JPH0766985B2 - オプトエレクトロニック・デバイス用サブアセンブリ - Google Patents

オプトエレクトロニック・デバイス用サブアセンブリ

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JPH0766985B2
JPH0766985B2 JP5019589A JP5019589A JPH0766985B2 JP H0766985 B2 JPH0766985 B2 JP H0766985B2 JP 5019589 A JP5019589 A JP 5019589A JP 5019589 A JP5019589 A JP 5019589A JP H0766985 B2 JPH0766985 B2 JP H0766985B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光波用装置に関するものであり、さらに詳し
くは、フォトダイオードと発光ダイオード（LED）のよ
うなオプトエレクトロニック・デバイスを包装したがっ
てパッケージするのに使用されるサブアセンブリ（副集
成部品）に関するものである。
（従来技術） 個別型のオプトエレクトロニック・デバイスのための従
来のパッケージは、通常多様な異なる材料である金属、
ガラス、セラミック等から作製され、組立時に構成部品
の比較的複雑な操作・調節を行なわなければならなかっ
た。米国特許第4,357,072号（LED）、第4,119,363号
（レーザ）、第4,233、619号（光検出器）が例えばあげ
られる。組立は、構成部品を所望の位置に配置するため
３次元で構成部品を操作・調節する工程を有していた。
例えば、デバイスを基板に対して位置合わせし、ファイ
バーをフェルールに対して位置合わせし、フェルールを
パッケージに対して位置合わせし、最後にパッケージを
デバイスに対して位置合わせしていた。これらの位置合
わせの段階は大へん特殊で高価な機材に依存していた。
一般には、したがって、このような形態ではＺ軸での組
立は不可能であった。つまり、Ｘ−Ｙ平面内で必要とな
るさらなる方向がないにもかかわらず、構成部品を基板
に対して垂直なＺ軸に沿って簡単に移動させることがで
きず基板上に簡単に配置することができなかった。
さらに、パッケージが異なる材料を含むため、雰囲気の
温度が変化しても位置合わせが適切になされるように熱
膨張係数が調整されることが保証されるよう、細心の注
意が必要であった。勿論、不安定性は構成部品の機械的
運動をひきおこし、結果として例えばデバイスとファイ
バーの間の光学的結合を減少させる。このような状況の
ため、パッケージの設計者は熱の減衰と安定性の基準と
の間で妥協しなければならない。最後の最後としては、
コストが増加してしまう。
いくつかの高価な応用としては、超長距離伝送システム
において、このようなパッケージの作製が比較的高いコ
ストでも黙認できる。しかしながら、コストに敏感な高
容量の応用、例えば中央の交換局若しくは遠隔の端末と
加入者自宅（加入者ループとして知られる。）との間光
波通信システムにおいて、このようなパッケージの高い
コストは不適切なものとなる。
したがって、以下のようなパッケージの形成の試みが望
まれる。（１）小片の製造と、部品の位置合わせと、パ
ッケージの閉止とのため、可能なかぎり商業的に利益の
ある装置を使用する試みと、（２）広範囲にわたる装置
の取り替えや新規な組立技術を必要としないで、異なる
応用に対して、異なったサイズのパッケージを適応させ
る試みである。たとえば、一方において、二重インライ
ンパッケージ（DIP）のヘッダーの内部に適合し125μｍ
の直径のファイバーを取付けることができるサブアセン
ブリを得ることが望まれ、他方において、より大きな直
径のファイバーを取付けることができ、プリント回路基
板（PC基板）面上に載置された別のサブアセンブリを得
ることが望まれる。通常は、このような２つのデザイン
従って形態の作製には装置等の取り替えが必要である
が、このような取り替えはコストと共通性の理由から望
ましくない。
（問題を解決するための手段） 一面において本発明はシリコン等の単結晶半導体を基本
材料として使用している。この基本材料から、オプトエ
レクトロニック装置したがってオプトエレクトロニック
・デバイスを包装するサブアセンブリが構成され、シリ
コンの小片したがって断片材料を造形しその上に金属を
堆積（デポジット）するための多くの周知の技術を利用
する。このようなシリコンの使用は、“シリコンの光学
的工作（Silicon optical bench）”の技術と呼ばれ
る。
シリコン技術の成熟は多くのことを意味する。第１に、
多数のシリコン処理技術が利用でき、したがって、この
技術を特に発展させる必要はない。第２に、多数の商業
的に活用できる機材が利用でき、このような機材は大量
生産によってすでに年ごとに低価格化している。第３
に、このような技術と機材の使用により、様々な形状の
シリコン小片したがって断片部分を比較的簡単で安価な
フォトリソグラフィ技術によって作製することができ、
大きな容積を必要としないためコスト面で効果的であ
る。
本願発明の一実施例によれば、サブアセンブリは、シリ
コンの基部上に載置されたオプトエレクトロニック装置
したがってオプトエレクトロニック・デバイスを有し、
以下の特徴の１つ以上を有する。（１）光ファイバーを
案内するため溝部が基部中に設けられており、反射器が
溝部の端部面上に形成されている。装置したがってデバ
イスがこの反射器の上方に配置され、この反射器はこの
装置したがってデバイスとファイバーとの間の光を導
く。反射器上に装置したがってデバイスを配置すること
はＸ−Ｙ面内で行なわれる唯一の積極的な位置合わせ
（アライメント）の段階である。他のすべての位置合わ
せはこの小片の形状によって自動的に達成することがで
きる。（２）電気接点が基部上に配置され、その一つの
接点は溝部の端部面に重さなるようにされ反射器を形成
している。（３）シリコンの蓋部が基部上に配置され、
その蓋部の少なくとも一つの寸法は基部のうちの対応す
るものよりも小さく、蓋部の下部からサブアセンブリの
外部へ接点が突出している。（４）蓋部はデバイスを受
け入れる空間部と、溝部とを有す。この溝部は、基部中
の溝部に位置合わせされてファイバーの被覆部分が配置
されるチャンネル（通路部）を形成する。（５）移動止
めしたがって戻り止めが基部及び蓋部中に設けられこれ
らを互いに位置合わせする。（６）基部及び蓋部の外部
側の部分は、グランドシールを提供するためかつパッケ
ージの残部に対して電気接点を形成する場所を提供する
ために金属化処理したがってメタライゼーション処理が
行なわれる。
適当なコーティングによって不活性化されたフォトダイ
オード等の装置したがってデバイスのための他の実施例
においては、蓋部中の開口が空間部と連通しており、コ
ーティングがこれを通して注入される。
気密封止が必要なフォトダイオード等のデバイスのため
のさらに他の実施例においては、基部及び蓋部は透明な
板部材によって分離されており、蓋部は板部材に対して
密封され、装置とファイバーの間で伝送される光は該板
部材を通過する。
ファイバーと装置の間にレンズが使用されるさらに他の
実施例においては、レンズを適当な開口で保持するシリ
コンの板部材が基部と蓋部の間に配置される。
本発明は、その様々な特徴と利点を含めて、添付の図面
と合わせて以下の実施例において、容易に理解できるも
のとなる。ただしこの場合において、多様の図面は模式
的なものであって、明確のために拡大・縮小の図となっ
ていない。
（実施例） 第１図から第３図に関連して、二重インライン・パッケ
ージ（DIP）内に封入された本願発明の一実施例の副集
成部品したがってサブアセンブリ10を示す。しかしなが
ら、他のパッケージ形態、例えばモールド形成品でも適
合可能である。DIPの形状内には、副集成部品したがっ
てサブアセンブリ10が、DIPヘッダ14内に挿入されたリ
ードフレーム12上に載置されている。カバー部16は、光
ファイバー20をサブアセンブリ10からパッケージ外に延
在させることができるようにスロット18を有する。ファ
イバー20は、サブアセンブリ内のオプトエレクトロニッ
ク・デバイス（例えば、フォトダイオード11）から及び
／又はへ光波信号が伝えられることを可能にする。
サブアセンブリ10は、本発明によって単結晶半導体から
構成される。好ましくは、この半導体はシリコンである
が、前に議論されているように処理と設備の立場から、
成熟したシリコン半導体技術を活用するためである。さ
らに、この形態によれば、Ｘ−Ｙ平面で行なわれていた
多数回の位置合わせが一度に減少する。したがって、本
願発明は、Ｚ軸位置合わせの必要なものに有利に近づ
く。より明確に、第４図から第７図は、フォトダイオー
ドのためのサブアセンブリ10を示しており、このサブア
センブリ10は、フォトダイオードが上に載置された単結
晶シリコン基部22を有しており、単結晶シリコンの蓋部
24が配置される。そして、光ファイバー20は、この基部
と蓋部との間の境界に沿って形成された通路部に配置さ
れ、フォトダイオードと光学的に結合される。本願発明
は、以下の特徴のうち１つまたはそれ以上の特徴を有
す。
（１）異方性エッチングされた並んだ状態の溝部（基板
中は30及び32、蓋部中は34。）は、ファイバー20のひず
み除去と位置合わせのためのものである。基部中の溝部
30は、蓋部中の溝部34に位置合わせされてファイバー20
の被覆部分21を受容し、溝部34の幅は溝部30の幅よりわ
