JPH029183A - オプトエレクトロニック・デバイス用サブアセンブリ - Google Patents

オプトエレクトロニック・デバイス用サブアセンブリ

Info

Publication number
JPH029183A
JPH029183A JP1050195A JP5019589A JPH029183A JP H029183 A JPH029183 A JP H029183A JP 1050195 A JP1050195 A JP 1050195A JP 5019589 A JP5019589 A JP 5019589A JP H029183 A JPH029183 A JP H029183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
subassembly
lid
base
groove
fiber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1050195A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0766985B2 (ja
Inventor
Greg E Blonder
グレッグ　イー．ブロンダー
Bertrand H Johnson
バートランド　ハロルド　ジョンソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Inc
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22591028&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH029183(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH029183A publication Critical patent/JPH029183A/ja
Publication of JPH0766985B2 publication Critical patent/JPH0766985B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/4277—Protection against electromagnetic interference [EMI], e.g. shielding means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4234—Passive alignment along the optical axis and active alignment perpendicular to the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
    • G02B6/4231—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment with intermediate elements, e.g. rods and balls, between the elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光波用装置に関するものであり、さらに詳し
くは、フォトダイオードと発光ダイオード（Ｌ　Ｅ　Ｄ
）のようなオプトエレクトロニクス・デバイスを包装し
たがってパッケージするのに使用されるサブアセンブリ
　（副集成部品）に関するものである。
（従来技術） 個別型のオプトエレクトロニクス・デバイスのための従
来のパンケージは、通常多様な異なる材料である金属、
ガラス、セラミック等から作製され、組立時に構成部品
の比較的複雑な操作・調節を行なわなければならなかっ
た。米国特許第４．３５７．０７２号（ＬＥＤ）　、第
４，１１９．３６３号（レーザ）、第４．２３３．６１
９号（光検出器）が例えばあげられる。組立は、構成部
品を所望の位置に配置するため３次元で構成部品を操作
・調節する工程を有していた。例えば、デバイスを基板
に対して位置合わせし、ファイバーをフェルールに対し
て位置合わせし、フェルールをパッケージに対して位置
合わせし、最後にパッケージをデバイスに対して位置合
わせしていた。これらの位置合わせの段階は大へん特殊
で高価な機材に依存していた。
−Ｃには、したがって、このような形態ではＺ軸での組
立は不可能であった。つまり、Ｘ−Ｙ平面内で必要とな
るさらなる方向がないにもかかわらず、構成部品を基板
に対して垂直なＺ軸に沿って簡単に移動させることがで
きず基板上に簡単に配置することができなかった。
さらに、パッケージが異なる材料を含むため、雰囲気の
温度が変化しても位置合わせが適切になされるように熱
膨張係数が調整されることが保証されるよう、細心の注
意が必要であった。勿論、不安定性は構成部品の機械的
運動をひきおこし、結果として例えばデバイスとファイ
バーの間の光学的結合を減少させる。このような状況の
ため、パッケージの設計者は熱の減衰と安定性の基準と
の間で妥協しなければならない。最後の最後としては、
コストが増加してしまう。
いくつかの高価な応用としては、超長距離伝送システム
において、このようなパッケージの作製が比較的高いコ
ストでも黙認できる。しかしながら、コストに敏感な高
容量の応用、例えば中央の交換局若しくは遠隔の端末と
加入者自宅（加入者ループとして知られる。）との間光
波通信システムにおいて、このようなパッケージの高い
コストは不適切なものとなる。
したがって、以下のようなパッケージの形成の試みが望
まれる。（１）小片の製造と、部品の位置合わせと、パ
ンケージの閉止とのため、可能なかぎり商業的に利益の
ある装置を使用する試みと、（２）広範囲にわたる装置
の取り替えや新規な組立技術を必要としないで、異なる
応用に対して、異なったサイズのパッケージを適応させ
る試みである。
たとえば、一方において、二重インラインパッケージ（
ＤＩＲ）のヘソグーの内部に適合し１２５μｍの直径の
ファイバーを取付けることができるサブアセンブリを得
ることが望まれ、他方において、より大きな直径の一フ
ァイバーを取付けることができ、プリント回路基板（Ｐ
Ｃ基板）面上に載置された別のサブアセンブリを得るこ
とが望まれる。通常は、このような２つのデザイン従っ
て形態の作製には装置等の取り替えが必要であるが、こ
のような取り替えはコストと共通性の理由から望ましく
ない。
（問題を解決するための手段） 一面において本発明はシリコン等の単結晶半導体を基本
材料として使用している。この基本材料から、オプトエ
レクトロニクス”ＡＨしたがってオプトエレクトロニク
ス・デバイスを包装するサブアセンブリが構成され、シ
リコンの小片したがって断片材料を造形しその上に金属
を堆積（デポジット）するための多くの周知の技術を利
用する。
このようなシリコンの使用は、“シリコンの光学的工作
（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｂｅｎｃｈ）　”
の技術と呼ばれる。
シリコン技術の成熟は多くのことを意味する。
第１に、多数のシリコン処理技術が利用でき、したがっ
て、この技術を特に発展させる必要はない。
第２に、多数の商業的に活用できる機材が利用でき、こ
のような機材は大量生産によってすでに年ごとに低価格
化している。第３に、このような技術と機材の使用によ
り、様々な形状のシリコン小片したがって断片部分を比
較的簡単で安価なフォトリソグラフィ技術によって作製
することができ、大きな容積を必要としないためコスト
面で効果的である。
本願発明の一実施例によれば、サブアセンブリは、シリ
コンの基部上に載置されたオプトエレクトロニクス装置
したがってオプトエレクトロニクス・デバイスを有し、
以下の特徴の１つ以上を有する。ｆｌ）光ファイバーを
案内するため溝部が基部中に設けられており、反射器が
溝部の端部面上に形成されている。装置したがってデバ
イスがこの反射器の上方に配置され、この反射器はこの
装置したがってデバイスとファイバーの間で光を偏向さ
せる。反射器上に装置したがってデバイスを配置するこ
とはＸ−Ｙ面内で行なわれる唯一の積極的な位置合わせ
（アライメント）の段階である。
他のすべての位置合わせは二の小片の形状によって自動
的に達成することができる。（２）電気接点が基部上に
配置され、その一つの接点は溝部の端部面に重さなるよ
うにされ反射器を形成している。
（３）シリコンの蓋部が基部上に配置され、その蓋部の
少なくとも一つの寸法は基部のうちの対応するものより
も小さく、蓋部の下部からサブアセンブリの外部へ接点
が突出している。（４）蓋部はデバイスを受は入れる空
間部と、溝部とを有す。この溝部は、基部中の溝部に位
置合わせされてファイバーの被覆部分が配置されるチャ
ンネル（通路部）を形成する。（５）移動止めしたがっ
て戻り止めが基部及び蓋部中に設けられこれらを互いに
位置合わせする。（６）基部及び蓋部の外部側の部分は
、グランドシールを提供するためかつパッケージの残部
に対して電気接点を形成する場所を提供するために金属
化処理したがってメタライゼーション処理が行なわれる
。
適当なコーティングによって不活性化されたフォトダイ
オード等の装置したがってデバイスのための他の実施例
においては、蓋部中の開口が空間部と連通しており、コ
ーティングがこれを通して注入される。
気密封止が必要なフォトダイオード等のデバイスのため
のさらに他の実施例においては、基部及び蓋部は透明な
板部材によって分離されており、蓋部は板部材に対して
密封され、装置とファイバーの間で伝送される光は該板
部材を通過する。
ファイバーと装置の間にレンズが使用されるさらに他の
実施例においては、レンズを適当な開口で保持するシリ
コンの板部材が基部と蓋部の間に配置される。
本発明は、その様々な特徴と利点を含めて、添付の図面
と合わせて以下の実施例において、容易に理解できるも
のとなる。ただしこの場合において、多様の図面は模式
的なものであって、明確のために拡大・縮少の図となっ
ていない。
（実施例） 第１図から第３図に関連して、二重インライン・パッケ
ージ（ＤＩＰ）内に封入された本願発明の一実施例の副
集成部品したがってサブアセンブＩ７１０を示す。しか
しながら、他のパッケージ形態、例えばモールド形成品
