JPH0775194B2 - 電力制御装置 - Google Patents

電力制御装置

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JPH0775194B2
JPH0775194B2 JP2401063A JP40106390A JPH0775194B2 JP H0775194 B2 JPH0775194 B2 JP H0775194B2 JP 2401063 A JP2401063 A JP 2401063A JP 40106390 A JP40106390 A JP 40106390A JP H0775194 B2 JPH0775194 B2 JP H0775194B2
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政義 宮島
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クロイ電機株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、照明器具の光量を調
節する調光装置等の電力制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば照明器具の光量制御のように電力
を無段階的に制御する電力制御装置は、従来よりスイッ
チング素子の位相角を制御する回路から構成されてい
る。このような従来の電力制御装置の最も典型的な回路
は、可変抵抗とコンデンサによりCR位相調整回路を構
成し、サイリスタ(トライアック等)のゲートと位相制
御回路間にトリガ素子を設け、可変抵抗の抵抗値によっ
てトリガ素子がブレイクオーバーする位相を制御し、こ
のことによりサイリスタの導通角を定めるようにしてい
る。その結果ランプ等の負荷には図3に示すような電圧
が印加されることになる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、サイリスタ
の導通角を位相制御する従来の調光装置においては、負
荷に印加される電圧波形は商用交流電源電圧波形の各半
サイクル毎に連続する非導通角が存在するため、比較的
低次の高調波成分が高い含有率で電力系統に重畳される
という特性を備えている。このため電力系統に接続され
ている変圧器や調相回路における電力損を増大させると
いう問題があった。
【0004】近年の位相制御による電力制御装置の多用
によって上述の問題は深刻化しつつあり、機器から電力
系統に重畳される高調波成分の含有率を制限するための
規格や規制が提案されている。
【0005】また従来の位相制御による電力制御装置は
位相調整用コンデンサの初期条件の違いによりヒステリ
シスが生じること、商用交流電源周波数の違いにより特
性が変化すること、更には電源電圧の変動によって導通
角も変化して供給電力が大きく変動すること等の問題も
あった。
【0006】この発明の目的は、高調波による電力系統
に及ぼす影響を低減するとともに上述の問題を解消した
電力制御装置を提供することにある。
【0007】またこの発明の他の目的は、可変抵抗器の
調整によって供給電力を広範囲にわたって安定して設定
できるようにした電力制御装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る電力制御装置は、商用交流電源を電源とする負荷に直
列に接続される装置であって、入力端子間に流れる電流
を一方向に整流する第1のダイオードと、これとは反対
方向に整流する第2のダイオードと、デューティー比制
御用可変抵抗を備え、高周波発振する非安定マルチバイ
ブレータと、第1のダイオードに直列接続され、上記非
安定マルチバイブレータの出力によりオン/オフする第
1のスイッチングトランジスタと、第2のダイオードに
直列接続され、上記非安定マルチバイブレータの出力に
よりオン/オフする第2のスイッチングトランジスタと
から構成したことを特徴とする。
【0009】また請求項2に係る電力制御装置は、商用
交流電源を電源とする負荷に直列に接続される装置であ
って、入力端子間に流れる電流を整流する整流回路と、
デューティー比制御用可変抵抗を備え、高周波発振する
非安定マルチバイブレータと、上記整流回路に接続さ
れ、上記非安定マルチバイブレータの出力によりオン/
オフするスイッチングトランジスタとを備えるととも
に、上記整流回路の出力電圧を抵抗を介して充電するコ
ンデンサと、このコンデンサの充電電圧が一定値を超え
た時オンして上記マルチバイブレータにトリガパルスを
与えるトリガ素子からなるトリガ回路を設けたことを特