ずかに小さく、被覆部分21がぴったり嵌合してひずみを
除去し又は引張りを除去する。他方、溝部32は溝部30と
並んで基部中に形成されるが、かなり小さな幅でファイ
バー20の露出端部分23を受容し位置合わせする。並んだ
状態にされた溝部の使用は、ファイバーの被覆物したが
ってコーティング材（たとえば、ウレタン）の形状及び
構造の強度が異なる環境状態（たとえば、湿度）で十分
に制御されず被覆物したがってコーティング材が位置合
わせの目的に替えられない場合に、好ましい。他方、い
くつかのファイバーの被覆物したがってコーティング材
（たとえば、ポリイミド樹脂）は位置合わせの目的に適
合し、この場合、基部中に並んだ状態の溝も蓋部中の溝
部も使用される必要がなく、上記基部がファイバー21の
被覆部分を蓋部の底部に対して保持するための溝部分を
有するだけでよい。
（２）溝部がエッチングされた後、基部は酸化処理（た
とえば、１〜10μｍのSiO2の形成）されて金属化処理し
たがってメタライゼイション処理（metalization）さ
れ、標準的フォトリソグラフィ技術が使用されれ電気接
点40と42が配線される。酸化層（図示せず。）は、電気
接点がシリコンを介して短絡されることを防止し、相互
キャパシタンスを減少させる。第４図に示したように、
接点40は溝部の端部面と重なっており反射器44の反射ミ
ラーを形成する。勿論、接点40と反射器44とは、必要な
らば分離することもできる。基部の主表面が結晶学面
（100）である場合は、端部面は結晶学面（111）であ
り、したがって反射器44は54.7°の角に向けられてい
る。後者は、ファイバー用の機械的停止部材及びファイ
バー20端部から発散する光の導光器として役立つ。反射
光はフォトダイオード20の感光領域に入射させられる。
ミラー（反射鏡）44は角度45°に設定されてないが、光
をフォトダイオード内に結合するには十分であり、ファ
イバーの軸とフォトダイオードの軸を約±１μｍに位置
合わせすることが可能となる（この場合±５μｍの正確
さが要求される。）。
（３）フォトダイオードは、例えばInP/InGaAsの後方照
射タイプのもので、米国特許第4,608,506号のオー．ケ
ー．キム（O.K.Kim）によって記述されたタイプのもの
である。つまり、この素子は、その基板上のメタライゼ
ーション処理部の開口を通して照射され、これによって
光をフォトダイオードの感光領域に入来させることがで
きる。フォトダイオードの基板のメタライゼーション処
理部が接点40に接着され、フォトダイオードはＸ−Ｙ面
内で位置合わせされ、その感光領域がミラー44上に配さ
れる。有利なことには、この段階が、組立手順において
要求されるたった一つの能動的位置合わせである。位置
合わせの後、フォトダイオードの上部接点がワイヤボン
ド46を介して接点42に第５図のように接続される。
（４）基部、蓋部、接点の寸法は、接点40と42の端部の
パッド部が第６図及び第７図のごとく蓋部の下から外側
に延在するように、相互に適合するようになされてい
る。これにより、リードフレームに対してワイヤボンド
を形成することができる。第１図に、このようなボンド
48を示した。
（５）蓋部と基部は移動止め50により相互に位置合わせ
される。詳しく説明すると、このような移動止め50は蓋
部及び基部にエッチングされた小さなピラミッド形状の
穴であり、基部の各穴内のボールの支持部材によって単
に基部と蓋部とをステップ嵌めすることで楽に位置合わ
せができる。このボールは多種の材料、例えば金属、サ
ファイア、タングステンカーバイトから作ることができ
る。この技法は、捕捉領域したがってキャプチャ・レン
ジ（capture range）が比較的大きいが、ボールが曲線
形状を有しておりわずかに位置ずれしている蓋部を容易
に位置合わせすることができるからである。これに加
え、蓋部と基部の位置合わせを一度に１回ずつ行なわな
いばかりでなく、基部がウェハーから切り出されるとい
うことと、基部が分離される前にフォトダイオードをそ
の上に載置でき蓋部が適切な位置に置かれる前に試験さ
れバーンイン（burn−in）されうることが利点である。
若しくは、基部は、Ｎ個のフォトダイオードが載置され
る前に１×Ｎの細片に切断されてもよい。蓋部の同様の
１×Ｎの細片が基部の上記細片に位置合わせされるので
あるが、例えばこの場合において、個々の蓋部及び基部
に設けられた複数対の移動止めでなくこの細片の各端部
に設けられた一対の移動止めが使用されうる。
（６）第７図に示したように、蓋部は空間部26と一対の
開口52、54とを有する。蓋部が配置されたとき、フォト
ダイオード11が空間部内に配置されて、煙突形状の開口
52によって適当なコーティング（不活性化のためのシリ
コーン等）がこれを通って挿入され（そして硬化され）
フォトダイオードを覆うようにすることができる。同様
に、開口54によって、エポキシ又は他の接着材が挿入さ
れ、ファイバー20の位置をサブアセンブリ内に固定す
る。しかしながら、不活性化又は密封形態が要求されな
い場合は、開口52をなくしてもよい。同様に、ファイバ
ーがサブアセンブリ中へ又は中から摺動する必要がある
場合は（例えば、差込み型のとき）、エポキシ接着材と
開口54はなくしてもよい。
（７）システムの明細事項がフォトダイオードが密封型
シールされることを必要とする場合、ファイバーの被覆
部分がフォトダイオードと同様の密封環境におかれるこ
とは一般に望ましくない。この場合、第11図に示したタ
イプの形態が用いられる。ここで、透明板部材56がシリ
コンの蓋部及びシリコンの基部22の間に配置される。こ
の板部材は多数の材料から作ることができ、例えば、ガ
ラス材、シリコン、若しくはシリコン基板−シリコン酸
化物層の複合物が含まれる。このシリコン基板−シリコ
ン酸化物の複合物の基板上にエッチングによって開孔を
設け酸化物層を露出させるのである。蓋部24又は板部材
上の電気接点（不図示）は第６〜７図のように蓋部の下
から延在しているが、蓋部が第７図の開口52、54に対応
する開口を有しないのは、上述のようには適正なコーテ
ィングとエポキシが利用できないからである。蓋部はそ
の外面58に沿って板部材56の１方の側に対して密封され
（例えば、ろう又はガラスフリットによって。）蓋部と
板部材がフォトダイオードの密封された封入部を形成す
る。基部22は、板部材56の反対側に固定されており、フ
ァイバーの露出部分23を案内するＶ溝部32と光をファイ
バーから板部材を通してフォトダイオードに再び向ける
ための反射ミラー（反射器）44とを、有している。
（８）蓋部の上部と基部の底部は接地シールドを与える
ためメタライゼーション処理したがってメタライジング
が行なわれている（図示せず。）。接着の目的で、金属
が堆積又は蒸着される前に、シリコンは酸化処理され
る。第１図に示すように、基部のメタライゼーション処
理された底部はリード・フレーム12に接触し、蓋部の上
部はワイヤ・ボンド49によってこれに接続される。
第１〜７図のサブアセンブリは、シリコンの光学的工作
技術を用いて、幅約3mm、長さ約4mm、厚さ約750μｍの
シリコンの小片（基部、蓋部）によって作られる。異方
性エッチングされたＶ溝部30、32、34は、直径約250μ
ｍの被覆部分21と外側直径約125μｍの露出部分23とを
有する単一モードガラスファイバー20を受容する。シリ
コン上の酸化物は10μｍの厚さを有している。電気接点
40、42とミラー44とは、Ti−Pt−Auの多層膜（Cr−Auの
多層膜も同様に好ましい。）でAuが最外層に設けられて
いる。フォトダイオード11は、約75μｍの活性層を有
し、共融混合物のろう（Au/Ge又はAu/Sn）によって電気
接点40に接着されている。この共融混合物はフォトダイ
オードの基板側上に蒸着されている。シリコンの基部が
非常に平坦であるため、極めて薄い層（たとえば、３μ
ｍ）のろうが使用でき、共融混合物の分離した予備形成
物のコストに関連して費用を減ずることができる。都合
上、ファイバーは、製造シークエンスからすみやかにサ
ブアセンブリ内に固定されるべきでない。さもなけれ
ば、サブアセンブリの操作、処理がやっかいになる。し
たがって、基部と、フォトダイオードと、蓋部とが適所
に配置された後であって適切なコーティングがなされる
前に、サブアセンブリが、エポキシ又はフォトダイオー
ドに使用されたものより低融点のろうでもってリードフ
レームに接着されることが望ましい。フォトダイオード
と接地シールドに対してワイヤボンドが形成された後、
ファイバーがサブアセンブリのＶ溝部内に挿入され適所
に配置されるようエポキシで処理される。
蓋部が多用途に役立つことは明らかである。つまり、パ
ッケージ内にサブアセンブリを封入することに関連した
モールディング作業の間にデバイスを保護することと、
デバイスを電気的に絶縁することと、必要な場合にエポ
キシと適切なコーティングとを設けることができること
と、光ファイバーの案内をすることとである。
操作時には、このようにパッケージされたフォトダイオ
ードは比較的安価であり、十分高い収率と約0.8〜0.9A/
Wの感度を有する。このような包装品したがってパッケ
ージが湿気中で−40℃から＋85℃の間で循環されたとき
に、故障が観測されなかった。このパッケージの周波数
応答性は多くの因子に依存するが、主に酸化物の厚さ、
電気接点の面積、導線の長さに依存する。適正に設計し
た場合、約200MHzの周波数応答性が測定された。
上記の配置構成は、発明の原理の応用を表わすよう工夫
された多くの可能な明確な具体例の説明のためのものに
すぎない。多数の有効な他の配置構成が、このような原
