JPH0775227B2 - 半導体製造装置及び付着物除去方法 - Google Patents
半導体製造装置及び付着物除去方法Info
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- JPH0775227B2 JPH0775227B2 JP2242103A JP24210390A JPH0775227B2 JP H0775227 B2 JPH0775227 B2 JP H0775227B2 JP 2242103 A JP2242103 A JP 2242103A JP 24210390 A JP24210390 A JP 24210390A JP H0775227 B2 JPH0775227 B2 JP H0775227B2
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、付着物のないクリーンな装置内環境を実現す
る半導体製造装置及び付着物除去方法に関する。
る半導体製造装置及び付着物除去方法に関する。
従来の技術 従来より、RIE（Reactive Ion Etching）、CVD（Chemic
al Vapor Deposition）等による半導体基板の処理に際
して、半導体製造装置内の側壁には付着物が堆積するこ
とが知られている。この付着物はSiO2、有機ポリマー等
からなり、半導体基板の処理工程に於ける不純物ガス発
生の原因となっている。また、半導体基板上にこの付着
物が剥がれ落ちると、該基板上に形成されるパターンに
欠陥が生じ、半導体基板の歩留りが低下する。このパタ
ーン欠陥による歩留り低下は、パターンの微細化が進む
につれて重大な問題点となってきている。このような付
着物は、有機溶剤を用いて機械的に装置側壁を拭く方式
（ウエットクリーニング）、処理室の構成部品を取り外
して超音波洗浄を行う方法、又はプラズマクリーニング
等によって、製造ロットの終了毎に定期的に除去されて
いた。
al Vapor Deposition）等による半導体基板の処理に際
して、半導体製造装置内の側壁には付着物が堆積するこ
とが知られている。この付着物はSiO2、有機ポリマー等
からなり、半導体基板の処理工程に於ける不純物ガス発
生の原因となっている。また、半導体基板上にこの付着
物が剥がれ落ちると、該基板上に形成されるパターンに
欠陥が生じ、半導体基板の歩留りが低下する。このパタ
ーン欠陥による歩留り低下は、パターンの微細化が進む
につれて重大な問題点となってきている。このような付
着物は、有機溶剤を用いて機械的に装置側壁を拭く方式
（ウエットクリーニング）、処理室の構成部品を取り外
して超音波洗浄を行う方法、又はプラズマクリーニング
等によって、製造ロットの終了毎に定期的に除去されて
いた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような方法によれば、製造装置を一
時的に停止させなければならないため、該装置の稼働率
低下を免れることは不可能であった。本発明はこのよう
な問題点を解決するものであり、本発明の目的は、稼働
を停止することなく付着物を除去し得る半導体製造装置
を提供することである。本発明の他の目的は、定期的に
装置の稼働を停止する必要のない付着物除去方法を提供
することである。
時的に停止させなければならないため、該装置の稼働率
低下を免れることは不可能であった。本発明はこのよう
な問題点を解決するものであり、本発明の目的は、稼働
を停止することなく付着物を除去し得る半導体製造装置
を提供することである。本発明の他の目的は、定期的に
装置の稼働を停止する必要のない付着物除去方法を提供
することである。
課題を解決するための手段 本発明の半導体製造装置は、半導体基板処理部と付着物
除去部とを有する減圧容器と、該処理部内および該除去
部内に位置し得る稼動可能な側壁部を有する隔壁部材
と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、を備
え、該処理部内に於ける半導体基板の所定の処理によっ
て該側壁部に付着した付着物が、該除去部内に於いて除
去され、そのことによって上記目的が達成される。ま
た、前記隔壁部材が複数の側壁部を有する筒状であり、
該側壁部が、前記駆動手段によって、該処理部内及び該
除去部内に位置し得るように平行移動可能となっている
構成とすることができる。更に、前記隔壁部材が複数の
側壁部を有し、該側壁部が前記駆動手段によって、該処
理部内及び該除去部内に位置し得るように回転移動可能
となっている構成とすることができる。また、前記半導
体製造装置がドライエッチング装置である構成とするこ
とができる。更に、前記半導体製造装置がプラズマCVD
装置である構成とすることができる。また、前記側壁部
に付着した付着物が、前記除去部内に於いてプラズマク
リーニングによって除去される構成とすることができ
る。また、本発明の半導体製造装置は、一対の半導体基
板処理用電極を有する半導体基板処理部と、一対の付着
物除去用電極を有する付着物除去部とを有する減圧容器
と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る複数の側壁
部を有する移動可能な隔壁部材と、該隔壁部材を移動さ
せるための駆動手段と、を有し、該処理部に於ける該処
理用電極と該側壁部の１つとによって形成される処理室
に於いて、半導体基板の所定の処理が行われると同時
に、該除去部内に於いて他の側壁部に付着した付着物
が、該除去用電極によって除去され、そのことによって
上記目的が達成される。本発明の半導体製造装置は、一
対の半導体基板処理用電極を有する半導体基板処理部
と、該処理部に隣接し且つそれぞれ一対の付着物除去用
電極を有する２つの付着物除去部とを有する減圧容器
と、該処理部内及び何れか一方の除去部内に位置し得る
