JPH0772347A - ガイド溝付き光導波路の製作方法 - Google Patents
ガイド溝付き光導波路の製作方法Info
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- JPH0772347A JPH0772347A JP5171141A JP17114193A JPH0772347A JP H0772347 A JPH0772347 A JP H0772347A JP 5171141 A JP5171141 A JP 5171141A JP 17114193 A JP17114193 A JP 17114193A JP H0772347 A JPH0772347 A JP H0772347A
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- guide groove
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 調心作業を必要とせず、コアとガイド溝の相
対的位置精度が高い光導波路を製作できるようにする。 【構成】 シリコン基板１の上面２に溝３を形成し、上
面２及び溝３の上にバッファ層４を形成し、その上にコ
ア層５を形成し、コア層５の表面にコアパターンとガイ
ド溝パターンが表示されたフォトマスクを重ねてコア層
５に転写してコア層５に同パターンと同じ形状のマスク
材を形成し、シリコン基板１のうちマスク材でマスクさ
れない部分をエッチングしてガイド溝縁６とコア７を形
成し、同基板１をエッチングして隣合うガイド溝縁６の
内側にガイド溝８を形成し、その上にクラッド層９を形
成し、クラッド層９のうちコア７の外側を残し他の部分
を除去してコア７の外側にクラッド１０を形成する。
対的位置精度が高い光導波路を製作できるようにする。 【構成】 シリコン基板１の上面２に溝３を形成し、上
面２及び溝３の上にバッファ層４を形成し、その上にコ
ア層５を形成し、コア層５の表面にコアパターンとガイ
ド溝パターンが表示されたフォトマスクを重ねてコア層
５に転写してコア層５に同パターンと同じ形状のマスク
材を形成し、シリコン基板１のうちマスク材でマスクさ
れない部分をエッチングしてガイド溝縁６とコア７を形
成し、同基板１をエッチングして隣合うガイド溝縁６の
内側にガイド溝８を形成し、その上にクラッド層９を形
成し、クラッド層９のうちコア７の外側を残し他の部分
を除去してコア７の外側にクラッド１０を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバとの接続に使
用されるガイド溝付き光導波路の製作方法に関するもの
である。
用されるガイド溝付き光導波路の製作方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光導波路と光ファイバを接続するには、
従来は光導波路と光ファイバのコアとが一致するように
調心した後、光ファイバを光導波路に接着剤で固定して
いた。しかし、接着剤は硬化時に収縮するため固定時に
光導波路と光ファイバとの位置がずれてしまい、精度良
く接続することが困難であった。また、微調整による調
心や接着剤による固定を行う必要があるため接続作業に
時間がかかっていた。更には、光ファイバを光導波路か
ら取外すことができないため光導波路の利用が著しく限
定されてしまうという問題があった。
従来は光導波路と光ファイバのコアとが一致するように
調心した後、光ファイバを光導波路に接着剤で固定して
いた。しかし、接着剤は硬化時に収縮するため固定時に
光導波路と光ファイバとの位置がずれてしまい、精度良
く接続することが困難であった。また、微調整による調
心や接着剤による固定を行う必要があるため接続作業に
時間がかかっていた。更には、光ファイバを光導波路か
ら取外すことができないため光導波路の利用が著しく限
定されてしまうという問題があった。
【０００３】上記問題を解決するため、従来は、光ファ
イバを接続剤を用いずに接続でき、しかも光ファイバの
着脱が可能な光導波路が提案されている。この光導波路
は図４のようにコネクタベ−スＡと、導波路基板Ｂと、
二本のガイドピンＣとから構成さている。この光導波路
