流れ
る電流も、エピタキシャル領域の不純物濃度がほぼ一定
であるため、ベース領域とのジャンクション全体で電流
が流れ、ダイオードの電流容量が増大する。
成のために、エピタキシャル領域の形成は必要である
が、そのダイオード特性はエピタキシャル領域の制御し
やすい不純物濃度により容易に決定される。また、流れ
る電流も、エピタキシャル領域の不純物濃度がほぼ一定
であるため、ベース領域とのジャンクション全体で電流
が流れ、ダイオードの電流容量が増大する。
発明の効果 本発明によれば、コレクタ領域上に形成されたこれと同
一導電型エピタキシャル領域の不純物濃度を制御するこ
とにより、ダイオードの特性を容易にコントロールで
き、簡単にコレクタ・ベース間にダイオードを形成した
トランジスタが実現でき、その実用的効果は大である。
一導電型エピタキシャル領域の不純物濃度を制御するこ
とにより、ダイオードの特性を容易にコントロールで
き、簡単にコレクタ・ベース間にダイオードを形成した
トランジスタが実現でき、その実用的効果は大である。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面図、
第２図はダイオード内蔵のNPNトランジスタの等価回路
図、第３図，第４図は従来の半導体装置の各断面図であ
る。 １……コレクタ領域、２……エピタキシャル領域、３…
…ベース領域、４……エミッタ領域、５……コレクタ電
極、６……ベース電極、７……エミッタ電極、８……絶
縁膜、9,10……ダイオード領域、11……高濃度イオン注
入領域。
第２図はダイオード内蔵のNPNトランジスタの等価回路
図、第３図，第４図は従来の半導体装置の各断面図であ
る。 １……コレクタ領域、２……エピタキシャル領域、３…
…ベース領域、４……エミッタ領域、５……コレクタ電
極、６……ベース電極、７……エミッタ電極、８……絶
縁膜、9,10……ダイオード領域、11……高濃度イオン注
入領域。
Claims (1)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板のコレクタ領域上に
これと同一導電型でこれよりも不純物濃度の高いエピタ
キシャル領域が形成され、前記コレクタ領域とは反対導
電型のベース領域が前記エピタキシャル領域を貫通して
形成され、同ベース領域内に、前記コレクタ領域と同一
導電型のエミッタ領域が形成され、コレクタ・ベース間
にダイオードを内蔵したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194481A JPH0766923B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194481A JPH0766923B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350063A JPS6350063A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0766923B2 true JPH0766923B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=16325255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194481A Expired - Lifetime JPH0766923B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766923B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194481A patent/JPH0766923B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350063A (ja) | 1988-03-02 |
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