２つの平行移動可能な側壁部を有する筒状の隔壁部材
と、該隔壁部材を平行移動させるための駆動手段と、を
有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の１つ
によって形成される処理室に於いて半導体基板の所定の
処理が行われると同時に、該除去部内にガスが導入さ
れ、該除去用電極を用いた放電により、他の側壁部に付
着した付着物が除去され、そのことによって上記目的が
達成される。本発明の半導体製造装置は、一対の半導体
基板処理用電極を有する半導体基板処理部と、一対の付
着物除去用電極を有する付着物除去部とを有する減圧容
易と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る２つの回
転移動可能な側壁部を有する隔壁部材と、該隔壁部材を
回転移動させるための駆動手段と、を有し、該処理部に
於ける該処理用電極と該側壁部の一方とによって形成さ
れる処理室に於いて半導体基板の所定の処理が行われる
と同時に、該除去部に於ける該除去用電極と他方の側壁
部によって形成される除去室にガスが導入され、該除去
用電極を用いた放電により、該他方の側壁部に付着した
付着物が除去され、そのことによって上記目的が達成さ
れる。本発明の付着物除去方法は、半導体基板処理部と
少なくとも１つの付着物除去部とを有する減圧容器と、
該処理部内及び該除去部内に位置し得る複数の側壁部を
有する移動可能な隔壁部材と、該隔壁部材を移動させる
ための駆動手段と、を備えた半導体製造装置に於ける付
着物除去方法であって、該処理部内に位置する該側壁部
内に於いて半導体基板の所定の処理を行うと同時に、該
除去部内に於いて他の側壁部の付着物除去を行う工程
と、該駆動手段によって、該処理部内に位置する該側壁
部を該除去部内に移動させると共に、該除去部内に位置
する該他の側壁部を該処理部内に移動させる工程と、該
処理部内に位置する該側壁部内に於いて半導体基板の所
定の処理を行うと同時に、該除去部内に於いて他の側壁
部の付着物除去を行う工程と、を包含しており、そのこ
とによって上記目的が達成される。また、前記側壁部の
付着物の除去が、プラズマクリーニングによって行われ
る構成とすることができる。
除去部とを有する減圧容器と、該処理部内および該除去
部内に位置し得る稼動可能な側壁部を有する隔壁部材
と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、を備
え、該処理部内に於ける半導体基板の所定の処理によっ
て該側壁部に付着した付着物が、該除去部内に於いて除
去され、そのことによって上記目的が達成される。ま
た、前記隔壁部材が複数の側壁部を有する筒状であり、
該側壁部が、前記駆動手段によって、該処理部内及び該
除去部内に位置し得るように平行移動可能となっている
構成とすることができる。更に、前記隔壁部材が複数の
側壁部を有し、該側壁部が前記駆動手段によって、該処
理部内及び該除去部内に位置し得るように回転移動可能
となっている構成とすることができる。また、前記半導
体製造装置がドライエッチング装置である構成とするこ
とができる。更に、前記半導体製造装置がプラズマCVD
装置である構成とすることができる。また、前記側壁部
に付着した付着物が、前記除去部内に於いてプラズマク
リーニングによって除去される構成とすることができ
る。また、本発明の半導体製造装置は、一対の半導体基
板処理用電極を有する半導体基板処理部と、一対の付着
物除去用電極を有する付着物除去部とを有する減圧容器
と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る複数の側壁
部を有する移動可能な隔壁部材と、該隔壁部材を移動さ
せるための駆動手段と、を有し、該処理部に於ける該処
理用電極と該側壁部の１つとによって形成される処理室
に於いて、半導体基板の所定の処理が行われると同時
に、該除去部内に於いて他の側壁部に付着した付着物
が、該除去用電極によって除去され、そのことによって
上記目的が達成される。本発明の半導体製造装置は、一
対の半導体基板処理用電極を有する半導体基板処理部
と、該処理部に隣接し且つそれぞれ一対の付着物除去用
電極を有する２つの付着物除去部とを有する減圧容器
と、該処理部内及び何れか一方の除去部内に位置し得る
２つの平行移動可能な側壁部を有する筒状の隔壁部材
と、該隔壁部材を平行移動させるための駆動手段と、を
有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の１つ
によって形成される処理室に於いて半導体基板の所定の
処理が行われると同時に、該除去部内にガスが導入さ
れ、該除去用電極を用いた放電により、他の側壁部に付
着した付着物が除去され、そのことによって上記目的が
達成される。本発明の半導体製造装置は、一対の半導体
基板処理用電極を有する半導体基板処理部と、一対の付
着物除去用電極を有する付着物除去部とを有する減圧容
易と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る２つの回
転移動可能な側壁部を有する隔壁部材と、該隔壁部材を
回転移動させるための駆動手段と、を有し、該処理部に
於ける該処理用電極と該側壁部の一方とによって形成さ
れる処理室に於いて半導体基板の所定の処理が行われる
と同時に、該除去部に於ける該除去用電極と他方の側壁
部によって形成される除去室にガスが導入され、該除去
用電極を用いた放電により、該他方の側壁部に付着した
付着物が除去され、そのことによって上記目的が達成さ
れる。本発明の付着物除去方法は、半導体基板処理部と
少なくとも１つの付着物除去部とを有する減圧容器と、
該処理部内及び該除去部内に位置し得る複数の側壁部を
有する移動可能な隔壁部材と、該隔壁部材を移動させる
