JPH03183128A - 半導体製造装置及び付着物除去方法 - Google Patents

半導体製造装置及び付着物除去方法

Info

Publication number
JPH03183128A
JPH03183128A JP2242103A JP24210390A JPH03183128A JP H03183128 A JPH03183128 A JP H03183128A JP 2242103 A JP2242103 A JP 2242103A JP 24210390 A JP24210390 A JP 24210390A JP H03183128 A JPH03183128 A JP H03183128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
removal
section
semiconductor substrate
side wall
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2242103A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0775227B2 (ja
Inventor
Nobuo Aoi
信雄 青井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of JPH03183128A publication Critical patent/JPH03183128A/ja
Publication of JPH0775227B2 publication Critical patent/JPH0775227B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H10P72/3306—Horizontal transfer of a single workpiece
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H10P72/3304—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterised by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/16—Vessels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/916—Differential etching apparatus including chamber cleaning means or shield for preventing deposits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明（上　付着物のないクリーンな装置内環境を実現
する半導体製造装置及び付着物除去方法に関すん 従来の技術 従来より、　ＲＩ　Ｅ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅ
ｔｃｈｉｎｇ）、ＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａ
ｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等による単導体基板の
処理！ビ際して、半導体製造装置内の側壁には付着物が
堆積することが知られていも　この付着物は５ｉｎｓ、
有機ポリマー等からなり、半導体基板の処理工程に於け
る不純物ガス発生の原因となっていも　また　半導体基
板上にこの付着物が剥がれ落ちると、咳基板上に形成さ
れるパターンに欠陥が生ム　半導体基板の歩留りが低下
すも　このパターン欠陥による歩留り低下ζよ　パター
ンの微細化が進むにつれて重大な問題点となってきてい
も　このような付着物１′Ｌ　　有機溶剤を用いて機械
的に装置側壁を拭く方法（ウェットクリーニング）、処
理室の構成部品を取り外して超音波洗浄を行う方法　又
はプラズマクリーニング等によって、製造ロフトの終了
毎に定期的に除去されてい九 発明が解決しようとする課題 しかしなが板　このような方法によれば　製造装置を一
時的に停止させなければならないた吹抜装置の稼働率低
下を免れることは不可能であつｔ４　　本発明はこのよ
うな問題点を解決するものであり、本発明の目的１友　
稼働を停止することなく付着物を除去し得る半導体製造
装置を提供することであん　本発明の他の目的法　定期
的に装置の稼働を停止する必要のない付着物除去方法を
提供することであム 課題を解決するための手段 本発明の半導体製造装置ζよ　半導体基板処理部と付着
物除去部とを有する減圧容器と、該処理部内および該除
去部内に位置し得る移動可能な側壁部を有する隔壁部材
と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、を１ｉ
１１え　該処理部内に於ける半導体基板の所定の処理に
よって該側壁部に付着した付着物故　該除去部内に於い
て除去され　そのことによって上記目的が達成されも　
また　前記隔壁部材が複数の側壁部を有する筒状であり
、該側壁部爪　前記駆動手段によって、該処理部内及び
該除去部内に位置し得るように平行移動可能となってい
る構成とすることができも　更に　前記隔壁部材が複数
の側壁部を有し　該側壁部が前記駆動手段によって、該
