JPS6350063A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6350063A JPS6350063A JP61194481A JP19448186A JPS6350063A JP S6350063 A JPS6350063 A JP S6350063A JP 61194481 A JP61194481 A JP 61194481A JP 19448186 A JP19448186 A JP 19448186A JP S6350063 A JPS6350063 A JP S6350063A
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- JP
- Japan
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- collector
- base
- diode
- epitaxial
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コレクタ領域とベース領域間にダイオードを
持つトランジスタに関するものである。
持つトランジスタに関するものである。
従来の技術
第２図はコレクタ・ベース間に逆方向ダイオード内蔵の
ＮＰＮトランジスタの等価回路図である。第３図はコレ
クタ領域とベース領域との間にダイオードを形成した従
来のトランジスタの断面図の一例である。図中、１はコ
レクタ領域、３はベース領域、４はエミッタ領域、５は
コレクタ電極、６はベース電極、７はエミッタ電極、８
は絶縁膜、９は高濃度コレクタ領域、１０はダイオード
領域である。第３図示の構成では、ダイオードは、ダイ
オード領域１０の間隔と高濃度コレクタ領域９の濃度と
によって、その特性が決定される。また、第４図には、
コレクタ領域の表面に高濃度イオン注入領域１１を形成
して、同領域とベース領域３との間にダイオードを形成
した従来のトランジスタの断面図の一例である。第４図
に示す構造では、イオン注入法でコレクタ領域と同一導
電型で濃度が濃い領域を形成し、この濃度によりダイオ
ード特性を決定するものである。
ＮＰＮトランジスタの等価回路図である。第３図はコレ
クタ領域とベース領域との間にダイオードを形成した従
来のトランジスタの断面図の一例である。図中、１はコ
レクタ領域、３はベース領域、４はエミッタ領域、５は
コレクタ電極、６はベース電極、７はエミッタ電極、８
は絶縁膜、９は高濃度コレクタ領域、１０はダイオード
領域である。第３図示の構成では、ダイオードは、ダイ
オード領域１０の間隔と高濃度コレクタ領域９の濃度と
によって、その特性が決定される。また、第４図には、
コレクタ領域の表面に高濃度イオン注入領域１１を形成
して、同領域とベース領域３との間にダイオードを形成
した従来のトランジスタの断面図の一例である。第４図
に示す構造では、イオン注入法でコレクタ領域と同一導
電型で濃度が濃い領域を形成し、この濃度によりダイオ
ード特性を決定するものである。
発明が解決しようとする問題点
第３図示の従来例では、形成されたダイオードは、高耐
圧化ゐく可能であるが、ベース領域およびエミッタ領域
の拡散工程およびマスク寸法精度の影響により、ダイオ
ード領域の間隔が変化し、このため、耐圧の絶対値が変
動する問題があった。
圧化ゐく可能であるが、ベース領域およびエミッタ領域
の拡散工程およびマスク寸法精度の影響により、ダイオ
ード領域の間隔が変化し、このため、耐圧の絶対値が変
動する問題があった。
また第４図示の従来例では、イオン注入法で形成した領
域の濃度を下げると、耐圧にばらつきが生じ、したがっ
て、低耐圧のダイオードしか形成できなかった。
域の濃度を下げると、耐圧にばらつきが生じ、したがっ
て、低耐圧のダイオードしか形成できなかった。
本発明の目的は、従来の問題点を解消して、かつダイオ
ードの電流容量を増大させる半導体装置に関するもので
ある。
ードの電流容量を増大させる半導体装置に関するもので
ある。
問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置は、半導体基板の導電型のコレクタ
領域上に、同コレクタ領域と同一導電型で高濃度のエピ
タキシャル領域を有し、前記コレクタ領域と反対導電型
のベース領域を前記エピタキシャル領域を貫通するよう
に形成し、前記ベース領域内に、コレクタ領域と同一導
電型のエミッタ領域を形成したものである。
領域上に、同コレクタ領域と同一導電型で高濃度のエピ
タキシャル領域を有し、前記コレクタ領域と反対導電型
のベース領域を前記エピタキシャル領域を貫通するよう
に形成し、前記ベース領域内に、コレクタ領域と同一導
電型のエミッタ領域を形成したものである。
作用
上記構成により、ベース領域とエピタキシャル領域との
間にダイオードが形成される。エピタキシャル領域の不
純物濃度を選定することにより、簡単にダイオード特性
が制御でき、また、エピタキシャル領域は広範囲に均一
なジャンクションができるために、電流容量も増大する
。
間にダイオードが形成される。エピタキシャル領域の不
純物濃度を選定することにより、簡単にダイオード特性
が制御でき、また、エピタキシャル領域は広範囲に均一
なジャンクションができるために、電流容量も増大する
。
実施例
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図は、本発明の半導体装置の断面図である。同図に
おいて、基板のコレクタ領域１上にエピタキシャル領域
２を形成し、その中にベース領域３をエピタキシャル領