理に基づいて当業者によって本願発明の思想の範囲から
はずれることなく工夫することができる。殊に、第１〜
７図、第11図のサブアセンブリは、フォトダイオードに
よって検出されるファイバー中の光という見地から記述
されているが、LEDからファイバー中への光の結合の用
途に使用されてもよい。しかしながらこのようにした場
合、LEDからの光の放射の発散はファイバー内への結合
効率に影響し、LEDに供給される電流が比較的大きく適
切なヒートシンクが必要となる。このような考案が第８
〜10図に示した本願発明のLED用の実施例では考慮され
ている。同様に、大きなコアの多モード・ファイバーが
使用された場合にも、フォトダイオードの活性層に光が
集められるようにレンズが必要となろう。
第８図に示した第１のLEDでの実施例は、中にLED73を接
着されたくぼみ部72を有する基部70を使用している。基
部はシリコンの小片又はPC基板である。LEDは、その感
光領域（ここでその熱のほとんどが発生される。）が基
部70に近接するように配置される。とりわけ基部はヒー
トシンクとして役立ち、DIP（二重インラインパッケー
ジ）の場合は基部はリードフレームに接着され、中でも
このリードフレームは付加的ヒートシンクとして役立
つ。溝部74はＶ溝部75を有しており、このＶ溝部75は第
１〜７図のフォトダイオードでの実施例と同様の方法に
よって端部に反射器76が形成されている。反射器76は平
面的に描かれてきるが、ファイバーに入射させる光を集
光するように曲率を持たせる技術もある。LEDから放射
された光は反射器に入射し、多モードファイバー78の端
部上に結像する。この手法は、ファイバー内への30％の
結合を得ることができ、２つのファクターによって逆に
影響される。このファクターは、LDEからの光束の発散
とファイバーの開口数（NA）特性（つまり、このNAは放
物型屈折率のファイバーの軸上で最大となり、軸からは
ずれた光線に対しては減少してゆく。）とである。
したがって、発散の観点からは、最適のLEDとファイバ
ーとの距離は、ミラー（反射鏡）によって許容されるも
のよりも少なくなり、したがって、この形態では達成で
きない。ところが、NAの観点からは、ミラー（反射鏡）
が45°の角度にないため、反射光のいくらかは軸からは
ずれたものとなりファイバーの軸位置が重要となる。
（100）方向のシリコンではミラー（反射鏡）が54.7°
の角度であることを注意しなければならないが、（10
0）面に対して約10°それた方向上向いたシリコンの別
の小片にミラーが形成された場合はミラーは約45°の方
向に向けられることになる。この場合、溝部75は（水平
ではなく）斜めになるが、他の溝部（図示せず）がファ
イバー78を案内するように（100）方向の基部70側に形
成されればよい。
第８図の結合はLEDとファイバーとの間の空間をシリコ
ーンで満たすことにより約60％まで増加させることがで
きるが、光が平行光にしファイバーとLEDの間隔の重要
性を減少させるように、サブアセンブリにレンズを組み
込んだ方が有利な場合がある。
第９図において、LED83は基部80上に載置されており、
この基部80は上記のようにシリコンの小片又はPC基板で
あってよく、この上にLED−ファイバーのサブアセンブ
リが載置される。このサブアセンブリは、上記のよう
に、多モード・ファイバー88のためのＶ溝部／反射ミラ
ーの配置を有するシリコンの蓋部84を含む。さらに、レ
ンズ86のためのキャリヤ（担体部材）として働く中間の
シリコンの小片が設けられている。キャリヤの一方の側
には、異方性エッチングされたピラミッド状の孔部89が
あり、狭い開口を通して同様にエッチングされたピラミ
ッド状の空間部87に結合されている。LED83は空間部87
内に配置され、レンズ86は一般には孔部89内に載置され
て適所に固定され反射防止（AR）コートをほどこされ
る。孔部89の底部の開口が狭いことによりレンズが空間
部内に落ち込むことを防止している。
他方、第10図に示したように、基部90は陥凹部91を有
し、この中にLED93が載置される。例えば上述のよう
に、基部はシリコン基部又はPC基板に陥凹部を設けたも
のであってよい。シリコンの蓋部94のＶ溝部／反射ミラ
ーの配置は上記と同様のものとしてよいが、シリコンの
キャリヤ95には、これを通すように延在する異なった形
状の孔部が形成される。ここで、孔部97はキャリヤ95の
上面にレンズ96を受け入れるのに十分大きな開口を形成
されるが、底面内の開口はレンズを支持しこれが孔部を
通して落下しないように十分小さなものとされる。一般
には、レンズはろう又は他の手段によって適所に固定さ
れる。第10図の実施例の一つの特徴は、組立の前に、キ
ャリヤがレンズの操作を行なうための保持具として役だ
つことであり、例えばレンズにARコーティングがほどこ
される時などである。この観点は第９図の小片85におい
ても実さいにあてはまるが、たとえばレンズとキャリヤ
の間の空間99をめっき（さもなくば封止）することによ
ってレンズを第10図内の適所に保つことがより容易とな
る。
最後に、今日の技術はシリコンが好ましい材料であり本
願発明の主小片がこのシリコンから作られることを示し
ているにもかかわらず、状況（たとえば、システムの詳
細やコスト面での考慮）が異なる場合には他の半導体
（たとえば、Ge Ga As等）の使用が望ましくなるかもし
れないことは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、オプトエレクトロニック・デバイスのパッケ
ージの等角断面図であり、該パッケージが本願発明の具
体的実施例のサブアセンブリ10を有していることを示し
ており、 第２図は、第１図のパッケージの分解図であり、具体的
サブアセンブリ10、リードフレーム12、DIP保持具14及
びカバー16を示しており、 第３図は、第１図の光学サブアセンブリの拡大断面図で
あり、その内部のフォトダイオード11を描いたものであ
り、 第４〜第７図は、様々の製造工程における、具体的サブ
アセンブリの等角図であり、 第８〜第10図は、本願発明の他の実施例によるLEDを使
用したサブアセンブリの断面図であり、 第11図は、本願発明のさらに他の実施例によるフォトダ
イオードを用いた密封サブアセンブリの断面図である。 （主要部分の符号の説明） 10…サブアセンブリ 11、73、83、93…オプトエレクトロニック・デバイス 22、70、80、90…基部 24、74、84、94…蓋部 44、76…反射器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−104188（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−1288（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−58115（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−24082（ＪＰ，Ａ)

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】オプトエレクトロニック・デバイス用サブ
    アセンブリであって、主表面を有する半導体の基部を具
    備するものにおいて、 光ファイバーの一部を受容するように構成されている、
    前記主表面内の第一溝部であって、前記主表面に対して
    斜めの結晶面によって形成されている、側壁部と端面と
    を有するものと、 前記主表面の少なくとも一部に形成されている絶縁層
    と、 前記絶縁層上に配設されている金属の接点であって、前
    記接点の少なくとも一部は前記端面を覆って反射器を形
    成しているものと、 を具備し、 前記デバイスが、前記反射器の上方に配設されていると
    共に前記接点に接続されており、前記反射器が、前記デ
    バイスと前記光ファイバーとの間の光を導くことを特徴
    とするサブアセンブリ。
  2. 【請求項２】前記基部が、前記第一溝部と縦に並んだ状
    態で配置されていると共に前記サブアセンブリの外側に
    延在している第二溝部を有しており、前記光ファイバー
    が、前記第二溝部内に嵌合する大径部と前記第一溝部内
    に嵌合する小径部とを有している請求項１のサブアセン
    ブリ。
  3. 【請求項３】前記溝部の長さが、前記光ファイバーの端
    部が前記反射器に当接するのを可能にする請求項２のサ
    ブアセンブリ。
  4. 【請求項４】前記基部上に配置されている半導体の蓋部
    を更に具備しており、前記蓋部は、主表面と、前記デバ
    イスを受容する空洞部とを有していると共に、前記第一
    溝部と整合する第三溝部を更に有しており、もって、前
    記光ファイバーを受容する細長いチャンネルが形成され
    ている請求項１のサブアセンブリ。
  5. 【請求項５】前記蓋部が、前記空洞部と連通している開
    口を有していると共に、前記開口を介して挿入された相
    似被覆が、前記デバイスを覆っている請求項４のサブア
    センブリ。
  6. 【請求項６】前記サブアセンブリに取着されている前記
    光ファイバーを備えており、且つ、前記蓋部が、前記細
    長いチャンネルと連通している開口を有していると共
    に、前記開口を介して挿入された接着剤が、前記光ファ
    イバーを前記サブアセンブリに固定している請求項４の
    サブアセンブリ。
