JPH0771759B2 - Ｘ線ターゲット用ろう材及びｘ線管回転陽極用複合ターゲット - Google Patents
Ｘ線ターゲット用ろう材及びｘ線管回転陽極用複合ターゲットInfo
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- JPH0771759B2 JPH0771759B2 JP58085912A JP8591283A JPH0771759B2 JP H0771759 B2 JPH0771759 B2 JP H0771759B2 JP 58085912 A JP58085912 A JP 58085912A JP 8591283 A JP8591283 A JP 8591283A JP H0771759 B2 JPH0771759 B2 JP H0771759B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/32—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at more than 1550°C
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、高融点金属材料とグラフアイトとの接合用ろ
う材、及びタングステン若しくはその合金／グラフアイ
ト又はタングステン若しくはその合金／モリブデン／グ
ラフアイトなるＸ線管回転陽極用複合ターゲツトにおけ
る該ろう材の利用に関する。
う材、及びタングステン若しくはその合金／グラフアイ
ト又はタングステン若しくはその合金／モリブデン／グ
ラフアイトなるＸ線管回転陽極用複合ターゲツトにおけ
る該ろう材の利用に関する。
近年、高融点金属材料とグラフアイトとを接合した部材
を使用した機器が各種の用途に利用されてきている。そ
の例には、耐熱容器、耐火材及びＸ線管用複合ターゲツ
ト等がある。
を使用した機器が各種の用途に利用されてきている。そ
の例には、耐熱容器、耐火材及びＸ線管用複合ターゲツ
ト等がある。
しかしながら、従来の接合用ろう材及び接合方法では、
ろう材のぬれ性が阻害され、また接合層に空洞を生じた
り、その厚さが厚い上にバラツキがあるために、その接
合強度に難点があつた。
ろう材のぬれ性が阻害され、また接合層に空洞を生じた
り、その厚さが厚い上にバラツキがあるために、その接
合強度に難点があつた。
以下、従来技術及び本発明について、Ｘ線管回転陽極用
複合ターゲツトを例にとり詳細に説明するが、本発明は
それに限定されるものではない。
複合ターゲツトを例にとり詳細に説明するが、本発明は
それに限定されるものではない。
従来からＸ線管回転陽極用ターゲツトとしてはタングス
テン（以下、Ｗと略記する）の単板が使用されてきた。
その性能改善のため、Ｗに少量のレニウム（以下、Reと
略記する）又はオスミウムなどを添加したＷ合金が用い
られている。最近医療機器用のＸ線CT（Computed tomog
raphy）用のＸ線管の需要が多く、また画像の鮮明化と
撮影時間の短縮のため大容量のものが要求されてきてい
る。このためターゲツトの構成としては、直径を大きく
すると共に軽量化する必要がある。このために、ターゲ
ツトの電子衝撃面のみにＷ合金を用い、その裏面の部分
に、比重が小さく、しかも比熱の大きなモリブデン（以
下、Moと略記する）やグラフアイト（以下、Gtと略記す
る）を合体させた、Ｗ若しくはその合金/Mo/Gt又は若し
くはその合金/Gtのような複合ターゲツトが開発されて
きた。
テン（以下、Ｗと略記する）の単板が使用されてきた。
その性能改善のため、Ｗに少量のレニウム（以下、Reと
略記する）又はオスミウムなどを添加したＷ合金が用い
られている。最近医療機器用のＸ線CT（Computed tomog
raphy）用のＸ線管の需要が多く、また画像の鮮明化と
撮影時間の短縮のため大容量のものが要求されてきてい
る。このためターゲツトの構成としては、直径を大きく
すると共に軽量化する必要がある。このために、ターゲ
ツトの電子衝撃面のみにＷ合金を用い、その裏面の部分
に、比重が小さく、しかも比熱の大きなモリブデン（以
下、Moと略記する）やグラフアイト（以下、Gtと略記す
る）を合体させた、Ｗ若しくはその合金/Mo/Gt又は若し
くはその合金/Gtのような複合ターゲツトが開発されて
きた。
そのような複合ターゲツトを、添付図面の第１図に示
す。すなわち第１図は、従来のＸ線管回転陽極用複合タ
ーゲツトの縦断面概略図である。第１図において、符号
１は電子衝撃部（Ｗ又はＷ合金）、２はMo、３はGt、４
は中間層、５は回転軸を意味する。これら複合ターゲツ
トの製造方法としては、CVD、溶射及び接合法等がある
が、特に価格の点で接合法が有利である。接合法による
場合、上記４は接合用ろう材からなる接合層である。
す。すなわち第１図は、従来のＸ線管回転陽極用複合タ
