JPH077806B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH077806B2 JPH077806B2 JP62031022A JP3102287A JPH077806B2 JP H077806 B2 JPH077806 B2 JP H077806B2 JP 62031022 A JP62031022 A JP 62031022A JP 3102287 A JP3102287 A JP 3102287A JP H077806 B2 JPH077806 B2 JP H077806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- insulating film
- polysilicon
- redundant circuit
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- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は冗長回路を有する半導体集積回路（以下LSIと
いう）に関し、特に不良の回路と冗長回路を置換を決定
するヒューズの形状に関する。
いう）に関し、特に不良の回路と冗長回路を置換を決定
するヒューズの形状に関する。
〔従来の技術〕 従来、この種のヒューズは、第４図（ａ），（ｂ）の様
な構造になっていた。このヒューズ１は通常ポリシリコ
ンで形成されるが、それは他の内部配線用ポリシリコン
と同じものを用いるため、必要以上に厚くなっていた。
この例の構成は、半導体基板７上に絶縁膜６が形成さ
れ、この絶縁膜６の上にヒューズ１が形成される。これ
らヒューズ１と絶縁膜６上にパッシベーション膜５が最
上面に一様に成長される。
な構造になっていた。このヒューズ１は通常ポリシリコ
ンで形成されるが、それは他の内部配線用ポリシリコン
と同じものを用いるため、必要以上に厚くなっていた。
この例の構成は、半導体基板７上に絶縁膜６が形成さ
れ、この絶縁膜６の上にヒューズ１が形成される。これ
らヒューズ１と絶縁膜６上にパッシベーション膜５が最
上面に一様に成長される。
上述した従来のヒューズは、内部配線と同時に形成され
るので必要以上に厚い構造となっていた。一方、ヒュー
ズ１を切断するにはレーザ光を当て溶断させて行うが、
ヒューズ１であるポリシリコンが厚いため、切断しきれ
なかったり、１度溶けたポリシリコンが、ポリシリコン
を被うパッシベーションの側面に再固着し切断不良とな
るという欠点がある。
るので必要以上に厚い構造となっていた。一方、ヒュー
ズ１を切断するにはレーザ光を当て溶断させて行うが、
ヒューズ１であるポリシリコンが厚いため、切断しきれ
なかったり、１度溶けたポリシリコンが、ポリシリコン
を被うパッシベーションの側面に再固着し切断不良とな
るという欠点がある。
例えば、第５図（ａ），（ｂ）に示す様に、切断後も１
部のポリシリコン10が連なっている不良が発生する。
部のポリシリコン10が連なっている不良が発生する。
レーザ光照射部８に対し、エネルギはポリシリコン１に
吸収され気化し、空洞９が出来る。この時、側面のパッ
シベーション膜５を破壊する力がなく１部は再固着した
ポリシリコン10となる。
吸収され気化し、空洞９が出来る。この時、側面のパッ
シベーション膜５を破壊する力がなく１部は再固着した
ポリシリコン10となる。
本発明の目的は、このような欠点を除き、ヒューズの切
断不良をなくした半導体装置を提供することにある。
断不良をなくした半導体装置を提供することにある。
本発明の構成は、冗長回路と、この冗長回路と接続され
その選択をレーザ光の照射による切断により行うヒュー
ズと、これら冗長回路およびヒューズを覆うパッシベー
ション膜とを備えた半導体装置において、前記ヒューズ
の下地の絶縁膜がその周囲の絶縁膜の厚さよりも厚く形
成され、この絶縁膜に厚さがあることにより前記ヒュー
ズの側面となる前記パッシベーション膜が薄く形成され
たものであることを特徴とする。
その選択をレーザ光の照射による切断により行うヒュー
ズと、これら冗長回路およびヒューズを覆うパッシベー
ション膜とを備えた半導体装置において、前記ヒューズ
の下地の絶縁膜がその周囲の絶縁膜の厚さよりも厚く形
成され、この絶縁膜に厚さがあることにより前記ヒュー
ズの側面となる前記パッシベーション膜が薄く形成され
たものであることを特徴とする。
次に本発明について図面を用いて説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の平面図およ
びそのＡ−Ａ′線の断面図である。本実施例では、ポリ
シリコンヒューズ１が、その周辺の絶縁膜６より厚い絶
縁膜２上に形成されている。
びそのＡ−Ａ′線の断面図である。本実施例では、ポリ
シリコンヒューズ１が、その周辺の絶縁膜６より厚い絶
縁膜２上に形成されている。
このヒューズ１は内部回路と接続する金属配線３とスル
ーホール４を遠して接続されている。また、絶縁膜６は
半導体基板７上に形成され、その最上面はパッシベーシ
ョン膜５によって被われている。ヒューズ１の側面のパ
ッシベーション膜５は従来のヒューズに比べて薄くなっ
ている。
ーホール４を遠して接続されている。また、絶縁膜６は
半導体基板７上に形成され、その最上面はパッシベーシ
ョン膜５によって被われている。ヒューズ１の側面のパ
ッシベーション膜５は従来のヒューズに比べて薄くなっ
ている。
第２図（ａ），（ｂ）は本実施例にレーザ光を照射した
場合の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図である。レーザ
光がヒューズ１の照射部８の様に当るとそのエネルギは
ポリシリコンヒューズ１に吸収され、開孔９を残してヒ
ューズが切断される。この時、ヒューズ１の側面のパッ
シベーション膜５も十分に破壊されるのでポリシリコン
による再固着を発生することはない。
場合の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図である。レーザ
光がヒューズ１の照射部８の様に当るとそのエネルギは
ポリシリコンヒューズ１に吸収され、開孔９を残してヒ
ューズが切断される。この時、ヒューズ１の側面のパッ
シベーション膜５も十分に破壊されるのでポリシリコン
による再固着を発生することはない。
第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