  7. 【請求項７】前記基部及び前記蓋部の外側主表面が金属
    化されている請求項４のサブアセンブリ。
  8. 【請求項８】前記半導体が単結晶シリコンからなってお
    り、前記主表面が（100）結晶面であり、且つ、前記端
    面が（111）結晶面である請求項１〜７のいずれか一項
    に記載のサブアセンブリ。
  9. 【請求項９】前記デバイスがフォトダイオードである請
    求項１〜７のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
  10. 【請求項１０】オプトエレクトロニック・デバイス用サ
    ブアセンブリであって、主表面を有する半導体の基部を
    具備するものにおいて、 前記主表面上の絶縁層と、 前記絶縁層上に配設されている金属の接点であって、前
    記デバイスは前記主表面上に配置されていると共に前記
    接点に接続されている、ものと、 空洞部を有する半導体の蓋部であって、前記蓋部は前記
    基部上に配置されていて、もって前記デバイスは前記空
    洞内に位置させられており、前記主表面に平行な前記蓋
    部の少なくとも１つの寸法は、前記基部の対応する寸法
    よりも小さく、もって、前記接点の一部は、前記蓋部の
    下から前記サブアセンブリの外側に延出している、もの
    と、 を具備し、 前記サブアセンブリが、前記デバイスと前記サブアセン
    ブリの外部との間で光を搬送する光ファイバーを受容す
    るチャンネル手段を有していることを特徴とするサブア
    センブリ。
  11. 【請求項１１】前記蓋部が、前記空洞部と連通している
    開口を有していると共に、前記開口を介して挿入された
    相似被覆が、前記デバイスを覆っている請求項10のサブ
    アセンブリ。
  12. 【請求項１２】前記サブアセンブリに取着されている前
    記光ファイバーを備えており、且つ、前記蓋部が、前記
    チャンネル手段と連通している開口を有していると共
    に、前記開口を介して挿入された接着剤が、前記光ファ
    イバーを前記サブアセンブリに固定している請求項10の
    サブアセンブリ。
  13. 【請求項１３】前記チャンネル手段が、前記基部内の溝
    部と前記蓋部内の溝部とからなっており、前記溝部が、
    互いに向き合い且つ互いに整合させられていると共に、
    結晶面である側壁部を有している請求項12のサブアセン
    ブリ。
  14. 【請求項１４】前記チャンネル手段が、反射器と、前記
    基部内の前記溝部と縦に並んでいる第三溝部とを備えて
    おり、前記第三溝部が、前記反射器が配設されていると
    ころの結晶端面を有しており、前記デバイスが、前記デ
    バイスと前記光ファイバーとの間の光を導く前記反射器
    上方に位置させられている請求項13のサブアセンブリ。
  15. 【請求項１５】前記基部及び前記蓋部が、単結晶シリコ
    ンからなっている請求項10〜14のいずれか一項に記載の
    サブアセンブリ。
  16. 【請求項１６】オプトエレクトロニック・デバイス用サ
    ブアセンブリであって、 前記デバイスと前記サブアセンブリの外部との間を伝送
    される光に対して透明である第一部材であって、前記デ
    バイスは前記第一部材の一方の側部上に装着されてい
    る、ものと、 前記第一部材の前記一方の側部上に装着されていると共
    にそれに気密封止されている半導体の外部であって、前
    記デバイスを受容する空洞部を有しているものと、 前記第一部材の他方の側部上に装着されている半導体の
    第二部材であって、光ファイバーを受容すべく構成され
    ている溝部を有しており、前記溝部は、結晶面によって
    形成されている、側壁部と斜めの端面とを有している、
    ものと、 前記端面上に配設されている反射器であって、前記光フ
    ァイバーと前記デバイスとの間の且つ前記第一部材を通
    過する光を導くものと、 を具備するサブアセンブリ。
  17. 【請求項１７】前記デバイスがフォトダイオードである
    請求項16のサブアセンブリ。
  18. 【請求項１８】前記蓋部及び前記第二部材が単結晶シリ
    コンからなる請求項16のサブアセンブリ。
  19. 【請求項１９】前記第一部材が透明なガラスからなる請
    求項16〜18のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
  20. 【請求項２０】前記第一部材がシリコンからなる請求項
    16〜18のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
  21. 【請求項２１】オプトエレクトロニック・デバイス用サ
    ブアセンブリであって、前記デバイスが装着されている
    ところの基部を具備しているものにおいて、 前記基部上に位置させられている半導体の蓋部を具備し
    ており、前記蓋部が、光ファイバーを受容する溝部と、
    前記溝部の端面上に形成されている反射器であって前記
    光ファイバー及び前記デバイスの間の光を導くものとを
    有していることを特徴とするサブアセンブリ。
  22. 【請求項２２】前記基部が半導体の基板からなる請求項
    21のサブアセンブリ。
  23. 【請求項２３】前記基部がプリント回路基板からなる請
    求項21のサブアセンブリ。
  24. 【請求項２４】半導体の支持部であって、それを貫通す
    る開口を有しており且つ前記基部と前記蓋部との間に位
    置させられているものと、 前記開口内に装着されているレンズであって、前記反射
    器と前記デバイスとの間の光を集中させるものと、 を更に具備している請求項21〜23のいずれか一項に記載
    のサブアセンブリ。
  25. 【請求項２５】前記基部が凹部を有しており、前記凹部
    内には前記デバイスが装着されており、前記反射器が前
    記凹部上方に位置させられている請求項21〜24のいずれ
    か一項に記載のサブアセンブリ。
  26. 【請求項２６】前記開口が、前記レンズを保持する上部
    と、前記デバイスを受容する空洞部を形成している下部
    とを有している請求項21〜24のいずれか一項に記載のサ
    ブアセンブリ。
  27. 【請求項２７】前記デバイスが発光ダイオードからなる
    請求項21〜24のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。
  28. 【請求項２８】サブアセンブリであって、 半導体の基部と、 前記基部上に装着されている少なくとも１つの光学的又
    は電子的なチップと、 を具備するものにおいて、 前記基部上に装着されている半導体の蓋部であって、前
    記少なくとも１つのチップを覆うものと、 前記蓋部と前記基部とを互いに整合させる手段であっ
    て、前記基部及び前記蓋部の各々に少なくとも１つの孔
    部であってそれらが整合させられるときに前記基板及び
    前記蓋部も整合させられるものと、前記孔部のうちの１
    つの孔部内に位置させられている球体であって前記孔部
    を整合状態に案内するものと、を備えているものと、 を具備していることを特徴とするサブアセンブリ。
  29. 【請求項２９】前記基部及び前記蓋部が、各々、少なく
    とも２つの孔部を有しており、 前記基部内の孔部と前記蓋部内の孔部とは対をなしてお
    り、前記孔部は、前記対が整合させられるときに前記基
    部及び前記蓋部が整合させられるべく位置させられてお
    り、且つ、前記基部及び前記蓋部が、各前記対をなす孔
    部のうちの一方の孔部内の球体を備えている請求項28の
    サブアセンブリ。
  30. 【請求項３０】前記孔部の側壁部が結晶面である請求項
    28又は29のサブアセンブリ。
  31. 【請求項３１】前記球体がボールの支持部材である請求
    項30のサブアセンブリ。
  32. 【請求項３２】前記基部が、複数の前記チップが間隔を
    おいて位置させられるところの細長い細片からなってお
    り、 前記蓋部が、前記チップを覆う細長い細片からなってお
    り、 前記孔部が、前記細片の両端に形成されており、且つ 前記細片が、互いに固定されていると共に、各々が少な
    くとも１つの前記チップを組み入れている別個の構造体
    に分割可能である、 請求項29のサブアセンブリ。
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Families Citing this family (187)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8728342D0 (en) * 1987-12-03 1988-01-06 Bt & D Technologies Ltd Light sources
US5070596A (en) * 1988-05-18 1991-12-10 Harris Corporation Integrated circuits including photo-optical devices and pressure transducers and method of fabrication