処理部内及び該除去部内に位置し得るように回転移動可
能となっている構成とすることができも　また　前記半
導体製造装置がドライエツチング装置である構成とする
ことができも　更に　前記半導体製造装置がプラズマＣ
ＶＤ装置である構成とすることができも　また前記側壁
部に付着した付着物爪　前記除去部内に於いてプラズマ
クリーニングによって除去される構成とすることができ
も　また　本発明の半導体製造装置ζよ　一対の半導体
基板処理用電極を有する半導体基板処理部と、一対の付
着物除去用電極を有する付着物除去部とを有する減圧容
器と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る複数の側
壁部を有する移動可能な隔壁部材と、該隔壁部材を移動
させるための駆動手段と、を有１．．ｖ１処理部に於け
る該処理用電極と該側壁部の１つとによって形成される
処理室に於いて、半導体基板の所定の処理が行われると
同時に　該除去部内に於いて他の側壁部に付着した付着
物力＜、該除去用電極によって除去され　そのことによ
って上記目的が達成されも　本発明の半導体製造装置ζ
上　一対の半導体基板処理用電極を有する半導体基板処
理部と、該処理部に隣接し且つそれぞれ一対の付着物除
去用電極を有する２つの付着物除去部とを有する減圧容
器と、該処理部内及び何れか一方の除去部内に位置し得
る２つの平行移動可能な側壁部を有する筒状の隔壁部材
と、該隔壁部材を平行移動させるための駆動手段と、を
有し　該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の１つ
とによって形成される処理室に於いて半導体基板の所定
の処理が行われると同時ｉ、：、該除去部内にガスが導
入され該除去用電極を用いた放電により、他の側壁部に
付着した付着物が除去され　そのことによって上記目的
が達成されも　本発明の半導体製造装置（友一対の半導
体基板処理用電極を有する半導体基板処理部と、一対の
付着物除去用電極を有する付着物除去部とを有する減圧
容器と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る２つの
回転移動可能な側壁部を有する隔壁部材と、該隔壁部材
を回転移動させるための駆動手段と、を有ａ　該処理部
に於ける該処理用電極と該側壁部の一方とによって形成
される処理室に於いて半導体基板の所定の処理が行われ
ると同時ニ該除去部に於ける該除去用電極と他方の側壁
部とによって形成される除去室にガスが導入され　該除
去用電極を用いた放電により、咳他方の側壁部に付着し
た付着物が除去され　そのことによって上記目的が達成
されも　本発明の付着物除去方法（よ　半導体基板処理
部と少なくとも１つの付着物除去部とを有する減圧容器
と、該処理部内及び該除去部内に位置し得る複数の側壁
部を有する移動可能な隔壁部材と、該隔壁部材を移動さ
せるための駆動手段と、を備えた半導体製造装置に於け
る付着物除去方法であって、該処理部内に位置する該側
壁部内に於いて半導体基板の所定の処理を行うと同時に
　該除去部内に於いて他の側壁部の付着物除去を行う工
程と、該駆動手段によって、該処理部内に位置する該側
壁部を該除去部内に移動させると共に　該除去部内に位
置する該他の側壁部を該処理部内に移動させる工程と、
該処理部内に位置する該側壁部内に於いて半導体基板の
所定の処理を行うと同時に　該除去部内に於いて他の側
壁部の付着物除去を行う工程と、を包含しており、その
ことによって上記目的が達成されも　また　前記側壁部
の付着物の除去パ　プラズマクリーニングによって行わ
れる構成とすることができも 作用 本発明の半導体製造装置で；友　減圧容器内の半導体基
板処理部内に於いて、半導体基板の所定の処理が行われ
も　この処理によって付着物が付着した側壁部ζ上　駆
動手段によって付着物除去部に移動すも　付着物除去部
内では　付着物はプラズマクリーニング等によって除去
されも　付着物を除去した側壁部は再び駆動手段によっ
て半導体基板処理部内に移動し　再び半導体基板の処理
が行われも　以上の動作が繰り返されることにより、半
導体基板の処理は付着物のない状態で行われもこのよう
な側壁部を複数有する半導体製造装置内で（叡　半導体
基板の所定の処理と、側壁部への付着物除去とを同時に
行うことができも 実施例 実施例１ 本発明の実施例について以下に説明すも　第１図に本発
明の半導体製造装置の一実施例の断面図を示九　本実施
例はドライエツチング装置であり、更に詳細には　枚葉
式の平行平板型リアクティブイオンエツチング装置であ
ん　本実施例の半導体製造装置３表　半導体基板処理部
１２と付着物除去部８、９とを有する減圧容器１３と、
処理部１２内及び除去部８、９内に位置し得る移動可能
な側壁部３ａ、３ｂを有する隔壁部材３と、隔壁部材３
を移動させるための駆動手段５０とを備えていも　隔壁
部材３は石英からなん　駆動手段５０として本実施例で
はモータを用いた刃文　他＆へ　例えば油圧シリンダ、
ガス圧カシリンダ等を用いることもできる。
減圧容器１３の側部中央に１．ｔ、前室２８とカセット
室２７とが設けられ　それぞれ真空源（図示せず）に接
続されていも　前室２８内に（よ　カセット室２７内に
収容された半導体基板５１を取り出すための搬送アーム
５２が設けられていも　また　前室２８と減圧容器１３
とはゲートパルプ１７によって仕切られていも　減圧容
器１３の上部及び下部にはガス導入板１０及び１１が気