でも適合可能である。
ＤＩＰの形状内には、副集成部品したがってサブアセン
ブリ１０が、ＤＩＰヘッダ１４内に挿入されたリードフ
レーム１２」二に載置されている。カバ一部１６は、光
ファイバー２０をサブアセンブリ１０からパッケージ外
に延在させることができるようにスロット１８を有する
。ファイバー２０は、サブアセンブリ内のオプトエレク
トロニクス・デバイス（例えば、フォトダイオード１１
）から及び／又はへ光波信号が伝えられることを可能に
する。
サブアセンブリ１０は、本発明によって単結晶半導体か
ら構成される。好ましくは、この半導体はシリコンであ
るが、前に議論されているように処理と設備の立場から
、成熟したシリコン半導体技術を活用するためである。
さらに、この形態によれば、Ｘ−Ｙ平面で行なわれてい
た多数回の位置合わせが一度に減少する。したがって、
本願発明は、Ｚ軸位置台わせの仰＃４ものに有利に近づ
く。
より明確に、第４図から第７図は、フォトダイオードの
ためのサブアセンブリＩＯを示しており、このサブアセ
ンブリ１０は、フォトダイオードが上に載置された単結
晶シリコン基部２２を有しており、単結晶シリコンの蓋
部２４が配置される。
そして、光ファイバー２０は、この基部と蓋部との間の
境界に沿って形成された通路部に配置され、フォトダイ
オードと光学的に結合される。本願発明は、以下の特徴
のうち１つまたはそれ以上の特徴を有す。
（１）異方性エツチングされた並んだ状態の溝部（基板
中は３０及び３２、蓋部中は３４゜）は、ファイバー２
０のひずみ除去と位置合わせのためのものである。基部
中の溝部３０は、蓋部中の溝部３４に位置合わせされて
ファイバー２０の被覆部分２１を受容し、溝部３４の幅
は溝部３０の幅よりわずかに小さく、被覆部分２１がぴ
ったり嵌合してひずみを除去し又は引張りを除去する。
他方、溝部３２は溝部３０と並んで基部中に形成される
が、かなり小さな幅でファイバー２０の露出端部分２３
を受容し位置合わせする。並んだ状態にされた溝部の使
用は、ファイバーの被１物したがってコーティング材（
たとえば、ウレタン）の形状及び構造の強度が異なる環
境状態（たとえば、湿度）で十分に制御されず被覆物し
たがってコーティング材が位置合わせの目的に替えられ
ない場合に、好ましい。他方、いくつかのファイバーの
被覆物したがってコーティング材（たとえば、ポリイミ
ド樹脂）は位置合わせの目的に適合し、この場合、基部
中の並んだ状態の溝も蓋部中の溝部も使用される必要が
なく、上記基部がファイバー２１の被覆部分を蓋部の底
部に対して保持するための溝部分を有するだけでよい。
（２）溝部がエツチングされた後、基部は酸化処理（た
とえば、１−１０．ｃｒｍのＳｉｎｇの形成）されて金
属化処理したがってメタライゼイション処理（ｍｅｔａ
ｌｉｚａｔｉｏｎ）され、標準的フォトリソグラフィ技
術が使用されて電気接点４０と４２が配線される。酸化
層（図示せず。）は、電気接点がシリコンを介して短絡
されることを防止し、相互キャパシタンスを減少させる
。第４図に示したように、接点４０は溝部の端部面と重
なっており反射器４４である偏向ミラーを形成する。勿
論、接点４０と反射器４４とは、必要ならば分離するこ
ともできる。基部の主表面が結晶学面（１００）である
場合は、端部面は結晶学面（１１１）であり、したがっ
て反射器４４は５４．７“の角に向けられている。後者
は、ファイバー用の機械的停止部材及びファイバ−２０
端部から発散する光の偏向器として役立つ。反射光はフ
ォトダイオード２０の感光領域に入射させられる。ミラ
ー（反射鏡）４４は角度４５°に設定されてないが、光
をフォトダイオード内に結合するには十分であり、ファ
イバーの軸とフォトダイオードの軸を約±１μｍに位置
合わせすることが可能となる（この場合上５μｍの正確
さが要求される。）。
（３）　　フォトダイオードは、例えばＩｎＰ／ＩｎＧ
ａＡｓの後方照射タイプのもので、米国特許第４．６０
８，５０６号のオー、ケー、キム（０，Ｋ、　Ｋｉｍ）
によって記述されたタイプのものである。つまり、この
素子は、その基板上のメタライゼーション処理部の開口
を通して照射され、これによって光をフォトダイオード
の感光領域に入来させることができる。フォトダイオー
ドの基板のメタライゼーション処理部が接点４０に接着
され、フォトダイオードはＸ７面内で位置合わせされ、
その感光領域がミラー４４上に配される。有利なことに
は、この段階が、組立手順において要求されるたった一
つの能動的位置合わせである。位置合わせの後、フォト
ダイオードの上部接点がワイヤボンド４６を介して接点
４２に第５図のように接続される。
（４）基部、蓋部、接点の寸法は、接点４ｏと４２の端
部のバンド部が第６図及び第７図のごとく蓋部の下から
外側に延在するように、相互に適合するようになされて
いる。これにより、リードフレームに対してワイヤボン
ドを形成することができる。第１図に、このようなボン
ド４８を示した。
（５）蓋部と基部は移動止め５９により相互に位置合わ
せされる。詳しく説明すると、このような移動止め５０
は蓋部及び基部にエツチングされた小さなピラミッド形
状の穴であり、基部の各穴内のボールの支持部材によっ
て単に基部と蓋部とをステップ嵌めすることで楽に位置
合わせができる。
このボールは多種の材料、例えば金属、サファイア、タ
ングステンカーバイドから作ることができる。この技法
は、捕捉領域したがってキャプチャ・レンジ（ｃａｐｔ
ｕｒｅ　ｒａｎｇｅ）が比較的大きいが、ボールが曲線
形状を有しておりわずかに位置ずれしている蓋部を容易
に位置合わせすることができるからである。これに加え
、蓋部と基部の位置合わせを一度に１回ずつ行なわない
ばかりでな（、基部がウェハーから切り出されるという
ことと、基部が分離される前にフォトダイオードをその
上に載置でき蓋部が適切な位置に置かれる前に試験され
バーンイン（ｂｕｒｎ−ｉｎ）されうろことが利点であ
る。若しくは、基部は、Ｎ個のフォトダイオードが載置
される前にＩＸＮの細片に切断されてもよい。蓋部の同
様のＩＸＮの細片が基部の上記細片に位置合わせされる
のであるが、例えばこの場合において、個々の蓋部及び
基部に設けられたＦｉｔ２＋の移動止めでなくこの細片
の各端部に設けられた一対の移動止めが使用されうる。
（６）第７図に示したように、蓋部は空間部２６と一対
の開口５２．５４とを有する。蓋部が配置されたとき、
フォトダイオード１１が空間部内に配置されて、煙突形
状の開口５２によって適当なコーティング（不活性化の
ためのシリコーン等）がこれを通って挿入され（そして
硬化され）フォトダイオードを覆うようにすることがで
きる。同様に、開口５４によって、エポキシ又は他の接
着材が挿入され、ファイバー２０の位置をサブアセンブ
リ内に固定する。しかしながら、不活性化又は密封形態
が要求されない場合は、開口５２をなくしてもよい。同
様に、ファイバーがサブアセンブリ中へ又は中から摺動
する必要がある場合はく例えば、差込み型のとき）、エ
ポキシ接着材と開口５４はなくしてもよい。
（７）　　システムの明細事項がフォトダイオードが密
封型シールされることを必要とする場合、ファイバーの
被覆部分がフォトダイオードと同様の密封環境におかれ
ることは一般に望ましくない。この場合、第１１図に示
したタイプの形態が用いられる。ここで、透明板部材５
６がシリコンの蓋部及びシリコンの基部２２の間に配置
される。この板部材は多数の材料から作ることができ、
例えば、ガラス材、シリコン、若しくはシリコン基板−
シリコン酸化物層の複合物が含まれる。このシリコン基
板−シリコン酸化物の複合物の基板上にエツチングによ
って開孔を設は酸化物層を露出させるのである。蓋部２
４又は板部材上の電気接点（不図示）は第６〜７図のよ
うに蓋部の下から延在しているが、蓋部が第７図の開口
５２．５４に対応する開口を有しないのは、上述のよう
には適正なコーティングとエポキシが利用できないから
である。蓋部はその外面５８に沿って板部材５６の１方
の側に対して密封され（例えば、ろう又はガラスフリッ
トによって。）Ｍ部と板部材がフォトダイオードの密封
された封入部を形成する。基部２２は、板部材５６の反
対側に固定されており、ファイバーの露出部分２３を案
内する■溝部３２と光をファイバーから板部材を通して
フォトダイオードに再び向けるための偏向ミラー（偏向
用反射鏡）４４と、有している。
（８）蓋部の上部と基部の底部はグランド・シール（ｇ
ｒａｕｎｄ　５ｈｉｅｌｄ）を与えるためメタライゼー
ション処理したがってメタライジングが行なわれている
（図示せず。）。接着の目的で、金属が堆積又は蒸着さ
れる前に、シリコンは酸化処理される。
第１図に示すように、基部のメタライゼーション処理さ
れた底部はリード・フレーム１２に接触し、蓋部の上部
はワイヤ・ポンド４９によってこれに接続される。
第１〜７図のサブアセンブリは、シリコンの光学的工作
技術を用いて、幅約３１、長さ約４龍、厚さ約７５０μ
ｍのシリコンの小片（基部、蓋部）によって作られる。
異方性工・ノチングされた■溝部３０．３２．３４は、
直径約２５０μｍの被覆部分２１と外側直径約１２５μ
ｍの露出部分２３とを有する単一モードガラスファイバ
ー２０を受容する。シリコン上の酸化物は１０μｍの厚
さを有している。電気接点４０．４２とミラー４４とは
、Ｔｉ−Ｐ±−Ａｕの多層膜（Ｃｒ　−Ａｕの多層膜も
同様に好ましい。）で篩が最外層に設けられている。
フォトダイオード１１は、約７５μｍの活性層を有し、
共融混合物のろう（Ａｕ／Ｇｅ又は＾ｕ／Ｓｎ）によっ
て電気接点４０に接着されている。この共融混合物はフ
ォトダイオードの基板側上に蒸着されている。シリコン
の基部が非常に平坦であるため、極めて薄い層（たとえ
ば、３μｍ）のろうが使用でき、共融混合物の分離した
予備形成物のコストに関連して費用を減することができ
る。都合上、ファイバーは、製造シーフェンスからすみ
やかにサブアセンブリ内に固定されるべきでない。さも
てければ、サブアセンブリの操作、処理がやっかいにな
る。したがって、基部と、フォトダイオードと、基部と
が適所に配置された後であって適切なコーティングがな
される前に、サブアセンブリが、エポキシ又はフォトダ
イオードに使用されたものより低融点のろうでもってリ
ードフレームに接着されることが望ましい。フォトダイ
オードとグランドシールに対してワイヤボンドが形成さ
れた後、ファイバーがサブアセンブリのＶ溝部内に挿入