域２を貫通するように形成し、ベース領域３内に、エミ
ッタ領域４と形成する。コレクタ領域１にコレクタ電極
５を形成し、ベース領域３、エミッタ領域４にも、それ
ぞれ、ベース電極６、エミッタ電極７を形成する。
おいて、基板のコレクタ領域１上にエピタキシャル領域
２を形成し、その中にベース領域３をエピタキシャル領
域２を貫通するように形成し、ベース領域３内に、エミ
ッタ領域４と形成する。コレクタ領域１にコレクタ電極
５を形成し、ベース領域３、エミッタ領域４にも、それ
ぞれ、ベース電極６、エミッタ電極７を形成する。
８は絶縁膜である。
このようにして、形成されたトランジスタのコレクタ領
域とベース領域間のダイオードはエピタキシャル領域の
不純物濃度によりその特性が制御できる。
域とベース領域間のダイオードはエピタキシャル領域の
不純物濃度によりその特性が制御できる。
以上に述べたように、本実施例によれば、ダイオード形
成のために、エピタキシャル領域の形成は必要であるが
、そのダイオード特性はエピタキシャル領域の不純物濃
度により容易に決定される。また、流れる電流も、エピ
タキシャル領域の不純物濃度がほぼ一定であるため、ベ
ース領域とのジャンクション全体で電流が流れ、ダイオ
ードの電流容量が増大する。
成のために、エピタキシャル領域の形成は必要であるが
、そのダイオード特性はエピタキシャル領域の不純物濃
度により容易に決定される。また、流れる電流も、エピ
タキシャル領域の不純物濃度がほぼ一定であるため、ベ
ース領域とのジャンクション全体で電流が流れ、ダイオ
ードの電流容量が増大する。
発明の効果
本発明によれば、コレクタ領域上に形成された同導電型
エピタキシャル領域の不純物濃度を制御することにより
、ダイオードの特性を容易にコントロールでき、簡単に
コレクタベース間にダイオードを形成したトランジスタ
が実現でき、その実用的効果は大である。
エピタキシャル領域の不純物濃度を制御することにより
、ダイオードの特性を容易にコントロールでき、簡単に
コレクタベース間にダイオードを形成したトランジスタ
が実現でき、その実用的効果は大である。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面図、
第２図はダイオード内□蔵のＮＰＮトランジスタの等価
回路図、第３図、第４図は従来の半導体装置の各断面図
である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・エピタキ
シャル領域、３・・・・・・ベース領域、４・・・・・
・エミッタ領域、５・・・・・・コレクタ電極、６・・
・・・・ベース電極、７・・・・・・エミッタ電極、８
・・・・・・絶縁膜、９，１０・・・・・・ダイオード
領域、１１・・・・・・高濃度イオン注入領域。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名−６＝ 第１図 第２図 第３図 第４図 、 ６４ ７ ８ ７．５
第２図はダイオード内□蔵のＮＰＮトランジスタの等価
回路図、第３図、第４図は従来の半導体装置の各断面図
である。 １・・・・・・コレクタ領域、２・・・・・・エピタキ
シャル領域、３・・・・・・ベース領域、４・・・・・
・エミッタ領域、５・・・・・・コレクタ電極、６・・
・・・・ベース電極、７・・・・・・エミッタ電極、８
・・・・・・絶縁膜、９，１０・・・・・・ダイオード
領域、１１・・・・・・高濃度イオン注入領域。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名−６＝ 第１図 第２図 第３図 第４図 、 ６４ ７ ８ ７．５
Claims (1)
- 半導体基板のコレクタ領域上にエピタキシャル領域を同
一導電型高濃度で形成し、前記コレクタ領域と反対導電
型のベース領域を前記エピタキシャル領域を貫通して形
成し、同ベース領域内に、前記コレクタ領域と同一導電
型のエミッタ領域を形成して、コレクタ・ベース間にダ
イオードを内蔵形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194481A JPH0766923B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194481A JPH0766923B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350063A true JPS6350063A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0766923B2 JPH0766923B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=16325255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194481A Expired - Lifetime JPH0766923B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766923B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194481A patent/JPH0766923B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766923B2 (ja) | 1995-07-19 |
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