の組立ては、導波路基板Ｂをコネクタベ−スＡに接着固
定し、次に、ガイドピンＣを導波路基板５１に挿入し、
ガイドピンＣを導波路基板Ｂのコアと設計値通りの位置
関係になる様に調心してから、ガイドピンＣをコネクタ
ベ−スＡに接着固定して行なわれている。
イバを接続剤を用いずに接続でき、しかも光ファイバの
着脱が可能な光導波路が提案されている。この光導波路
は図４のようにコネクタベ−スＡと、導波路基板Ｂと、
二本のガイドピンＣとから構成さている。この光導波路
の組立ては、導波路基板Ｂをコネクタベ−スＡに接着固
定し、次に、ガイドピンＣを導波路基板５１に挿入し、
ガイドピンＣを導波路基板Ｂのコアと設計値通りの位置
関係になる様に調心してから、ガイドピンＣをコネクタ
ベ−スＡに接着固定して行なわれている。
【０００４】次に、前記光導波路のコアと光ファイバＤ
との接続は、光ファイバＤが固定されているコネクタＥ
の嵌合穴ＱにガイドピンＣを挿入することにより行な
う。しかし、この方法でもガイドピンＣの調心が必要で
あるためコネクタベ−スＡ、導波路基板Ｂ、ガイドピン
Ｃの組み立てに時間がかかる。
との接続は、光ファイバＤが固定されているコネクタＥ
の嵌合穴ＱにガイドピンＣを挿入することにより行な
う。しかし、この方法でもガイドピンＣの調心が必要で
あるためコネクタベ−スＡ、導波路基板Ｂ、ガイドピン
Ｃの組み立てに時間がかかる。
【０００５】従来は図４の光導波路の他に図５の光導波
路も提案されている（特開平１−２９１２０４）。これ
は、コアＦの両側にＶ字状のガイド溝Ｇを形成した導波
路基板Ｈの上に、台形状の重合溝Ｉが形成されている重
合基板Ｊを重合してなる。そして前記ガイド溝Ｇと重合
溝Ｉとで形成される嵌合穴Ｋに、光ファイバＬが挿入固
定されている光コネクタＭのガイドピンＮを嵌入するこ
とにより、光ファイバＬと光導波路のコアＦとが光接続
されるようにしてある。この光導波路は部品の組み立て
に調心を必要とせず、組み立てが簡単であるという利点
がある。
路も提案されている（特開平１−２９１２０４）。これ
は、コアＦの両側にＶ字状のガイド溝Ｇを形成した導波
路基板Ｈの上に、台形状の重合溝Ｉが形成されている重
合基板Ｊを重合してなる。そして前記ガイド溝Ｇと重合
溝Ｉとで形成される嵌合穴Ｋに、光ファイバＬが挿入固
定されている光コネクタＭのガイドピンＮを嵌入するこ
とにより、光ファイバＬと光導波路のコアＦとが光接続
されるようにしてある。この光導波路は部品の組み立て
に調心を必要とせず、組み立てが簡単であるという利点
がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５の導波路基板Ｈは
シリコン（Ｓｉ）基板上に石英ガラスを通常の火炎堆積
法により堆積してコアＦを形成し、同コアＦの両側に機
械加工によりガイド溝Ｇを形成してある。この場合、ガ
イド溝ＧとコアＦとの相対的位置の精度を良くしなけれ
ばならないが、従来はコアＦとガイド溝Ｇを別々の装置
で別工程で形成しているので、前記の相対的位置が設計
値通りになりにくい。また、ガイドピンＮの製作もコア
Ｆ、ガイド溝Ｇの製作と別に行なわれるので、組み立て
作業の悪化、組み立て精度の低下を招き、光導波路と光
コネクタＭとを接続したときに光導波路のコアＦと光コ
ネクタＭの光ファイバＮとが位置ずれして接続ロスが増
加するという問題があった。
シリコン（Ｓｉ）基板上に石英ガラスを通常の火炎堆積
法により堆積してコアＦを形成し、同コアＦの両側に機
械加工によりガイド溝Ｇを形成してある。この場合、ガ
イド溝ＧとコアＦとの相対的位置の精度を良くしなけれ
ばならないが、従来はコアＦとガイド溝Ｇを別々の装置
で別工程で形成しているので、前記の相対的位置が設計
値通りになりにくい。また、ガイドピンＮの製作もコア
Ｆ、ガイド溝Ｇの製作と別に行なわれるので、組み立て
作業の悪化、組み立て精度の低下を招き、光導波路と光
コネクタＭとを接続したときに光導波路のコアＦと光コ
ネクタＭの光ファイバＮとが位置ずれして接続ロスが増
加するという問題があった。
【０００７】本発明の目的は調心作業を必要とせず、し
かもガイド溝とコアとの相対的位置精度が良い光導波路
を製作できるガイド溝付き光導波路の製作方法を提供す
ることにある。
かもガイド溝とコアとの相対的位置精度が良い光導波路