ための駆動手段と、を備えた半導体製造装置に於ける付
着物除去方法であって、該処理部内に位置する該側壁部
内に於いて半導体基板の所定の処理を行うと同時に、該
除去部内に於いて他の側壁部の付着物除去を行う工程
と、該駆動手段によって、該処理部内に位置する該側壁
部を該除去部内に移動させると共に、該除去部内に位置
する該他の側壁部を該処理部内に移動させる工程と、該
処理部内に位置する該側壁部内に於いて半導体基板の所
定の処理を行うと同時に、該除去部内に於いて他の側壁
部の付着物除去を行う工程と、を包含しており、そのこ
とによって上記目的が達成される。また、前記側壁部の
付着物の除去が、プラズマクリーニングによって行われ
る構成とすることができる。
作用 本発明の半導体製造装置では、減圧容器内の半導体基板
処理部内に於いて、半導体基板の所定の処理が行われ
る。この処理によって付着物が付着した側壁部は、駆動
手段によって付着物除去部に移動する。付着物除去部内
では、付着物はプラズマクリーニング等によって除去さ
れる。付着物を除去した側壁部は再び駆動手段によって
半導体基板処理部内に移動し、再び半導体基板の処理が
行われる。以上の動作が繰り返されることにより、半導
体基板の処理は付着物のない状態で行われる。このよう
な側壁部を複数有する半導体製造装置内では、半導体基
板の所定の処理と、側壁部への付着物除去とを同時に行
うことができる。
処理部内に於いて、半導体基板の所定の処理が行われ
る。この処理によって付着物が付着した側壁部は、駆動
手段によって付着物除去部に移動する。付着物除去部内
では、付着物はプラズマクリーニング等によって除去さ
れる。付着物を除去した側壁部は再び駆動手段によって
半導体基板処理部内に移動し、再び半導体基板の処理が
行われる。以上の動作が繰り返されることにより、半導
体基板の処理は付着物のない状態で行われる。このよう
な側壁部を複数有する半導体製造装置内では、半導体基
板の所定の処理と、側壁部への付着物除去とを同時に行
うことができる。
実施例 実施例１ 本発明の実施例について以下に説明する。第１図に本発
明の半導体製造装置の一実施例の断面図を示す。本実施
例はドライエッチング装置であり、更に詳細には、枚葉
式の平行平板型リアクティブイオンエッチング装置であ
る。本実施例の半導体製造装置は、半導体基板処理部12
と付着物除去部８、９とを有する減圧容器13と、処理部
12内及び除去部８、９内に位置し得る移動可能な側壁部
3a、3bを有する隔壁部材３と、隔壁部材３を移動させる
ための駆動手段50とを備えている。隔壁部材３は石英か
らなる。駆動手段50として本実施例ではモータを用いた
が、他に、例えば油圧シリンダ、ガス圧力シリンダ等を
用いることもできる。減圧容器13の側部中央には、前室
28とカセット室27とが設けられ、それぞれ真空源（図示
せず）に接続されている。前室28内には、カセット室27
内に収容された半導体基板51を取り出すための搬送アー
ム52が設けられている。また、前室28と減圧容器13とは
ゲートバルブ17によって仕切られている。減圧容器13の
上部及び下部にはガス導入板10及び11が気密状態で取り
付けられている。ガス導入板10及び11の内部は中空であ
り、この中空部分には該導入板10及び11の側部の供給ラ
イン（図示せず）からガスが供給される。供給されたガ
スは、導入板10及び11の孔を介して減圧容器13内に供給
される。減圧容器13の前室28とは反対側には、真空源に
接続される排気口14が形成されている。減圧容器13の上
部及び下部から半導体基板処理部12に、それぞれ半導体
基板処理用電極である対向電極１及び２が延びている。
対向電極１、２と隔壁部材３との間にはシーリング（図
示せず）が設けられ、これらの間の気密性が保たれてい
る。対向電極１、２、及び隔壁部材３とによって囲まれ
る密閉空間が、半導体基板処理室12aである。上方に位
置する対向電極１はアースに接続され、下方の対向電極
２は13.56MHzの交流電源に接続されている。また、対向
電極２上には処理が行われる半導体基板51が載せられ
る。対向電極１内には配管53と中空部分55が設けられて
いる。中空部分55と処理室12aとは多孔板55aによって離
隔されている。RIEに用いるガスは、対向電極１の配管5
3及び中空部分55から多孔板55aを介して処理室12aに供
給される。対向電極２内には配管54と中空部分56が設け
られている。中空部分56と処理室12aとは多孔部56aによ
って離隔されている。半導体基板51が載せられない対向
電極２の外周部に於ける多孔部56aの空隙56bを通じて、
RIEに用いたガスが処理室12aから排出される。減圧容器
13内の一方の付着物除去部８には、付着物除去用電極で
ある一対の円筒電極４、５が同心円状に設けられてい
る。円筒電極４及び５の間を、隔壁部材３の側壁部3aが
上下に移動する。同様に、もう一方の付着物除去部９に
は、同じく付着物除去用電極である一対の円筒電極６、
７が同心円状に設けられている。円筒電極６及び７の間
を、隔壁部材３の側壁部3bが上下に移動する。円筒電極
５及び７にはアースが接続され、円筒電極４及び６には
12.56MHzの高周波電圧が印加される。円筒電極４及び
５、並びに円筒電極６及び７により、側壁部3a及び3bプ
ラズマクリーニングが行われる。本実施例の半導体製造
装置を用いた半導体の製造方法について説明する。ま
ず、隔壁部材３の下端を付着物除去部８の下端に位置さ
せる。この状態で、前室28内の搬送アーム52によってカ
セット室27内の未処理の半導体基板51がゲートバルブ17
を介して半導体基板処理部12の下方の対向電極２上に取
り出され、設置される。次に、第２図（ａ）に示すよう
に、隔壁部材３の下端を半導体基板処理部12の下端まで
移動させ、側壁部3aを付着物除去部８に、側壁部3bを処