され適所に配置されるようエポキシで処理される。
蓋部が多用途に役立つことは明らかである。つまり、パ
ッケージ内にサブアセンブリを封入することに関連した
形成作業の間にデバイスを保護することと、デバイスを
電気的に絶縁することと、必要な場合にエポキシと適切
なコーティングとを設けることができることと、光ファ
イバーの案内をすることとである。
操作時には、このようにパッケージされたフォトダイオ
ードは比較的安価であり、十分高い収率と約０．８〜０
．９Ａ／Ｗの感度を有する。このような包装品したがっ
てパッケージが湿気中で一４０℃から＋８５℃の間で循
環されたときに、故障が観測されなかった。このパッケ
ージの周波数応答性は多くの因子に依有するが、主に酸
化物の厚さ、電気接点の面積、導線の長さに依有する。
適正に設計した場合、約２００Ｍｌ１ｚの周波数応答性
が測定された。
上記の配置構成は、発明の原理の応用を表わすよう工夫
された多くの可能な明確な具体例の説明のためのものに
すぎない。多数の有効な他の配置構成が、このような原
理に基づいて当業者によって本願発明の思想の範囲から
はずれることな（工夫することができる。殊に、第１〜
７図、第１１図のサブアセンブリは、フォトダイオード
によって検出されるファイバー中の光という見地から記
述されているが、ＬＥＤからファイバー中への光の結合
の用途に使用されてもよい。しかしながらこのようにし
た場合、ＬＥＤからの光の放射の発散はファイバー内へ
の結合効率に影響し、ＬＥＤに供給される電流が比較的
太き（適切なヒートシンクが必要となる。このような考
案が第８〜１０図に示した本願発明のＬＥＤ用の実施例
では考慮されている。同様に、大きなコアの多モード・
ファイバーが使用された場合にも、フォトダイオードの
活性層に光が集められるようにレンズが必要となろう。
第８図に示した第１のＬＥＤでの実施例は、中にＬＥＤ
７３を接着されたくぼみ部７２を有する基部７０を使用
している。基部はシリコンの小片又はＰＣ基板である。
ＬＥＤは、その感光領域（ここでその熱のほとんどが発
生される。）が基部７０に近接するように配置される。
とりわけ基部はヒートシンクとして役立ち、ＤＩＰ　（
二重インラインパッケージ）の場合は基部はリードフレ
ームに接着され、中でもこのリードフレームは付加的ヒ
ートシンクとして役立つ。蓋部７４は■溝部７５を有し
ており、このＶ溝部７５は第１〜７図のフォトダイオー
ドでの実施例と同様の方法によって端部に反射器７６が
形成されている。反射器７６は平面的に描かれてきるが
、ファイバーに入射させる光を集光するように曲率を持
たせる技術もある。ＬＥＤから放射された光は反射器に
入射し、多モードファイバー７８の端部上に結像する。
この手法は、ファイバー内への３０％の結合を得ること
ができ、２つのファクターによって逆に影響される。こ
のファクターは、ＬＤＥからの光束の発散とファイバー
の開口数（ＮＡ）特性（つまり、このＮＡは放物型屈折
率のファイバーの軸上で最大となり、軸からはずれた光
線に対しては減少してゆく。）とである。
したがって、発散の観点からは、最適のＬＥＤとファイ
バーとの距離は、ミラー（反射鏡）によって許容される
ものよりも少なくなり、したがって、この形態では達成
できない。ところが、ＮＡの観点からは、ミラー（反射
鏡）が４５°の角にないため、反射光のいくらかは軸か
らはずれたものとなりファイバーの軸位置が重要となる
。（１００）方向のシリコンではミラー（反射鏡）が５
４．７゜の角度であることを注意しなければならないが
、（１００）面に対して約１０°それた方向上向いたシ
リコンの別の小片にミラーが形成された場合はミラーは
約４５°の方向に向けられることになる。この場合、溝
部７５は（水平ではな（）斜めになるが、他の溝部（図
示せず）がファイバー７８を案内するように（１００）
方向の基部７０側に形成されればよい。
第８図の結合はＬＥＤとファイバーとの間の空間をシリ
コーンで満たすことにより約６０％まで増加させること
ができるが、光が平行光にしファイバーとＬＥＤの間隔
の重要性を減少させるように、サブアセンブリにレンズ
を組み込んだ方が有利な場合がある。
第９図において、ＬＥＤ８３は基部８０上に載置されて
おり、この基部８０は上記のようにシリコンの小片又は
ｐｃｉ髄であってよく、この上にＬＥＤ−ファイバーの
サブアセンブリが載置される。このサブアセンブリは、
上記のように、多モード・ファイバー８８のためのＶ溝
部／偏向ミラーの配置を有するシリコンの蓋部８４を含
む。さらに、レンズ８６のためのキャリヤ（担体部材）
として働く中間のシリコンの小片が設けられている。キ
ャリヤの一方の側には、異方性エツチングされたピラミ
ッド状の孔部８９があり、狭い開口を通して同様にエツ
チングされたピラミッド状の空間部８７に結合されてい
る。ＬＥＤ８３は空間部８７内に配置され、レンズ８６
は一般には孔部８９内に載置されて適所に固定され反射
防止（ＡＲ）コートをほどこされる。孔部８９の底部の
開口が狭いことによりレンズが空間部内に落ち込むこと
を防止している。
他方、第１０図に示したように、基部９０は陥凹部９１
を有し、この中にＬＥＤ９３が載置される。例えば上述
のように、基部はシリコン基部又はＰＣ基板に陥凹部を
設けたものであってよい。
シリコンの蓋部９４の■溝部／偏向ミラーの配置は上記
と同様のものとしてよいが、シリコンのキャリヤ９５に
は、これを通すように延在する異なった形状の孔部が形
成される。ここで、孔部９７はキャリヤ９５の上面にレ
ンズ９６を受は入れるのに十分大きな開口を形成される
が、底面内の開口はレンズを支持しこれが孔部を通して
落下しないように十分小さなものとされる。一般には、
レンズはろう又は他の手段によって適所に固定される。
第１０図の実施例の一つの特徴は、組立の曲に、キャリ
ヤがレンズの操作を行なうための保持具として役だっこ
とであり、例えばレンズにＡＲココ−ィングがほどこさ
れる時などである。この観点は第９図の小片８５におい
ても実さいにあてはまるが、たとえばレンズとキャリヤ
の間の空間９９をめっき（さもなくば禁止）することに
よってレンズを第１０図内の適所に保つことがより容易
となる。
最後に、今日の技術はシリコンが好ましい材料であり本
願発明の主小片がこのシリコンから作られることを示し
ているにもかかわらず、状況（たとえば、システムの詳
細やコスト面での考慮）が異なる場合には他の半導体（
たとえば、Ｇｅ　Ｇａ　Ａｓ等）の使用が望ましくなる
かもしれないことは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、オプトエレクトロニクス・デバイスのパッケ
ージの等角断面図であり、該パンケージが本願発明の具
体的実施例のサブアセンブリ１０を有していることを示
しており、 第２図は、第１図のパッケージの分解図であり、具体的
サブアセンブリ１０、リードフレーム１２、ＤＩＰ保持
具１４及びカバー１６を示しており、第３図は、第１図
の光学サブアセンブリの拡大断面図であり、その内部の
フォトダイオード１１を描いたものであり、 第４〜第７図は、様々の製造工程における、具体的サブ
アセンブリの等角図であり、 第８〜第１０図は、本願発明の他の実施例によるＬＥＤ
を使用したサブアセンブリの断面図であり、 第１１図は、本願発明のさらに他の実施例によるフォト
ダイオードを用いた密封サブアセンブリの断面図である
。 （主要部分の符号の説明） １０・・・サブアセンブリ １１．７３．８３．９３・・・オプトエレクトロニクス
・デハ′イス ２２．７０．８０．９０・・・基部 ２４．７４．８４．９４・・・蓋部 ４４．７６・・・反射器 ＦＩＧ、　　３ ＦＩＧ、　４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、主表面を有する半導体の基部からなるオプトエレク
    トロニクス・デバイスのためのサブアセンブリであって
    、 前記表面中に設けられた第一の溝部は、光 ファイバーの部分を収容するように構成され、前記表面
    に対して斜めの結晶光学面により形成された端部面と側
    壁部とを有しており、 前記表面の少なくとも一部分の上に絶縁性 の層が形成されており、 前記層の上に金属の接点が配置され、この 接点のうち少なくとも一つは端部面をおおい反射器を形
    成しており、 前記デバイスは前記反射器の上方に配置さ れて前記接点に接続され、前記反射器は前記デバイスと
    前記ファイバーとの間で光を偏向させることを特徴とす
    るサブアセンブリ。 ２、請求項１に記載のサブアセンブリにおいて、前記基
    部は、前記第一の溝部と並んだ状態で配置され前記サブ
    アセンブリの外側に延在する第２の溝部を有し、前記フ
    ァイバーは、前記第２の溝部内に嵌合する大径の部分と
    前記第１の溝部内に嵌合する小径の部分を有しているこ
    とを特徴とするサブアセンブリ。 ３、請求項２に記載のサブアセンブリにおいて、前記溝
    部の長さは、前記ファイバーの端部が前記反射器上隣接
    するように設定されていることを特徴とするサブアセン
    ブリ。 ４、請求項１に記載のサブアセンブリにおいて、該サブ
    アセンブリは、前記基部上にさらに半導体の蓋部を有し
    、前記蓋部はその中に主表面と前記デバイスを収容する
    空間部とを有し、該サブアセンブリはさらにその中に第
    ３の溝部を有し、第１の溝部と位置合わせされて前記フ
    ァイバーを収容する細長い通路部を形成することを特徴
    とするサブアセンブリ。 ５、請求項４に記載のサブアセンブリにおいて、前記蓋
    部は前記空間部に連通する開口を有し、前記開口を通し
    て適当なコーティング材が挿入されて前記デバイスを覆
    うようになされたことを特徴とするサブアセンブリ。 ６、請求項４に記載のサブアセンブリにおいて、該アセ
    ンブリはこれに取付けられた前記ファイバーを有してお
    り、前記蓋部は前記細長い通路部に連通する開口を有し
    ており、接着剤が前記開口を介して挿入されて前記ファ
    イバーを前記サブアセンブリに対して固定することを特
    徴とするサブアセンブリ。 ７、請求項４に記載のサブアセンブリにおいて、前記基
    部及び前記蓋部の外側の主表面にメタライゼーション処