を製作できるガイド溝付き光導波路の製作方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のうち請求項１の
発明は、前記目的を達成するためコアとガイド溝との製
作を一枚のフォトマスクを用いて同じ工程で形成するよ
うにしたものである。即ち、図１（ａ）のようにシリコ
ン基板１の表面２の一部に溝３を形成し、図１（ｂ）の
ようにその表面２及び溝３の上に光導波路のバッファ層
４を形成し、図１（ｃ）のように同バッファ層４を研磨
してその表面をシリコン基板１の表面２と同じ高さの平
面にし、図１（ｄ）のようにその上にコア層５を形成
し、同コア層５の表面にコアパターンとガイド溝パター
ンとが表示されたフォトマスク（図示されていない）を
重ね且つそれらのパターンをコア層５に転写してコア層
５の上に同パターンと同じ形状のマスク材を形成し、シ
リコン基板１のうちマスク材でマスクされない部分をエ
ッチングしてエッチングされない部分に図１（ｅ）のよ
うにガイド溝縁６とコア７とを形成し、シリコン基板１
をシリコン異方性エッチングして同シリコン基板１の隣
合うガイド溝縁６の内側にガイド溝８を形成し、同ガイ
ド溝８とガイド溝縁６とコア７の上に図１（ｇ）のよう
にクラッド層９を形成し、このクラッド層９のうちコア
７の外側部分を残して他の部分を除去してコア７の外側
部分にクラッド１０を形成するようにしたものである。
発明は、前記目的を達成するためコアとガイド溝との製
作を一枚のフォトマスクを用いて同じ工程で形成するよ
うにしたものである。即ち、図１（ａ）のようにシリコ
ン基板１の表面２の一部に溝３を形成し、図１（ｂ）の
ようにその表面２及び溝３の上に光導波路のバッファ層
４を形成し、図１（ｃ）のように同バッファ層４を研磨
してその表面をシリコン基板１の表面２と同じ高さの平
面にし、図１（ｄ）のようにその上にコア層５を形成
し、同コア層５の表面にコアパターンとガイド溝パター
ンとが表示されたフォトマスク（図示されていない）を
重ね且つそれらのパターンをコア層５に転写してコア層
５の上に同パターンと同じ形状のマスク材を形成し、シ
リコン基板１のうちマスク材でマスクされない部分をエ
ッチングしてエッチングされない部分に図１（ｅ）のよ
うにガイド溝縁６とコア７とを形成し、シリコン基板１
をシリコン異方性エッチングして同シリコン基板１の隣
合うガイド溝縁６の内側にガイド溝８を形成し、同ガイ
ド溝８とガイド溝縁６とコア７の上に図１（ｇ）のよう
にクラッド層９を形成し、このクラッド層９のうちコア
７の外側部分を残して他の部分を除去してコア７の外側
部分にクラッド１０を形成するようにしたものである。
【０００９】本発明のうち請求項２の発明は、図１
（ａ）〜（ｅ）までの工程は請求項１の発明と同じであ
り、その後の工程である図１（ｆ）〜（ｈ）までの工程
を請求項１の発明と逆にしたものである。即ち、図２
（ｂ）〜（ｄ）のようにしたものである。
（ａ）〜（ｅ）までの工程は請求項１の発明と同じであ
り、その後の工程である図１（ｆ）〜（ｈ）までの工程
を請求項１の発明と逆にしたものである。即ち、図２
（ｂ）〜（ｄ）のようにしたものである。
【００１０】具体的には、図２（ａ）｛図１（ｅ）に相
当｝のように成形したシリコン基板１の上面とガイド溝
縁６とコア７の上に、図２（ｂ）のようにクラッド層９
を形成し、同クラッド層９のうちコア７の外側部分を残
して他の部分を除去して同コア７の外側部分にクラッド
１０を形成し、その後に、シリコン基板１をシリコン異
方性エッチングして同シリコン基板１の隣合うガイド溝
縁６の内側にガイド溝８を形成するようにしたものであ
る。
当｝のように成形したシリコン基板１の上面とガイド溝
縁６とコア７の上に、図２（ｂ）のようにクラッド層９
を形成し、同クラッド層９のうちコア７の外側部分を残
して他の部分を除去して同コア７の外側部分にクラッド
１０を形成し、その後に、シリコン基板１をシリコン異
方性エッチングして同シリコン基板１の隣合うガイド溝
縁６の内側にガイド溝８を形成するようにしたものであ
る。
【００１１】
【作用】本発明の請求項１、請求項２のガイド溝付き光
導波路の製作方法によれば、コア７とガイド溝８の相対