理部12に位置させる。次に、対向電極１の中空部分55を
介してエッチングガスを処理室12aに導入し、対向電極
２に電圧を印加して、半導体基板51のリアクティブイオ
ンエッチングを行う。次に、隔壁部材３を上昇させ、該
部材３の下端を付着物除去部８の下端に移動させる。次
に、この状態で、前室28内の搬送アーム52によって、対
向電極２上の処理済みの半導体基板51と、カセット室27
内の未処理の半導体基板51とが交換される。その後、第
２図（ｂ）に示すように、隔壁部材３の下端を除去部９
の下端まで移動させ、側壁部3aを処理部12に、側壁部3b
を付着物除去部９に位置させる。次に、対向電極１の中
空部分55を介してエッチングガスが処理室12aに導入さ
れる。また、減圧容器13の処理室12a以外の部分に導入
板10及び11を介して酸素ガスが導入される。次に、対向
電極２に電圧を印加して、半導体基板51のリアクティブ
イオンエッチングを行うと同時に、円筒電極６に電圧を
印加して酸素プラズマを発生させ、側壁部3bの付着物を
除去する。次に、隔壁部材３を上昇させ、該部材３の下
端を付着物除去部８の下端に位置させる。次に、この状
態で、前室28内の搬送アーム52によって、対向電極２上
の処理済みの半導体基板51と、カセット室27内の未処理
の半導体基板51とが交換される。その後、再び第２図
（ａ）に示すように、隔壁部材３の下端を処理部12の下
端まで移動させ、側壁部3aを付着物除去部８に、側壁部
3bを処理部12に位置させる。次に、対向電極１の中空部
分55を介してエッチングガスが処理室12aに導入され
る。また、減圧容器13の処理室12a以外の部分に導入板1
0及び11を介して酸素ガスが導入される。次に、対向電
極２に電圧を印加して、半導体基板51のリアクティブイ
オンエッチングを行うと同時に、円筒電極４に電圧を印
加して酸素プラズマを発生させ、側壁部3aの付着物を除
去する。上記の工程を繰り返すことにより、半導体装置
の稼働を停止することなく、常に付着物のない状態で半
導体基板の処理を連続して行うことができる。また、付
着物の除去が半導体基板の処理と同時に行われるので、
半導体製造装置の稼働を停止する必要もない。
明の半導体製造装置の一実施例の断面図を示す。本実施
例はドライエッチング装置であり、更に詳細には、枚葉
式の平行平板型リアクティブイオンエッチング装置であ
る。本実施例の半導体製造装置は、半導体基板処理部12
と付着物除去部８、９とを有する減圧容器13と、処理部
12内及び除去部８、９内に位置し得る移動可能な側壁部
3a、3bを有する隔壁部材３と、隔壁部材３を移動させる
ための駆動手段50とを備えている。隔壁部材３は石英か
らなる。駆動手段50として本実施例ではモータを用いた
が、他に、例えば油圧シリンダ、ガス圧力シリンダ等を
用いることもできる。減圧容器13の側部中央には、前室
28とカセット室27とが設けられ、それぞれ真空源（図示
せず）に接続されている。前室28内には、カセット室27
内に収容された半導体基板51を取り出すための搬送アー
ム52が設けられている。また、前室28と減圧容器13とは
ゲートバルブ17によって仕切られている。減圧容器13の
上部及び下部にはガス導入板10及び11が気密状態で取り
付けられている。ガス導入板10及び11の内部は中空であ
り、この中空部分には該導入板10及び11の側部の供給ラ
イン（図示せず）からガスが供給される。供給されたガ
スは、導入板10及び11の孔を介して減圧容器13内に供給
される。減圧容器13の前室28とは反対側には、真空源に
接続される排気口14が形成されている。減圧容器13の上
部及び下部から半導体基板処理部12に、それぞれ半導体
基板処理用電極である対向電極１及び２が延びている。
対向電極１、２と隔壁部材３との間にはシーリング（図
示せず）が設けられ、これらの間の気密性が保たれてい
る。対向電極１、２、及び隔壁部材３とによって囲まれ
る密閉空間が、半導体基板処理室12aである。上方に位
置する対向電極１はアースに接続され、下方の対向電極
２は13.56MHzの交流電源に接続されている。また、対向
電極２上には処理が行われる半導体基板51が載せられ
る。対向電極１内には配管53と中空部分55が設けられて
いる。中空部分55と処理室12aとは多孔板55aによって離
隔されている。RIEに用いるガスは、対向電極１の配管5
3及び中空部分55から多孔板55aを介して処理室12aに供
給される。対向電極２内には配管54と中空部分56が設け
られている。中空部分56と処理室12aとは多孔部56aによ
って離隔されている。半導体基板51が載せられない対向
電極２の外周部に於ける多孔部56aの空隙56bを通じて、
RIEに用いたガスが処理室12aから排出される。減圧容器
13内の一方の付着物除去部８には、付着物除去用電極で
ある一対の円筒電極４、５が同心円状に設けられてい
る。円筒電極４及び５の間を、隔壁部材３の側壁部3aが
上下に移動する。同様に、もう一方の付着物除去部９に
は、同じく付着物除去用電極である一対の円筒電極６、
７が同心円状に設けられている。円筒電極６及び７の間
を、隔壁部材３の側壁部3bが上下に移動する。円筒電極
５及び７にはアースが接続され、円筒電極４及び６には
12.56MHzの高周波電圧が印加される。円筒電極４及び
５、並びに円筒電極６及び７により、側壁部3a及び3bプ
ラズマクリーニングが行われる。本実施例の半導体製造
装置を用いた半導体の製造方法について説明する。ま
ず、隔壁部材３の下端を付着物除去部８の下端に位置さ
せる。この状態で、前室28内の搬送アーム52によってカ
セット室27内の未処理の半導体基板51がゲートバルブ17
を介して半導体基板処理部12の下方の対向電極２上に取
り出され、設置される。次に、第２図（ａ）に示すよう
に、隔壁部材３の下端を半導体基板処理部12の下端まで