    理が施されていることを特徴とするサブアセンブリ。 ８、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の
    サブアセンブリにおいて、前記半導体は単結晶シリコン
    からなり、前記主表面は（１００）結晶学面であり、前
    記端部面は （１１１）結晶学面であることを特徴とするサブアセン
    ブリ。 ９、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の
    サブアセンブリにおいて、前記デバイスがフォトダイオ
    ードであることを特徴とするサブアセンブリ。 １０、主表面を有する半導体の基部からなるオプトエレ
    クトロニクス・デバイスのためのサブアセンブリであっ
    て、 前記表面の上に絶縁性の層を有し、 前記層の上に金属の接点が配置されており、前記デバイ
    スは前記表面の上に置かれて前記接点に接続され、 空間部を有する半導体を有しており、前記 蓋部は前記デバイスの上方に配置されいて前記デバイス
    が前記空間部内に配置されており、前記表面に平行な前
    記蓋部の少なくとも一つの寸法が前記基部の対応してい
    る寸法よりも小さくて前記接点の一部が前記蓋部の下部
    から前記サブアセンブリの外側へ延在しており、前記サ
    ブアセンブリが、前記デバイスと前 記サブアセンブリの外側との間で光を搬送するため、光
    ファイバーを収容する通路手段を有していることを特徴
    とするサブアセンブリ。 １１、請求項１０に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記蓋部が前記空間部に連通する開口を有しており、適当
    なコーティング材が前記開口を通して挿入されて前記デ
    バイスを覆うことを特徴とするサブアセンブリ。 １２、請求項１０に記載のサブアセンブリにおいて、こ
    れに取付けられた前記ファイバーを有しており、前記蓋
    部は前記通路手段と連通する開口を有しており、接着剤
    が前記開口を通して挿入されて前記ファイバーを前記サ
    ブアセンブリに対して固定することを特徴とするサブア
    センブリ。 １３、請求項１２に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記通路手段は前記基部中の溝部と前記蓋部中の溝部とか
    らなり、前記溝部は、互いに向きあって位置合わせされ
    て結晶学面の側壁部を有していることを特徴とするサブ
    アセンブリ。 １４、請求項１３に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記通路手段は反射器と前記基部中の溝部に並んだ状態の
    第３の溝部とからなり、前記第３の溝部は結晶学面の端
    部面を有しており、その面上に反射器が配置されており
    、前記デバイスは、前記デバイスと前記ファイバーとの
    間で光を偏向させる前記反射器の上方に配置されている
    ことを特徴とするサブアセンブリ。 １５、請求項１０から請求項１５までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、前記基部及び前記蓋部
    は単結晶シリコンからなることを特徴とするサブアセン
    ブリ。 １６、オプトエレクトロニクス・デバイスのためのサブ
    アセンブリであって、 前記サブアセンブリの外側と前記デバイス の間で伝送される光に対して透明な第１の部材を有して
    おり、前記デバイスは前記第１の部材の一方の側の上に
    載置されており、 前記第１の部材の前記一方の側の上に載置 された半導体の蓋部を有しており、該蓋部は前記第１の
    部材に対して密封されており、前記蓋部はその中に前記
    デバイスを収容するたその空間部を有しており、 前記第１の部材の他方の側の上には半導体 の第２部材を有しており、前記第２の部材はその中に溝
    部を有していて、光ファイバーを収容するよう形成され
    ており、前記溝部は結晶学面によって形成された斜めの
    端部面と側壁部とを有しており、 前記端部面の上に反射器が配置されて前記 ファイバーと前記デバイスとの間で前記第１の部材を介
    して光が偏向されることを特徴とするサブアセンブリ。 １７、請求項１６に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記デバイスはフォトダイオードであることを特徴とする
    サブアセンブリ。 １８、請求項１６に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記蓋部と前記第２の部材は単結晶シリコンであることを
    特徴とするサブアセンブリ。 １９、請求項１６から請求項１８までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、前記第１の部材は透明
    なガラスであることを特徴とするサブアセンブリ。 ２０、請求項１６から請求項１８までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、前記第１の部材はシリ
    コンであることを特徴とするサブアセンブリ。 ２１、オプトエレクトロニクス・デバイスのためのサブ
    アセンブリであって、 前記デバイスが基部の上に載置されており、前記基部の
    上方に半導体の蓋部が配置され ており、前記蓋部はその中に光ファイバーを収容する溝
    部を有しており、前記溝部の端部面の上に反射器が形成
    されて前記ファイバーと前記デバイスの間で光を偏向さ
    せることを特徴とするサブアセンブリ。 ２２、請求項２１に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記基部は半導体基板からなることを特徴とするサブアセ
    ンブリ。 ２３、請求項２１に記載のサブアセンブリであって、前
    記基部はプリント回路基板からなることを特徴とするサ
    ブアセンブリ。 ２４、請求項２１から請求項２３までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、半導体の担体部材が設
    けられていてこれを通過する開口を有しており、前記担
    体部材は前記基部と前記蓋部の間に配置されて前記開口
    内にレンズが載置されて前記反射器と前記デバイスとの
    間で集光することを特徴とするサブアセンブリ。 ２５、請求項２１から請求項２４までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、前記基部は陥凹部を有
    し該陥凹部中に前記デバイスが載置され、前記反射器は
    前記陥凹部上に配置されることを特徴とするサブアセン
    ブリ。 ２６、請求項２１から請求項２４までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、前記開口は前記レンズ
    を保持する上方部分と前記デバイスを収容する空間部を
    形成する下方部分とを有すことを特徴とするサブアセン
    ブリ。 ２７、請求項２１から請求項２４までのいずれか一項に
    記載のサブアセンブリにおいて、前記デバイスは発光ダ
    イオードからなることを特徴とするサブアセンブリ。 ２８、半導体の基部と、 該基部上に載置された少なくとも１つの光 学的又は電気的チップと、からなり、 前記基部の上に載置され前記少なくとも１ つのチップを覆う半導体の蓋部と、 前記蓋部及び前記基部とを互いに位置合わ せするための手段とから構成され、 前記手段は、前記基部及び前記蓋部の各 々の中の少なくとも１つの孔部であってこれらが位置合
    わせされたときに前記基部及び前記蓋部も位置合わせさ
    れるように配置されている孔部と、前記孔部の１つの中
    に配置されて前記孔部を案内する球面体とからなること
    を特徴とするサブアセンブリ。 ２９、請求項２８に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記基部及び前記蓋部は各々が少なくとも２つの孔部を有
    し、前記基部及び前記蓋部の複数対の孔部が配置されて
    前記複数対が位置合わせされたときに前記基部及び前記
    蓋部が位置合わせされ、前記複数対の孔部の一方の中に
    球体を有することを特徴とするサブアセンブリ。 ３０、請求項２８又は請求項２９に記載のサブアセンブ
    リにおいて、前記孔部の壁部が結晶学面であることを特
    徴とするサブアセンブリ。 ３１、請求項３０に記載のサブアセンブリにおいて、前
    記球体がボールの支持部材であることを特徴とするサブ
    アセンブリ。 ３２、請求項２９に記載のサブアセンブリにおいて、 前記基部は細長い細片であって、その細片 の上で間隔をおいて複数の前記チップが配置され、 前記蓋部は前記チップを覆う細長い細片で あり、 前記孔部は前記細片の対向する端部に形成 されており、 前記細片は互いに固定され、個々の構造に 分けることができ、この個々の構造は前記チップの少な
    くとも一つを内包することを特徴とするサブアセンブリ
    。
JP5019589A 1988-03-03 1989-03-03 オプトエレクトロニック・デバイス用サブアセンブリ Expired - Lifetime JPH0766985B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/163,664 US4897711A (en) 1988-03-03 1988-03-03 Subassembly for optoelectronic devices
US163,664 1988-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH029183A true JPH029183A (ja) 1990-01-12
JPH0766985B2 JPH0766985B2 (ja) 1995-07-19

Family