位置が一枚のフォトマスクで決められるので、コア６と
ガイド溝８の相対的位置精度が向上する。また、ガイド
溝８の深さを異方性エッチングにより決めることができ
るので、ガイド溝８の深さを任意に選択することもでき
る。
導波路の製作方法によれば、コア７とガイド溝８の相対
位置が一枚のフォトマスクで決められるので、コア６と
ガイド溝８の相対的位置精度が向上する。また、ガイド
溝８の深さを異方性エッチングにより決めることができ
るので、ガイド溝８の深さを任意に選択することもでき
る。
【００１２】
【実施例１】図１に本発明の請求項１のガイド溝付き光
導波路の製作方法の実施例を示す。その製作は次の〜
の順に行なう。
導波路の製作方法の実施例を示す。その製作は次の〜
の順に行なう。
【００１３】．図１（ａ）のＳｉ基板１として（１１
０）面結晶のものを使用し、同Ｓｉ基板１の表面２の一
部に機械加工又は化学的エッチングで溝３を形成する。
０）面結晶のものを使用し、同Ｓｉ基板１の表面２の一
部に機械加工又は化学的エッチングで溝３を形成する。
【００１４】．Ｓｉ基板１の表面２及び溝３の上に、
石英ガラスを火炎堆積法を用いて堆積させて、図１
（ｂ）のように光導波路のバッファ層４を形成する。
石英ガラスを火炎堆積法を用いて堆積させて、図１
（ｂ）のように光導波路のバッファ層４を形成する。
【００１５】．バッファ層４を研磨して図１（ｃ）の
ように、バッファ層４の表面をＳｉ基板１の表面２と水
平な平面にする。
ように、バッファ層４の表面をＳｉ基板１の表面２と水
平な平面にする。
【００１６】．前記バッファ層４及びＳｉ基板１の表
面２の上に、石英ガラスを火炎堆積法を用いて堆積させ
て、図１（ｄ）のようにコア層５を形成する。
面２の上に、石英ガラスを火炎堆積法を用いて堆積させ
て、図１（ｄ）のようにコア層５を形成する。
【００１７】．コア層５の表面に図示しないレジスト
を塗布し、その上に図示しないガイド溝パターンとコア
パターンが表示されたフォトマスクをのせ且つその上か
ら光を照射してガイド溝パターンとコアパターンの部分
を感光してコア層５の上にガイド溝パターンとコアパタ
ーンを転写し、同パターンと同じ形状のマスク材を形成
する。このときガイド溝パターンはＳｉ基板１の（１１
０）面と平行になるように、例えば、Ｓｉ基板１のオリ
エンテ−ションフラットを基準に位置合わせをする。ま
た、位置合わせの精度を上げるためにプリエッチングを
行ない、それを元に位置合わせをする。
を塗布し、その上に図示しないガイド溝パターンとコア
パターンが表示されたフォトマスクをのせ且つその上か
ら光を照射してガイド溝パターンとコアパターンの部分
を感光してコア層５の上にガイド溝パターンとコアパタ
ーンを転写し、同パターンと同じ形状のマスク材を形成
する。このときガイド溝パターンはＳｉ基板１の（１１
０）面と平行になるように、例えば、Ｓｉ基板１のオリ
エンテ−ションフラットを基準に位置合わせをする。ま
た、位置合わせの精度を上げるためにプリエッチングを
行ない、それを元に位置合わせをする。
【００１８】．前記のようにマスク材を形成した状態
で、フッ素系エッチングガスによる反応性イオンエッチ
ング（リアクチブイオンビームエッチング：ＲＩＢＥ）
を行ない、バッファ層４、コア層５のうちマスク材でマ
スクされていない部分のみをエッチングして、図１
（ｅ）のように残りの部分にガイド溝パターンと同じ形
状のガイド溝縁６とコアパターンと同じ形状のコア７を
形成する。エッチングは完全にＳｉ基板１が露出するま
で行う。
で、フッ素系エッチングガスによる反応性イオンエッチ
ング（リアクチブイオンビームエッチング：ＲＩＢＥ）
を行ない、バッファ層４、コア層５のうちマスク材でマ
スクされていない部分のみをエッチングして、図１
（ｅ）のように残りの部分にガイド溝パターンと同じ形
状のガイド溝縁６とコアパターンと同じ形状のコア７を
形成する。エッチングは完全にＳｉ基板１が露出するま
で行う。
【００１９】．次に、前記Ｓｉ基板１を異方性エッチ
ングする。この場合、エチレンジアミンピロカテコ−ル
等のアルカリエッチング液に図１（ｅ）のＳｉ基板１を
浸せば、Ｓｉ基板１のうちマスク材でマスクされずに露
出している箇所のみがエッチングされて、図１（ｆ）の
ように隣り合うガイド溝縁６の間にＶ字状のガイド溝８