移動させ、側壁部3aを付着物除去部８に、側壁部3bを処
理部12に位置させる。次に、対向電極１の中空部分55を
介してエッチングガスを処理室12aに導入し、対向電極
２に電圧を印加して、半導体基板51のリアクティブイオ
ンエッチングを行う。次に、隔壁部材３を上昇させ、該
部材３の下端を付着物除去部８の下端に移動させる。次
に、この状態で、前室28内の搬送アーム52によって、対
向電極２上の処理済みの半導体基板51と、カセット室27
内の未処理の半導体基板51とが交換される。その後、第
２図（ｂ）に示すように、隔壁部材３の下端を除去部９
の下端まで移動させ、側壁部3aを処理部12に、側壁部3b
を付着物除去部９に位置させる。次に、対向電極１の中
空部分55を介してエッチングガスが処理室12aに導入さ
れる。また、減圧容器13の処理室12a以外の部分に導入
板10及び11を介して酸素ガスが導入される。次に、対向
電極２に電圧を印加して、半導体基板51のリアクティブ
イオンエッチングを行うと同時に、円筒電極６に電圧を
印加して酸素プラズマを発生させ、側壁部3bの付着物を
除去する。次に、隔壁部材３を上昇させ、該部材３の下
端を付着物除去部８の下端に位置させる。次に、この状
態で、前室28内の搬送アーム52によって、対向電極２上
の処理済みの半導体基板51と、カセット室27内の未処理
の半導体基板51とが交換される。その後、再び第２図
（ａ）に示すように、隔壁部材３の下端を処理部12の下
端まで移動させ、側壁部3aを付着物除去部８に、側壁部
3bを処理部12に位置させる。次に、対向電極１の中空部
分55を介してエッチングガスが処理室12aに導入され
る。また、減圧容器13の処理室12a以外の部分に導入板1
0及び11を介して酸素ガスが導入される。次に、対向電
極２に電圧を印加して、半導体基板51のリアクティブイ
オンエッチングを行うと同時に、円筒電極４に電圧を印
加して酸素プラズマを発生させ、側壁部3aの付着物を除
去する。上記の工程を繰り返すことにより、半導体装置
の稼働を停止することなく、常に付着物のない状態で半
導体基板の処理を連続して行うことができる。また、付
着物の除去が半導体基板の処理と同時に行われるので、
半導体製造装置の稼働を停止する必要もない。
実施例２ 第３図に本発明の半導体装置の他の実施例の断面図を、
第４図に平面模式図をそれぞれ示す。本実施例の半導体
装置は、プラズマCVD装置であり、半導体基板処理部30
と付着物除去部31とを有する減圧容器33と、処理部30内
及び除去部31内に位置し得る移動可能な側壁部25a、25b
を有する隔壁部材25と、隔壁部材25を回転移動させるた
めの駆動手段32とを備えている。減圧容器33の側部中央
には、前室28とカセット室27とが設けられ、それぞれ真
空源（図示せず）に接続されている。前室28内には、カ
セット室27内に収容された半導体基板51を取り出すため
の搬送アーム52が設けられている。また、前室28と減圧
容器33とはゲートバルブ17によって仕切られている。半
導体基板処理部30の上部には、半導体基板処理用電極で
ある対向電極21が上下方向に移動可能に蛇腹40によって
取り付けられている。また、半導体基板処理部30の下部
には、同じく半導体基板処理用電極である対向電極22が
固定されている。対向電極21及び22の間には、側壁部25
aが位置し、対向電極21、22、及び側壁部25aによって処
理室30aが形成されている。対向電極21内には配管53と
中空部分55が設けられている。中空部分55と処理室30a
とは多孔部55aによって離隔されている。TEOS（Tetra e
thoxy silane）等のCVDに用いられるガスは、対向電極2
1の配管53及び中空部分55から多孔部55aを介して処理室
30aに供給される。対向電極22内には配管54と中空部分5
6が設けられている。中空部分56と処理室30aとは多孔部
56aによって離隔されている。半導体基板51が載せられ
ない対向電極22の外周部に於ける多孔部56aの空隙56bを
通じて、CVDを用いたガスが処理）30aから排出される。
付着物除去部31の上部には、付着物除去用電極である対
向電極23が上下方向に移動可能に蛇腹41によって取り付
けられている。また、付着物除去部31の下部には、同じ
く付着物除去用電極である対向電極24が固定されてい
る。対向電極23及び24の間には、側壁部25bが位置し、
対向電極23、24、及び側壁部25bによって除去室31aが形
成されている。対向電極23内には配管59と中空部分57が
設けられている。中空部分57と除去室31aとは多孔板57a
によって離隔されている。CF4等の側壁部25bへの付着物
除去に用いるガスは、対向電極23の配管59及び中空部分
57から多孔部57aを介して処理室31aに供給される。対向
電極24内にも同様に、配管60と中空部分58が設けられて
いる。中空部分58と処理室31aとは多孔部58aによって離
隔されている。対向電極24の多孔部58aを介して、付着
物除去に用いたガスが処理室31aから排出される。対向
電極21及び23はアースに接続され、対向電極22及び24は
交流電源に接続されている。側壁部25a及び25bは駆動手
段32の回転軸29を中心として回転され、互いにその位置
を交換することができる。駆動手段32として本実施例で
もモータを用いた。また、側壁部25a及び25bは、半導体
基板51を対向電極22上に設定することができるように、
上下に移動可能となっている。本実施例の半導体製造装
置を用いた付着物除去方法について説明する。まず、対
向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25bを上方へ移動
させ、前室28内の搬送アーム52によってカセット室27内
の未処理の半導体基板51をゲートバルブ17を介して半導