ーゲツトの縦断面概略図である。第１図において、符号
１は電子衝撃部（Ｗ又はＷ合金）、２はMo、３はGt、４
は中間層、５は回転軸を意味する。これら複合ターゲツ
トの製造方法としては、CVD、溶射及び接合法等がある
が、特に価格の点で接合法が有利である。接合法による
場合、上記４は接合用ろう材からなる接合層である。
しかして、従来行われている接合法には問題点がある。
すなわち、Ｗ若しくはその合金又はMoとGtとの接合は、
金属とセラミツクとの接合であるので、その接合法には
種種の問題点がある。
すなわち、Ｗ若しくはその合金又はMoとGtとの接合は、
金属とセラミツクとの接合であるので、その接合法には
種種の問題点がある。
まず、従来上記のような接合には、ろう材として、ジル
コニウム（以下、Zrと略記する）、チタン（以下、Tiと
略記する）、Mo、Ｗ及びReなどの金属粉にエチルセルロ
ース等の有機溶剤を加えてペースト状にしたものをGt基
板に塗布し、次いでＷ合金板等を重ね合せ、真空中で高
温に加熱加圧して接合を行う。この従来法では、製造中
に溶剤から排出される水分、不純物及び解離した酸化物
によつてろう材の酸化が促進され、融体が酸化物層で包
囲された形となつて、ぬれ性が著しく阻害される結果、
健全な接合層を形成できない欠点がある。また、従来法
では、接合層の組成及び厚さを一定にすることが困難で
あるので、接合層に大きな空洞及び酸化物の巻込みが生
じたり、厚さにバラツキが生じたりした。その結果、接
合強度の面においても難点があつた。
コニウム（以下、Zrと略記する）、チタン（以下、Tiと
略記する）、Mo、Ｗ及びReなどの金属粉にエチルセルロ
ース等の有機溶剤を加えてペースト状にしたものをGt基
板に塗布し、次いでＷ合金板等を重ね合せ、真空中で高
温に加熱加圧して接合を行う。この従来法では、製造中
に溶剤から排出される水分、不純物及び解離した酸化物
によつてろう材の酸化が促進され、融体が酸化物層で包
囲された形となつて、ぬれ性が著しく阻害される結果、
健全な接合層を形成できない欠点がある。また、従来法
では、接合層の組成及び厚さを一定にすることが困難で
あるので、接合層に大きな空洞及び酸化物の巻込みが生
じたり、厚さにバラツキが生じたりした。その結果、接
合強度の面においても難点があつた。
本発明は、従来技術の問題点を解決するためになされた
ものであり、その目的は、高融点金属材料とGtとの新た
な接合用ろう材、それを使用した接合強度の改良された
Ｘ線管回転陽極用複合ターゲツトを提供することにあ
る。
ものであり、その目的は、高融点金属材料とGtとの新た
な接合用ろう材、それを使用した接合強度の改良された
Ｘ線管回転陽極用複合ターゲツトを提供することにあ
る。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は、高融点金
属材料とGtとを接合するＸ線ターゲツト用ろう材に関す
る発明であつて、それが、Zr単体、Ｗ分が30重量％以下
のZr−Ｗ合金、Mo分が30重量％以下のZr−Mo合金、Ｗ分
が30重量％以下でニツケル（以下、Niと略記する）分が
20重量％以下のZr−Ｗ−Ni合金、Mo分が30重量％以下で
Ni分が20重量％以下のZr−Mo−Ni合金、Ti、ニオブ（以
下、Nbと略記する）及びタンタル（以下、Taと略記す
る）よりなる群から選択した金属材料の１種の表面に、
厚さ0.01〜20μｍのNi又はコバルト（以下、Coと略記す
る）層を設けたクラツド箔であることを特徴とする。
属材料とGtとを接合するＸ線ターゲツト用ろう材に関す
る発明であつて、それが、Zr単体、Ｗ分が30重量％以下
のZr−Ｗ合金、Mo分が30重量％以下のZr−Mo合金、Ｗ分
が30重量％以下でニツケル（以下、Niと略記する）分が
20重量％以下のZr−Ｗ−Ni合金、Mo分が30重量％以下で
Ni分が20重量％以下のZr−Mo−Ni合金、Ti、ニオブ（以
下、Nbと略記する）及びタンタル（以下、Taと略記す
る）よりなる群から選択した金属材料の１種の表面に、
厚さ0.01〜20μｍのNi又はコバルト（以下、Coと略記す
る）層を設けたクラツド箔であることを特徴とする。
また本発明の第２の発明は、Ｗ若しくはその合金/Gt又
はＷ若しくはその合金/Mo/GtなるＸ線管回転陽極用複合
ターゲツトに関する発明であつて、そのＷ若しくはその
合金又はMoとGtとの接合用ろう材が、本発明の第１の発
明のろう材であることを特徴とする。
はＷ若しくはその合金/Mo/GtなるＸ線管回転陽極用複合
ターゲツトに関する発明であつて、そのＷ若しくはその
合金又はMoとGtとの接合用ろう材が、本発明の第１の発
明のろう材であることを特徴とする。
更に本発明の第３の発明は、前記第２の発明のＸ線管回
転陽極用複合ターゲツトに関する発明であつて、そのＷ
若しくはその合金又はMoとGtとの接合用ろう材が、Zr単