密状態で取り付けられている。ガス導入板１０及び１１
の内部は中空であり、この中空部分には該導入板１０及
び１１の側部の供給ライン（図示せず）からガスが供給
されも　供給されたガス（よ導入板ｌＯ及び１１の孔を
介して減圧容器１３内に供給されも　減圧容器１３の前
室２８とは反対側には　真空源に接続される排気０１４
が形成されていも　減圧容器１３の上部及び下部から半
導体基板処理部Ｉ２に　それぞれ半導体基板処理用電極
である対向電極ｌ及び２が延びていも　対向電極ｌ、２
と隔壁部材３との間にはシーリング（図示せず）が設け
られ　これらの間の気密性が保たれていも　対向電極１
、２、及び隔壁部材３とによって囲まれる密閉空間刃文
　半導体基板処理室１２ａであん　上方に位置する対向
電極ｌはアースに接続され　下方の対向電極２は１３．
５６ＭＨｚの交流電源に接続されていも　また　対向電
極ｚ上には処理が行われる半導体基板５１が載せられも
　対向電極１内には配管５３と中空部分５５が設けられ
ている。中空部分５５と処理室１２ａとは多孔板５５ａ
によって離隔されてい＆　　ＲＩＥに用いるガスは　対
向電極Ｉの配管５３及び中空部分５５から多孔板５５ａ
を介して処理室１２ａに供給されも　対向電極２内には
配管５４と中空部分５６が設けられていも　中空部分５
６と処理室１２ａとは多孔部５６ａによって離隔されて
いも　半導体基板５１が載せられない対向電極２の外周
部に於ける多孔部５６ａの空１１ｊ！１５６ｂを通じて
、ＲＩＥに用いたガスが処理室１２ａから排出されも　
減圧容器１３内の一方の付着物除去部８に（友　付着物
除去用電極である一対の円筒電極４、５が同心円状に設
けられていも　円筒電極４及び５の間を、隔壁部材３の
側壁部３ａが上下に移動すも　同様に　もう一方の付着
物除去部９に（友　同じく付着物除去用電極である一対
の円筒電極６、７が同心円状に設けられていも　円筒電
極６及び７の間を、隔壁部材３の側壁部３ｂが上下に移
動すム　円筒電極５及び７にはアースが接続され　円筒
電極４及び６には１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加
されも　円筒電極４及び５、並びに円筒電極６及び７に
より、側壁部３ａ及び３ｂのプラズマクリーニングが行
われ瓜　本実施例の半導体製造装置を用いた半導体の製
造方法について説明すも　まず、隔壁部材３の下端を付
着物除去部８の下端に位置させる。
この状態で、前室２８内の搬送アーム５２によってカセ
ット室２７内の未処理の半導体基板５１がゲートバルブ
１７を介して半導体基板処理部１２の下方の対向電極２
上に取り出され　設置されも　次に　第２図（ａ）に示
すように　隔壁部材３の下端を半導体基板処理部１２の
下端まで移動させ、側壁部３ａを付着物除去部８に　側
壁部３ｂを処理部１２に位置させも　次に　対向電極ｌ
の中空部分５５を介してエツチングガスを処理室１２ａ
に導入し　対向電極２に電圧を印加して、半導体基板５
１のりアクティブイオンエツチングを行う。次に　隔壁
部材３を上昇させ、該部材３の下端を付着物除去部８の
下端に移動させも　吹成　この状態玄　前室２８内の搬
送アーム５２によって、対向電極２上の処理済みの半導
体基板５１と、カセット室２７内の未処理の半導体基板
５１とが交換されも　その眞　第２図（ｂ）に示すよう
に　隔壁部材３の下端を除去部９の下端まで移動させ、
側壁部３ａを処理部１２Ｉ；−側壁部３ｂを付着物除去
部９に位置させも　次に　対向電極ｌの中空部分５５を
介してエツチングガスが処理室！２ａに導入されも　ま
た　減圧容器１３の処理室１２ａ以外の部分に導入板１
０及び１１を介して酸素ガスが導入されも　次に　対向
電極２に電圧を印加して、半導体基板５１のリアクティ
ブイオンエツチングを行うと同時に　円筒電極６に電圧
を印加して酸素プラズマを発生させ、側壁部３ｂの付着
物を除去すも　成心　隔壁部材３を上昇させ、該部材３
の下端を付着物除去部８の下端に位置させも次に　この
状態玄　前室２８内の搬送アーム５２によって、対向電
極２上の処理済みの半導体基板５１と、カセット室２７
内の未処理の半導体基板５１とが交換されも　その抵　
再び第２図（ａ）に示すように　隔壁部材３の下端を処
理部１２の下端まで移動させ、側壁部３ａを付着物除去
部８に　側壁部３ｂを処理部１２に位置させも　吹成　
対向電極１の中空部分５５を介してエツチングガスが処
理室１２ａに導入されも　また　減圧容器１３の処理室
１２ａ以外の部分に導入板１０及び１１を介して酸素ガ
スが導入されも　次に　対向電極２に電圧を印加して、
半導体基板５１のリアクティブイオンエツチングを行う
と同時に　円筒電極４に電圧を印加して酸素プラズマを
発生させ、側壁部３ａの付着物を除去すも上記の工程を
繰り返すことにより、半導体装置の稼働を停止すること
なく、常に付着物のない状態で半導体基板の処理を連続
して行うことができもまた　付着物の除去が半導体基板
の処理と同時に行われるので、半導体製造装置の稼働を
停止する必要もな式 第３図に本発明の半導体装置の他の実施例の断面図を、
第４図に平面模式図をそれぞれ示す。本実施例の半導体
装置（表　プラズマＣＶＤ装置であり、半導体基板処理
部３０と付着物除去部３１とを有する減圧容器３３と、
処理部３０内及び除去部３１内に位置し得る移動可能な
側壁部２５ａ、２５ｂを有する隔壁部材２５と、隔壁部
材２５を回転移動させるための駆動手段３２とを備えて
いも　減圧容器３３の側部中央に（上　前室２８とカセ