体基板処理部30内の下方の対向電極22上に設置する。次
に、第５図（ａ）に示すように、隔壁部材25の一方の側
壁部25aを半導体基板処理部30に、他方の側壁部25bを付
着物除去部31に位置させる。次に、対向電極21及び23、
並びに側壁部25a及び25bを下方へ移動させる。次に、対
向電極21の中空部分55を介してCVDのためのTEOSガスを
処理室30aに導入し、対向電極22に電圧を印加して、半
導体基板51a上に酸化物の膜を堆積させる。この時、側
壁部25aにも酸化物が付着する。次に、対向電極21及び2
3、並びに側壁部25a及び25bを上方へ移動させ、前室28
内の搬送アーム52によって、対向電極22上の処理済みの
半導体基板51aとカセット室27内の未処理の半導体基板5
1とを交換する。次に、第５図（ｂ）に示すように、隔
壁部材25を駆動手段32の回転軸29を中心として回転さ
せ、側壁部25bを半導体基板処理部30に、酸化物が付着
した側壁部25aを付着物除去部31に位置させる。尚、隔
壁部材25の回転移動を行った後、処理済みの半導体基板
と未処理の半導体基板との交換を行ってもよい。次に、
対向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25bを下方へ移
動させる。次に、対向電極21の中空部分55を介してTEOS
ガスを処理室30aに導入すると同時に、対向電極23の中
空部分57を介してCF4ガスを除去室31aに導入する。次
に、対向電極22及び24に交流電圧を印加して、処理室30
aに於て半導体基板51上に酸化物の堆積を行うと同時
に、除去室31aに於てプラズマクリーニングによる側壁
部25aの付着物除去を行う。以上により、側壁部25aの付
着物が除去されると共に、側壁部25bに酸化物が付着す
る。更に、対向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25b
を上方へ移動させ、前室28内の搬送アーム52によって、
対向電極22上（具体的には多孔部56a上）の処理済みの
半導体基板51aとカセット室27内の未処理の半導体基板5
1とを交換した後、第５図（ａ）に示すように、付着物
を除去した側壁部25aを半導体基板処理部30に、酸化物
が付着した側壁部25bを付着物除去部31に位置させる。
次に、対向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25bを下
方へ移動させる。次に、TEOSガスを処理室30aに導入す
ると同時に、CF4ガスを除去室31aに導入する。更に、処
理室30aに於て半導体基板51上に酸化膜の堆積を行うと
同時に、除去室31aに於てプラズマクリーニングによる
側壁部25aの付着物除去を行う。このように、本実施例
に於いても上記の工程を繰り返すことにより、半導体装
置の稼働を停止することなく、常に付着物のない状態で
半導体基板の処理を連続して行うことができる。また、
付着物の除去と半導体基板の処理とが同時に行われるの
で、半導体製造装置の稼働を停止させる必要もない。本
実施例では半導体基板処理部及び付着物除去部を１つづ
つ、側壁部を２つ設けたが、処理部及び除去部をそれぞ
れ２つ以上設け、側壁部を４つ以上設けたマルチチャン
バとしてもよい。また、上記の実施例１及び２で示した
半導体製造装置は、ドライエッチング装置及びプラズマ
CVD装置の何れとしても用いることができることは言う
までもない。
第４図に平面模式図をそれぞれ示す。本実施例の半導体
装置は、プラズマCVD装置であり、半導体基板処理部30
と付着物除去部31とを有する減圧容器33と、処理部30内
及び除去部31内に位置し得る移動可能な側壁部25a、25b
を有する隔壁部材25と、隔壁部材25を回転移動させるた
めの駆動手段32とを備えている。減圧容器33の側部中央
には、前室28とカセット室27とが設けられ、それぞれ真
空源（図示せず）に接続されている。前室28内には、カ
セット室27内に収容された半導体基板51を取り出すため
の搬送アーム52が設けられている。また、前室28と減圧
容器33とはゲートバルブ17によって仕切られている。半
導体基板処理部30の上部には、半導体基板処理用電極で
ある対向電極21が上下方向に移動可能に蛇腹40によって
取り付けられている。また、半導体基板処理部30の下部
には、同じく半導体基板処理用電極である対向電極22が
固定されている。対向電極21及び22の間には、側壁部25
aが位置し、対向電極21、22、及び側壁部25aによって処
理室30aが形成されている。対向電極21内には配管53と
中空部分55が設けられている。中空部分55と処理室30a
とは多孔部55aによって離隔されている。TEOS（Tetra e
thoxy silane）等のCVDに用いられるガスは、対向電極2
1の配管53及び中空部分55から多孔部55aを介して処理室
30aに供給される。対向電極22内には配管54と中空部分5
6が設けられている。中空部分56と処理室30aとは多孔部
56aによって離隔されている。半導体基板51が載せられ
ない対向電極22の外周部に於ける多孔部56aの空隙56bを
通じて、CVDを用いたガスが処理）30aから排出される。
付着物除去部31の上部には、付着物除去用電極である対
向電極23が上下方向に移動可能に蛇腹41によって取り付
けられている。また、付着物除去部31の下部には、同じ
く付着物除去用電極である対向電極24が固定されてい
る。対向電極23及び24の間には、側壁部25bが位置し、
対向電極23、24、及び側壁部25bによって除去室31aが形
成されている。対向電極23内には配管59と中空部分57が
設けられている。中空部分57と除去室31aとは多孔板57a
によって離隔されている。CF4等の側壁部25bへの付着物