体、Ｗ分が30重量％以下のZr−Ｗ合金、Ｗ分が30重量％
以下でNi分が20重量％以下のZr−Ｗ−Ni合金、Mo分が30
重量％以下のZr−Mo合金及びMo分が30重量％以下でNi分
が20重量％以下のZr−Mo−Ni合金よりなる群から選択し
た金属材料の１種の表面に、厚さ0.01〜20μｍのNi層を
設けたクラツド箔であり、更に該Ｗ若しくはその合金又
はMoと該ろう材との間にMo又はＷ粉末を、該ろう材とGt
との間にZr粉末を設けて接合を行つて製造したものであ
ることを特徴とする。
転陽極用複合ターゲツトに関する発明であつて、そのＷ
若しくはその合金又はMoとGtとの接合用ろう材が、Zr単
体、Ｗ分が30重量％以下のZr−Ｗ合金、Ｗ分が30重量％
以下でNi分が20重量％以下のZr−Ｗ−Ni合金、Mo分が30
重量％以下のZr−Mo合金及びMo分が30重量％以下でNi分
が20重量％以下のZr−Mo−Ni合金よりなる群から選択し
た金属材料の１種の表面に、厚さ0.01〜20μｍのNi層を
設けたクラツド箔であり、更に該Ｗ若しくはその合金又
はMoと該ろう材との間にMo又はＷ粉末を、該ろう材とGt
との間にZr粉末を設けて接合を行つて製造したものであ
ることを特徴とする。
本発明において、ろう材のうちＷ又はMo含有合金におけ
るＷ又はMo含有率は30重量％以下が必須である。それ
は、30重量％超では、Zr−Ｗ又はZr−Moの化合物が析出
し、延性を阻害するので箔を得ることが不可能であるか
らである。他方、Ni含有合金においては、Ｗ又はMoが共
存しないとNi分が多過ぎてGtが浸食されるので、Ｗ又は
Moの共存が必須要件である。
るＷ又はMo含有率は30重量％以下が必須である。それ
は、30重量％超では、Zr−Ｗ又はZr−Moの化合物が析出
し、延性を阻害するので箔を得ることが不可能であるか
らである。他方、Ni含有合金においては、Ｗ又はMoが共
存しないとNi分が多過ぎてGtが浸食されるので、Ｗ又は
Moの共存が必須要件である。
また、Ni含有合金において、Niの含有率が20重量％超で
は、Zr−Niの化合物が生成し、延性を著しく阻害するの
で不適当である。
は、Zr−Niの化合物が生成し、延性を著しく阻害するの
で不適当である。
更に、ろう材表面に設けるNi又はCo層の厚さは0.01〜20
μｍが適当である。それは、0.01μｍ未満では、Ni又は
Co層とGt基板とのぬれ性が十分でないため、接合を行う
ことができず、他方20μｍ超では、Ni又はCoとGtとが反
応してGtが浸食され、接合層の剥離を生じやすいからで
ある。
μｍが適当である。それは、0.01μｍ未満では、Ni又は
Co層とGt基板とのぬれ性が十分でないため、接合を行う
ことができず、他方20μｍ超では、Ni又はCoとGtとが反
応してGtが浸食され、接合層の剥離を生じやすいからで
ある。
次に、本発明のろう材を用いて、Ｘ線管回転陽極用複合
ターゲツトを製造するには、接合部に本発明のろう材で
あるクラツド箔を配置し、次いで真空中又は不活性ガス
中で、静圧又は加圧して加熱接合を行えばよい。
ターゲツトを製造するには、接合部に本発明のろう材で
あるクラツド箔を配置し、次いで真空中又は不活性ガス
中で、静圧又は加圧して加熱接合を行えばよい。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらにより限定されるものでない。
明はこれらにより限定されるものでない。
なお、第２図〜第６図は、本発明の複合ターゲツトの接
合層付近の断面組織の顕微鏡写真である。
合層付近の断面組織の顕微鏡写真である。
各図において、符号21はＸ線管用Ｗ−Re合金、41は接合
層、３はGtを意味する。
層、３はGtを意味する。
実施例１ Ｗが28重量％、Niが0.5重量％、Zrが残部なるZr−Ｗ−N
i合金に、厚さ0.08μｍのNi層を設けて、厚さ40μｍの
クラツド箔なる本発明のろう材を製造した。
i合金に、厚さ0.08μｍのNi層を設けて、厚さ40μｍの
クラツド箔なる本発明のろう材を製造した。
実施例２ 第１図に示したような、Ｘ線管用Ｗ−Re合金/Gt複合タ
ーゲツトを製造するため、接合用ろう材として実施例１
に記載のろう材を使用し、真空中、1550℃で静圧又は加
圧下に0.5時間加熱接合を行つた。得られた接合層付近
の顕微鏡写真を第２図に示す。第２図から明らかなよう
に、空洞がなく、非常に健全で、40μｍ程度の薄い接合
層が観察され、接合強度の優れた複合ターゲツトを得る
ことができた。
ーゲツトを製造するため、接合用ろう材として実施例１
に記載のろう材を使用し、真空中、1550℃で静圧又は加
圧下に0.5時間加熱接合を行つた。得られた接合層付近
の顕微鏡写真を第２図に示す。第２図から明らかなよう
に、空洞がなく、非常に健全で、40μｍ程度の薄い接合
層が観察され、接合強度の優れた複合ターゲツトを得る