ット室２７とが設けられそれぞれ真空源（図示せず）に
接続されていも前室２８内に１′Ｌ　　カセット室２７
内に収容された半導体基板５１を取り出すための搬送ア
ーム５２が設けられていも　また　前室２８と減圧容器
３３とはゲートパルプ１７によって仕切られていも　半
導体基板処理部３０の上部にζ上　半導体基板処理用電
極である対向電極２１が上下方向に移動可能に蛇腹４０
によって取り付けられていも　また　半導体基板処理部
３０の下部に（Ｌ　同じく半導体基板処理用電極である
対向電極２２が固定されていも　対向電極２１及び２２
の間に１友　側壁部２５ａが位置し　対向電極２１．２
２、及び側壁部２５ａによって処理室３０ａが懲戒され
ていも　対向電極２１内には配管５３と中空部分５５が
設けられていも　中空部分５５と処理室３０ａとは多孔
部５５ａによって離隔されてい＆　　ＴＥ０１（Ｔｅｔ
ｒａ　ｅｔｈｏｘｙ　５ｉｌａｎｅ）等のＣＶＤに用い
られるガス１′Ｌ　　対向電極２１の配管５３及び中空
部分５５から多孔部５５ａを介して処理室３０ａに供給
されも　対向電極２２内には配管５４と中空部分５６が
設けられていも中空部分５６と処理室３０ａとは多孔部
５８ａによって離隔されていも　半導体基板５１が載せ
られない対向電極２２の外周部に於ける多孔部５６ａの
空隙５６ｂを通じて、ＣＶＤに用いたガスが処理）３０
ａから排出されも　付着物除去部３１の上部にζ上　付
着物除去用電極である対向電極２３が上下方向に移動可
能に蛇腹４１によって取り付けられていも　まな付着物
除去部３１の下部にＧＡ　　同じく付着物除去用電極で
ある対向電極２４が固定されていも　対向電極２３及び
２４の間には　側壁部２５ｂが位置し　対向電極２＆２
東　及び側壁部２５ｂによって除去室３１ａが形成され
ていも　対向電極２３内には配管５９と中空部分５７が
設けられていも　中空部分５７と除去室３１ａとは多孔
板５７ａによって離隔されてい、４　　ＣＦ４等の側壁
部２５ｂへの付着物除去に用いるガス１１゜対向電極２
３の配管５９及び中空部分５７から多孔部５７ａを介し
て処理室３１ａに供給されも　対向電極２４内にも同様
ぺ　配管６０と中空部分５８が設けられていも　中空部
分５８と処理室３１ａとは多孔部５８ａによって離隔さ
れていも　対向電極２４の多孔部５８ａを介して、付着
物除去に用いたガスが処理室３１ａから排出されも　対
向電極２１及び２３はアースに接続され　対向電極２２
及び２４は交流電源に接続されていも　側壁部２５ａ及
び２５ｂは駆動手段３２の回転軸２９を中心として回転
され　互いにその位置を交換することができも　駆動手
段３２として本実施例でもモータを用いた　また　側壁
部２５ａ及び２５ｂ（九　半導体基板５１を対向電極２
２上に設定することができるように　上下に移動可能と
なっていも本実施例の半導体製造装置を用いた付着物除
去方法について説明すも　まず、対向電極２１及び２３
゜並びに側壁部２５ａ及び２５ｂを上方へ移動させ、前
室２８内の搬送アーム５２によってカセット室２７内の
未処理の半導体基板５１をゲートバルブ１７を介して半
導体基板処理部３０内の下方の対向電極２２上に設置す
翫　次に　第５図（ａ）に示すように　隔壁部材２５の
一方の側壁部２５ａを半導体基板処理部３０に他方の側
壁部２５ｂを付着物除去部３１に位置させも次に　対向
電極２１及び２３．並びに側壁部２５ａ及び２５ｂを下
方へ移動させも　次ぺ　対向電極２１の中空部分５５を
介してＣＶＤのためのＴＥＯＳガスを処理室３０ａに導
入し　対向電極２２に電圧を印加して、半導体基板５１
ａ上に酸化物の膜を堆積させもこの豚　側壁部２５ａに
も酸化物が付着すも　次に対向電極２１及び２３．並び
に側壁部２５ａ及び２５ｂを上方へ移動させ、前室２８
内の搬送アーム５２によって、対向電極２２上の処理済
みの半導体基板５２ａとカセット室２７内の未処理の半
導体基板５１とを交換すん　次に　第５図（ｂ）に示す
ように　隔壁部材２５を駆動手段３２の回転軸２９を中
心として回転させ、側壁部２５ｂを半導体基板処理部３
０ニ　　酸化物が付着した側壁部２５ａを付着物除去部
３１に位置させも低　隔壁部材２５の回転移動を行った
抵　処理済みの半導体基板と未処理の半導体基板との交
換を行ってもよ（１次に　対向電極２１及び２３％並び
に側壁部２５ａ及び２５ｂを下方へ移動させも　次に　
対向電極２１の中空部分５５を介してＴＥＯＳガスを処
理室３０ａに導入すると同時に　対向電極２３の中空部
分５７を介してＣＦａガスを除去室３１ａに導入すも次
に　対向電極２２及び２４に交流電圧を印加して、処理
室３０ａに於て半導体基板５１上に酸化物の堆積を行う
と同時に　除去室３１ａに於てプラズマクリニングによ
る側壁部２５ａの付着物除去を行う。
以上により、側壁部２５ａの付着物が除去されると共に
　側壁部２５ｂに酸化物が付着すも　更に　対向電極２
Ｉ及び２３．並びに側壁部２５ａ及び２５ｂを上方へ移
動させ、前室２８内の搬送アーム５２によって、対向電
極２２上（具体的には多孔部５６ａ上）の処理済みの半
導体基板５１ａとカセット室２７内の未処理の半導体基
板５１とを交換した眞　第５図（ａ）に示すように　付
着物を除去した側壁部２５ａを半導体基板処理部３０に
　酸化物が付着した側壁部２５ｂを付着物除去部３１に
位置させも　次に　対向電極２１及び２３．並びに側壁
部２５ａ及び２５ｂを下方へ移動させム　次ｉ、ｌ、Ｔ
ＥＯＳガスを処理室３０ａに導入すると同時に、　　Ｃ
Ｆ４ガスを除去室３１ａに導入すム　更に　処理室３０