除去に用いるガスは、対向電極23の配管59及び中空部分
57から多孔部57aを介して処理室31aに供給される。対向
電極24内にも同様に、配管60と中空部分58が設けられて
いる。中空部分58と処理室31aとは多孔部58aによって離
隔されている。対向電極24の多孔部58aを介して、付着
物除去に用いたガスが処理室31aから排出される。対向
電極21及び23はアースに接続され、対向電極22及び24は
交流電源に接続されている。側壁部25a及び25bは駆動手
段32の回転軸29を中心として回転され、互いにその位置
を交換することができる。駆動手段32として本実施例で
もモータを用いた。また、側壁部25a及び25bは、半導体
基板51を対向電極22上に設定することができるように、
上下に移動可能となっている。本実施例の半導体製造装
置を用いた付着物除去方法について説明する。まず、対
向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25bを上方へ移動
させ、前室28内の搬送アーム52によってカセット室27内
の未処理の半導体基板51をゲートバルブ17を介して半導
体基板処理部30内の下方の対向電極22上に設置する。次
に、第５図（ａ）に示すように、隔壁部材25の一方の側
壁部25aを半導体基板処理部30に、他方の側壁部25bを付
着物除去部31に位置させる。次に、対向電極21及び23、
並びに側壁部25a及び25bを下方へ移動させる。次に、対
向電極21の中空部分55を介してCVDのためのTEOSガスを
処理室30aに導入し、対向電極22に電圧を印加して、半
導体基板51a上に酸化物の膜を堆積させる。この時、側
壁部25aにも酸化物が付着する。次に、対向電極21及び2
3、並びに側壁部25a及び25bを上方へ移動させ、前室28
内の搬送アーム52によって、対向電極22上の処理済みの
半導体基板51aとカセット室27内の未処理の半導体基板5
1とを交換する。次に、第５図（ｂ）に示すように、隔
壁部材25を駆動手段32の回転軸29を中心として回転さ
せ、側壁部25bを半導体基板処理部30に、酸化物が付着
した側壁部25aを付着物除去部31に位置させる。尚、隔
壁部材25の回転移動を行った後、処理済みの半導体基板
と未処理の半導体基板との交換を行ってもよい。次に、
対向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25bを下方へ移
動させる。次に、対向電極21の中空部分55を介してTEOS
ガスを処理室30aに導入すると同時に、対向電極23の中
空部分57を介してCF4ガスを除去室31aに導入する。次
に、対向電極22及び24に交流電圧を印加して、処理室30
aに於て半導体基板51上に酸化物の堆積を行うと同時
に、除去室31aに於てプラズマクリーニングによる側壁
部25aの付着物除去を行う。以上により、側壁部25aの付
着物が除去されると共に、側壁部25bに酸化物が付着す
る。更に、対向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25b
を上方へ移動させ、前室28内の搬送アーム52によって、
対向電極22上（具体的には多孔部56a上）の処理済みの
半導体基板51aとカセット室27内の未処理の半導体基板5
1とを交換した後、第５図（ａ）に示すように、付着物
を除去した側壁部25aを半導体基板処理部30に、酸化物
が付着した側壁部25bを付着物除去部31に位置させる。
次に、対向電極21及び23、並びに側壁部25a及び25bを下
方へ移動させる。次に、TEOSガスを処理室30aに導入す
ると同時に、CF4ガスを除去室31aに導入する。更に、処
理室30aに於て半導体基板51上に酸化膜の堆積を行うと
同時に、除去室31aに於てプラズマクリーニングによる
側壁部25aの付着物除去を行う。このように、本実施例
に於いても上記の工程を繰り返すことにより、半導体装
置の稼働を停止することなく、常に付着物のない状態で
半導体基板の処理を連続して行うことができる。また、
付着物の除去と半導体基板の処理とが同時に行われるの
で、半導体製造装置の稼働を停止させる必要もない。本
実施例では半導体基板処理部及び付着物除去部を１つづ
つ、側壁部を２つ設けたが、処理部及び除去部をそれぞ
れ２つ以上設け、側壁部を４つ以上設けたマルチチャン
バとしてもよい。また、上記の実施例１及び２で示した
半導体製造装置は、ドライエッチング装置及びプラズマ
CVD装置の何れとしても用いることができることは言う
までもない。
発明の効果 本発明によれば、減圧容器内の半導体基板処理部内に於
ける半導体基板の所定の処理によって側壁部に付着した
付着物は、付着物除去部内で除去される。側壁部を複数
有する半導体製造装置では、半導体基板の所定の処理
と、側壁部への付着物除去とが同時に行われる。従っ
て、本発明によれば、稼働を停止することなく付着物を
除去し得る半導体製造装置が提供され、定期的に装置の
稼働を停止する必要のない製造方法が提供される。
ける半導体基板の所定の処理によって側壁部に付着した
付着物は、付着物除去部内で除去される。側壁部を複数
有する半導体製造装置では、半導体基板の所定の処理
と、側壁部への付着物除去とが同時に行われる。従っ
て、本発明によれば、稼働を停止することなく付着物を
除去し得る半導体製造装置が提供され、定期的に装置の
稼働を停止する必要のない製造方法が提供される。
第１図は本発明の半導体製造装置の一実施例の断面図、
第２図（ａ）及び（ｂ）は第１図の装置を用いた付着物
除去方法を示す図、第３図は本発明の半導体製造装置の
他の実施例の断面図、第４図は第３図の装置の平面図、
第５図（ａ）及び（ｂ）は第３図の装置を用いた半導体
の製造方法を示す図である。 1,2,21,22,23,24……対向電極、3a,3b……側壁部、３…