ことができた。
上例において、Ｗの代りにMoを含有する合金を使用して
同様な結果を得た。
同様な結果を得た。
実施例３ Zr金属の表面に、厚さ0.05μｍのCo層を設けて、厚さ40
μｍのクラツド箔なる本発明のろう材を製造した。
μｍのクラツド箔なる本発明のろう材を製造した。
実施例４ 実施例３において、Zr金属の代りにTi金属を使用して、
ろう材を製造した。
ろう材を製造した。
実施例５ 実施例２に記載の方法と同様にして、ろう材として実施
例３に記載のろう材を使用し、真空中、1600℃で20分間
加圧して加熱接合を行つた。得られた接合層付近の顕微
鏡写真を第３図に示す。第３図から明らかなように、空
洞のない健全な接合層が形成されている。
例３に記載のろう材を使用し、真空中、1600℃で20分間
加圧して加熱接合を行つた。得られた接合層付近の顕微
鏡写真を第３図に示す。第３図から明らかなように、空
洞のない健全な接合層が形成されている。
実施例６ 実施例５において、ろう材として実施例４に記載のろう
材を使用した以外は同条件で接合を行つた。得られた接
合層付近の顕微鏡写真を第４図に示す。第４図から明ら
かなように、実施例５と同様の結果を得た。
材を使用した以外は同条件で接合を行つた。得られた接
合層付近の顕微鏡写真を第４図に示す。第４図から明ら
かなように、実施例５と同様の結果を得た。
この例において、Ti金属の代りにNb又はTa金属を用いた
ろう材を使用して同様な結果を得た。
ろう材を使用して同様な結果を得た。
実施例７ Ti金属の表面にNiめつきを施し、次いで真空中、800℃
で焼鈍して冷圧により表面層のNiの厚さが0.08μｍのTi
−Niクラツド箔（40μｍ）なる本発明のろう材を製造し
た。
で焼鈍して冷圧により表面層のNiの厚さが0.08μｍのTi
−Niクラツド箔（40μｍ）なる本発明のろう材を製造し
た。
実施例８ 実施例２に記載の方法と同様にして、ろう材として実施
例７に記載のろう材を使用し、真空中、1600℃で10分間
静圧して加熱接合を行つた。得られた接合層付近の顕微
鏡写真を第５図に示す。第５図から明らかなように、空
洞のない強固接合層が形成されている。
例７に記載のろう材を使用し、真空中、1600℃で10分間
静圧して加熱接合を行つた。得られた接合層付近の顕微
鏡写真を第５図に示す。第５図から明らかなように、空
洞のない強固接合層が形成されている。
この例において、Ti金属の代りにNb又はTa金属を用いた
ろう材を使用して同様な結果を得た。
ろう材を使用して同様な結果を得た。
実施例９ 実施例２に記載の方法と同様にして、ろう材として同じ
く実施例１に記載のろう材を使用し、更に、ろう材とＷ
合金基体との間にMo粉末を、またろう材とGt基板との間
にZr粉末を設けて接合を行つた。得られた接合層付近の
顕微鏡写真を第６図に示す。第６図から明らかなよう
に、空洞がなく、100μｍ厚程度の健全な接合層が観察
され、接合強度の優れた複合ターゲツトを得ることがで
きた。
く実施例１に記載のろう材を使用し、更に、ろう材とＷ
合金基体との間にMo粉末を、またろう材とGt基板との間
にZr粉末を設けて接合を行つた。得られた接合層付近の
顕微鏡写真を第６図に示す。第６図から明らかなよう
に、空洞がなく、100μｍ厚程度の健全な接合層が観察
され、接合強度の優れた複合ターゲツトを得ることがで
きた。
以上の各実施例は、Ｗ合金/Gt複合ターゲツトについて
例示したが、Ｗ若しくはその合金/Mo/Gt複合ターゲツト
についても、前記各実施例と同様にして、同様な結果を
得た。
例示したが、Ｗ若しくはその合金/Mo/Gt複合ターゲツト
についても、前記各実施例と同様にして、同様な結果を
得た。
以上詳細に説明したように、本発明のろう材は、ぬれ性
が改良されたので、酸化物の巻込みなく、空洞のない接
合層が得られる。しかも、このろう材自体の強度が高
く、安価なため経済的に有利である。したがつて、本発
明のろう材は、Ｘ線管回転陽極用複合ターゲツトにおい
て、接合用ろう材として有用なものである。本発明のろ
う材は、本発明のＸ線管回転陽極用複合ターゲツトの接
合部が加熱される1350℃以上の融点を持つているので有
利であるばかりでなく、熱伝導性が良く、熱膨張率差に
よる接合層の剥離がなく、接合方法が簡単であるので、
複合ターゲツトを経済的有利に製造することができると
いう顕著な効果が奏せられた。
が改良されたので、酸化物の巻込みなく、空洞のない接
合層が得られる。しかも、このろう材自体の強度が高
く、安価なため経済的に有利である。したがつて、本発
明のろう材は、Ｘ線管回転陽極用複合ターゲツトにおい
て、接合用ろう材として有用なものである。本発明のろ
う材は、本発明のＸ線管回転陽極用複合ターゲツトの接
合部が加熱される1350℃以上の融点を持つているので有
利であるばかりでなく、熱伝導性が良く、熱膨張率差に