が形成される。
ングする。この場合、エチレンジアミンピロカテコ−ル
等のアルカリエッチング液に図１（ｅ）のＳｉ基板１を
浸せば、Ｓｉ基板１のうちマスク材でマスクされずに露
出している箇所のみがエッチングされて、図１（ｆ）の
ように隣り合うガイド溝縁６の間にＶ字状のガイド溝８
が形成される。
【００２０】．次に、石英ガラスを火炎堆積法を用い
て図１（ｇ）のようにガイド溝縁６、ガイド溝８、バッ
ファ層４の上に堆積させてクラッド層９を形成し、この
クラッド層９の上面のうちエッチングにより除去された
くない部分（コア７の外側）にマスキング（図示されて
いない）を施す。
て図１（ｇ）のようにガイド溝縁６、ガイド溝８、バッ
ファ層４の上に堆積させてクラッド層９を形成し、この
クラッド層９の上面のうちエッチングにより除去された
くない部分（コア７の外側）にマスキング（図示されて
いない）を施す。
【００２１】．図１（ｇ）の状態のＳｉ基板１を反応
性イオンエッチングして、クラッド層９のうちマスク材
でマスクされていない部分のみを除去し、図１（ｈ）の
ようにコア７の外側にグラッド１０を形成する。
性イオンエッチングして、クラッド層９のうちマスク材
でマスクされていない部分のみを除去し、図１（ｈ）の
ようにコア７の外側にグラッド１０を形成する。
【００２２】
【実施例２】図２に本発明の請求項２のガイド溝付き光
導波路の製作方法の実施例を示す。この実施例のうち前
半の工程は実施例１の前記〜までの工程｛図１の
（ａ）〜（ｅ）までの工程｝と同じである、異なるのは
実施例１の前記〜までの工程である。
導波路の製作方法の実施例を示す。この実施例のうち前
半の工程は実施例１の前記〜までの工程｛図１の
（ａ）〜（ｅ）までの工程｝と同じである、異なるのは
実施例１の前記〜までの工程である。
【００２３】実施例２では実施例１の前記〜の工程
を次の様に変える。 ．図２（ａ）｛図１（ｅ）に相当｝の様に成形された
Ｓｉ基板１のガイド溝縁６、ガイド溝８、バッファ層４
の上に、石英ガラスを火炎堆積法を用いて図２（ｂ）の
ように堆積させてクラッド層９を形成し、このとき、ガ
イド溝縁の上にそれを埋込まない様に板状の溝縁用マス
ク板１１をのせて仮固定し、ガイド溝縁にクラッド層が
堆積しないようにする。この溝縁用マスク板１１はクラ
ッド層を形成した後に取り除く。
を次の様に変える。 ．図２（ａ）｛図１（ｅ）に相当｝の様に成形された
Ｓｉ基板１のガイド溝縁６、ガイド溝８、バッファ層４
の上に、石英ガラスを火炎堆積法を用いて図２（ｂ）の
ように堆積させてクラッド層９を形成し、このとき、ガ
イド溝縁の上にそれを埋込まない様に板状の溝縁用マス
ク板１１をのせて仮固定し、ガイド溝縁にクラッド層が
堆積しないようにする。この溝縁用マスク板１１はクラ
ッド層を形成した後に取り除く。
【００２４】．図２（ｂ）の状態のＳｉ基板１を反応
性イオンエッチングして、クラッド層９のうちマスク材
でマスクされていない部分のみを除去して、図２（ｃ）
のようにコア７の外側にグラッド１０を形成する。
性イオンエッチングして、クラッド層９のうちマスク材
でマスクされていない部分のみを除去して、図２（ｃ）
のようにコア７の外側にグラッド１０を形成する。
【００２５】．次に、図２（ｃ）の状態のＳｉ基板１
を異方性エッチングする。この場合、エチレンジアミン
ピロカテコ−ル等のアルカリエッチング液に図２（ｃ）
のＳｉ基板１を浸せば、Ｓｉ基板１のうちマスク材でマ
スクされずに露出している箇所のみがエッチングされ
て、図２（ｄ）のように隣り合うガイド溝縁６の間にＶ
字状のガイド溝８が形成される。
を異方性エッチングする。この場合、エチレンジアミン
ピロカテコ−ル等のアルカリエッチング液に図２（ｃ）
のＳｉ基板１を浸せば、Ｓｉ基板１のうちマスク材でマ
スクされずに露出している箇所のみがエッチングされ
て、図２（ｄ）のように隣り合うガイド溝縁６の間にＶ
字状のガイド溝８が形成される。
【００２６】
【使用例】本発明のガイド溝付き光導波路の製作方法で
製作した光導波路と光ファイバが固定された光コネクタ
とを接続するには図３のようにする。先ず、光導波路２
０に重合基板２１を重合して接着固定し、光導波路２０
のガイド溝８と重合基板２１にエッチングや機械加工等