…隔壁部材、4,5,6,7……円筒電極、8,9,31……付着物
除去部、12,30……半導体基板処理部、12a,30a……処理
室、13……減圧容器、31a……除去室、32,50……駆動手
段、51……半導体基板。
第２図（ａ）及び（ｂ）は第１図の装置を用いた付着物
除去方法を示す図、第３図は本発明の半導体製造装置の
他の実施例の断面図、第４図は第３図の装置の平面図、
第５図（ａ）及び（ｂ）は第３図の装置を用いた半導体
の製造方法を示す図である。 1,2,21,22,23,24……対向電極、3a,3b……側壁部、３…
…隔壁部材、4,5,6,7……円筒電極、8,9,31……付着物
除去部、12,30……半導体基板処理部、12a,30a……処理
室、13……減圧容器、31a……除去室、32,50……駆動手
段、51……半導体基板。
Claims (11)
- 【請求項１】半導体基板処理部と付着物除去部とを有す
る減圧容器と、該処理部内および該除去部内に位置し得
る移動可能な少なくとも第一、第二の側壁部を有する隔
壁部材と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、
を備え、該処理部内に於ける半導体基板の所定の処理に
よって該側壁部に付着した付着物が該除去部内に於て除
去される半導体製造装置。 - 【請求項２】前記隔壁部材が複数の側壁部を有する筒状
であり、該側壁部が、前記駆動手段によって、該処理部
内及び該除去部内に位置し得るように往復移動可能とな
っている、請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】前記隔壁部材が複数の側壁部を有し、該側
壁部が前記駆動手段によって、該処理部内及び該除去部
内に位置し得るように回転移動可能となっている、請求
項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】前記半導体製造装置がドライエッチング装
置である請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】前記半導体製造装置がプラズマCVD装置で
ある請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】前記側壁部に付着した付着物が、前記除去
部内に於てプラズマクリーニングによって除去される、
請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】一対の半導体基板処理用電極を有する半導
体基板処理部と、一対の付着物除去用電極を有する付着
物除去部とを有する減圧容器と、該処理部内および該除
去部内に位置し得る複数の側壁部を有する移動可能な隔
壁部材と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、
を有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の１
つとによって形成される処理室に於いて、半導体基板の
所定の処理が行われると同時に、該除去部内に於いて他
の側壁部に付着した付着物が、該除去用電極によって除
去される半導体製造装置。 - 【請求項８】一対の半導体基板処理用電極を有する半導
体基板処理部と、該処理部に隣接し且つそれぞれ一対の
付着物除去用電極を有する２つの付着物除去部とを有す
る減圧容器と、該処理部内及び何れか一方の除去部内に
位置し得る２つの往復移動可能な側壁部を有する筒状の
隔壁部材と、該隔壁部材を平行移動させるための駆動手
段と、を有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁
部の１つとによって形成される処理室に於いて半導体基
板の所定の処理が行われると同時に、該除去部内にガス
が導入され、該除去用電極を用いた放電により、他の側
壁部に付着した付着物が除去される半導体製造装置。 - 【請求項９】一対の半導体基板処理用電極を有する半導
体基板処理部と、一対の付着物除去用電極を有する付着
物除去部とを有する減圧容器と、該処理部内及び該除去
部内に位置し得る２つの回転移動可能な側壁部を有する
隔壁部材と、該隔壁部材を回転移動させるための駆動手
段と、を有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁
部の一方とによって形成される処理室に於いて半導体基
板の所定の処理が行われると同時に、該除去部に於ける
該除去用電極と他方の側壁部とによって形成される除去
室にガスが導入され、該除去用電極を用いた放電によ
り、該他方の側壁部に付着した付着物が除去される半導
体製造装置。 - 【請求項１０】半導体基板処理部と少なくとも１つの付
着物除去部とを有する減圧容器と、該処理部内及び該除
去部内に位置し得る複数の側壁部を有する移動可能な隔
壁部材と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、
を備えた半導体製造装置に於ける付着物除去方法であっ
て、該処理部内に位置する該側壁部内に於いて半導体基
板の所定の処理を行うと同時に、該除去部内に於いて他
の側壁部の付着物除去を行う工程と、該駆動手段によっ
て、該処理部内に位置する該側壁部を該除去部内に移動
させると共に、該除去部内に位置する該他の側壁部を該
処理部内に移動させる工程と、該処理部内に位置する該
側壁部内に於いて半導体基板の所定の処理を行うと同時
に、該除去部内に於いて他の側壁部の付着物除去を行う
工程と、を包含する付着物除去方法。 - 【請求項１１】前記側壁部の付着物の除去が、プラズマ
クリーニングによって行われる請求項10に記載の付着物
除去方法。
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