徴とする。
【0010】
【作用】この発明の請求項1に係る電力制御装置では、
第1のダイオードは入力端子間に流れる電流を一方向に
整流し、第2のダイオードはそれとは反対方向に整流す
る。非安定マルチバイブレータは、可変抵抗の状態で定
まるデューティー比のパルスを発生する。そして第1の
スイッチングトランジスタは非安定マルチバイブレータ
の出力によりオン/オフして第1のダイオードに流れる
電流を断続し、また第2のスイッチングトランジスタは
非安定マルチバイブレータの出力によりオン/オフして
第2のダイオードに流れる電流を断続する。非安定マル
チバイブレータの繰り返し周期は商用交流電源の周期よ
り十分に短いため、負荷に流れる電流は非安定マルチバ
イブレータの発生する矩形波信号に応じて交流電源の1
サイクル内で複数回断続される。負荷供給電力は第1・
第2のスイッチングトランジスタのオンデューティー比
で定まり、非安定マルチバイブレータのデューティー比
制御用可変抵抗を調節することによって負荷供給電力を
調節することができる。
【0011】このようにして商用交流電源電圧の半サイ
クル中に負荷供給電流が連続的に遮断されることなく、
全周期にわたって一定デューティー比で負荷供給電流が
断続されるため、電力系統に重畳される低次高調波成分
の含有率は低い。もちろん非安定マルチバイブレータの
繰り返し周期に対応する周波数成分が高次高調波成分と
して生じるが、これは電力系統のインダクタンスで減衰
され、また比較的低インダクタンスのコイルでフィルタ
リングすることができ、他の機器に悪影響を与えない。
【0012】なお、電源電圧の例えば正の半サイクルで
第1のダイオードおよび第1のスイッチングトランジス
タを通して負荷電流が流れ、負の半サイクルで第2のダ
イオードおよび第2のスイッチングトランジスタを通し
て負荷電流が流れる。したがって、負荷電流路には1段
の整流用ダイオードが介在するだけであり、例えばダイ
オードブリッジを用いて整流する場合に比較して整流ダ
イオードによる電力損失は半分になり電力制御装置全体
の電力損失が低減する。
【0013】請求項2に係る電力制御装置では、整流回
路が入力端子間に流れる電流を整流し、非安定マルチバ
イブレータが可変抵抗の状態で定まるデューティー比の
パルスを発生する。スイッチングトランジスタは非安定
マルチバイブレータの出力によりオン/オフして整流回
路に流れる電流を導通/遮断する。そしてトリガ回路内
のコンデンサは整流回路の出力電圧を抵抗を介して充電
し、このコンデンサの充電電圧が一定値を超えた時トリ
ガ素子がオンして非安定マルチバイブレータにトリガパ
ルスを与える。上記コンデンサの充電電圧は電源周波数
の一周期(整流回路が半波整流である場合)または半サ
イクル(整流回路が全波整流である場合)毎に上昇し、
それに応じて非安定マルチバイブレータにトリガパルス
が与えられる。
【0014】可変抵抗器の設定によってマルチバイブレ
ータのデューティー比が極端に大きくなる場合や極端に
小さくなる場合には、マルチバイブレータを構成する2
つのトランジスタがともにオンする状態が生じてその発
振動作が不安定となるが、このように一定周期毎にマル
チバイブレータにトリガパルスが与えられることによっ
て、非常に大きなデューティー比または非常に小さなデ
ューティー比であっても発振動作を継続させることがで
きる。このことにより供給電力を広範囲にわたって設定
できるようになる。
【0015】
【実施例】この発明の実施例である調光装置の回路を図
1に示す。図1においてLは負荷としてのランプであ
り、このランプLとともに端子T1,T2を介して商用
交流電源ACに直列接続される回路が調光回路である。
コンデンサC9,チョークコイルCHは高調波(特に後
述する非安定マルチバイブレータの発振周波数)成分を
除去するフィルター回路を構成する。D10はチョーク
コイルCHを介して入力端子T1,T2間に流れる電流
を一方向に整流する第1の整流ダイオード、D11はそ
れとは反対方向に整流する第2の整流ダイオードであ
る。Q10は第1の整流ダイオードD10に流れる電流
を断続する第1のスイッチングトランジスタ、Q11は
第2の整流ダイオードD11に流れる電流を断続する第
2のスイッチングトランジスタである。D5,D6はそ
れぞれ逆流防止ダイオードである。
【0016】抵抗R7、コンデンサC7,C8、トラン
ジスタQ8、ツェナーダイオードZD1は直流電圧安定
化回路を構成する。同様にコンデンサC11,C13、
抵抗R10、トランジスタQ9、ツェナーダイオードZ
D2は直流電圧安定化回路を構成する。トランジスタQ