で製作された重合溝２２とにより嵌合穴２３を形成す
る。この場合、重合基板２１にはＳｉ基板１と熱膨張係
数が同じシリコンか、ほぼ同じであるボロシリケ−トガ
ラス等を使用する。
製作した光導波路と光ファイバが固定された光コネクタ
とを接続するには図３のようにする。先ず、光導波路２
０に重合基板２１を重合して接着固定し、光導波路２０
のガイド溝８と重合基板２１にエッチングや機械加工等
で製作された重合溝２２とにより嵌合穴２３を形成す
る。この場合、重合基板２１にはＳｉ基板１と熱膨張係
数が同じシリコンか、ほぼ同じであるボロシリケ−トガ
ラス等を使用する。
【００２７】次に、図３の嵌合穴２３に光コネクタ２４
から突出しているガイドピン２５を嵌入して、光コネク
タ２４に挿入されている光ファイバ２６の接合端面２７
を光導波路２０のコア７に光学的に接合する。
から突出しているガイドピン２５を嵌入して、光コネク
タ２４に挿入されている光ファイバ２６の接合端面２７
を光導波路２０のコア７に光学的に接合する。
【００２８】
【発明の効果】本発明の請求項１、２のガイド溝付き光
導波路の製作方法は次のような効果がある。 ．コア７とガイド溝８の相対的位置精度が高い光導波
路を製作できる。 ．コア７とガイド溝８の相対的位置精度が高いので、
そのガイド溝８に光コネクタ２４のガイドピン２５を嵌
入するだけで光導波路２０のコア７と光コネクタ２４の
光ファイバ２５の光軸とが一致する。このため調心作業
を必要としないので接合作業が容易になる。 ．ガイド溝８の深さを容易に調節でき、しかも深さの
精度を高めることもできる。
導波路の製作方法は次のような効果がある。 ．コア７とガイド溝８の相対的位置精度が高い光導波
路を製作できる。 ．コア７とガイド溝８の相対的位置精度が高いので、
そのガイド溝８に光コネクタ２４のガイドピン２５を嵌
入するだけで光導波路２０のコア７と光コネクタ２４の
光ファイバ２５の光軸とが一致する。このため調心作業
を必要としないので接合作業が容易になる。 ．ガイド溝８の深さを容易に調節でき、しかも深さの
精度を高めることもできる。
【図１】（ａ）〜（ｈ）は本発明の請求項１のガイド溝
付き光導波路の製作方法の工程説明図。
付き光導波路の製作方法の工程説明図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の請求項２のガイド溝
付き光導波路の製作方法の工程説明図。
付き光導波路の製作方法の工程説明図。
【図３】本発明の製作方法で製作されたガイド溝付き光
導波路を用いた光ファイバの接続方法の説明図。
導波路を用いた光ファイバの接続方法の説明図。
【図４】従来の光導波路と光ファイバの接続方法の説明
図。
図。
【図５】従来の光導波路と光ファイバの他の接続方法の
説明図。
説明図。
１ シリコン基板 ２ 上面 ３ 溝 ４ コア層 ５ コア層 ６ ガイド溝縁 ７ コア ８ ガイド溝 ９ クラッド層 １０ クラッド
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板（１）の上面（２）に溝
（３）を形成する工程、同上面（２）及び溝（３）の上
にバッファ層（４）を形成する工程、同バッファ層
（４）の上にコア層（５）を形成する工程、同コア層
（５）の表面にコアパターンとガイド溝パターンとが表
示されたフォトマスクを重ね且つそれらのパターンをコ
ア層（５）に転写してコア層（５）の上に同パターンと
同じ形状のマスク材を形成する工程、シリコン基板
（１）のうちマスク材でマスクされない部分をエッチン
グしてエッチングされない部分にガイド溝縁（６）とコ
ア（７）とを形成する工程、シリコン基板（１）をシリ
コン異方性エッチングして同シリコン基板（１）の隣合
うガイド溝縁（６）の内側にガイド溝（８）を形成する
工程、同ガイド溝（８）とガイド溝縁（６）とコア
（７）の上にクラッド層（９）を形成する工程、クラッ
ド層（９）のうちコア（７）の外側部分を残して他の部
分を除去してコア（７）の外側部分にクラッド（１０）
を形成する工程を備えたことを特徴とするガイド溝付き
光導波路の製作方法。 - 【請求項２】 シリコン基板（１）の上面（２）に溝
（３）を形成する工程、同上面（２）及び溝（３）の上
にバッファ層（４）を形成する工程、同バッファ層
