JPH0776098B2 - 高純度石英ガラスの製造方法 - Google Patents

高純度石英ガラスの製造方法

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JPH0776098B2
JPH0776098B2 JP60240557A JP24055785A JPH0776098B2 JP H0776098 B2 JPH0776098 B2 JP H0776098B2 JP 60240557 A JP60240557 A JP 60240557A JP 24055785 A JP24055785 A JP 24055785A JP H0776098 B2 JPH0776098 B2 JP H0776098B2
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    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、高純度石英ガラスの製造方法に関するもので
ある。
[従来の技術] 従来より、合成石英ガラスを製造する方法の一つとして
気相反応法により多孔質石英ガラス母材を形成し、この
母材を加熱してガラス化する方法が採用されている。す
なわち、バーナから珪素化合物、水素、酸素等の原料ガ
スを鉛直に懸下した回転する出発部材(以下種棒と書く
ことがある)に向けて供給し、四塩化珪素等の珪素化合
物を酸・水素炎中で加水分解させ、生成したシリカ微粒
子を石英製等の前記種棒の下端部に付着、堆積させて多
孔質石英ガラス母材を形成する。次いでこの多孔質石英
ガラス母材を加熱炉に入れて、母材を焼結することによ
りガラス化する方法である。この方法によれば極めて高
純度な石英ガラスを製造することが出来るが、形状は通
常円柱状のロッドとなるので、角柱状のブロックが必要
とされる場合には、グラファイト容器等を用いて加熱成
形を行ない石英ガラスインゴットを得る場合もある。
[発明が解決しようとする問題点] この方法により石英ガラスを製造する場合、純度的には
極めて高いにもかかわらず、場合によっては、ガラスロ
ッドの外周部(外表面より0〜10mmの厚さ)にクリスト
バライトの微結晶(10〜100μm径)が析出し、光学的
用途など無欠点品が要求される場合に、製品歩留り低下
の要因となる。この微結晶が外周部に生成する原因につ
いては、必らずしも明確ではないが、異質なシリカ微粒
子が多孔質母材中に含まれる事などによるものと考えら
れる。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、珪素化合物を酸水素炎中で加水分解して生成したシ
リカ微粒子を回転する出発部材上に堆積させて多孔質母
材を形成させ、これを焼成して得られる高純度石英ガラ
スロッドあるいはこれを高温下で成形して得られる石英
ガラスインゴットにつき、その雰囲気温度を300℃/hr以
上の昇温速度で1730℃以上まで昇温し、1〜4時間この
1730℃以上の高温下で熱処理した後、その雰囲気温度が
1200〜1000℃の範囲を30℃/hr以下の昇温速度で冷却す
ることにより、ガラス外周部に含まれる結晶質微小欠点
を除去することを特徴とする、欠点のない高純度石英ガ
ラス製造方法を提供するものである。上記した多孔質母
材を焼成して得られる高純度石英ガラスロッドおよびそ
れを高温下で成形して得られる石英ガラスインゴット以
下では総称して合成石英ガラスインゴットと書く。
本発明において熱処理を施す石英ガラスは前述した方法
により製造された合成石英ガラスインゴッドの円柱状ロ
ッドないしは角柱状ブロックであり、これを有機溶媒及
び10〜20%弗酸中で処理し、ガラスに付着した有機物及
びSiO2以外の金属酸化物や金属イオンを除去した後、純
水で洗浄後、乾燥したものを用いる事が好ましい。これ
を例えば第1図に示した如きグラファイト製の容器内に
セットし、容器とガラスとの間をカーボンブラックある
いは高純度SiC粉末等で充填した後、炉内に設置する。
炉はグラファイトヒーターによる抵抗加熱方式の炉ある
いは誘導加熱炉を用いる事が好ましい。
次いで炉内の雰囲気をアルゴン等の不活性ガス雰囲気に
置換した後、昇温を開始する。昇温速度は通常300℃/hr
以上である事が好ましい。これが遅い場合には、1400〜
1600℃の石英ガラスが失透しやすい温度域での滞留時間
が長くなる為仕込んだ合成石英ガラスインゴットの表面
が一部失透し、熱処理終了の時点でガラス表面に気泡の
巻込みが発生し、好ましくない。
熱処理温度としては1730℃以上である事が好ましい。こ
れは、クリストバライトの結晶が実質的に溶解消失する
為には1730℃以上が必要である為である。1730℃以上で
の保持時間はクリストバライト状の欠点の大きさやガラ
スの大きさにより一概には決まらないが、通常1〜4時
間が好ましい。これよりも短い場合には、ガラスの伝熱
がおいつかなかったり、溶解消失速度がおいつかず欠点
が消失せず、また、これ以上長い時間処理する必要は通
常ない。1730℃以上での保持が終了した後の降温速度は
任意であるが、ガラス中に熱的歪を残さない為には1200
〜1000℃の範囲を30℃/hr程度ないしそれ以下の速度で
冷却する必要がある。
[実施例] 四塩化珪素を原料として製造した直径120mm、長さ480m
m、重量11.9kgの合成石英ガラスインゴット(ロッド表
面より5mmの範囲にクリストバライト状欠点を約500個含
む)を、通常の処理により洗浄、乾燥を行ない表面の付
着物を除去した後、内径150mmφ、高さ500mmの第1図に
示した如き、グラファイト製の容器にセットし、ガラス
と容器との間にカーボンブラック粉末(東洋カーボン
(株)製、シースト3Hを予め熱処理したもの)を充填し
た後、最大出力140KWのカーボンヒーターを有する400mm
(内径)×700mm(高さ)の炉内有効寸法を有する電気
炉内にセットした。
次いで炉内を真空ポンプで引き、0.05トールまで減圧に
引いた後、引き続き減圧に引きながら昇温を開始した。
2時間で1000℃迄昇温したところで真空ポンプを停止
し、アルゴンガスを炉内に導入して、1気圧とした。こ
の後、2時間で1750℃に昇温し、2時間保持した。
この後1250℃まで1時間で降温し、次いで1000℃まで30
℃/hrで降温し、電気炉の電源を切り放冷した。そして
炉内温度が室温まで冷却した事を確認した後、グラファ
イト容器を炉から取出し合成石英ガラスインゴットを取
り出した。このインゴットの重量は11.8kgで形状等には
変化が見られなかった。これを両端面を研磨し、高輝度
光源を用いて欠点を観察したところ、外周部のクリスト
バライト状の欠点はすべて消失しており無欠点のガラス
であった。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、合成石英ガラスイ
ンゴットの外周部に含まれる結晶質の微小欠点を除去す
ることが出来、歩留りよく欠点のない高純度石英ガラス
を製造する事が出来る。しかも、高温下で処理する為に
脈理や歪み等のない均質なガラスが得られるという効果
も認められる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す説明図である。 1……合成石英ガラスインゴット 2……熱処理用グラファイト製容器 3……容器とガラスとの間に充填した充填材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】珪素化合物を酸水素炎中で加水分解して生
    成したシリカ微粒子を回転する出発部材上に堆積させて
    多孔質母材を形成させ、これを焼成して得られる高純度
    石英ガラスロッドあるいはこれを高温下で成形して得ら
    れる石英ガラスインゴットにつき、その雰囲気温度を30
    0℃/hr以上の昇温速度で1730℃以上まで昇温し、1〜4
    時間この1730℃以上の高温下で熱処理した後、その雰囲
    気温度が1200〜1000℃の範囲を30℃/hr以下の冷却速度
    で冷却することにより、ガラス外周部に含まれる結晶質
    微小欠点を除去することを特徴とする、欠点のない高純
    度石英ガラスの製造方法。
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