US5037765A (en) * 1988-05-18 1991-08-06 Harris Corporation Method of fabricating integrated circuits including photo optical devices and pressure transducers
US5073003A (en) * 1988-12-23 1991-12-17 At&T Bell Laboratories Optoelectronic device package method and apparatus
EP1022787B2 (de) * 1989-05-31 2012-07-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements und oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
EP0400175B1 (de) * 1989-05-31 1994-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
US4969712A (en) * 1989-06-22 1990-11-13 Northern Telecom Limited Optoelectronic apparatus and method for its fabrication
US5066090A (en) * 1989-09-12 1991-11-19 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling element having a convex microlens and the method of manufacture
DE3939723C1 (en) * 1989-12-01 1991-02-14 Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De Optical or opto-electronic coupling - uses spherical lens received in frusto-pyramidal recess of one part and groove of other part
US5047835A (en) * 1989-12-26 1991-09-10 At&T Bell Laboratories Lightwave packaging for pairs of optical devices
US5006922A (en) * 1990-02-14 1991-04-09 Motorola, Inc. Packaged semiconductor device having a low cost ceramic PGA package
US5181263A (en) * 1990-05-21 1993-01-19 Motorola, Inc. Wave-guide I/O for optical or electro-optical components
GB9014639D0 (en) * 1990-07-02 1990-08-22 British Telecomm Optical component packaging
US5113404A (en) * 1990-07-05 1992-05-12 At&T Bell Laboratories Silicon-based optical subassembly
US5264392A (en) * 1990-07-05 1993-11-23 At&T Bell Laboratories Fabrication technique for silicon-based optical subassemblies
US5109455A (en) * 1990-08-03 1992-04-28 Cts Corporation Optic interface hybrid
US5124281A (en) * 1990-08-27 1992-06-23 At&T Bell Laboratories Method of fabricating a photonics module comprising a spherical lens
US5071213A (en) * 1990-10-31 1991-12-10 The Boeing Company Optical coupler and method of making optical coupler
US5178319A (en) * 1991-04-02 1993-01-12 At&T Bell Laboratories Compression bonding methods
US5241614A (en) * 1991-04-29 1993-08-31 International Business Machines Corporation Apparatus and a method for an optical fiber interface
US5155786A (en) * 1991-04-29 1992-10-13 International Business Machines Corporation Apparatus and a method for an optical fiber interface
US5179609A (en) * 1991-08-30 1993-01-12 At&T Bell Laboratories Optical assembly including fiber attachment
EP0565999A2 (de) * 1992-04-16 1993-10-20 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur optischen Kopplung von zwei Gruppen von Wellenleitern
DE4220135A1 (de) * 1992-06-15 1993-12-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Ankoppeln von Photoelementen an integriert-optische Schaltungen in Polymertechnologie
US5257336A (en) * 1992-08-21 1993-10-26 At&T Bell Laboratories Optical subassembly with passive optical alignment
DK0603549T3 (da) * 1992-11-25 2000-09-04 Bosch Gmbh Robert Anordning til at forbinde et lysudsendende element med et lysoopfangende element
DE4313486C2 (de) * 1992-11-25 1994-09-01 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters an mindestens ein lichtaussendendes oder -empfangendes Element
DE4313493A1 (de) * 1992-11-25 1994-05-26 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters an ein lichtaussendendes oder -empfangendes Element
US5337398A (en) * 1992-11-30 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Single in-line optical package
DE4300652C1 (de) * 1993-01-13 1994-03-31 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer hybrid integrierten optischen Schaltung und Vorrichtung zur Emission von Lichtwellen
DE4301456C1 (de) * 1993-01-20 1994-06-23 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters
DE69416016T2 (de) * 1993-02-23 1999-07-15 The Whitaker Corp., Wilmington, Del. Faseroptische Kopplungseinrichtung
JP3484543B2 (ja) * 1993-03-24 2004-01-06 富士通株式会社 光結合部材の製造方法及び光装置
CA2117003A1 (en) * 1993-04-13 1994-10-14 Dana Craig Bookbinder Method of encapsulating optical components and products produced by that method
US5390271A (en) * 1993-05-03 1995-02-14 Litton Systems, Inc. Optical interface for hybrid circuit
ES2078863B1 (es) * 1993-09-10 1996-08-01 Telefonica Nacional Espana Co Cabeza optica fotodetectora.