（４）の上にコア層（５）を形成する工程、同コア層
（５）の表面にコアパターンとガイド溝パターンとが表
示されたフォトマスクを重ね且つそれらのパターンをコ
ア層（５）に転写してコア層（５）の上に同パターンと
同じ形状のマスク材を形成する工程、シリコン基板
（１）のうちマスク材でマスクされない部分をエッチン
グしてエッチングされない部分にガイド溝縁（６）とコ
ア（７）とを形成する工程、シリコン基板（１）とガイ
ド溝縁（６）とコア（７）の上にクラッド層（９）を形
成する工程、同クラッド層（９）のうちコア（７）の外
側部分を残して他の部分を除去してコア（７）の外側部
分にクラッド（１０）を形成する工程、シリコン基板
（１）をシリコン異方性エッチングして同シリコン基板
（１）の隣合うガイド溝縁（６）の内側にガイド溝
（８）を形成する工程を備えたことを特徴とするガイド
溝付き光導波路の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5171141A JPH0772347A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | ガイド溝付き光導波路の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5171141A JPH0772347A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | ガイド溝付き光導波路の製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772347A true JPH0772347A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=15917752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5171141A Pending JPH0772347A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | ガイド溝付き光導波路の製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772347A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2381082A (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Marconi Caswell Ltd | Optical waveguide with alignment feature in core layer |
| CN100367059C (zh) * | 2001-01-16 | 2008-02-06 | 莫列斯公司 | 光纤的无源对准连接 |
| JP2015064413A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 富士通株式会社 | 光半導体素子とその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5171141A patent/JPH0772347A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100367059C (zh) * | 2001-01-16 | 2008-02-06 | 莫列斯公司 | 光纤的无源对准连接 |
| GB2381082A (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Marconi Caswell Ltd | Optical waveguide with alignment feature in core layer |
| JP2015064413A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 富士通株式会社 | 光半導体素子とその製造方法 |
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