ａに於て半導体基板５１上に酸化膜の堆積を行うと同時
に　除去室３１ａに於てプラズマクリーニングによる側
壁部２５ａの付着物除去を行う。このよう紙　本実施例
に於いても上記の工程を繰り返すことにより、半導体装
置の稼働を停止することなく、常に付着物のない状態で
半導体基板の処理を連続して行うことができも　また　
付着物の除去と半導体基板の処理とが同時に行われるの
弘　半導体製造装置の稼働を停止させる必要もな鴎　本
実施例では半導体基板処理部及び付着物除去部を１つづ
ス　側壁部を２つ設けたバ　処還部及び除去部をそれぞ
れ２つ以上設置す、側壁部を４つ以上設けたマルチチャ
ンバとしてもよしちまた　上記の実施例１及び２で示し
た半導体製造装置は　ドライエツチング装置及びプラズ
マＣＶＤ装置の何れとしても用いることができることは
言うまでもなしｔ 発明の効果 本発明によれば　減圧容器内の半導体基板処理部内に於
ける半導体基板の所定の処理によって側壁部に付着した
付着物１友　付着物除去部内で除去されも　側壁部を複
数有する半導体製造装置で（表半導体基板の所定の処理
と、側壁部への付着物除去とが同時に行われん　従って
、本発明によれば稼働を停止することなく付着物を除去
し得る半導体製造装置が提供され　定期的に装置の稼働
を停止する必要のない製造方法が提供されも
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体製造装置の一実施例の断面阻　
第２図（ａ）及び（ｂ）は第１図の装置を用いた付着物
除去方法を示す阻　第３図は本発明の半導体製造装置の
他の実施例の断面は　第４図は第３図の装置の平面阻　
第５図（ａ）及び（ｂ）は第３Ｂｉｔ１の装置を用いた
半導体の製造方法を示す図であム１　、２．２１，２２
，２３．２４−−−一対向電［ｉ　　３ａ、３ｂ”・・
側壁ａ　３・・・・隔壁部株　４，５，６．７・・・・
円筒型［８，９，３１・・・・付着物除去！　　１２．
３０・・・・半導体基板処理敵　１２ａ、３０ａ・・・
・処理ｆｉ　　１３・・・・減圧容器　３１ａ・・・・
除去基３２．５０・・・・駆動子１１　５１・・・・半
導体基板

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板処理部と付着物除去部とを有する減圧
    容器と、該処理部内および該除去部内に位置し得る移動
    可能な少なくとも第一、第二の側壁部を有する隔壁部材
    と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、を備え
    、該処理部内に於ける半導体基板の所定の処理によって
    該側壁部に付着した付着物が該除去部内に於て除去され
    る半導体製造装置。
  2. （２）前記隔壁部材が複数の側壁部を有する筒状であり
    、該側壁部が、前記駆動手段によって、該処理部内及び
    該除去部内に位置し得るように往復移動可能となってい
    る、請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. （３）前記隔壁部材が複数の側壁部を有し、該側壁部が
    前記駆動手段によって、該処理部内及び該除去部内に位
    置し得るように回転移動可能となっている、請求項１に
    記載の半導体製造装置。
  4. （４）前記半導体製造装置がドライエッチング装置であ
    る請求項１に記載の半導体製造装置。
  5. （５）前記半導体製造装置がプラズマＣＶＤ装置である
    請求項１に記載の半導体製造装置。
  6. （６）前記側壁部に付着した付着物が、前記除去部内に
    於てプラズマクリーニングによって除去される、請求項
    １に記載の半導体製造装置。
  7. （７）一対の半導体基板処理用電極を有する半導体基板
    処理部と、一対の付着物除去用電極を有する付着物除去
    部とを有する減圧容器と、該処理部内および該除去部内
    に位置し得る複数の側壁部を有する移動可能な隔壁部材
    と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、を有し
    、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の１つとに
    よって形成される処理室に於いて、半導体基板の所定の
    処理が行われると同時に、該除去部内に於いて他の側壁
    部に付着した付着物が、該除去用電極によって除去され
    る半導体製造装置。
  8. （８）一対の半導体基板処理用電極を有する半導体基板
    処理部と、該処理部に隣接し且つそれぞれ一対の付着物
    除去用電極を有する２つの付着物除去部とを有する減圧
    容器と、該処理部内及び何れか一方の除去部内に位置し
    得る２つの往復移動可能な側壁部を有する筒状の隔壁部
    材と、該隔壁部材を平行移動させるための駆動手段と、
    を有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の１
    つとによって形成される処理室に於いて半導体基板の所
    定の処理が行われると同時に、該除去部内にガスが導入
    され、該除去用電極を用いた放電により、他の側壁部に
    付着した付着物が除去される半導体製造装置。
  9. （９）一対の半導体基板処理用電極を有する半導体基板