よる接合層の剥離がなく、接合方法が簡単であるので、
複合ターゲツトを経済的有利に製造することができると
いう顕著な効果が奏せられた。
第１図は従来のＸ線管回転陽極用複合ターゲツトの縦断
面概略図、第２図〜第６図は、本発明のＸ線管回転陽極
用複合ターゲツトの接合層付近の断面組織の顕微鏡写真
である。 1:電子衝撃部、2:W合金又はMo、21:X線管用Ｗ−Re合
金、3:Gt、4:中間層、41:接合層、5:回転軸
面概略図、第２図〜第６図は、本発明のＸ線管回転陽極
用複合ターゲツトの接合層付近の断面組織の顕微鏡写真
である。 1:電子衝撃部、2:W合金又はMo、21:X線管用Ｗ−Re合
金、3:Gt、4:中間層、41:接合層、5:回転軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 37/02 Ｂ Ｈ０１Ｊ 35/10 Ａ (72)発明者 馬場 昇 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 諏訪 正輝 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 中川 雄策 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 小野寺 久吉 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 坂本 広志 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭53−120658（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−42548（ＪＰ，Ａ) 特公 昭44−30373（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭43−17405（ＪＰ，Ｂ１) 特公 平４−48555（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−10414（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】高融点金属材料とグラフアイトとの接合用
ろう材において、それがジルコニウム単体、タングステ
ン分が30重量％以下のジルコニウム−タングステン合
金、モリブデン分が30重量％以下のジルコニウム−モリ
ブデン合金、タングステン分が30重量％以下でニツケル
分が20重量％以下のジルコニウム−タングステン−ニツ
ケル合金、モリブデン分が30重量％以下でニツケル分が
20重量％以下のジルコニウム−モリブデン−ニツケル合
金、チタン、ニオブ及びタンタルよりなる群から選択し
た金属材料の１種の表面に、厚さ0.01〜20μｍのニツケ
ル又はコバルト層を設けたクラツド箔であることを特徴
とするＸ線ターゲツト用ろう材。 - 【請求項２】タングステン若しくはその合金／グラフア
イト又はタングステン若しくはその合金／モリブデン／
グラフアイトなるＸ線管回転陽極用複合ターゲツトにお
いて、そのタングステン若しくはその合金又はモリブデ
ンとグラフアイトとの接合用ろう材がジルコニウム単
体、タングステン分が30重量％以下のジルコニウム−タ
ングステン合金、モリブデン分が30重量％以下のジルコ
ニウム−モリブデン合金、タングステン分が30重量％以
下でニツケル分が20重量％以下のジルコニウム−タング
ステン−ニツケル合金、モリブデン分が30重量％以下で
ニツケル分が20重量％以下のジルコニウム−モリブデン
−ニツケル合金、チタン、ニオブ及びタンタルよりなる
群から選択した金属材料の１種の表面に、厚さ0.01〜20
μｍのニツケル又はコバルト層を設けたクラツド箔であ
ることを特徴とするＸ線管回転陽極用複合ターゲツト。 - 【請求項３】タングステン若しくはその合金／グラフア
イト又はタングステン若しくはその合金／モリブデン／
グラフアイトなるＸ線管回転陽極用複合ターゲットにお
いて、そのタングステン若しくはその合金又はモリブデ
ンとグラフアイトとの接合用ろう材が、ジルコニウム単
体、タングステン分が30重量％以下のジルコニウム−タ
ングステン合金、モリブデン分が30重量％以下のジルコ
ニウム−モリブデン合金、タングステン分が30重量％以
下でニツケル分が20重量％以下のジルコニウム−タング
ステン−ニツケル合金及びモリブデン分が30重量％以下
でニツケル分が20重量％以下のジルコニウム−モリブデ
ン−ニツケル合金よりなる群から選択した金属材料の１
種の表面に、厚さ0.01〜20μｍのニツケル層を設けたク
ラツド箔であり、更に該タングステン若しくはその合金
又はモリブデンと該ろう材との間にモリブデン又はタン
グステン粉末を、該ろう材とグラフアイトとの間にジル
コニウム粉末を設けて接合を行つて製造したものである