およびそのＡ−Ａ′断面図である。第１の実施例は、ヒ
ューズ１下層の絶縁膜６が周囲より厚い必要があった
が、この実施例では切断するヒューズの部分の側面につ
いて絶縁膜６の薄い部分11を設けたものである。
およびそのＡ−Ａ′断面図である。第１の実施例は、ヒ
ューズ１下層の絶縁膜６が周囲より厚い必要があった
が、この実施例では切断するヒューズの部分の側面につ
いて絶縁膜６の薄い部分11を設けたものである。
本実施例は、第１の実施例と同様に、ヒューズの切断不
良をなくすと共に、拡散、リソグラフィーの工程がヒュ
ーズを必要としない品種と同じ工程で製造できるという
特徴もある。
良をなくすと共に、拡散、リソグラフィーの工程がヒュ
ーズを必要としない品種と同じ工程で製造できるという
特徴もある。
以上説明した様に、本発明はヒューズの下の絶縁物を厚
くする事により、ヒューズの切断不良をなくし、信頼性
の高い半導体装置が得られる。
くする事により、ヒューズの切断不良をなくし、信頼性
の高い半導体装置が得られる。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例のヒューズ部
分の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図、第２図（ａ），
（ｂ）は第１図のヒューズ切断時の平面図およびそのＡ
−Ａ′断面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の
実施例のヒューズ部分平面図およびそのＡ−Ａ′断面
図、第４図（ａ），（ｂ）は従来のヒューズ部分の一例
の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図、第５図（ａ），
（ｂ）は第４図のヒューズの切断時の平面図およびその
Ａ−Ａ′断面図である。 １……ポリシリコンヒューズ、２……厚い絶縁膜部分、
３……金属配線、４……スルーホール、５……パッシベ
ーション膜、６……絶縁膜、７……半導体基板、８……
レーザ光照射部分、９……開孔部、10……ポリシリコ
ン、11……薄い絶縁膜部分。
分の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図、第２図（ａ），
（ｂ）は第１図のヒューズ切断時の平面図およびそのＡ
−Ａ′断面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の
実施例のヒューズ部分平面図およびそのＡ−Ａ′断面
図、第４図（ａ），（ｂ）は従来のヒューズ部分の一例
の平面図およびそのＡ−Ａ′断面図、第５図（ａ），
（ｂ）は第４図のヒューズの切断時の平面図およびその
Ａ−Ａ′断面図である。 １……ポリシリコンヒューズ、２……厚い絶縁膜部分、
３……金属配線、４……スルーホール、５……パッシベ
ーション膜、６……絶縁膜、７……半導体基板、８……
レーザ光照射部分、９……開孔部、10……ポリシリコ
ン、11……薄い絶縁膜部分。
Claims (1)
- 【請求項１】冗長回路と、この冗長回路と接続されその
選択をレーザ光の照射による切断により行うヒューズ
と、これら冗長回路およびヒューズを覆うパッシベーシ
ョン膜とを備えた半導体装置において、前記ヒューズの
下地の絶縁膜がその周囲の絶縁膜の厚さよりも厚く形成
され、この絶縁膜に厚さがあることにより前記ヒューズ
の側面となる前記パッシベーション膜が薄く形成された
ものであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031022A JPH077806B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031022A JPH077806B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198354A JPS63198354A (ja) | 1988-08-17 |
| JPH077806B2 true JPH077806B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12319890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62031022A Expired - Lifetime JPH077806B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077806B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3150113B2 (ja) | 1998-11-11 | 2001-03-26 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US6380838B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Semiconductor device with repair fuses and laser trimming method used therefor |
| JP4716945B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2011-07-06 | 三菱電機株式会社 | 電動機 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2625089A1 (de) * | 1976-06-04 | 1977-12-15 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zum auftrennen von leiterbahnen auf integrierten schaltkreisen |
| JPS62162344A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62031022A patent/JPH077806B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63198354A (ja) | 1988-08-17 |
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