    処理部と、一対の付着物除去用電極を有する付着物除去
    部とを有する減圧容器と、該処理部内及び該除去部内に
    位置し得る２つの回転移動可能な側壁部を有する隔壁部
    材と、該隔壁部材を回転移動させるための駆動手段と、
    を有し、該処理部に於ける該処理用電極と該側壁部の一
    方とによって形成される処理室に於いて半導体基板の所
    定の処理が行われると同時に、該除去部に於ける該除去
    用電極と他方の側壁部とによって形成される除去室にガ
    スが導入され、該除去用電極を用いた放電により、該他
    方の側壁部に付着した付着物が除去される半導体製造装
    置。
  10. （１０）半導体基板処理部と少なくとも１つの付着物除
    去部とを有する減圧容器と、該処理部内及び該除去部内
    に位置し得る複数の側壁部を有する移動可能な隔壁部材
    と、該隔壁部材を移動させるための駆動手段と、を備え
    た半導体製造装置に於ける付着物除去方法であって、該
    処理部内に位置する該側壁部内に於いて半導体基板の所
    定の処理を行うと同時に、該除去部内に於いて他の側壁
    部の付着物除去を行う工程と、該駆動手段によって、該
    処理部内に位置する該側壁部を該除去部内に移動させる
    と共に、該除去部内に位置する該他の側壁部を該処理部
    内に移動させる工程と、該処理部内に位置する該側壁部
    内に於いて半導体基板の所定の処理を行うと同時に、該
    除去部内に於いて他の側壁部の付着物除去を行う工程と
    、を包含する付着物除去方法。
  11. （１１）前記側壁部の付着物の除去が、プラズマクリー
    ニングによって行われる請求項１０に記載の付着物除去
    方法。
JP2242103A 1989-09-12 1990-09-11 半導体製造装置及び付着物除去方法 Expired - Lifetime JPH0775227B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-236149 1989-09-12
JP23614989 1989-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03183128A true JPH03183128A (ja) 1991-08-09
JPH0775227B2 JPH0775227B2 (ja) 1995-08-09

Family

ID=16996484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2242103A Expired - Lifetime JPH0775227B2 (ja) 1989-09-12 1990-09-11 半導体製造装置及び付着物除去方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5084125A (ja)
JP (1) JPH0775227B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071797A (en) * 1995-10-12 2000-06-06 Nec Corporation Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition
US6910441B2 (en) * 2002-07-31 2005-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Pressure regulating system of plasma processing equipment
JP2005526613A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 エスアイジー テクノロジー リミテッド 工作物のプラズマ処理方法および装置
JP2007035855A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2598336B2 (ja) * 1990-09-21 1997-04-09 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US5316793A (en) * 1992-07-27 1994-05-31 Texas Instruments Incorporated Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method
JPH0562936A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法
US5223001A (en) * 1991-11-21 1993-06-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vacuum processing apparatus
US5266153A (en) * 1992-06-16 1993-11-30 National Semiconductor Corp. Gas distribution head for plasma deposition and etch systems
US5252178A (en) * 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