1,Q2、コンデンサC1,C2、抵抗R1,R2,可
変抵抗VR,トランジスタQ3,Q4、抵抗R3,R
4、ダイオードD1,D2は非安定マルチバイブレータ
(以下単にマルチバイブレータという。)を構成する。
このマルチバイブレータの出力信号は抵抗R8およびス
ピードアップコンデンサC6を介してスイッチングトラ
ンジスタQ10のゲートに与えられる。また、同時に抵
抗R5およびスピードアップコンデンサC3を介してト
ランジスタQ5に与えられる。このトランジスタQ5と
それぞれに接続されているダイオードD3,D4、抵抗
R13,R12,R11、コンデンサC12、LED、
トランジスタQ6,Q7はスイッチングトランジスタQ
11のゲート制御用トランジスタ回路を構成する。この
トランジスタ回路の出力は抵抗R9およびスピードアッ
プコンデンサC10を介してQ11のゲートに与えられ
る。なお、ダイオードD7,D8はそれぞれQ10,Q
11のゲートの0レベルを接地電位に保つ。抵抗R6、
コンデンサC4,C5およびトリガ素子SBSは非安定
マルチバイブレータに対しトリガパルスを与えるトリガ
回路を構成する。
【0017】図1に示した回路の動作は次の通りであ
る。まず、負荷Lを通して商用交流電源ACが供給され
るとD6の出力に整流電圧が現れ、その電圧がC11に
よって平滑される。そしてQ9はZD2のツェナー電圧
+Q9のベース・エミッタ間電圧にほぼ等しい安定化直
流電圧を出力する。C13はその電圧を平滑する。一
方、D5の出力電圧はC7によって平滑され、Q8はZ
D1のツェナー電圧+Q8のベース・エミッタ間電圧に
ほぼ等しい安定化直流電圧を出力する。C8はその電圧
を平滑する。
【0018】このようにしてQ11のゲート制御用トラ
ンジスタ回路およびマルチバイブレータにそれぞれ電源
電圧が与えられる。また、これとは別にCH→R6→C
4→Q2の経路でQ2にベース電流が流れ、Q2がオン
する。これによりQ1のベース電位が低くなってQ1は
オフ状態となる。そのためQ3のベース電位が上昇し、
Q3がオンする。その結果Q10のゲート電位はQ3を
介して高電位になりA点(CHの一端)が正電位の時Q
10はオンする。このときQ10とD10を介してラン
プLに負荷電流が流れる。
【0019】一方、Q2のオンによりVR→C2→D2
→Q2の経路でC2に充電電流が流れる。C2の充電電
圧がQ1のVBEを超えるとQ1がオンする。これによっ
てVR→R1→C1→D1→Q1の経路でC1に充電電
流が流れる。同時にQ2のベース電位が負となってQ2
はオフ状態となる。これによりQ4のベース電位が高く
なり、Q4がオンしてQ1のベース電位を更に高める。
Q1のオンによりQ3がオフし、この時のスイッチング
トランジスタQ10のゲート電位はD1とQ1の順方向
降下電圧にほぼ等しい低電位となってQ10はオフす
る。このときランプLには負荷電流が流れない。
【0020】次に非安定マルチバイブレータの動作に伴
うQ11のゲート制御用トランジスタ回路およびQ11
の動作について述べる。
【0021】Q1がオフ、Q3がオン状態となれば、Q
5のベース電位は高くなりQ5もオン状態となる。その
ためQ7のベースはR12→D3→Q5を介して低電位
となりQ7がオンする。また、Q6のベースも低電位と
なるためQ6はオフ状態となる。したがって第2のスイ
ッチングトランジスタQ11のゲートにはQ7を介して
高電位が与えられる。A点(CHの一端)が負電位であ
る時D11→Q11→CHの経路でランプLに電流が流
れる。逆に、マルチバイブレータのQ1がオン状態とな
ればQ5のベース電位は低電位となりQ5はオフ状態と
なる。そのためQ7およびQ6のベースはともに高電位
となる。その結果Q7がオフ、Q6がオンする。Q11
のゲートはQ6を介して低電位となるためA点の電位に
関わらずQ11はオフ状態となる。
【0022】以上のようにして2つのスイッチングトラ
ンジスタQ10とQ11のゲートにはマルチバイブレー
タの出力に基づく同極性の矩形波信号が与えられる。こ
れによりA点が正電位となる半サイクルではQ10によ
り負荷電流が断続され、A点が負電位となる半サイクル
ではQ11により負荷電流が断続されることになる。
【0023】図2にランプLに供給される電圧・電流の
波形例を示す。
【0024】なお、Q5がオン状態の時R11とLED
との接続点の電位は(D4のVF +Q5のVCE+D9の
F )の電位となるが、この時Q6のベース電位をVBE
より低くするためにR11とQ6のベース間にLEDを
挿入している。すなわちLEDはそのVF を利用するた
めに挿入している。