US5625732A (en) * 1993-11-05 1997-04-29 Motorola Optical interface unit with detachable photonic device
US5416870A (en) * 1993-12-03 1995-05-16 Motorola, Inc. Optoelectronic interface device and method with reflective surface
DE69431512T2 (de) * 1993-12-27 2003-06-18 Nec Corp., Tokio/Tokyo Lichtempfängerstruktur für optische Vorrichtungen vom Wellenleitertyp
US5420953A (en) * 1994-02-17 1995-05-30 The Whitaker Corporation Optoelectronic integration of holograms using (110) oriented silicon on (100) oriented silicon waferboard
US5434940A (en) * 1994-03-24 1995-07-18 The Whitaker Corporation Active fiber needle
USRE40150E1 (en) 1994-04-25 2008-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fiber optic module
DE4416563C1 (de) * 1994-05-11 1995-07-20 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung von optoelektronischen Komponenten und Lichtwellenleitern aneinander
US5479540A (en) * 1994-06-30 1995-12-26 The Whitaker Corporation Passively aligned bi-directional optoelectronic transceiver module assembly
US5500910A (en) * 1994-06-30 1996-03-19 The Whitaker Corporation Passively aligned holographic WDM
JP3345518B2 (ja) * 1994-09-28 2002-11-18 株式会社東芝 光半導体モジュールの製造方法
DE4436204C1 (de) * 1994-09-29 1996-03-21 Siemens Ag Optische Kopplungsanordnung
US5911022A (en) * 1994-09-29 1999-06-08 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling arrangement
DE4440935A1 (de) * 1994-11-17 1996-05-23 Ant Nachrichtentech Optische Sende- und Empfangseinrichtung
US5717533A (en) 1995-01-13 1998-02-10 Methode Electronics Inc. Removable optoelectronic module
US5546281A (en) 1995-01-13 1996-08-13 Methode Electronics, Inc. Removable optoelectronic transceiver module with potting box
US6220878B1 (en) 1995-10-04 2001-04-24 Methode Electronics, Inc. Optoelectronic module with grounding means
US5987202A (en) * 1995-01-18 1999-11-16 Robert Bosch Gmbh Arrangement for converting optical signals into electrical signals and method of producing the arrangement
US5694048A (en) * 1995-02-24 1997-12-02 The Whitaker Corporation Monitor-detector assembly on silicon wafer board
US5617036A (en) * 1995-02-24 1997-04-01 The Whitaker Corporation Laser/pin assembly with integrated burn-in assembly
JP3592406B2 (ja) * 1995-07-10 2004-11-24 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
US5604836A (en) * 1995-12-11 1997-02-18 United Technologies Corporation Optical fiber entry strain relief interface for compression-molded structures
WO1997032344A1 (en) * 1996-02-28 1997-09-04 The Whitaker Corporation Packaging for optoelectronic device
US5692084A (en) * 1996-06-11 1997-11-25 The Whitaker Corporation Package for an optoelectronic device
US5692083A (en) * 1996-03-13 1997-11-25 The Whitaker Corporation In-line unitary optical device mount and package therefor
SE510049C2 (sv) * 1996-03-25 1999-04-12 Ericsson Telefon Ab L M Anordning för att ansluta minst en vågledare till en optisk sändare eller mottagare
JPH09307134A (ja) * 1996-05-13 1997-11-28 Fujitsu Ltd 受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット
US5764836A (en) * 1996-06-11 1998-06-09 The Whitaker Corporation Pigtailed package for an optoelectronic device
US6850475B1 (en) 1996-07-30 2005-02-01 Seagate Technology, Llc Single frequency laser source for optical data storage system
US5940549A (en) * 1996-07-30 1999-08-17 Seagate Technology, Incorporated Optical system and method using optical fibers for storage and retrieval of information
US6061323A (en) * 1996-07-30 2000-05-09 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an improved surface micro-machined mirror
US6044056A (en) 1996-07-30 2000-03-28 Seagate Technology, Inc. Flying optical head with dynamic mirror
US6034938A (en) * 1996-07-30 2000-03-07 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an optical processing flying head
US6226233B1 (en) 1996-07-30 2001-05-01 Seagate Technology, Inc. Magneto-optical system utilizing MSR media
US6081499A (en) * 1997-05-05 2000-06-27 Seagate Technology, Inc. Magneto-optical data storage system having an optical-processing flying head
US6178150B1 (en) 1996-07-30 2001-01-23 Seagate Technology Inc. Offset optics for use with optical heads
US5872880A (en) * 1996-08-12 1999-02-16 Ronald S. Maynard Hybrid-optical multi-axis beam steering apparatus
JP3417767B2 (ja) * 1996-08-29 2003-06-16 株式会社東芝 単結晶部品の製造方法
US6282352B1 (en) * 1997-04-08 2001-08-28 Hitachi, Ltd. Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus
JPH10303466A (ja) 1997-04-28 1998-11-13 Nec Corp 光半導体装置及び製造方法
US5889641A (en) * 1997-05-05 1999-03-30 Seagate Technology, Inc. Magneto-resistive magneto-optical head
WO1998050809A1 (de) * 1997-05-06 1998-11-12 Ascom Tech Ag Ein-/auskoppeleinrichtungen für strahlungsleiter in einem kommunikationsnetz
US6020628A (en) * 1997-07-21 2000-02-01 Olin Corporation Optical component package with a hermetic seal
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US6240113B1 (en) 1998-02-27 2001-05-29 Litton Systems, Inc. Microlaser-based electro-optic system and associated fabrication method
JPH11274546A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体受光素子
US6179627B1 (en) 1998-04-22 2001-01-30 Stratos Lightwave, Inc. High speed interface converter module
US6203333B1 (en) 1998-04-22 2001-03-20 Stratos Lightwave, Inc. High speed interface converter module
GB2335504B (en) * 1998-05-28 2000-01-26 Bookham Technology Ltd Assembly of optical component and optical fibre
US6328482B1 (en) 1998-06-08 2001-12-11 Benjamin Bin Jian Multilayer optical fiber coupler
US6521989B2 (en) 1998-10-08 2003-02-18 Honeywell Inc. Methods and apparatus for hermetically sealing electronic packages
DE19861162A1 (de) * 1998-11-06 2000-06-29 Harting Elektrooptische Bauteile Gmbh & Co Kg Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie Leiterplatte
US7208725B2 (en) * 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
US6588949B1 (en) * 1998-12-30 2003-07-08 Honeywell Inc. Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices
TW460717B (en) * 1999-03-30 2001-10-21 Toppan Printing Co Ltd Optical wiring layer, optoelectric wiring substrate mounted substrate, and methods for manufacturing the same
US7013088B1 (en) 1999-05-26 2006-03-14 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for parallel optical interconnection of fiber optic transmitters, receivers and transceivers
US6213651B1 (en) 1999-05-26 2001-04-10 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for vertical board construction of fiber optic transmitters, receivers and transceivers
US6873800B1 (en) 1999-05-26 2005-03-29 Jds Uniphase Corporation Hot pluggable optical transceiver in a small form pluggable package
US6901221B1 (en) 1999-05-27 2005-05-31 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for improved optical elements for vertical PCB fiber optic modules