US5286297A (en) * 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
JPH07142444A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法
JP2720420B2 (ja) * 1994-04-06 1998-03-04 キヤノン販売株式会社 成膜／エッチング装置
US5944940A (en) * 1996-07-09 1999-08-31 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
GB2324196B (en) * 1997-04-09 2001-10-24 Aea Technology Plc Plasma processing
US5834371A (en) * 1997-01-31 1998-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof
US5945354A (en) * 1997-02-03 1999-08-31 Motorola, Inc. Method for reducing particles deposited onto a semiconductor wafer during plasma processing
US6177356B1 (en) 1997-06-05 2001-01-23 Sizary Ltd. Semiconductor cleaning apparatus
US6207006B1 (en) * 1997-09-18 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US8114245B2 (en) * 1999-11-26 2012-02-14 Tadahiro Ohmi Plasma etching device
JP2002030447A (ja) * 2000-07-11 2002-01-31 Canon Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
DE10115394B4 (de) * 2001-03-29 2005-03-24 Christof Diener Maschinenbauteil und/oder verfahrenstechnische Anlage mit einem Hohlraum und Reinigungsverfahren hierfür
KR20030028296A (ko) * 2001-09-28 2003-04-08 학교법인 한양학원 플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브제조방법
EP1507886B1 (de) * 2002-05-24 2015-09-30 KHS Corpoplast GmbH Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
DE102004020768A1 (de) * 2004-04-16 2005-11-17 Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg Plasmareaktor mit hoher Produktivität
DE102004019741B4 (de) * 2004-04-20 2006-04-27 Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg Plasmareaktor zur Oberflächenmodifikation von Gegenständen
JP2007242648A (ja) * 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
WO2010021539A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Vision Dynamics Holding B.V. Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
JP5835722B2 (ja) 2009-12-10 2015-12-24 オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー 自動順位付け多方向直列型処理装置
WO2011102711A1 (en) * 2010-02-17 2011-08-25 Vision Dynamics Holding B.V. Device and method for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN102012581B (zh) * 2010-09-30 2012-08-22 深圳市华星光电技术有限公司 液晶盒成盒装置及其方法
US8459276B2 (en) 2011-05-24 2013-06-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
KR101271247B1 (ko) * 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