ID=22591028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5019589A Expired - Lifetime JPH0766985B2 (ja) 1988-03-03 1989-03-03 オプトエレクトロニック・デバイス用サブアセンブリ

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4897711A (ja)
EP (2) EP0331331B1 (ja)
JP (1) JPH0766985B2 (ja)
KR (1) KR920003708B1 (ja)
CA (1) CA1311042C (ja)
DE (2) DE68918729T2 (ja)
ES (1) ES2060751T3 (ja)
HK (1) HK188795A (ja)
SG (1) SG59861G (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06167641A (ja) * 1992-08-21 1994-06-14 American Teleph & Telegr Co <Att> 光学組立体
JPH06208037A (ja) * 1992-11-30 1994-07-26 American Teleph & Telegr Co <Att> 光学パッケージ
JP2004341102A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
US6944377B2 (en) 2002-03-15 2005-09-13 Hitachi Maxell, Ltd. Optical communication device and laminated optical communication module
US7254301B2 (en) 2003-02-19 2007-08-07 Hamamatsu Photonics K.K. Optical module
JP2008111862A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Kyocera Corp 光伝送基板、光電子混載基板、光モジュールおよび光電気回路システム
WO2011105078A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 パナソニック電工株式会社 光モジュール
JP2012160526A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Cable Ltd 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP2012160527A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Cable Ltd 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP2017521696A (ja) * 2015-06-11 2017-08-03 ジーピー インコーポレーテッド．Ｇｐ Ｉｎｃ． 多チャンネル光受信モジュールおよび多チャンネル光受信モジュールの光整列方法

Families Citing this family (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8728342D0 (en) * 1987-12-03 1988-01-06 Bt & D Technologies Ltd Light sources
US5070596A (en) * 1988-05-18 1991-12-10 Harris Corporation Integrated circuits including photo-optical devices and pressure transducers and method of fabrication
US5037765A (en) * 1988-05-18 1991-08-06 Harris Corporation Method of fabricating integrated circuits including photo optical devices and pressure transducers
US5073003A (en) * 1988-12-23 1991-12-17 At&T Bell Laboratories Optoelectronic device package method and apparatus
EP0400176B1 (de) * 1989-05-31 2000-07-26 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
EP0400175B1 (de) * 1989-05-31 1994-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
US4969712A (en) * 1989-06-22 1990-11-13 Northern Telecom Limited Optoelectronic apparatus and method for its fabrication
US5066090A (en) * 1989-09-12 1991-11-19 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling element having a convex microlens and the method of manufacture
DE3939723C1 (en) * 1989-12-01 1991-02-14 Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De Optical or opto-electronic coupling - uses spherical lens received in frusto-pyramidal recess of one part and groove of other part
US5047835A (en) * 1989-12-26 1991-09-10 At&T Bell Laboratories Lightwave packaging for pairs of optical devices
US5006922A (en) * 1990-02-14 1991-04-09 Motorola, Inc. Packaged semiconductor device having a low cost ceramic PGA package
US5181263A (en) * 1990-05-21 1993-01-19 Motorola, Inc. Wave-guide I/O for optical or electro-optical components
GB9014639D0 (en) * 1990-07-02 1990-08-22 British Telecomm Optical component packaging
US5113404A (en) * 1990-07-05 1992-05-12 At&T Bell Laboratories Silicon-based optical subassembly
US5264392A (en) * 1990-07-05 1993-11-23 At&T Bell Laboratories Fabrication technique for silicon-based optical subassemblies
US5109455A (en) * 1990-08-03 1992-04-28 Cts Corporation Optic interface hybrid
US5124281A (en) * 1990-08-27 1992-06-23 At&T Bell Laboratories Method of fabricating a photonics module comprising a spherical lens
US5071213A (en) * 1990-10-31 1991-12-10 The Boeing Company Optical coupler and method of making optical coupler
US5178319A (en) * 1991-04-02 1993-01-12 At&T Bell Laboratories Compression bonding methods
US5155786A (en) * 1991-04-29 1992-10-13 International Business Machines Corporation Apparatus and a method for an optical fiber interface
US5241614A (en) * 1991-04-29 1993-08-31 International Business Machines Corporation Apparatus and a method for an optical fiber interface
US5179609A (en) * 1991-08-30 1993-01-12 At&T Bell Laboratories Optical assembly including fiber attachment
EP0565999A2 (de) * 1992-04-16 1993-10-20 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur optischen Kopplung von zwei Gruppen von Wellenleitern
DE4220135A1 (de) * 1992-06-15 1993-12-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Ankoppeln von Photoelementen an integriert-optische Schaltungen in Polymertechnologie
ES2147190T3 (es) * 1992-11-25 2000-09-01 Bosch Gmbh Robert Dispositivo optico.