US20020033979A1 (en) * 1999-05-27 2002-03-21 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US6952532B2 (en) * 1999-05-27 2005-10-04 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20040069997A1 (en) * 1999-05-27 2004-04-15 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20010030789A1 (en) * 1999-05-27 2001-10-18 Wenbin Jiang Method and apparatus for fiber optic modules
US7116912B2 (en) * 1999-05-27 2006-10-03 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for pluggable fiber optic modules
US6632030B2 (en) 1999-05-27 2003-10-14 E20 Communications, Inc. Light bending optical block for fiber optic modules
US20020030872A1 (en) * 1999-05-27 2002-03-14 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20010048793A1 (en) * 1999-05-27 2001-12-06 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US7090509B1 (en) 1999-06-11 2006-08-15 Stratos International, Inc. Multi-port pluggable transceiver (MPPT) with multiple LC duplex optical receptacles
US7004644B1 (en) 1999-06-29 2006-02-28 Finisar Corporation Hermetic chip-scale package for photonic devices
DE19929878A1 (de) * 1999-06-29 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile und Verfahren zur Herstellung
US6220873B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Stratos Lightwave, Inc. Modified contact traces for interface converter
DE19947113C2 (de) * 1999-09-30 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Oberflächenmontierbares faseroptisches Sende- und Empfangsbauelement mit beim Zusammenbau justierbarem Umlenkreceptacle
US6325551B1 (en) 1999-12-08 2001-12-04 New Focus, Inc. Method and apparatus for optically aligning optical fibers with optical devices
US6632029B1 (en) 1999-12-22 2003-10-14 New Focus, Inc. Method & apparatus for packaging high frequency components
US6792178B1 (en) 2000-01-12 2004-09-14 Finisar Corporation Fiber optic header with integrated power monitor
US6642613B1 (en) * 2000-05-09 2003-11-04 National Semiconductor Corporation Techniques for joining an opto-electronic module to a semiconductor package
US6477303B1 (en) * 2000-05-15 2002-11-05 Litton Systems, Inc. MEMS optical backplane interface
US7345316B2 (en) * 2000-10-25 2008-03-18 Shipley Company, L.L.C. Wafer level packaging for optoelectronic devices
US6913400B2 (en) * 2000-11-03 2005-07-05 Tyco Electronics Corporation Optoelectric module for multi-fiber arrays
US6932519B2 (en) 2000-11-16 2005-08-23 Shipley Company, L.L.C. Optical device package
EP1207412A3 (de) * 2000-11-16 2004-03-17 Infineon Technologies AG Optoelektronisches Mikromodul
US6827503B2 (en) * 2000-12-01 2004-12-07 Shipley Company, L.L.C. Optical device package having a configured frame
US6883977B2 (en) * 2000-12-14 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Optical device package for flip-chip mounting
DE10065624C2 (de) 2000-12-29 2002-11-14 Hans Kragl Kopplungsanordnung zum optischen Koppeln eines Lichtwellenleiters mit einem elektro-optischen oder opto-elektrischen Halbleiterwandler
US6829419B1 (en) * 2001-03-14 2004-12-07 Zygo Corporation Fiber array alignment
NL1017619C2 (nl) * 2001-03-16 2002-10-07 Koninkl Kpn Nv Methode voor het in een gebouw aanbrengen van een breedband infrastructuur door middel van optische vezels.
US7167499B2 (en) * 2001-04-18 2007-01-23 Tcz Pte. Ltd. Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system
US20020195417A1 (en) * 2001-04-20 2002-12-26 Steinberg Dan A. Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
DE10130892C1 (de) * 2001-06-27 2003-03-27 Siemens Ag Gehäuse für elektrische Baugruppen
US7078671B1 (en) 2001-08-06 2006-07-18 Shipley Company, L.L.C. Silicon optical microbench devices and wafer-level testing thereof
US6818464B2 (en) * 2001-10-17 2004-11-16 Hymite A/S Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes
JP2003207694A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Nec Corp 光モジュール
US6944377B2 (en) 2002-03-15 2005-09-13 Hitachi Maxell, Ltd. Optical communication device and laminated optical communication module
EP1345298A1 (en) * 2002-03-16 2003-09-17 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Wavelength monitoring apparatus and method therefor
US6786654B2 (en) * 2002-08-21 2004-09-07 Hymite A/S Encapsulated optical fiber end-coupled device
KR100624405B1 (ko) * 2002-10-01 2006-09-18 삼성전자주식회사 광부품 실장용 기판 및 그 제조방법
US6856749B2 (en) 2002-10-10 2005-02-15 Fitel Technologies, Inc. Optical coupling and alignment device
KR100499273B1 (ko) * 2002-10-21 2005-07-01 한국전자통신연구원 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치 및이를 이용한 광 스위치 패키지와 그 제조 방법
US20050094949A1 (en) * 2002-10-25 2005-05-05 Jan Mink Hermetically sealed package for an electro-optic device
US6969204B2 (en) * 2002-11-26 2005-11-29 Hymite A/S Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package
US7018580B2 (en) * 2002-12-18 2006-03-28 General Electric Company Method and apparatus for forming tapered waveguide structures
US7263248B2 (en) * 2003-02-11 2007-08-28 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical via to pass signals through a printed circuit board
JP3947481B2 (ja) * 2003-02-19 2007-07-18 浜松ホトニクス株式会社 光モジュール及びその製造方法
US7038900B2 (en) * 2003-02-27 2006-05-02 Greatbatch-Sierra, Inc. EMI filter terminal assembly with wire bond pads for human implant applications
US7534052B2 (en) * 2003-04-30 2009-05-19 Fujikura Ltd. Optical transceiver and optical connector
JP3807385B2 (ja) 2003-05-14 2006-08-09 セイコーエプソン株式会社 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
TWI254025B (en) * 2003-05-23 2006-05-01 Rohm & Haas Elect Mat Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby
EP1515364B1 (en) 2003-09-15 2016-04-13 Nuvotronics, LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
TWM241892U (en) * 2003-10-03 2004-08-21 Foci Fiber Optic Communication A silicon optical bench based bi-directional transceiver module
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
US7146080B2 (en) * 2004-03-11 2006-12-05 Lambda Crossing, Ltd. Method of connecting an optical element to a PLC
US7224870B2 (en) * 2004-03-11 2007-05-29 Lambda Crossing Method of coupling fiber to waveguide
US20050201668A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Avi Neta Method of connecting an optical element at a slope
US7681306B2 (en) * 2004-04-28 2010-03-23 Hymite A/S Method of forming an assembly to house one or more micro components
US7306378B2 (en) * 2004-05-06 2007-12-11 Intel Corporation Method and apparatus providing an electrical-optical coupler
EP1602953A1 (en) * 2004-05-31 2005-12-07 STMicroelectronics S.r.l. A package for housing at least one electro-optic element and the corresponding assembly method
KR101181501B1 (ko) * 2004-09-13 2012-09-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 마이크로-머신 구조들에 밀봉으로 패키징된 광 모듈
US7782921B2 (en) * 2005-03-28 2010-08-24 Intel Corporation Integrated optical detector in semiconductor reflector
JP2007003906A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 光伝送路保持部材と光モジュール
WO2007102806A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-13 Molex Incorporated Optical fiber data link