KR101271246B1 (ko) * 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
JP7089881B2 (ja) * 2018-01-10 2022-06-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052014A (ja) * 1983-08-31 1985-03-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPS60130125A (ja) * 1983-12-17 1985-07-11 Toshiba Corp 半導体製造装置
JPS6175529A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Toshiba Corp ドライエツチング方法及び装置
US4811684A (en) * 1984-11-26 1989-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photo CVD apparatus, with deposition prevention in light source chamber
JPS61231716A (ja) * 1985-04-08 1986-10-16 Hitachi Ltd 成膜装置
JPS6220321A (ja) * 1985-07-19 1987-01-28 Hitachi Ltd 処理装置
DE3725358A1 (de) * 1987-07-30 1989-02-09 Telog Systems Gmbh Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071797A (en) * 1995-10-12 2000-06-06 Nec Corporation Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition
JP2005526613A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 エスアイジー テクノロジー リミテッド 工作物のプラズマ処理方法および装置
US6910441B2 (en) * 2002-07-31 2005-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Pressure regulating system of plasma processing equipment
JP2007035855A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0775227B2 (ja) 1995-08-09
US5084125A (en) 1992-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03183128A (ja) 半導体製造装置及び付着物除去方法
US9209034B2 (en) Plasma etching method and plasma etching apparatus
JP3122617B2 (ja) プラズマ処理装置
US10665436B2 (en) Plasma processing apparatus
US20010011422A1 (en) Vacuum processing apparatus and operating method therefor
CN101131547A (zh) 处理基材的设备和方法
KR101619166B1 (ko) 기판의 세정·건조 처리 장치
JP2008199008A (ja) 処理装置及び移載装置
JP7027284B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN107154332A (zh) 一种等离子体处理装置及方法
KR20180087269A (ko) 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법
JPH07331445A (ja) 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
JPH11121445A (ja) 気相成長装置及びその洗浄方法
TW202145290A (zh) 隔離環組件、等離子體處理裝置及處理方法
JP4076755B2 (ja) ウエット処理装置およびウエット処理方法
JP2015099937A (ja) 基板洗浄方法及び基板処理装置
JPH09129611A (ja) エッチング方法
JPS61216327A (ja) プラズマ処理方法及び装置
TW202143520A (zh) 電漿蝕刻之方法
KR20080086017A (ko) 반도체 제조설비 및 그의 제어방법
JPS63260033A (ja) プラズマ反応処理装置
KR20160092661A (ko) 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치 및 방법
JP7210266B2 (ja) ドライエッチング方法、ドライエッチング装置
JPH09232239A (ja) ウエハの表面処理装置
JPH08261535A (ja) 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置