DE4313493A1 (de) * 1992-11-25 1994-05-26 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters an ein lichtaussendendes oder -empfangendes Element
DE4313486C2 (de) * 1992-11-25 1994-09-01 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters an mindestens ein lichtaussendendes oder -empfangendes Element
DE4300652C1 (de) * 1993-01-13 1994-03-31 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer hybrid integrierten optischen Schaltung und Vorrichtung zur Emission von Lichtwellen
DE4301456C1 (de) * 1993-01-20 1994-06-23 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters
EP0613032B1 (en) * 1993-02-23 1999-01-20 The Whitaker Corporation Fiber optic coupling devices
JP3484543B2 (ja) * 1993-03-24 2004-01-06 富士通株式会社 光結合部材の製造方法及び光装置
CA2117003A1 (en) * 1993-04-13 1994-10-14 Dana Craig Bookbinder Method of encapsulating optical components and products produced by that method
US5390271A (en) * 1993-05-03 1995-02-14 Litton Systems, Inc. Optical interface for hybrid circuit
ES2078863B1 (es) * 1993-09-10 1996-08-01 Telefonica Nacional Espana Co Cabeza optica fotodetectora.
US5625732A (en) * 1993-11-05 1997-04-29 Motorola Optical interface unit with detachable photonic device
US5416870A (en) * 1993-12-03 1995-05-16 Motorola, Inc. Optoelectronic interface device and method with reflective surface
EP0660146B1 (en) * 1993-12-27 2002-10-09 Nec Corporation Light-receiving structure for waveguide type optical devices
US5420953A (en) * 1994-02-17 1995-05-30 The Whitaker Corporation Optoelectronic integration of holograms using (110) oriented silicon on (100) oriented silicon waferboard
US5434940A (en) * 1994-03-24 1995-07-18 The Whitaker Corporation Active fiber needle
USRE40150E1 (en) 1994-04-25 2008-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fiber optic module
DE4416563C1 (de) * 1994-05-11 1995-07-20 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Ankopplung von optoelektronischen Komponenten und Lichtwellenleitern aneinander
US5479540A (en) * 1994-06-30 1995-12-26 The Whitaker Corporation Passively aligned bi-directional optoelectronic transceiver module assembly
US5500910A (en) * 1994-06-30 1996-03-19 The Whitaker Corporation Passively aligned holographic WDM
JP3345518B2 (ja) * 1994-09-28 2002-11-18 株式会社東芝 光半導体モジュールの製造方法
US5911022A (en) * 1994-09-29 1999-06-08 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling arrangement
DE4436204C1 (de) * 1994-09-29 1996-03-21 Siemens Ag Optische Kopplungsanordnung
DE4440935A1 (de) * 1994-11-17 1996-05-23 Ant Nachrichtentech Optische Sende- und Empfangseinrichtung
US6220878B1 (en) 1995-10-04 2001-04-24 Methode Electronics, Inc. Optoelectronic module with grounding means
US5546281A (en) 1995-01-13 1996-08-13 Methode Electronics, Inc. Removable optoelectronic transceiver module with potting box
US5717533A (en) 1995-01-13 1998-02-10 Methode Electronics Inc. Removable optoelectronic module
EP0804323B1 (de) * 1995-01-18 1998-11-04 Robert Bosch Gmbh Anordnung zur umsetzung von optischen in elektrische signale und verfahren zur herstellung
US5617036A (en) * 1995-02-24 1997-04-01 The Whitaker Corporation Laser/pin assembly with integrated burn-in assembly
US5694048A (en) * 1995-02-24 1997-12-02 The Whitaker Corporation Monitor-detector assembly on silicon wafer board
JP3592406B2 (ja) * 1995-07-10 2004-11-24 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
US5604836A (en) * 1995-12-11 1997-02-18 United Technologies Corporation Optical fiber entry strain relief interface for compression-molded structures
WO1997032344A1 (en) * 1996-02-28 1997-09-04 The Whitaker Corporation Packaging for optoelectronic device
US5692084A (en) * 1996-06-11 1997-11-25 The Whitaker Corporation Package for an optoelectronic device
US5692083A (en) * 1996-03-13 1997-11-25 The Whitaker Corporation In-line unitary optical device mount and package therefor
SE510049C2 (sv) * 1996-03-25 1999-04-12 Ericsson Telefon Ab L M Anordning för att ansluta minst en vågledare till en optisk sändare eller mottagare
JPH09307134A (ja) * 1996-05-13 1997-11-28 Fujitsu Ltd 受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット
US5764836A (en) * 1996-06-11 1998-06-09 The Whitaker Corporation Pigtailed package for an optoelectronic device
US6850475B1 (en) 1996-07-30 2005-02-01 Seagate Technology, Llc Single frequency laser source for optical data storage system
US6034938A (en) * 1996-07-30 2000-03-07 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an optical processing flying head
US5940549A (en) * 1996-07-30 1999-08-17 Seagate Technology, Incorporated Optical system and method using optical fibers for storage and retrieval of information
US6081499A (en) * 1997-05-05 2000-06-27 Seagate Technology, Inc. Magneto-optical data storage system having an optical-processing flying head
US6178150B1 (en) 1996-07-30 2001-01-23 Seagate Technology Inc. Offset optics for use with optical heads
US6226233B1 (en) 1996-07-30 2001-05-01 Seagate Technology, Inc. Magneto-optical system utilizing MSR media
US6044056A (en) 1996-07-30 2000-03-28 Seagate Technology, Inc. Flying optical head with dynamic mirror
US6061323A (en) * 1996-07-30 2000-05-09 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an improved surface micro-machined mirror
US5872880A (en) * 1996-08-12 1999-02-16 Ronald S. Maynard Hybrid-optical multi-axis beam steering apparatus
JP3417767B2 (ja) * 1996-08-29 2003-06-16 株式会社東芝 単結晶部品の製造方法
JP4090512B2 (ja) * 1997-04-08 2008-05-28 日本オプネクスト株式会社 光モジュール
JPH10303466A (ja) 1997-04-28 1998-11-13 Nec Corp 光半導体装置及び製造方法
US5889641A (en) * 1997-05-05 1999-03-30 Seagate Technology, Inc. Magneto-resistive magneto-optical head
WO1998050809A1 (de) * 1997-05-06 1998-11-12 Ascom Tech Ag Ein-/auskoppeleinrichtungen für strahlungsleiter in einem kommunikationsnetz
US6020628A (en) * 1997-07-21 2000-02-01 Olin Corporation Optical component package with a hermetic seal
US6240113B1 (en) 1998-02-27 2001-05-29 Litton Systems, Inc. Microlaser-based electro-optic system and associated fabrication method
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
JPH11274546A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体受光素子
US6179627B1 (en) 1998-04-22 2001-01-30 Stratos Lightwave, Inc. High speed interface converter module
US6203333B1 (en) 1998-04-22 2001-03-20 Stratos Lightwave, Inc. High speed interface converter module
GB2335504B (en) * 1998-05-28 2000-01-26 Bookham Technology Ltd Assembly of optical component and optical fibre
US6328482B1 (en) 1998-06-08 2001-12-11 Benjamin Bin Jian Multilayer optical fiber coupler
US6521989B2 (en) 1998-10-08 2003-02-18 Honeywell Inc. Methods and apparatus for hermetically sealing electronic packages
DE19861162A1 (de) 1998-11-06 2000-06-29 Harting Elektrooptische Bauteile Gmbh & Co Kg Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie Leiterplatte
US7208725B2 (en) * 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
US6588949B1 (en) * 1998-12-30 2003-07-08 Honeywell Inc. Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices
TW460717B (en) * 1999-03-30 2001-10-21 Toppan Printing Co Ltd Optical wiring layer, optoelectric wiring substrate mounted substrate, and methods for manufacturing the same
US6873800B1 (en) 1999-05-26 2005-03-29 Jds Uniphase Corporation Hot pluggable optical transceiver in a small form pluggable package
US7013088B1 (en) 1999-05-26 2006-03-14 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for parallel optical interconnection of fiber optic transmitters, receivers and transceivers
US6901221B1 (en) 1999-05-27 2005-05-31 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for improved optical elements for vertical PCB fiber optic modules
US6213651B1 (en) 1999-05-26 2001-04-10 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for vertical board construction of fiber optic transmitters, receivers and transceivers
US7116912B2 (en) * 1999-05-27 2006-10-03 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for pluggable fiber optic modules
US6632030B2 (en) 1999-05-27 2003-10-14 E20 Communications, Inc. Light bending optical block for fiber optic modules
US20010048793A1 (en) * 1999-05-27 2001-12-06 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20020030872A1 (en) * 1999-05-27 2002-03-14 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20040069997A1 (en) * 1999-05-27 2004-04-15 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20010030789A1 (en) * 1999-05-27 2001-10-18 Wenbin Jiang Method and apparatus for fiber optic modules
US6952532B2 (en) * 1999-05-27 2005-10-04 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US20020033979A1 (en) * 1999-05-27 2002-03-21 Edwin Dair Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays
US7090509B1 (en) 1999-06-11 2006-08-15 Stratos International, Inc. Multi-port pluggable transceiver (MPPT) with multiple LC duplex optical receptacles
US7004644B1 (en) 1999-06-29 2006-02-28 Finisar Corporation Hermetic chip-scale package for photonic devices
DE19929878A1 (de) * 1999-06-29 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile und Verfahren zur Herstellung