JP5328095B2 (ja) * 2006-10-27 2013-10-30 京セラ株式会社 光伝送基板、光電子混載基板、光モジュールおよび光電気回路システム
US20090154872A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-18 Sherrer David S Electronic device package and method of formation
US8490678B2 (en) * 2008-06-02 2013-07-23 Gerald Ho Kim Silicon-based thermal energy transfer device and apparatus
US8238401B2 (en) * 2008-08-25 2012-08-07 Gerald Ho Kim Silicon-based lens support structure for diode laser
US9008147B2 (en) * 2008-08-25 2015-04-14 Gerald Ho Kim Silicon-based lens support structure and cooling package with passive alignment for compact heat-generating devices
US9042424B2 (en) * 2008-08-25 2015-05-26 Gerald Ho Kim Silicon-based lens support structure and cooling package with passive alignment for compact heat-generating devices
EP2541295B1 (en) * 2010-02-23 2017-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical module
JP5610156B2 (ja) * 2011-01-31 2014-10-22 日立金属株式会社 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP5614724B2 (ja) * 2011-01-31 2014-10-29 日立金属株式会社 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
US20120241600A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Centera Photonics Inc. Optical electrical module
US9057850B2 (en) 2011-03-24 2015-06-16 Centera Photonics Inc. Optoelectronic module
US8940563B2 (en) 2011-03-24 2015-01-27 Centera Photonics Inc. Method for manufacturing optoelectronic module
DE112012002567B4 (de) * 2011-06-22 2022-11-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optisches Modul
JP5847473B2 (ja) * 2011-07-21 2016-01-20 シチズンホールディングス株式会社 光モジュール
US11009788B2 (en) 2011-09-09 2021-05-18 Centera Photonics Inc. Method for manufacturing optical electrical module and substrate of an optical electrical module
US9581772B2 (en) * 2011-09-09 2017-02-28 Centera Photonics Inc. Optical electrical module used for optical communication
TWI468754B (zh) * 2012-04-12 2015-01-11 Ct A Photonics Inc 光電模組
US20130270255A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-17 Gerald Ho Kim Silicon-Based Cooling Package With Preheating Capability For Compact Heat-Generating Devices
US9389374B2 (en) * 2013-03-28 2016-07-12 Corning Cable Systems Llc Fiber optic sub-assembly with low profile
KR101741223B1 (ko) * 2015-06-11 2017-05-29 주식회사 지피 다채널 광수신 모듈 및 다채널 광수신 모듈의 광정렬 방법
EP3828033B1 (en) * 2016-02-04 2024-04-24 TS Tech Co., Ltd. Lighting device
DE102016215076A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Sicoya Gmbh Photonisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
US10534143B1 (en) 2018-09-20 2020-01-14 Waymo Llc Methods for optical system manufacturing
US11525967B1 (en) 2018-09-28 2022-12-13 Apple Inc. Photonics integrated circuit architecture
WO2022020257A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27 Apple Inc. Photonic integrated circuits with controlled collapse chip connections
US11957804B2 (en) * 2020-09-28 2024-04-16 The Boeing Company Optical disinfection systems having side-emitting optical fiber coupled to high-energy UV-C laser diode
WO2023283294A1 (en) 2021-07-08 2023-01-12 Apple Inc. Light source modules for noise mitigation
CN114141887A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 纽威仕微电子（无锡）有限公司 一种光电转换电路封装工艺
US12111207B2 (en) 2022-09-23 2024-10-08 Apple Inc. Despeckling in optical measurement systems
WO2025240702A1 (en) * 2024-05-16 2025-11-20 Quantinuum Llc High density optical interconnects to confinement apparatuses

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7505629A (nl) * 1975-05-14 1976-11-16 Philips Nv Inrichting voor het koppelen van een lichtbron met een optische vezel.
US4119363A (en) * 1976-03-18 1978-10-10 Bell Telephone Laboratories Incorporated Package for optical devices including optical fiber-to-metal hermetic seal
US4143385A (en) * 1976-09-30 1979-03-06 Hitachi, Ltd. Photocoupler
US4130343A (en) * 1977-02-22 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Coupling arrangements between a light-emitting diode and an optical fiber waveguide and between an optical fiber waveguide and a semiconductor optical detector
US4357072A (en) * 1978-01-28 1982-11-02 Plessey Handel Und Investments Ag Sealing optical fibres into packages
US4186994A (en) * 1978-04-21 1980-02-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Arrangement for coupling between an electrooptic device and an optical fiber
FR2426347A1 (fr) * 1978-05-18 1979-12-14 Thomson Csf Source laser a semi-conducteur et son procede de fabrication
US4301462A (en) * 1978-08-03 1981-11-17 Westinghouse Electric Corp. Light activated silicon switch with etched channel in cathode base and anode emitter communicating with cladded optical fiber
CA1108899A (en) * 1978-08-17 1981-09-15 Rca Limited Light detector housing for fiber optic applications
US4210923A (en) * 1979-01-02 1980-07-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Edge illuminated photodetector with optical fiber alignment
JPS571288A (en) * 1980-06-03 1982-01-06 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting device
JPS5758115A (en) * 1980-09-26 1982-04-07 Toshiba Corp Photocoupler
DE3142918A1 (de) * 1981-10-29 1983-05-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Opto-elektrische koppelanordnung
EP0101872B1 (en) * 1982-07-19 1990-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Duplex optical communication module device
JPS5925282A (ja) * 1982-08-02 1984-02-09 Fujitsu Ltd 光伝送路付光半導体パツケ−ジ
JPS5982779A (ja) * 1982-11-02 1984-05-12 Agency Of Ind Science & Technol 光集積回路実装方法
US4611884A (en) * 1982-11-24 1986-09-16 Magnetic Controls Company Bi-directional optical fiber coupler
JPS59185306A (ja) * 1983-04-07 1984-10-20 Agency Of Ind Science & Technol 光集積回路の実装法
JPS6024082A (ja) * 1983-07-19 1985-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ発振器
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
US5009476A (en) * 1984-01-16 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein
US4608586A (en) * 1984-05-11 1986-08-26 At&T Bell Laboratories Back-illuminated photodiode with a wide bandgap cap layer
US4699449A (en) * 1985-03-05 1987-10-13 Canadian Patents And Development Limited-Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee Optoelectronic assembly and method of making the same
US4695120A (en) * 1985-09-26 1987-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Optic-coupled integrated circuits
US4732446A (en) * 1985-10-02 1988-03-22 Lamar Gipson Electrical circuit and optical data buss
US4854658A (en) * 1985-10-16 1989-08-08 British Telecommunications Public Limited Company Radiation deflector assembly
DE3543558C2 (de) * 1985-12-10 1996-09-19 Licentia Gmbh Opto-elektrische Koppelanordnung
US4779946A (en) * 1986-02-14 1988-10-25 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Microminiature optical assembly
US4807238A (en) * 1986-03-12 1989-02-21 Ricoh Co., Ltd. A semiconductor laser device

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