ことを特徴とするＸ線管回転陽極用複合ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085912A JPH0771759B2 (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | Ｘ線ターゲット用ろう材及びｘ線管回転陽極用複合ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085912A JPH0771759B2 (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | Ｘ線ターゲット用ろう材及びｘ線管回転陽極用複合ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59212189A JPS59212189A (ja) | 1984-12-01 |
| JPH0771759B2 true JPH0771759B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=13872020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58085912A Expired - Lifetime JPH0771759B2 (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | Ｘ線ターゲット用ろう材及びｘ線管回転陽極用複合ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0771759B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802196A (en) * | 1986-12-31 | 1989-01-31 | General Electric Company | X-ray tube target |
| DE4129414A1 (de) * | 1990-11-13 | 1993-03-11 | Endress Hauser Gmbh Co | Verwendung eines speziellen tiegels beim melt-spinning einer aktivlot-legierung |
| JP2720762B2 (ja) * | 1993-08-13 | 1998-03-04 | 日本電気株式会社 | 黒鉛と金属の接合方法 |
| JP7048061B1 (ja) * | 2021-08-20 | 2022-04-05 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 炭素材とタングステン材の接合体とその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53120658A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-21 | Seiko Epson Corp | Improved brazing filler metal |
| US4145632A (en) * | 1977-04-18 | 1979-03-20 | General Electric Company | Composite substrate for rotating x-ray anode tube |
| JPS5455015A (en) * | 1977-10-12 | 1979-05-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Method of bonding copper and ceramic |
| JPS5595685A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramiccmetal sealed structure |
| DE3013441C2 (de) * | 1980-04-05 | 1984-12-13 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Anodenteller für eine Drehanoden-Röntgenröhre und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP58085912A patent/JPH0771759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59212189A (ja) | 1984-12-01 |
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