JPS6355955A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6355955A
JPS6355955A JP61201007A JP20100786A JPS6355955A JP S6355955 A JPS6355955 A JP S6355955A JP 61201007 A JP61201007 A JP 61201007A JP 20100786 A JP20100786 A JP 20100786A JP S6355955 A JPS6355955 A JP S6355955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
fuse
aluminum
passivation film
polysilicon
Prior art date
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Pending
Application number
JP61201007A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunobu Yoshimura
吉村　克信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6355955A publication Critical patent/JPS6355955A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/064—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the conductivity of conductive parts, e.g. by alloying
    • H10W20/065—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the conductivity of conductive parts, e.g. by alloying by making at least a portion of the conductive part non-conductive, e.g. by oxidation

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特に半導体基板上に設けられたヒ
ユーズを溶断することによってリダンダンシ回路を作動
せしめる半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、メモリーＩＣ等のりダンダンシ回路のヒユーズと
してポリシリコンが使われるのが一鍛的であり、このポ
リシリコンはＭＯＳトランジスタのゲート端子の形成と
同一工程で作られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述した従来の半導体装置はヒユーズが
ゲート端子と形成と同一工程で行なわれるため、比較的
厚いポリシリコンであり、このヒユーズをレーザ等で溶
断する場合に、容易に溶断することができず周辺部を破
損し不良を発生することが少なくないと云う欠点がある
。
本発明の目的は上述の欠点を除去し、ヒユーズに配線用
アルミニウムのアロイ防止としてアルミニウムの下に設
けられる配線用ポリシリコンを使用することで不良発生
の少ない半導体装置を提供することにある。　　。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はヒユーズの溶断不良を防ぐためにリダンダンシ
回路用のヒユーズとして、アロイスパイク防止として配
線用のアルミニウムの下に敷かれる配線ポリシリコンを
使用することにより構成される。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図において
半導体基板１の上部にフィールド絶縁領域２が形成され
、この上面にアルミニウムのアロイスパイク防止用の配
線ポリシリコン３が設けられていて、配線用アルミニウ
ム４が配線用ポリシリコン３の中央部を除いて両側に設
けられ、配線用アルミニウム４はパッシベーション膜５
で覆われている。この構造はパッシベーション膜を成長
したのち、選択エツチングでリダンダンシ回路のヒユー
ズの溶断部のパッシベーション膜を除去し、このあとパ
ッシベーション膜をマスクに配線用アルミニウムをエツ
チングすることによって得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リダンダンシ回路用のヒ
ユーズが配線用の薄いポリシリコンにより作られている
ので、容易に溶断することができ、溶断不良の発生を少
なくすることができると云う効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
絶縁領域、３・・・・・・配線ポリシリコン、４・・・
・・・配線用アルミニウム、５・・・・・・パッシベー
ション膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リダンダンシ回路を有する半導体装置において、リダン
    ダンシ回路ヒューズが配線用アルミニウムのアロイ防止
    としてこの配線用アルミニウムの下に設けられる配線用
    のポリシリコンであることを特徴とする半導体装置。
JP61201007A 1986-08-26 1986-08-26 半導体装置 Pending JPS6355955A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259404A (ja) * 1991-12-18 1993-10-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロ・メカニカル・スイッチ
US6876057B2 (en) * 2001-09-13 2005-04-05 Seiko Epson Corporation Semiconductor devices including fuses and dummy fuses

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