【0025】スイッチングトランジスタQ10,Q11
のオン時間はQ2のオン時間に等しく、これはVR,R
2,C2の時定数で定まる。Q2のオフ時間(=Q1の
オン時間)はVR,R1,C1の時定数で定まる。した
がってVRの位置によってQ2のオン時間/オフ時間が
ともに変化する。C1=C2であればQ2のオン時間+
オフ時間は一定となり、VRの位置によってそのオンデ
ューティー比が定まる。
【0026】以上にようにしてマルチバイブレータの発
振動作によりランプLを断続するとともにVRの調整に
よってそのオンデューティー比を制御して供給電力を制
御することができる。
【0027】ところで電源投入直後A点が正電位である
時CH→R6→C5→D10の経路でC5に充電電流が
流れる。C5の充電電圧がトリガ素子SBSのブレイク
オーバー電圧を超える時SBSがターンオンしてC5が
放電されるとともに、C4に充電されていた電圧がQ2
のベースに対し負電圧として印加される。即ちQ2に対
し負のトリガパルスが与えられる。R6,C5の時定数
は遅くとも電源周波数の1/4サイクル以内でSBSが
ターンオンするように設定されている。したがって1サ
イクル毎にQ2に対しトリガパルスが与えられる。その
ため、VRの調節によってマルチバイブレータのデュー
ティー比が非常に大きくなる場合や非常に小さくなる場
合にも発振動作が継続される。このことはVRの調節に
よる調節可能なデューティー比の変化幅が広がることを
意味する。
【0028】
【発明の効果】この発明によれば、商用交流電源周波数
より高周波で負荷供給電流を断続するとともにそのオン
デューティー比を可変としたため、比較的低次の高調波
成分が抑えられ、電力系統に与える悪影響を防止するこ
とができる。また、位相制御による方法ではないためヒ
ステリシス現象、商用交流電源周波数による特性変化、
更には電源電圧の変動による問題のない特性の安定した
電力制御装置が得られる。
【0029】特に請求項1に係る電力制御装置では、常
に単一のダイオードとスイッチングトランジスタを介し
て負荷電流が流れるため、整流ダイオードの順方向降下
電圧による電力損失は少なく、装置全体の電力損失を抑
えることができる。
【0030】また請求項2に係る電力制御装置では、デ
ューティー比制御用可変抵抗の調整範囲を広くしてもマ
ルチバイブレータとして安定な発振動作を継続すること
ができるため、広範囲にわたって負荷供給電力を制御す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例である調光装置の回路図であ
る。
【図2】同装置の負荷供給電圧・電流波形図である。
【図3】従来の位相制御による電力制御装置の負荷供給
電圧・電流波形図である。
【符号の説明】
D10−第1のダイオード D11−第2のダイオード Q10−第1のスイッチングトランジスタ Q11−第2のスイッチングトランジスタ SBS−トリガ素子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】商用交流電源を電源とする負荷に直列に接
    続される装置であって、入力端子間に流れる電流を一方
    向に整流する第1のダイオードと、これとは反対方向に
    整流する第2のダイオードと、デューティー比制御用可
    変抵抗を備え、高周波発振する非安定マルチバイブレー
    タと、第1のダイオードに直列接続され、上記非安定マ
    ルチバイブレータの出力によりオン/オフする第1のス
    イッチングトランジスタと、第2のダイオードに直列接
    続され、上記非安定マルチバイブレータの出力によりオ
    ン/オフする第2のスイッチングトランジスタとからな
    る電力制御装置。
  2. 【請求項2】商用交流電源を電源とする負荷に直列に接
    続される装置であって、入力端子間に流れる電流を整流
    する整流回路と、デューティー比制御用可変抵抗を備
    え、高周波発振する非安定マルチバイブレータと、上記
    整流回路に接続され、上記非安定マルチバイブレータの
    出力によりオン/オフするスイッチングトランジスタと
    を備えるとともに、上記整流回路の出力電圧を抵抗を介
    して充電するコンデンサと、このコンデンサの充電電圧
    が一定値を超えた時オンして上記非安定マルチバイブレ
    ータにトリガパルスを与えるトリガ素子からなるトリガ
    回路を設けたことを特徴とする電力制御装置。
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