US6220873B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Stratos Lightwave, Inc. Modified contact traces for interface converter
DE19947113C2 (de) * 1999-09-30 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Oberflächenmontierbares faseroptisches Sende- und Empfangsbauelement mit beim Zusammenbau justierbarem Umlenkreceptacle
US6325551B1 (en) 1999-12-08 2001-12-04 New Focus, Inc. Method and apparatus for optically aligning optical fibers with optical devices
US6632029B1 (en) 1999-12-22 2003-10-14 New Focus, Inc. Method & apparatus for packaging high frequency components
US6792178B1 (en) 2000-01-12 2004-09-14 Finisar Corporation Fiber optic header with integrated power monitor
US6642613B1 (en) * 2000-05-09 2003-11-04 National Semiconductor Corporation Techniques for joining an opto-electronic module to a semiconductor package
US6477303B1 (en) 2000-05-15 2002-11-05 Litton Systems, Inc. MEMS optical backplane interface
US7345316B2 (en) * 2000-10-25 2008-03-18 Shipley Company, L.L.C. Wafer level packaging for optoelectronic devices
US6913400B2 (en) * 2000-11-03 2005-07-05 Tyco Electronics Corporation Optoelectric module for multi-fiber arrays
EP1207412A3 (de) * 2000-11-16 2004-03-17 Infineon Technologies AG Optoelektronisches Mikromodul
US6932519B2 (en) 2000-11-16 2005-08-23 Shipley Company, L.L.C. Optical device package
US6827503B2 (en) * 2000-12-01 2004-12-07 Shipley Company, L.L.C. Optical device package having a configured frame
US6883977B2 (en) * 2000-12-14 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Optical device package for flip-chip mounting
DE10065624C2 (de) * 2000-12-29 2002-11-14 Hans Kragl Kopplungsanordnung zum optischen Koppeln eines Lichtwellenleiters mit einem elektro-optischen oder opto-elektrischen Halbleiterwandler
US6829419B1 (en) * 2001-03-14 2004-12-07 Zygo Corporation Fiber array alignment
NL1017619C2 (nl) * 2001-03-16 2002-10-07 Koninkl Kpn Nv Methode voor het in een gebouw aanbrengen van een breedband infrastructuur door middel van optische vezels.
US7167499B2 (en) * 2001-04-18 2007-01-23 Tcz Pte. Ltd. Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system
US20020195417A1 (en) * 2001-04-20 2002-12-26 Steinberg Dan A. Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
DE10130892C1 (de) * 2001-06-27 2003-03-27 Siemens Ag Gehäuse für elektrische Baugruppen
US7078671B1 (en) * 2001-08-06 2006-07-18 Shipley Company, L.L.C. Silicon optical microbench devices and wafer-level testing thereof
US6818464B2 (en) * 2001-10-17 2004-11-16 Hymite A/S Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes
JP2003207694A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Nec Corp 光モジュール
EP1345298A1 (en) * 2002-03-16 2003-09-17 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Wavelength monitoring apparatus and method therefor
US6786654B2 (en) * 2002-08-21 2004-09-07 Hymite A/S Encapsulated optical fiber end-coupled device
KR100624405B1 (ko) * 2002-10-01 2006-09-18 삼성전자주식회사 광부품 실장용 기판 및 그 제조방법
US6856749B2 (en) 2002-10-10 2005-02-15 Fitel Technologies, Inc. Optical coupling and alignment device
KR100499273B1 (ko) * 2002-10-21 2005-07-01 한국전자통신연구원 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치 및이를 이용한 광 스위치 패키지와 그 제조 방법
US20050094949A1 (en) * 2002-10-25 2005-05-05 Jan Mink Hermetically sealed package for an electro-optic device
US6969204B2 (en) * 2002-11-26 2005-11-29 Hymite A/S Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package
US7018580B2 (en) * 2002-12-18 2006-03-28 General Electric Company Method and apparatus for forming tapered waveguide structures
US7263248B2 (en) * 2003-02-11 2007-08-28 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical via to pass signals through a printed circuit board
US7038900B2 (en) * 2003-02-27 2006-05-02 Greatbatch-Sierra, Inc. EMI filter terminal assembly with wire bond pads for human implant applications
DE112004000724B4 (de) 2003-04-30 2021-08-05 Fujikura Ltd. Optischer Transceiver
CN100365775C (zh) * 2003-05-23 2008-01-30 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 用于显微机械加工晶体材料的蚀刻方法以及由此方法制备的器件
EP2937897A3 (en) * 2003-09-15 2016-03-23 Nuvotronics LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
TWM241892U (en) * 2003-10-03 2004-08-21 Foci Fiber Optic Communication A silicon optical bench based bi-directional transceiver module
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
US20050201668A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Avi Neta Method of connecting an optical element at a slope
US7146080B2 (en) * 2004-03-11 2006-12-05 Lambda Crossing, Ltd. Method of connecting an optical element to a PLC
US7224870B2 (en) * 2004-03-11 2007-05-29 Lambda Crossing Method of coupling fiber to waveguide
US7681306B2 (en) * 2004-04-28 2010-03-23 Hymite A/S Method of forming an assembly to house one or more micro components
US7306378B2 (en) * 2004-05-06 2007-12-11 Intel Corporation Method and apparatus providing an electrical-optical coupler
EP1602953A1 (en) * 2004-05-31 2005-12-07 STMicroelectronics S.r.l. A package for housing at least one electro-optic element and the corresponding assembly method
KR101181501B1 (ko) * 2004-09-13 2012-09-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 마이크로-머신 구조들에 밀봉으로 패키징된 광 모듈
US7782921B2 (en) * 2005-03-28 2010-08-24 Intel Corporation Integrated optical detector in semiconductor reflector
JP2007003906A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 光伝送路保持部材と光モジュール
SE0802082L (sv) * 2006-03-06 2008-12-03 Molex Inc Fiberoptisk datalänk.
US20090154872A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-18 Sherrer David S Electronic device package and method of formation
US8490678B2 (en) * 2008-06-02 2013-07-23 Gerald Ho Kim Silicon-based thermal energy transfer device and apparatus
US9042424B2 (en) * 2008-08-25 2015-05-26 Gerald Ho Kim Silicon-based lens support structure and cooling package with passive alignment for compact heat-generating devices
US8238401B2 (en) * 2008-08-25 2012-08-07 Gerald Ho Kim Silicon-based lens support structure for diode laser
US9008147B2 (en) * 2008-08-25 2015-04-14 Gerald Ho Kim Silicon-based lens support structure and cooling package with passive alignment for compact heat-generating devices
US8940563B2 (en) 2011-03-24 2015-01-27 Centera Photonics Inc. Method for manufacturing optoelectronic module
US9057850B2 (en) 2011-03-24 2015-06-16 Centera Photonics Inc. Optoelectronic module
US20120241600A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Centera Photonics Inc. Optical electrical module
WO2012176409A1 (ja) 2011-06-22 2012-12-27 パナソニック株式会社 光モジュール
JP5847473B2 (ja) * 2011-07-21 2016-01-20 シチズンホールディングス株式会社 光モジュール
US9581772B2 (en) * 2011-09-09 2017-02-28 Centera Photonics Inc. Optical electrical module used for optical communication
US11009788B2 (en) 2011-09-09 2021-05-18 Centera Photonics Inc. Method for manufacturing optical electrical module and substrate of an optical electrical module
TWI468754B (zh) * 2012-04-12 2015-01-11 Ct A Photonics Inc 光電模組
US20130270255A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-17 Gerald Ho Kim Silicon-Based Cooling Package With Preheating Capability For Compact Heat-Generating Devices
US9389374B2 (en) * 2013-03-28 2016-07-12 Corning Cable Systems Llc Fiber optic sub-assembly with low profile
EP3412507A4 (en) 2016-02-04 2019-01-30 TS Tech Co., Ltd. LIGHTING DEVICE
DE102016215076A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Sicoya Gmbh Photonisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
US10534143B1 (en) * 2018-09-20 2020-01-14 Waymo Llc Methods for optical system manufacturing
US11525967B1 (en) 2018-09-28 2022-12-13 Apple Inc. Photonics integrated circuit architecture
EP4182747B1 (en) * 2020-07-20 2025-06-18 Apple Inc. Photonic integrated circuits with controlled collapse chip connections
US11957804B2 (en) * 2020-09-28 2024-04-16 The Boeing Company Optical disinfection systems having side-emitting optical fiber coupled to high-energy UV-C laser diode
WO2023283294A1 (en) 2021-07-08 2023-01-12 Apple Inc. Light source modules for noise mitigation
CN114141887A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 纽威仕微电子（无锡）有限公司 一种光电转换电路封装工艺
US12111207B2 (en) 2022-09-23 2024-10-08 Apple Inc. Despeckling in optical measurement systems
WO2025240702A1 (en) * 2024-05-16 2025-11-20 Quantinuum Llc High density optical interconnects to confinement apparatuses

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53104188A (en) * 1977-02-22 1978-09-11 Western Electric Co Photo coupler
JPS571288A (en) * 1980-06-03 1982-01-06 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting device
JPS5758115A (en) * 1980-09-26 1982-04-07 Toshiba Corp Photocoupler
JPS6024082A (ja) * 1983-07-19 1985-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ発振器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7505629A (nl) * 1975-05-14 1976-11-16 Philips Nv Inrichting voor het koppelen van een lichtbron met een optische vezel.
US4119363A (en) * 1976-03-18 1978-10-10 Bell Telephone Laboratories Incorporated Package for optical devices including optical fiber-to-metal hermetic seal
US4143385A (en) * 1976-09-30 1979-03-06 Hitachi, Ltd. Photocoupler
US4357072A (en) * 1978-01-28 1982-11-02 Plessey Handel Und Investments Ag Sealing optical fibres into packages
US4186994A (en) * 1978-04-21 1980-02-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Arrangement for coupling between an electrooptic device and an optical fiber
FR2426347A1 (fr) * 1978-05-18 1979-12-14 Thomson Csf Source laser a semi-conducteur et son procede de fabrication
US4301462A (en) * 1978-08-03 1981-11-17 Westinghouse Electric Corp. Light activated silicon switch with etched channel in cathode base and anode emitter communicating with cladded optical fiber
CA1108899A (en) * 1978-08-17 1981-09-15 Rca Limited Light detector housing for fiber optic applications
US4210923A (en) * 1979-01-02 1980-07-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Edge illuminated photodetector with optical fiber alignment
DE3142918A1 (de) * 1981-10-29 1983-05-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Opto-elektrische koppelanordnung
EP0101872B1 (en) * 1982-07-19 1990-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Duplex optical communication module device
JPS5925282A (ja) * 1982-08-02 1984-02-09 Fujitsu Ltd 光伝送路付光半導体パツケ−ジ
JPS5982779A (ja) * 1982-11-02 1984-05-12 Agency Of Ind Science & Technol 光集積回路実装方法
US4611884A (en) * 1982-11-24 1986-09-16 Magnetic Controls Company Bi-directional optical fiber coupler
JPS59185306A (ja) * 1983-04-07 1984-10-20 Agency Of Ind Science & Technol 光集積回路の実装法
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
US5009476A (en) * 1984-01-16 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein
US4608586A (en) * 1984-05-11 1986-08-26 At&T Bell Laboratories Back-illuminated photodiode with a wide bandgap cap layer
US4699449A (en) * 1985-03-05 1987-10-13 Canadian Patents And Development Limited-Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee Optoelectronic assembly and method of making the same
US4695120A (en) * 1985-09-26 1987-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Optic-coupled integrated circuits
US4732446A (en) * 1985-10-02 1988-03-22 Lamar Gipson Electrical circuit and optical data buss
DE3667335D1 (de) * 1985-10-16 1990-01-11 British Telecomm Bewegliches gehaeuse fuer ein element.
DE3543558C2 (de) * 1985-12-10 1996-09-19 Licentia Gmbh Opto-elektrische Koppelanordnung
US4779946A (en) * 1986-02-14 1988-10-25 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Microminiature optical assembly
US4807238A (en) * 1986-03-12 1989-02-21 Ricoh Co., Ltd. A semiconductor laser device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53104188A (en) * 1977-02-22 1978-09-11 Western Electric Co Photo coupler
JPS571288A (en) * 1980-06-03 1982-01-06 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting device
JPS5758115A (en) * 1980-09-26 1982-04-07 Toshiba Corp Photocoupler
JPS6024082A (ja) * 1983-07-19 1985-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ発振器

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06167641A (ja) * 1992-08-21 1994-06-14 American Teleph & Telegr Co <Att> 光学組立体
JPH06208037A (ja) * 1992-11-30 1994-07-26 American Teleph & Telegr Co <Att> 光学パッケージ
US6944377B2 (en) 2002-03-15 2005-09-13 Hitachi Maxell, Ltd. Optical communication device and laminated optical communication module
US7254301B2 (en) 2003-02-19 2007-08-07 Hamamatsu Photonics K.K. Optical module
JP2004341102A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
US7103249B2 (en) 2003-05-14 2006-09-05 Seiko Epson Corporation Optical module and manufacturing method of the same, optical-communication apparatus, and electronic apparatus
JP2008111862A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Kyocera Corp 光伝送基板、光電子混載基板、光モジュールおよび光電気回路システム
WO2011105078A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 パナソニック電工株式会社 光モジュール
US8768122B2 (en) 2010-02-23 2014-07-01 Panasonic Corporation Optical module
JP5690324B2 (ja) * 2010-02-23 2015-03-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光モジュール
JP2012160526A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Cable Ltd 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP2012160527A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Cable Ltd 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
US8698264B2 (en) 2011-01-31 2014-04-15 Hitachi Cable, Ltd. Photoelectric conversion module
US9507112B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Hitachi Metals, Ltd. Photoelectric conversion module and method of manufacturing photoelectric conversion module
JP2017521696A (ja) * 2015-06-11 2017-08-03 ジーピー インコーポレーテッド．Ｇｐ Ｉｎｃ． 多チャンネル光受信モジュールおよび多チャンネル光受信モジュールの光整列方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE68929065D1 (de) 1999-10-07
HK188795A (en) 1995-12-22
SG59861G (en) 1995-09-01
EP0331331A2 (en) 1989-09-06
ES2060751T3 (es) 1994-12-01
EP0611975B1 (en) 1999-09-01
EP0331331B1 (en) 1994-10-12
KR920003708B1 (ko) 1992-05-09
US4897711A (en) 1990-01-30
CA1311042C (en) 1992-12-01
EP0331331A3 (en) 1991-01-16
KR890015431A (ko) 1989-10-30
EP0611975A1 (en) 1994-08-24
JPH0766985B2 (ja) 1995-07-19
DE68918729D1 (de) 1994-11-17
DE68929065T2 (de) 2000-09-28
DE68918729T2 (de) 1995-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4897711A (en) Subassembly for optoelectronic devices
US4945400A (en) Subassembly for optoelectronic devices
Blonder et al. Subassembly for optoelectronic devices
US7703993B1 (en) Wafer level optoelectronic package with fiber side insertion
CN100383574C (zh) 带有集成透镜的封装和包括该封装的组件
US6970491B2 (en) Planar and wafer level packaging of semiconductor lasers and photo detectors for transmitter optical sub-assemblies
KR100411577B1 (ko) 광섬유 접속부 및 그것의 사용 방법
US8827572B2 (en) Side coupling optical fiber assembly and fabrication method thereof
US5337391A (en) Optoelectronic sub-module and method of making same
US6932519B2 (en) Optical device package
US7345316B2 (en) Wafer level packaging for optoelectronic devices
EP0689071A1 (en) Optical fiber coupling
US20030138219A1 (en) Optoelectric module for multi-fiber arrays
KR100334366B1 (ko) 광학 모듈 및 이에 적용가능한 광반사 부재
EP0893720B1 (en) A micro-photonics module with a partition wall
EP1431788A2 (en) Optical transceiver module and a method of fabricating the same
US20060239621A1 (en) Optical module and method for manufacturing same
JPH04241477A (ja) 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール
US6715936B2 (en) Photonic component package and method of packaging
EP1279057A2 (en) Optoelectric module for multi-fiber arrays
US6646290B1 (en) Optical structure having an optical diode and a sensor in separate apertures inside double insulating layers
JPH0496390A (ja) 光通信用パッケージ
JP2006054457A (ja) オプトエレクトロニクス部品用ハウジング及び光学アセンブリ
US20030113074A1 (en) Method of packaging a photonic component and package
EP1611468B1 (en) Package for optoelectronic device on wafer level

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719

Year of fee payment: 14